Electronica Analogica II - Respuesta en Frecuencia - 2012

Universidad Nacional de Córdoba
Facultad de Ciencias Exactas, Físicas y Naturales

Escuela de Ingeniería Electrónica
Respuesta en Frecuencia
Cátedra Electrónica Analógica II
2012
Ing. Oscar H. Puigdellibol

Profesor Titular de la Cátedra de Electrónica Analógica II de la
Facultad de Ciencias Exactas, Físicas y Naturales de la
Universidad Nacional de Córdoba
Cátedra de Electrónica Analógica II
Respuesta en frecuencia de los amplificadores
Índice
1. Introducción. ................................................................................................................. 3
2. Respuesta en Baja Frecuencia. .................................................................................... 4
2.1.1. Amplificador Emisor Común. .............................................................................. 4
2.2. Diseño de la Respuesta. ........................................................................................... 6
2.2.1. Efecto del Capacitor de Emisor. (C1 y C2 = ∞) .................................................. 8
2.2.2. Efecto de las Capacidades de Acoplamiento. .................................................... 10
2.2.3. Cálculo de los Capacitores. ................................................................................. 11
2.3. Seguidor de Emisor en Bajas Frecuencias. .......................................................... 16
2.3.1. Diseño de la Respuesta ........................................................................................ 17
2.3.1.1. Efecto del capacitor de Emisor (C1 =∞).......................................................... 17
2.3.1.2. Efecto del Capacitor de Acoplamiento C1. (Ce =0). ...................................... 18
2.4. Configuración Base Común .................................................................................. 19
2.4.1. Diseño de la Respuesta ........................................................................................ 19
2.5. Amplificadores en Cascada Acoplados Capacitivamente. ................................. 22
2.5.1. Etapas Idénticas................................................................................................... 22
2.5.2. Etapas no Idénticas. ............................................................................................ 23
3. Respuesta en alta frecuencia. ....................................................................................... 25
3.1. INTRODUCCIÓN. ................................................................................................ 25
3.1.1. Producto Ganancia-Ancho de Banda [GBW]. .................................................. 29
3.1.2. Parámetros SPICE. ............................................................................................. 30
3.1.3. Efecto Miller. ....................................................................................................... 34
3.1.4. Ganancia de corriente ......................................................................................... 36
3.1.5. Efecto de la Impedancia de Carga sobre la Frecuencia Superior de Corte. .. 37
3.1.5.1. Carga Resistiva Pura ........................................................................................ 37
3.1.5.2. Carga con Componente Capacitiva ................................................................. 37
3.1.6. Efecto de la Impedancia de la Red de Excitación. ............................................ 41
3.1.7. Modelo Lineal equivalente en parámetros Admitancia del Transistor en
Emisor Común. ............................................................................................................... 45
3.2. Configuración Base Común. ................................................................................. 47
3.2.1. Análisis de la Frecuencia de Corte ..................................................................... 49
3.3. Seguidor de Emisor en Alta Frecuencia. ............................................................. 51
3.4. Amplificadores en Cascada. .................................................................................. 53
3.4.1. Análisis de la Respuesta. ..................................................................................... 53
3.5. Diseño. ..................................................................................................................... 56
3.6. Respuesta en Alta Frecuencia del Amplificador Cascode .................................. 58
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Respuesta en frecuencia.
1. Introducción.
La presencia de componentes de acoplamiento reactivos en los amplificadores, como así tam-
bién las capacidades internas de los activos, hacen a la respuesta de aquellos dependientes de
la frecuencia de la señal. Esto se traduce en diferentes ganancias y retardos para las distintas
componentes de una señal compuesta, generando lo que se define como distorsión de frecuen-
cia y fase respectivamente.
Debido al carácter complejo de las funciones de transferencia, se deberán analizar sus carac-
terísticas de módulo y fase, en el dominio de la frecuencia. La figura 1 muestra ambos dia-
gramas de la respuesta típica de un amplificador con acoplamiento capacitivo. En el gráfico de
módulo se puede observar una zona central de ganancia relativamente constante, denominada
banda de transmisión, cuyo ancho queda definido por las frecuencias, a las que aquella se re-
duce generalmente 3 db.
Am
A( j )   Am db  A( j ) db  3db
2
Estas frecuencias límites, fL y fH, se denominan frecuencias de corte en baja y alta frecuencia
respectivamente.
Fig. 1a. Diagrama de Módulo. (Escala logarítmica)
Fig. 1b. Diagrama de Fase. (Escala logarítmica)
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Es frecuente clasificar los amplificadores de acuerdo a la relación entre el ancho y la frecuen-

B
cia central de la banda de transmisión, , resultando dos tipos clásicos, de banda ancha o
0
banda angosta, según que la relación sea bastante mayor o menor que uno respectivamente. Se
limitará el estudio a los amplificadores del primer tipo, que se corresponden con las configu-
raciones que utilizan acoplamiento capacitivo o directo. En los primeros la gran diferencia de
magnitud entre los elementos reactivos externos respecto de los internos o parásitos, hacen
que sus efectos sobre la respuesta se produzcan en bandas de frecuencias suficientemente se-
paradas, tal que permite analizar los dos fenómenos en forma independiente simplificando el
esfuerzo matemático.
La profundidad con que se analizarán estos temas será la necesaria para poner en evidencia los
efectos de primer orden, relacionándolos con los parámetros del circuito, en forma tal de lle-
gar a métodos de síntesis sencillos y de precisión razonable. Mediante simulación electrónica
se podrán ajustar los cálculos convenientemente y evaluar la perfomance completa.
2. Respuesta en Baja Frecuencia.
2.1.1. Amplificador Emisor Común.

La figura 2a muestra una etapa amplificadora en emisor común, con las capacidades externas
que generalmente lleva asociadas y son las que definirán la frecuencia de corte (fL). En la figu-
ra 2b se modela en el dominio Laplaciano al amplificador en bajas frecuencias, en consecuen-
cia las relaciones de transferencia que se evalúen a partir de el, resultarán expresiones alge-
braicas, cocientes de polinomios en la variable (S), [1].
N (s)
Ai (s)  k0 [1]
D(s)
Fig..2a.
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Fig. 2b.
Modelo Incremental.
Los polinomios respectivos serán racionales a coeficientes reales cuyo grado estará dado por
la cantidad de elementos reactivos independientes de la red. Las raíces de ambos serán reales
con la exigencia para los polos, que sean negativas por razones de estabilidad. Atendiendo lo
expuesto, el circuito de Fig 2b, presentará en términos generales relaciones de transferencia
del siguiente tipo.
 ( s  z1 )(s  z2 )(s  z3 ) 
A  Am   [2]
 ( s  p1 )(s  p2 )(s  p3 ) 
En la expresión [2], los valores, (p1, z1), (p2, z2) y (pe, ze) son los pares polo-cero de la función
de transferencia generados por las capacidades, C1, C2 y Ce respectivamente. La constante Am
es la asíntota de alta frecuencia de la función y en consecuencia el valor de la relación en la
banda de de transmisión .
A partir del circuito respectivo se puede prever algunas características de aquellas singulari-
dades. Por ejemplo, la conexión en serie, con el flujo de señal, de los capacitores de acopla-
miento C1 y C2, hacen que no haya transmisión con señal continua, es decir que los ceros z1 y
z2 respectivos, deben estar en el origen (z1 = ωz2 = 0). En cambio el generado por el capaci-
tor de desacoplamiento Ce no tiene esta restricción y se ubicará en una frecuencia real por
encima de cero, (ze ). Los polos 1, 2 y e serán reales y diferentes de cero. En consecuen-
cia la expresión [2] queda:
s 2 s  ze 
A (s)  Am [3]
s  1 s  2 s  e 
Finalmente se puede adelantar que los polos de la función están relacionados con los paráme-
tros del circuito de la figura 2b por la siguiente expresión.
1  rad 
i    [4]
Ri Ci  seg 
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Ci Capacitor externo.
Ri Resistencia vista, (Thévevin), desde los terminales del capacitor Ci.
Se demostrará oportunamente que el polo correspondiente a Ce, esta relacionado con el cero
respectivo a través de una constante [5].
e = ke z con ke  1 [5]
2.2. Diseño de la Respuesta.

El problema del diseño se reduce a calcular el valor de los capacitores para satisfacer una fre-
cuencia de corte, especificada a partir de la condición módulo de la ecuación (4).
Am ( jL ) 2  jL  ze  A
Ai jL )   m [6]
 jL  1  jL  2  jL  e  2
Matemáticamente hay infinitos juegos de valores de los capacitores que la satisfacen, debido
a que se tienen tres incógnitas y una ecuación. Se deberían fijar con algún criterio dos de ellas
y la restante evaluarla con la expresión [6]. Este procedimiento que aparenta ser sencillo, no lo
es tanto al momento de hacer cálculos con lápiz y papel, debido a la relativa complejidad de la
ecuación de referencia. Se Plantean entonces algunos criterios que permitan simplificarlos y
en lo posible optimizar el diseño. Estos se fundamentan en que generalmente interesa definir
la frecuencia de corte fL, sin importar mucho la forma del diagrama de módulo de la ganancia
a frecuencias inferiores (con la condición que aquella disminuya). En este sentido el método
más simple y utilizado que permite cumplir ambos, propone distribuir los polos de la función
de transferencia en forma tal de generar uno dominante, (ωD), es decir un polo a frecuencia
suficientemente mas elevada que las demás singularidades tal que la influencia de estos últi-
mos en la definición de la frecuencia de corte pueda despreciarse en cálculos manuales.
Fig. 3a.
Matemáticamente esto significa que a frecuencias cercanas a la del polo dominante la función
de transferencia [6], podría aproximarse por [7].
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Am s
Ai ( j ) S    [7]
D
s   D 
Escribiendo [7], en la condición de corte, se deduce que la posición del polo dominante debe
ser la de la frecuencia de corte especificada.
Am  L Aim
Ai ( j L )   L  D
 2
L  2
D  
2
[8]
La utilización del método expuesto exige la elección de alguno de los capacitores para generar
D. Un buen criterio para ello, sería optar por aquella combinación de capacitores que arroje
la mínima capacidad total conectada para lograr la frecuencia de corte requerida. Es decir que
C1+C2+Ce → mínima
Es obvio que esta sería la solución de menor costo y volumen. Se puede demostrar, con refe-
rencia a lo expuesto, que se logra el objetivo, si se elige para generar el polo dominante al
capacitor que tenga la resistencia equivalente asociada mas baja. Desde este punto de vista
resulta favorecido el de emisor, Ce , ya que este es el terminal del transistor que muestra la
impedancia más baja
Con esta elección la [6] puede expresarse en la banda de frecuencias cercanas al corte por la
siguiente:
Am  jL  ze  Aim

A( jL )   [9]
 jL  e  2
La anterior no es igual a [8] debido a la presencia del cero ωze , ya que este no puede ubicarse
arbitrariamente frecuencias abajo de ωe como es el caso de los polos ω1 y ω2 , debido a que
son linealmente dependientes [5], esto es, una vez fijado ωL = ωe, también lo hace el cero a
una distancia, ke , por debajo. Afortunadamente salvo casos muy puntuales esta distancia es
bastante grande, cerca de una década, con lo que resulta ωD >> ωze,, de modo que verifica [8].
Resta seleccionar las capacidades C1 y C2 , para ubicar los polos respectivos suficientemente
por debajo de ωL ( mas de dos octavas), Fig.3b.
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Fig. 3b.
La simplificación al problema de diseño, que implica lo expuesto es evidente y la aproxima-

ción al valor de la frecuencia de corte es aceptable.
No obstante el procedimiento descrito es el que se utilizará generalmente en el texto, para el
diseño de la respuesta en bajas frecuencias hay variantes que se exponen en los ejemplos.
Antes de comenzar el análisis de las configuraciones típicas es importante hacer el siguiente
comentario y esta referido al cálculo de las resistencias equivalentes asociadas al capacitor en
la generación del polo respectivo, (ecuación [4]). Aquella se define como la resistencia “vista”
a bornes del capacitor y su cálculo sigue la regla general utilizada para evaluar la resistencia
equivalente de Thévenin en la aplicación de este teorema. Generalmente esto se puede hacer
por simple inspección. Por ejemplo, la resistencia asociada al capacitor de acoplamiento de la
carga, C2, en figura 2b, es directa e igual a
R2 = RC + RL
En cambio para hacer lo mismo con el capacitor de emisor en la figura de referencia, se pre-
sentaría la siguiente duda, si se considera al capacitor de acoplamiento C1 como un circuito
abierto, la resistencia interna del generador, (r1), no estaría involucrada, en cambio si aquel se
considera como un cortocircuito, ocurriría lo contrario. Esta indeterminación se puede levan-
tar desde el concepto de polo dominante. En efecto, bajando en frecuencias en torno a la de un
polo cualquiera, el capacitor que lo produce esta transitando de un estado de baja impedancia
(cortocircuito) a un estado de alta impedancia (circuito abierto). Entonces si se elige el capaci-
tor de emisor para generar el polo dominante, se puede considerar al capacitor de acoplamien-
to, C1, como un cortocircuito a esa frecuencia ya que este generará su respectivo polo, sufi-
cientemente por debajo de aquel. Por las mismas razones, el capacitor de emisor debe ser con-
siderado un circuito abierto, cuando se analice la resistencia asociada a C1. Estos conceptos se
aplicarán en las secciones siguientes y permitirán analizar en detalle los efectos de cada uno
de los capacitores sobre la respuesta del amplificador, en forma independiente.
2.2.1. Efecto del Capacitor de Emisor. (C1 y C2 = ∞)

Por inspección de la figura 4 se deduce la ganancia de corriente expresada en [12].
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Fig. 4.
 
 
i0 ie  RC  R'   RC  R' 
Ai           [10]
ie ii  RC  RL  R' Z   RC  RL  R' h  Re 
 ib
1  sCe Re 
 
ri // Rb Re
R' y Z  hib 
h fe 1  sCe Re
Finalmente
 1 
 s 
 RC  R'   Ce Re   A  s   ze 
Ai      m 
[11]
 RC  RL  R' hib   s  1   s  e 
 
 Ce Re ( R´  hib ) /( R´  hib  Re ) 
La anterior define
1 1 Re
e  ; D  y Ke  >> 1 [12]
Ce [ (R e //(R  hib)] hib  R'
,
Ce Re
Las expresiones anteriores corroboran lo asumido respecto de la separación polo-cero y mues-

tran que la modificación del capacitor de emisor produce únicamente un desplazamiento del
diagrama sobre el eje de frecuencias sin modificar la separación respectiva.
La figura [5] muestra el diagrama asintótico de amplitud de la respuesta.
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Figura 5
Existen aplicaciones en que la separación no es suficiente, por ejemplo en el caso que muestra
la figura 6. En efecto cuando hay necesidad de incluir realimentación negativa para la compo-
nente de señal con motivo de disminuir la distorsión armónica, es práctica frecuente desaco-
plar parcialmente Re.
En este caso se puede demostrar que
1 Re 2
e  Ke 
Ce Re 2 Re1  hib  R'
Según sea la relación de Re1 y Re2, la relación Ke puede ser tan baja que puede no haber una
separación polo-cero suficiente para que exista la frecuencia de corte definida por el capacitor
de emisor.
Fig. 6
2.2.2. Efecto de las Capacidades de Acoplamiento.

El efecto de estas capacidades se puede analizar simultáneamente debido a que pertenecen a
mallas separadas.
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Fig. 7
La ganancia de corriente resulta :
i0 i0 ib
Ai  
ii ib ii
 
 
 
io RC RC R L  RC  s  [13]
 h fe  h fe   h fe  
ib RC  Z 2 RC  RL 
1  RC  RL  s  1
 
sC2  C2 ( RC  RL ) 
    
 2 
 
 
 
ib  ri Rb   rI  s  [14]
    
ii  (ri  Z1 ) ( R b  hie  R'e )   ri R  s 1
 
 C1 (ri  R) 
    
 1 
Finalmente
 s  s 
Ai (s)  Aim    [15]
 s  1  s  2 
[13] y [14] muestran que las resistencias asociadas para generar los polos de ambos capacita-
ros, se corresponden con la vista desde sus terminales.
2.2.3. Cálculo de los Capacitores.

El cálculo de los capacitores puede comenzar con el de emisor para definir la frecuencia de
corte,  L = D , utilizando [12}. Luego con los de acoplamiento, seleccionando primero el que
tenga resistencia asociada mas baja para ubicar su polo en la posición del cero generado por
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el de emisor (  e ), de manera de producir su cancelación y el restante para producir su polo

por debajo de la frecuencia de corte. (Ej. una década)
Ejemplo E.3.1.
En este ejemplo se calcularán los capacitores C1, C2 y Ce en el amplificador de la figura 1
para definir L = 628 rps, verificando los resultados por simulación en Pspice.
Fig. E.3.1.a
Q1=2N2222A y hfe  150
Fig. E.3.1.b.
Del circuito se deduce:
ICQ = 1 mA → hie = 3.7 k → gm = 40 ms
La ganancia en la banda de paso es:
i0 vbe  RC  ri 
Aim     g m   Rb // hie   10  20 db
vbe ii  RC  RL  ri  ( Rb // hie ) 
a) Utilizando el concepto de polo dominante y capacidad total mínima, se debe cumplir lo

siguiente :
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1
L  e   628rps
R3Ce
La resistencia equivalente asociada al capacitor de emisor deducida de fig E3.1b, con el capa-
citor C1 cortocircuitado es
103
R3  0.03 k → Ce   54F
628 0.03
La frecuencia del cero generado por el capacitor Ce es:
1 103
e    62rps
Ce Re 54  0.3
Esto es, poco mas de una década por debajo del polo respectivo
Cálculo de los Capacitores C1 y C2.

Fijando la frecuencia de los polos respectivos, una década por debajo de la de corte, habrá
cancelación de uno de estos, con el cero producido por el capacitor de emisor, favoreciendo el
concepto de polo dominante.
L
1   2   62rps
10
Del circuito se deducen las resistencias según [15] y [16].
103
R1  2,9 k → C1   5,6 F
62  2,9
103
R2  4 k → C2   4F
62  4
Es importante notar que con esta distribución de polos, la función de transferencia global en
bajas frecuencias queda:
s 2 (s  e ) s2
Ai ( s)  Aim  10
( s  1 )(s   2 )(s  3 ) ( s  62)(s  628)
b) Como se comentó, existen otras soluciones al problema del diseño de la respuesta, a conti-
nuación se expondrá una a los fines de comparativos utilizando el criterio de polo múltiple, es
decir calculando los capacitores de manera de generar polos iguales para producir la frecuen-
cia de corte especificada..
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El problema matemático se traduce en encontrar la posición en la que debe generarse el polo

múltiple (ωx ).
1 = 2 = e = x
La función de transferencia [3] se transforma en la siguiente:
s 2 ( s   ze )
Ai ( s)  Aim [a]
(s   x ) 3
Tomando módulo y planteando la condición de corte
( j L ) 2 ( j L   ze ) Aim
Aim  [b]
( j L   x ) 3 2
 L2  L2   ze2 
A( j L )     0,707 [c]
L
 2
L  x
2 3
En [c] se cumple
 L3
ze < L →  ze2   L2 →  0,707 [g]
 2
L  
2 3
x
Resolviendo [g] en x
x  L 3
2  1  0,51 L [h]
Entonces
1 = 2 = 3 = x = 0,5 x 628 = 314 (rps)
Para calcular los capacitores se deben conocer las resistencias asociadas. En principio se las
puede suponer iguales a las calculadas en el punto anterior. Esto es rigurosamente cierto solo
en el caso de C2, por estar en una red independientemente, pero no es el caso de C1 y Ce, que
están en la misma red de entrada y además están “conmutando” en la misma gama de frecuen-
cias. No obstante a los fines comparativos el error es aceptable.
1 103
C1    11F
R1 314 2,9
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1 103
C1    8F
R2 314 4
1 103
C1    108F
R3 314 0,03
CT = C1 + C2 + C3  127 F
Se puede apreciar que la capacidad total conectada en este caso es el doble de la utilizada res-
pecto del caso anterior.
c) Resultados de simulación.
El circuito del ejemplo, fue simulado en Pspice, con los valores calculados en (a) y (b). La
diferencia entre la frecuencia de corte simulada y calculada en el primer caso es de aproxima-
damente el 20 % en defecto y en el segundo del 38 % en exceso. Esto se puede apreciar en los
gráficos de salida del análisis (Sweep), realizado. No obstante ambos se pueden ajustar, cam-
biando en el mismo sentido los valores de los capacitores, la dispersión remarcada es parecida
a la que hubieran producido la tolerancia de los capacitores electrolíticos comerciales (-20 %;
+ 50%) o simplemente la elección de los valores normalizados próximos a los calculados.
Fig. E.3.1.c.
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Fig. E.3.1.d.
2.3. Seguidor de Emisor en Bajas Frecuencias.

Un análisis cualitativo de la respuesta se puede efectuar en el circuito seguidor de emisor de la
figura 8a, modelado para valores incrementales.
En efecto, con los mismos argumentos utilizados en el E.C,la presencia de los capacitores, C1
y Ce, generaran los ceros respectivos en el origen y la función respectiva tendrá la siguiente
forma matemática
s2
AS   A m [16]
(s  1 )(s  e )
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Fig. 8a
Fig. 8.b
2.3.1. Diseño de la Respuesta

Manteniendo el criterio utilizado en la sección anterior y atendiendo a la gran diferencia de
magnitud de las resistencias asociadas a C1 Y Ce , que existe en esta configuración, se selec-
ciona a este último para definir el polo dominante que defina la frecuencia de corte.
2.3.1.1. Efecto del capacitor de Emisor (C1 =∞).

La ganancia de tensión calculada en el circuito de la figura 9 es:
v 0 v 0 ie
Av  
v i ie v i
Fig. 9
Despreciando hib, se
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Fig. 10
A partir de este último esquema donde se ha despreciado hib se obtiene:
 
 
 
v  R RL   s  [17]
Av ( s )  0   , 
vi  ri (R  R L )   1 
s  C (R  R ) 
 e L 
 e 
R= r’i // R’b // Re
Donde, R + RL , es la resistencia medida a bornes de Ce.
2.3.1.2. Efecto del Capacitor de Acoplamiento C1. (Ce =0).

Despreciando hie ,del circuito reflejado a la base se deduce:
Fig. 11
R=Rb // Ré // R´L
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 
 
 
v0 R R  R  s  [18]
Av ( s )       
vi ri  Z 1  ri  R  s  1
ri  R  
sC1  C1 (ri  R) 
    
 1 
Se puede reconstruir la función de transferencia completa, a partir de [17] y [18].
s s
Av ( S )  Avm
s  1  s   e 
2.4. Configuración Base Común

A partir del modelo incremental de figura 12b, formalmente semejante al de emisor común
(Fig.2b), se puede prever que sus funciones de transferencia tendrán también una semejanza
formal, esto es con dos ceros de transmisión al origen generados por los capacitores de des-
acoplamiento de la señal y la carga , (Ce y C1 ) y otro sobre el eje real pero diferente de cero,
producido por C1.
s 2 s  z1 
A( s)  Am

s   p1 s  2  s  e 
No obstante a diferencia del emisor común, debido a que las resistencias asociadas al par polo
cero de C1 resultan aquí muy parecidas, prácticamente se produce cancelación de ambos.
Esto se analiza en el ejemplo 3.2.
2.4.1. Diseño de la Respuesta

Atendiendo a lo expuesto, el diseño de la respuesta es bastante sencillo utilizando los criterios
anteriores, definiendo el polo dominante a la frecuencia de corte deseada con el capacitor de
emisor y suficientemente por debajo en frecuencia, el debido a C2.
De figura 13.b, considerando C1 como un cortocircuito efectivo se deducen por simple inspec-
ción las resistencias asociadas a los otros dos polos. Resultando:
1 1
e  ; 2  [19]
Ce ri  ( Re // hib ) C2 RC  RL )
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Las frecuencias del par polo – cero generado por C1 se deducen del modelo incremental en la
malla de entrada fig14.b, considerando a Ce en circuito abierto, resultando:
1 1
 p1   z1 

C1 ( Rb // (hie  R é )  C1 R b
[20]
Estas dos últimas muestran lo observado respecto a la proximidad de ambas singularidades,

debido a que la resistencia asociada al capacitor C1.
Rb // (hie +R’e)  Rb
Esta circunstancia otorga un grado más de libertad para ubicar el polo de C2

La ganancia de tensión en la banda de paso resulta :
vo  Re // hib 
Av m     g m (R C // R L ) [21 ]
vi  ri  Re // hib 
Finalmente la función de respuesta se puede aproximar por la siguiente expresión:
s s
Av ( s)  Avm
s   2  s  e 
Fig. 13.a.
Página 20 de 60
Fig. 13.b.
Fig. 13.c
Ejemplo 3.2.
En el circuito de Fig.13.a , calcular los capacitores Ce, C1 y C2 para que el amplificador tenga
respuesta asintótica plana, hasta una frecuencia de 100 Hz.
ICQ = 2 mA ri = 50 ; hib =13  ; hfe =100 ; Re = 500 
Rb = RC = RL = 5 K
Utilizando [19] en adelante resultan:
1
Ce   25F
2 100  (hib  ri )
Luego
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L 1
2   62,8  2 → C2 |  1.6F
10 62.8 10k
L
 p1 |  78.5 rps y Rb // Re h fe  4.54 k
8
1
C1 |   2.8 F
78.5 4.54 k
Con estos valores se puede verificar la cercanía en frecuencia del par polo - cero generado por
C1 .
 z1 | 71.4 rps y  p1 |  78.5 rps
2.5. Amplificadores en Cascada Acoplados Capacitivamente.

El cálculo de los componentes capacitivos de acoplamiento interetapas y de desacoplamientos
específicos, siguen en términos generales las mismas reglas y criterios desarrollados en las
secciones precedentes para amplificadores de una sola etapa.
2.5.1. Etapas Idénticas.

El caso clásico y frecuente es el de una cascada de etapas idénticas en emisor común. Fig. 14.
Debido a que en estos, los circuitos de emisor son iguales, en base al criterio adoptado, domi-
naran la definición de la frecuencia de corte de la cascada amplificadora. En base a esto, una
solución simple y razonable sería que cada etapa genere su polo dominante a la misma fre-
cuencia, tal que en la función de transferencia global se manifieste uno múltiple.
Figura 14
Con esta hipótesis y asumiendo que los demás polos estén suficientemente por debajo, la fun-
ción global quedaría en la banda de frecuencias cercanas al polo múltiple de la siguiente ma-
nera.
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n
 s  e 
Ai ( s )  Aim   [22]
 s  x 
La solución de la anterior a la frecuencia de corte da la ubicación del polo múltiple ωx. Exten-
diendo el análisis del ejemplo E.3.1., a n etapas resulta:
x  L n
2 1 [23]
n 1 2 3 4
ωx 1 1,55 1,97 2,29
Obviamente a medida que la multiplicidad aumenta, la frecuencia de corte,  L , se separa más
del polo múltiple, Figura 15.
Figura 15
Conocida la posición de ωx , se calculan los capacitores de emisor respectivos, aún cuando los
circuitos de emisor no sean exactamente iguales.
Los capacitores de acoplamiento se deben calcular de forma que ubiquen sus respectivos po-
los con las separaciones ya comentadas respecto del múltiple, para que el razonamiento sea
válido.
2.5.2. Etapas no Idénticas.

En este caso es necesario investigar entre las resistencias asociadas a los capacitores si hay
alguna que pueda definir claramente un polo dominante. Si esta no es la situación, se deben
recurrir a otros métodos que dependerán de las configuraciones conectadas. A continuación se
desarrolla un ejemplo que aclara los conceptos.
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Ejemplo E.3.3.
Sea el circuito de la figura E.3.3, que debe operar con ganancia asintótica constante desde
frecuencias medias hasta 150 Hz. Calcular ganancia en la banda media y los capacitores a
conectar. Verificar por simulación.
Datos : ri = .6kΩ ; Rs1 = Rs2 =100 Ω ; Rb1 = 2 kΩ ; RC1 = 1 KΩ ; Rb2 = 10 kΩ ; Re2 = 100 Ω
RL = 100 Ω .
Q1 QD
I CQ1  2,75mA I CQ2  64mA
hfe =150 hfe = 60

hie1 =1,4k hie2 = 23Ω
hib1 =9,5  hib2 = 0.4 
CIRCUITO EC + CC FIG E.3.3.
Circuito de emisor (Q1)

1 1 1
Cero → e1  Polo →  pe1  
Ce1 Re 2 C e1 REE1   R // r 
C e  Re 2 // Re1  hib  b i 
  h fe1 
 
ri // Rb1
R'   10 → REE1 = 54Ω
h fe1
Circuito de Emisor (Q2)
1
Polo  pe 2  REE 2  Re  107 
Ce 2 REE 2
Se aprecia que pesar de ser etapas diferentes las resistencias asociadas a ambos capacitores de
emisor no lo son tanto.
REE 2
REE1 
2
La proximidad del cero  e1 con el polo respectivo podría ser anulada cancelando el primero
con el polo de la segunda etapa y luego generar un polo simple dominante en  L ,con Ce1.
Página 24 de 60
1 1
 L   pe1  → Ce1   20F
Ce1  54 2  150  50
Luego
1 1
 pe 2  e1  6
 480rps → Ce 2   20F
20  10  100 480  107
Finalmente se ubican los polos de C2 y C1 a 3 octavas y una década respectivamente, por de-
bajo de ωL .
1 1
C2   4.4F y C1   4.2F
2 18x2 x10 3
2 15x2.5 x103
3. Respuesta en alta frecuencia.
3.1. INTRODUCCIÓN.
Los modelos que se utilizan para los componentes activos en las diferentes bandas de frecuen-
cia son aquellos que dan los parámetros de más fácil medición. Así el circuito hibrido  utili-
zado en baja frecuencia, con parámetros concentrados, sigue siendo útil hasta frecuencias no
muy altas, con el agregado de las capacidades parásitas según muestra la figura 16b. Este mo-
delo es utilizado en amplificadores de banda ancha y sintonizados, hasta frecuencias de algu-
nos MHz. En bandas superiores se prefiere el modelo de admitancias, figura 17, y el de pará-
metros S (Scattering). Siendo este último definido por relaciones de potencia entre el puerto
de entrada y salida.
Fig. 16.a
Página 25 de 60
Fig. 16.b.
Modelo hibrido 
Fig. 17.
Modelo de admitancias.
El circuito hibrido  de la fig. 16.b corresponde a la configuración emisor común. La compo-

nente resistiva de la impedancia de entrada, se ha dividido en la resistencia de extensión de
base rbb´ que tiene en cuenta la caída óhmica que existe desde el acceso físico al terminal de
base y la junta y la derivada del efecto de junta propiamente dicha rb’e , también denominada
r en la literatura técnica y que la teoría permite estimar con la expresión:
25mv
rb 'e   (1  h fe ) a T = 300°K [24]
I ca
La resistencia de extensión de base rbb’, depende de la geometría y conductividad del material

semiconductor respectivo y es normalmente bastante más chica que la de junta activa rb’e, so-
bre todo en los transistores de alta frecuencia.
La capacidad Cb’e (También denominada C), tiene dos componentes. Una tiene en cuenta el
tiempo de tránsito directo medio de los portadores, para cruzar la zona de base (F) cuyos va-
lores típicos van desde las decenas a centenas de picosegundos. Esta capacidad se denomina
de carga de base o de difusión y puede ser estimada con la siguiente expresión
Página 26 de 60
I CQ
Cb   F g m   F  [25]
26mV
La segunda componente se denomina de agotamiento (Cje), y es una función de la tensión de

polarización de la junta.
C JEO
C JE  nE
 V BE 
1  
 0 
Para tensión directa de la misma (VBEQ  0.7 V) se la puede estimar con la siguiente expre-
sión.
Cje  2 Cjeo
Siendo Cjeo la capacidad de agotamiento con VBE = 0.

Luego Cb’e es la suma de Cb’e = Cb + Cje [26]
La de junta colector base, Cb’c (También denominada C ), en operación directa del transistor
(polarizada inversamente), tiene únicamente la componente de agotamiento Cb’c.
CJCO
C JC  nC
 C bc [27]
 VBC 
1  
 0 
Donde
CJC0 Capacidad de agotamiento con VBC = 0. (Típico 1 a 7 pF, en discretos)
0 Potencial ínterconstruido de la unión. (Típico .75V)
nc Exponente de la capacidad de agotamiento para la unión base-colector. (Típico 2)
La resistencia rb’c ,(rμ ), que aparece en paralelo con Cb’c se puede despreciar en el modelo de
la figura 18b, debido a su elevado valor. (típico > 10 M).
La junta colector y sustrato produce también una capacidad de agotamiento que se evalúa con
CCSO
CCS  nS
 VCS 
1  
 OS 
Los términos de la expresión anterior tienen el mismo significado que los de la ecuación [27].
Debido a que el sustrato está conectado internamente al terminal de tensión más negativo en
el npn (emisor) y al mas positivo en el pnp (emisor), se puede estimar
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VCS  VCE
Las capacidades parásitas descriptas e incluidas en el modelo de la figura 16.b son del orden
de las decenas de femtofaradios en transistores integrados y del orden de los picofaradios en
discretos de señal. El modelo hibrido  descripto, también llamado de Giacoletto, incluye re-
sistencias de extensión en los terminales de colector y emisor (rcc’ y ree’) definidas de igual
manera que la de base (rbb’), denominadas simplemente rc y re. Estas han sido omitidas en la
figura. En general estas resistencias producen efectos de orden superior y no serán tomadas en
cuenta en este texto. No obstante es necesario aclarar que este modelo de constantes concen-
tradas tiene validez hasta frecuencias cercanas a los 200/300 MHz. En bandas superiores no se
puede obviar el hecho que en realidad son distribuidas.
Obviamente el agregado de las capacidades parásitas hará que los parámetros del circuito
equivalente se tornen dependientes de la frecuencia. A continuación se reevalúa el parámetro
ganancia directa de corriente, en la configuración emisor común por contener importantes
conceptos que serán aplicables en el análisis y diseño de la respuesta en alta frecuencia. Re-
cordando que se mide con el puerto de salida en cortocircuito como lo muestra la figura 18,
en la que se han despreciado’, rb’c y Ccs.
Ze
ib ic
B’ Vb'e C
Iin gm vb’e
Cb'e Cb'c rb'e
Fig. 18
ic = gmvb’ e = gmibZe
rb 'e
Con Ze  [28]
1  s (C b 'e  C b 'c )rb 'e
Q
i g m rb 'e
h fe ( s )  c  [29]
ib 1  s (C b 'e  C b 'e )rb 'e
vce  0  

1 1
Tomando gmrb’e = hfe y    
(C b 'e  C b 'e )rb 'e  
Se obtiene
Página 28 de 60
h fe h fe
h fe ( s)   [30]
s 1  s 
1

La ecuación [30] muestra la dependencia en frecuencia de la ganancia directa de corriente en

cortocircuito del transistor en conexión emisor común. La figura 19 muestra la gráfica de
módulo de la misma.
Figura 19
3.1.1. Producto Ganancia-Ancho de Banda [GBW].

Se define como producto ganancia-ancho de banda, al de la ganancia en la banda de paso y el
ancho de banda de 3db. En el caso visto es:
GBW  h fe (o)    [31]
Con referencia a la figura 20 y ecuación [45] se deduce que :
| h fe ( j T ) |  1
20 [log h fe (o)  log1]

 20db/dec   T    h fe (o)
log T - log 
GBW   T = Cte [32]
 T = frecuencia de cruce.
Las anteriores muestran que el producto definido es constante y característica general de las
funciones de transferencia de un solo polo. Es publicado en la hoja de datos del transistor y
Página 29 de 60
debido a que involucra a casi todos los parámetros del modelo híbrido , es especificado para
valores particulares de polarización. Estas propiedades hacen que sea parámetro de selección
del transistor en aplicaciones de altas frecuencias.
h fe gm
T  h fe    [33]
rb 'e (Cb 'e  Cb 'c ) (Cb 'e  Cb 'c )
En secciones posteriores se estudiará como influyen las redes lineales asociadas a la entrada y
salida, en la respuesta global del amplificador que utiliza el transistor modelado en la figura
16.b.
3.1.2. Parámetros SPICE.

El programa de simulación electrónica PSpice utiliza circuitos equivalentes de distintos nive-
les de complejidad para modelar los componentes activos. Los parámetros de estos modelos
están definidos para cada elemento a través de un comando, (.MODEL) los que a su vez vie-
nen organizados en archivos-librerías definidas por la extensión slb. En la tabla T-1 se dan las
equivalencias entre símbolos utilizados en el texto y los correspondientes PSPICE, para los
parámetros de transistores bipolares y de efecto de campo. La tabla T-2 resume las relaciones
que se deducen en la física del estado sólido y que se utilizan frecuentemente en el texto para
el transistor bipolar. Finalmente el listado L-1 muestra el archivo .MODEL que define los
parámetros que modelan a los transistores 2N2222A y MPS H10, utilizados frecuentemente
en ejemplos a lo largo del texto.
T-1. Archivos de Parámetros del Modelo SPICE.

En esta sección, los símbolos de los parámetros del modelo SPICE se comparan con los símbolos
empleados en el texto para cantidades de uso común.
Parámetros de Transistores Bipolares
Símbolo Spice Símbolo en el texto Descripción
IS IS Corriente de saturación de transporte
BF F Ganancia de cd máxima
BR R Ganancia de corriente inversa máxima
VAF VA Voltaje directo Early

RB rbb Resistencia en serie de la base
RE ree Resistencia en serie del emisor
RC rcc Resistencia en serie del colector
TF F Tiempo de tránsito directo
TR R Tiempo de tránsito inverso
CJE Cje0 Capacitancia de agotamiento base-emisor a polarización cero

VJE 0e Potencial interconstruido en la unión base-emisor.
Página 30 de 60
MJE ne Exponente de capacitancia de unión base-emisor

CJC C0 Capacitancia de agotamiento base-colector a polarización cero
VJC 0c Potencial interconstruido de la unión base-colector
MJC nc Exponente de capacitancia de unión base-colector

CJS CCSO Capacitancia de agotamiento colector-sustrato a polarización cero
VJS 0s Potencial interconstruido en la unión colector-sustrato.
MJS ns Exponente de capacitancia de unión colector-sustrato
Nota: Dependiendo de que versión de Spice se este utilizando, un diodo separado pudiera tener que incluirse para
representar la capacitancia base-sustrato en un transistor pnp lateral.
Parámetros JFET
VTO Vp Voltaje de umbral (voltaje de estrechamiento)
LAMBDA  Parámetro de modulación de longitud de canal
BETA I DSS Parámetro de transconductancia

VP2
RD rd Resistencia en serie con el drenaje
CGS Cgs0 Capacitancia de unión compuerta-fuente a polarización cero.
PB 0 Potencial interconstruido de la unión compuerta-canal.
CGD Cgd0 Capacitancia de unión compuerta-drenaje a polarización cero.
Parámetros MOSFET
VTO Vt Voltaje de umbral con voltaje fuente-sustrato cero.
KP Cox Parámetro de transconductancia
GAMMA 1 Parámetro de voltaje de umbral

  2qN A
Cox
PHI 2f Potencial superficial.
LAMBDA 1 dX d Parámetro de modulación de longitud de canal.


Leff dVDS
CGSO Col Capacitancia de traslape compuerta-fuente por unidad de ancho de canal.
CGDO Col Capacitancia de traslape compuerta-drenaje por unidad de ancho de canal.
CJ Cjo Capacitancia de unión a polarización cero por unidad de área de la parte
inferior de la fuente y drenaje a la masa del material (sustrato).
MJ N Exponente de capacitancia de las uniones fuente-masa del material y dre-
naje-masa del material (coeficiente de graduación).
CJSW Cjsw0 Capacitancia de unión a polarización cero por unidad de perímetro de unión
de la pared lateral de la fuente y del drenaje (periferia) con la masa del
material.
Página 31 de 60
MJSW N Exponente de la capaciatncia de unión de la pared lateral de la fuente a la

masa del material y del drenaje a la masa del material.
PB 0 Potencial interconstruido de la unión fuente-masa del material y drenaje-
masa del material.
TOX tox Expesor del óxido.
NSUB NA, ND Dopado del sustrato.
NSS Qss/q Densidad del estado de la superficie.
XJ Xj Profundidad de la unión fuente-drenaje.
LD Ld Difusión lateral de la fuente-drenaje.
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Tabla T-2. Relaciones entre parámetros de dispositivos activos.

Transistores Bipolares
Operación en la región activa directa con gran señal.
Cantidad Fórmula
Corriente de colector VBE
IC  I S
VT
(Ebbers-Moll)
Operación en la región activa directa con pequeña señal.

Cantidad Fórmula
Transconductancia qIC
gm 
kT
Resistencia de Entrada 
rb 'e  0
gm
Resistencia de Salida 1 VA 1
 
hoe I C g m
Resistencia Colector-Base (1  5)
rb 'c 
 0 r0
Capacitancia de carga de la base Cb = Fgm
Capacitancia de Entrada Cb’e = Cb + Cje
Capacitancia de agotamiento de la unión emisor-base activa Cje  2 Cjeo
Capacitancia de la unión colector-base (npn) C 0
Cb 'c  nC
 VBC 
1  
 0 c 
Capacitancia colector-sustrato (npn) Ccs 0
Ccs  ns
 Vsc 
1  
 0 s 
Frecuencia de transición 1 gm
fT 
2 C  C
Tiempo de tránsito efectivo 1 C C
T    F  je  
2fT gm gm
Ganancia máxima VA
g m r0 
VT
Página 33 de 60
Lista L-1
3.1.3. Efecto Miller.

La capacidad Cb’c que conecta entrada salida en el modelo hibrido  , introduce una realimen-
tación negativa que se denomina efecto Miller, que puede reducir drásticamente la frecuencia
superior de corte del amplificador Esto se analizará a continuación previa modificación del
circuito de Fig. 20, debido a que la vinculación de los circuitos de base y colector, dificulta el
análisis por simple inspección, tan útil y simplificativo en cálculos manuales.
En efecto, es posible separar nuevamente los circuitos de entrada y salida manteniendo el
efecto Miller, a partir de un circuito derivado del equivalente, que se obtiene calculando la
carga recíproca (Zim y Zom ), que introduce en ambos dicha vinculación, de manera de reducir
el circuito de Fig 20a, al de 20b..
Cb'c
Zim Zom
Zi
ib Vb'e io
i1 C vo
Iin gm vb’e
Cb'e hoe
RL
ri Rb rb'e
E
Rb’e
Fig.20 a
ib io
B’ Vb'e C
vo
Zim Zom
Iin gm vb’e
Cb'e Rc RL
ri Rb rb'e
E
Rb’e Ro
Fig. 20 b
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Del esquema 20a, se deducen las siguientes relaciones.
1 vb 'e
Z i  rb 'e // // Zim con Z im 
Cb 'e i1
i1  (vb 'e  vce ) sCb 'e
Considerando que el término de primer orden de la tensión del colector está dado por:
v ce   g m R L vb 'e
Yim =i1 /vbé = s Cb’c(1+gmRL) = s CM [34]
La anterior muestra que la impedancia vista desde la entrada es capacitiva y se denomina de

Miller (CM). A partir de (34) se expresa la impedancia de entrada por
1 1 1
Z i  rb 'e // //  rb 'e // [35]
Cb 'e C M  (Cb 'e  C M )
En cambio la impedancia equivalente vista desde la salida es:
1  1 
Z om    Rb 'e // 
Cb 'c  Cb 'e 
En la banda de frecuencias de interés se cumple que
1 1 1
 Rb 'e // → Z om  [36]
Cb 'e Cb 'c Cb 'e
En virtud de [31] y [36] se puede aproximar el modelo buscado con el efecto Miller reducido
a la entrada.
ib io
B’ Vb'e C
vo
Iin gm vb’e
Cb'e Cm Rc Rl
ri Rb rb'e Cb’c
E
Rb’e CiL Ro
Fig. 21
Página 35 de 60
3.1.4. Ganancia de corriente

Si se evalúa la ganancia de corriente en el circuito de figura 21, considerando hoe = 0, se ob-
tiene:
  
  
i i v  g R R  1  1 
Ai  0  0 b 'e    m b 'e C 
i i v b 'e i i  RC  RL 
 1  sC ' c Ro
 1  s(C b 'e  C M ) Rb 'e 
 b    
 o   il 
Rb 'e  ri // Rb // rb 'e y Ro = RC // RL
1 1 1
Ai  Aim  [37]
 s  s  1  s o 1  s iL 
1   1  
 1    h 
o  Cte de tiempo generada por la malla de salida .
Il  Cte de tiempo generada por la malla de entrada, con la salida cargada re-
sistivamente.
En la anterior la asíntota de baja frecuencia Aim, es la ganancia en la banda de paso. El efecto

Miller separa significativamente ambos polos, generando la malla de entrada uno dominante
en alta frecuencia (Frecuencia bastante más baja ) que definirá la frecuencia superior de corte
h.
1 1
h   1 
(Cb 'e  C M ) Rb 'c Cb 'c Ro
De manera que se puede aproximar [37] en la banda de frecuencias de interés, según la si-
guiente:
1
Ai ( s)  Avm [38]
s
1
h
La figura muestra la característica de amplitud enmarcada en la respuesta del transistor utili-

zado.
Página 36 de 60
Fig. 22
3.1.5. Efecto de la Impedancia de Carga sobre la Frecuencia Superior de

Corte.
3.1.5.1. Carga Resistiva Pura

La [38], por tratarse de una FT de un solo polo satisface la relación
Aim ωh = cte
En efecto, partir de la expresión:
CM=Cb’c (1+gmRo )
Se aprecia que la capacidad de Miller aumenta con la ganancia de tensión de colector a base, y
esta con la impedancia de carga que en consecuencia disminuye la frecuencia de corte.
A la inversa si
v0
RL  0  Av  0 → H  
vbe
En base a lo expuesto es obvio el compromiso entre ganancia de tensión y ancho de banda.
3.1.5.2. Carga con Componente Capacitiva

Hay aplicaciones en las que la carga tiene una componente capacitiva importante que no pue-
de ser despreciada como lo ha sido en el análisis previo. Este es el caso por ejemplo de ampli-
ficadores multietapas de emisor común, donde la impedancia de carga de las intermedias es la
de entrada de la consecutiva, que debido al efecto Miller tienen capacidades significativas.
Evaluando nuevamente Zim y Zom en figura 21 y considerando a la salida una componente ca-
pacitiva de valor CL se obtienen las siguientes relaciones.
Página 37 de 60
1/ Zim = YM  sCb 'c (1  g m Z 0 )
1 RO RO
Z L  RO //  → YM  sCb 'c (1  g m )
sC0 1  sRO C 0 1  sRO C 0
Y2
 
Y1
sCbć g m R0
YM  sCb 'c  [39]
1  sR0 C 0

 1
YM  sCb 'c 
1 C0

sCbć g m R0 Cbć g m
 
X M  S CM RM
La impedancia Zom resulta igual al caso de carga resistiva .

La anterior muestra que la admitancia está compuesta por dos ramas en paralelo Y1 e Y2 don-
de esta última contiene dos componentes en serie, XM y RM , la primera es la capacidad de en-
trada producida por el efecto Miller con carga resistiva, mientras que la segunda es la compo-
nente resistiva que agrega el capacitor de salida. Fig. 23.
Ym
Cm
Cb’c
Rm
Fig.23
La ganancia de corriente calculada a partir del circuito de figura 24, considerando a la entrada
la admitancia dada por la expresión [39] y a la salida las componentes más significativas (Ro
// Co)., resulta:
Y ib io
Vb'e C
vo
Iin gm vb’e
Cb'e Ym Rc Rl
ri Rb rb'e Co
E
Rb’e Cb’c + CL Ro
Fig.24
Página 38 de 60
io vb 'e vo v  g m RO 
A  io    bé  
vb 'e ii RL RL  1  sCo Ro 
CiC
vb 'e 1 1 1   sCM
 con Y  sCb 'e  YM   s(Cb 'e  Cb 'c ) 
ii Y Rb 'e Rb 'e 1  sC L RO

L
Cic Capacidad de entrada con la salida en cortocircuito
 
 
vb´é i0 g m Rbé RC  1 
Ai   [40]
ii vbé RC  R L  s 2 C L R 0 C ic R bé  s(R o C L  Rbé (C bé  C bć (1  g m Ro ))  1 
       
Aim   0 IC 0  iL 
Cálculo de la Frecuencia de Corte ( fh).

Llamando ω1 y ω2 a las raíces del polinomio denominador, la anterior puede expresarse en su
forma factoreada.
A im A im
Ai    ( ) [41]
(1  s/1 ) (1  s/ 2 ) s 2
1 1
 s (  ) 1


 1  2
1 2


Cuyo módulo a la frecuencia de corte ωh, resulta:
A im Aim
Ai    [42]
 2
  2
1-  j( h  h )
h

1 2 1  2



No obstante resolviendo [42] se determina ωh con exactitud, es un caso muy común aquel en
que la frecuencia de corte es bastante menor que la media geométrica de ambos polos, esto
significa que:
 h  1 2
Despreciando este término en [42], se deduce
Página 39 de 60
   1 1 1
1  j  h  h   2      0   iL   h [ 43]
 1 2  h 1 2

 
 01  iL1
La anterior muestra un camino corto para estimar la frecuencia de corte (por defecto), suman-
do las constantes de tiempo del capacitor de salida (Co ) y la capacidad total de entrada que da
el efecto Miller con carga resistiva pura CiL = (CM + Cbé), donde las resistencias asociadas a
cada uno de ellos es la de Thévenin a bornes, considerando a los demás en circuito abierto. A
partir de esta aproximación se puede derivar un circuito que interprete [43] y es el que muestra
la fig 24
ib io
B’ Vb'e C
vo
Iin gm vb’e
Cb'e Cm Rc Rl
ri Rb rb'e Co
E
Rb’e CiL Ro
. Fig.25
En efecto, derivando de aquel la relación de transferencia se obtiene:
    
    
io io vbé 1  g m RO  Rb 'e   g m Rb 'e RC  1  1 
Ai       
ii vbé ii RL  1  sCL RO  1  sC iL Rb 'e   RL  RC  1  s o  1  s iL 
        
 O   iL   AIM 
 1 
As    Aim  2  [44]
 s  
O iL  s ( O   iL )  1 
Comparando esta última con el correlativo de [40] y [42], se aprecia que únicamente difieren
en el coeficiente de segundo grado, (iL > ic). La solución completa de [44] a la frecuencia de
corte, da una aproximación por defecto bastante más cercana que la dada por [42], pero con la
ventaja que se deduce por simple inspección del circuito de fig. 25. Además despreciando el
término de segundo grado por las mismas razones que justifican [43], da la misma aproxima-
ción por constantes de tiempo que esta última.
 1 
As    Aim   [44]
 s( O   iL )  1 
Las conclusiones de esta sección obviamente no son independientes de la impedancia interna

del generador de excitación, tema que se analizará en la sección siguiente.
Página 40 de 60
3.1.6. Efecto de la Impedancia de la Red de Excitación.

El generador de señal puede ser aproximado a uno de tensión o de corriente según sea la rela-
ción entre su impedancia interna y la vista hacia el transistor, esto es en términos resistivos
respectivamente
ri << Rb //rb’e o viceversa
Las conclusiones de las secciones precedentes son válidas para una etapa de emisor común
excitado con generador de corriente, ya que este fue el caso planteado a partir de Fig 21, si en
cambio lo es con un generador de resistencia interna bastante menor que sus adyacentes las
conclusiones son bastantes diferentes.
En efecto recordando que la resistencia asociada a la capacidad de entrada para generar el polo
respectivo es un paralelo con la interna del generador, es obvio que en la medida que esta
disminuye, la frecuencia del polo aumenta, de manera que en el límite ocurre lo siguiente.
1
ri  0  Rbé  0   → iL  0
C iL Rb 'e
Resultando que, la frecuencia de corte quedará definida por la constante de tiempo de la malla
de salida o. De manera que para carga resistiva, [33] y [38] o [43] y [44] para el caso de carga
con fuerte componente capacitiva se cumpliría:
1
h 
0
Para el caso de carga resistiva, (CL= 0), la frecuencia de corte puede superar a .
1
h   
 Cbć R0
Obviamente para ri no nula, la frecuencia de corte dependerá de la posición relativa del polo
producido por la malla de entrada y del de la red de salida.
Se desprende del análisis, la fuerte influencia que tienen la impedancia de carga y del genera-
dor de señal en la definición de la frecuencia superior de corte, (fh) del amplificador. Pudiendo
ser esta inferior o superior a (f). según sea la combinación de aquellas variables.
Página 41 de 60
Ejemplo E.3.4.
a.-) Carga Resistiva Pura.
Calcular la frecuencia de corte en alta frecuencia (fh ) del amplificador del ejemplo E.3.1. Para
Rb = 5k ; Rc = RL = 2k ; ri = 2k ; Icq = 2mA.
Del circuito citado se deducen los siguientes valores.
ICQ  2 mA VCEQ hFE = hfe  150
gm = 80 ms rb’e = 1.8 k Rb’e  0,8 k
De la tabla T3 (.MODEL Q2N2222A), se extraen los siguientes datos.
Cjeo  22 pF F  441 ps Cjco  7 pF
nc = 0,34 oc  0,5 V
Resultando :
Cb’e = Cb + Cje  Fgm + 2 Cjeo = 33.8 + 44 = 77.8 pF
7
C jc  0.34
 2.8 pF  Cb 'c
 7 
1  
 0.5 
La capacidad de Miller es : CM = Cb’c [1 + gm RL//RC]  230 pF

En consecuencia:
1 1
fh    646 kHz
2  Rb 'e (Cb 'e  C M ) 6.28  0.8  10  307.8  10 12
3

iL
1
f   1.1 MHz > fh
2  rb 'e (Cb 'e  Cb 'c )
La ganancia en la banda de paso es
Aim  -10
La frecuencia del polo generado por Cb’c en la malla de salida es
Página 42 de 60
1 1
f2    57 MHz
2 Cb 'c RC // RL 6.28  2.8  1012  103

O
f2 >> fh
Entonces la función de transferencia puede escribirse en la banda de frecuencias cercanas al

corte del amplificador, como
10
Ai ( s )  
s
1
646. 2 .103
b.-) . Carga con componente Capacitiva.

Repetir (a), considerando una componente capacitiva en la carga de valor igual a la de Miller
del punto anterior (CL = CM ).
b.- 1) Método exacto.
A partir de la expresión [42] se deduce la frecuencia de corte.
2 2
     
1  h    h  h   2  4
 
  h2 12   22 - 12 22  0 (a)
 1 2   1  2 
h
La solución de (a) requiere los valores de 1 y 2 , que se determinan a partir de [40], calcu-
lando las raíces del denominador.
0 = CL RC //RL = 230. 10-9 seg τIc = (Cb’e +Cb’c )Rb’e = 80.6 10-9 seg.
iL = (CM +Cb’e +Cb’c ) Rbb’e = 264.6 10-9 seg.
A partir de estos valores se deducen los coeficientes del polinomio respectivo:
a = 0  iC = 18.4.10-15 b = 0 + iL = 494.6.10-9 c =1
Dando las raíces en las siguientes frecuencias:
1 = - 2.19.106 2 = -24.69.106
Debe observarse que la separación de los polos, más de una década, muestra claramente a 1
como dominante, significando que la frecuencia de corte debería estar muy cercana a el. En
efecto resolviendo (a), previo cambio de variable; h 2 = X, se obtiene:
X1 = 4.2 .1012  h1 = 2.05.106 rps y X2 = - 619.1012  h2 = Imag
Tomando el primer valor h = 2.05 Meg rps, como la frecuencia real de corte en alta del am-
plificador, se ve que es muy cercana a la del polo dominante de la FT.
Página 43 de 60
b.-2) Método Aproximado.

A los fines comparativos y para probar la validez de la aproximación por el método de las
constantes de tiempo en circuito abierto, ecuación [43] y [44], se obtiene:
h 1 / h = 1/ 494.6.10-9 = 2.02.106 rps
Valor este último, que verifica el método.
Efectuando una comparación entre la desviación producida por la aproximación de polo do-
minante, método de las constantes de tiempo y la simulación del circuito, se concluye que el
primero arroja un valor de aproximadamente 7% y el segundo  2 % . La simulación en Spice
mide, h = 2.0 Meg rps.
c.-) Carga Resistiva y Excitación con Fuente de Tensión.
Repitiendo el cálculo (a), con excitación de fuente de tensión, cuya impedancia interna es,
ri = 50.
1 1
f1    10 MHz
2  Rb 'e (Cb 'e  C M ) 6.28  0.05  103  306  10 12
Teniendo presente el valor del polo de la malla de salida calculado en (a), lo ubicaría un poco
más de dos octavas frecuencias arriba de los f1, se infiere que la frecuencia de corte estaría
levemente por debajo de este valor.
f h  f1  10 MHz  f 
Página 44 de 60
3.1.7. Modelo Lineal equivalente en parámetros Admitancia del Transis-

tor en Emisor Común.
Se comentó en secciones precedentes, que en la banda de radiofrecuencias (superior a 100
Mhz) se prefiere el modelo lineal basado en parámetros admitancias. Este responde a la inter-
pretación cuadripolar del siguiente modelo matemático.
i1=y11v1+y12v2
i2=y21v1+y22v2
Siendo (i1,v1) las variables eléctricas del puerto de entrada y (v2,i2) las correspondientes al
puerto de salida, además los parámetros se miden a cortocircuito dinámico de alguno de los
puertos.
En términos de las variables de los circuitos 27a y b, las ecuaciones anteriores quedan :
ib=y11vb’e+y12vce
ic=y21vb’e+y22vce [47]
Fig. 26a
Fig. 26b
Despreciamos la resistencia rbb’ resultará :
vbe= vb’e
Página 45 de 60
La definición de los parámetros admitancia utilizando la nomenclatura del híbrido  lleva a las
siguientes expresiones matemáticas.
Admitancia de Entrada
Q
i 1
yie  b   s(Cb 'e  Cb 'c ) [48]
vb 'e vce 0
rb 'e
Retroadmitancia
Q
i
yre  b  s(Cb 'c ) [49]
vce vb 'e 0
Transadmitancia
Q
i 1
y fe  c  gm  [50]
vb 'e vce 0
hib
Admitancia de Salida
Q
i
yoe  c  hoe  sCb 'c [51]
vce vb 'e 0
Es útil hacer un breve análisis comparativo con el modelo hibrido  utilizado. En efecto se
aprecia que todos los parámetros admitancias son funciones de la frecuencia. En otro aspecto,
la malla de entrada esta naturalmente separada de la salida con el efecto Miller implícito en la
fuente de corriente controlada por la tensión de salida (yre,vce).
A continuación se calculará la ganancia de corriente del amplificador utilizando este modelo a
fin de compararla con la obtenida utilizando el modelo híbrido , en la sección 3.3.4, conside-
rando al amplificador excitado con fuente de corriente.
En referencia a la figura 26.b. se harán las siguientes consideraciones:
1
y g  yie  yie   s(Cb 'e  Cb 'c )
rb 'e
1
y oe  y L  y L 
RL
Página 46 de 60
Fig. 27
Haciendo
i0 i v
Ai ( S )   0 b 'e [52]
ii vb 'e ii
donde
io
  y fe
v b 'e
y fe yre
vb 'e yie  ii  yrevo  ii  vb 'e [53]
yL
vbe 1 y fe
 → Ai ( s )   [54]
ii y fe yre y y
yie  yie  fe re
yL yL
Finalmente utilizando las expresiones de los parámetros se obtiene:
g m rb 'e Aim
Ai ( s)    [55]
1  s(Cb 'e  g m RLCb 'c ) 1  s

Expresión esta última semejante a la deducida del modelo hibrido π, que hubiera sido igual de
no haber hecho las asunciones simplificativas del comienzo.
3.2. Configuración Base Común.

La figura 28 muestra el circuito base común visto por las componentes incrementales. Es de
notar que en esta conexión no existe el efecto Miller, ya que la capacidad de agotamiento Cb’c
queda derivada a tierra evitando la realimentación (28b). Es de prever entonces que el ancho
de banda de esta configuración será normalmente superior a la configuración emisor común.
Página 47 de 60
+
Vin
-
Fig.28a.
Fig.28.b.
Ganancia de tensión:
v0 v v
Av ( s)   0 b 'e
vi vb 'e vi
v0 RL
  gm [56]
veb ' 1 sCb 'c RL
vi Z e
veb '  [57]
ri  Z e
Reb '
Ze  [58]
1  sCeb '  Reb '
Relacionando las anteriores
Aim
Av ( s )   [59]
 s  s 
1  1  
 1   2 
Con
Página 48 de 60
1 1
1  y 2  [60]
Ceb ' (ri // Reb ' ) Cb 'c RL
3.2.1. Análisis de la Frecuencia de Corte

Analizando los órdenes de magnitud de los parámetros que intervienen en las expresiones
[60], se concluye que puede no haber un polo dominante que defina la frecuencia de corte.
Al no haber efecto Miller, no hay una clara separación entre 1 y 2. No obstante se puede
asegurar que la frecuencia de corte en alta frecuencia será bastante mas elevada que en la eta-
pa de emisor común a igualdad de condiciones.
Si esto es así para calcular fh, es necesario plantear la ecuación [59], en la condición de corte.
Aim Aim
Av ( j )     [61]
h
j h j h 2
1 1
1 2
El ejemplo siguiente intenta aclarar estos conceptos.
Ejemplo E.3.5.
El circuito del ejemplo E.3.1. es operado en la configuración base común, como muestra la
+
Vin
-
Fig. E.3.5.b.
Fig. E.3.5.c
Debido a que las condiciones de polarización son idénticas, utilizaremos los parámetros calcu-
lados en el ejemplo E.3.1. Es decir.
Página 49 de 60
ICQ = 1 mA hfe = 150 hie = 3.9 k

hib = 26  gm = 40 ms
Evaluando 1 y 2 se obtiene.
1
f1   160 MHz
2  60.4 1012  26
1
f2   57 MHz
2  2.8 1012 103
se puede apreciar que la separación es poco mas que una octava. En consecuencia para calcu-
lar fh, debemos resolver [61].
1 1

  h2    h2  2
1  2  1  2 
 1   2 
1 1

      2   h  2
2 2 2 2
 1

h

 1   2 
2 2
212 2  12   h2  22   h2  [a]
h4  h4 12  22   1222  0 [b]
Haciendo el siguiente cambio de variables
 12 = x [c]
Introduciendo [c] en [b] nos queda
x2 + bx - c = 0 [d]
Donde
b =  12 +  22  28849 (Meg)2
c =  12  22  83.174400 (Meg)2
Resolviendo la [d] en x.
Página 50 de 60
x = 2114 (Meg)2 = f h2 → fh = 51 MHz
3.3. Seguidor de Emisor en Alta Frecuencia.

La figura 29.b, modela al seguidor de emisor para valores increméntales en alta frecuencia. No
obstante la presencia de las dos capacidades independientes advierte de una función de trans-
ferencia del mismo grado, se demostrará que el efecto de la capacidad asociada a la junta ba-
se-emisor, (Cb’e) puede ser despreciado.
Ganancia de tensión.
De fig 29.b se deduce:
vo = ( ib + gm vb’e )Re = (ib + gm ib zp)Re
v0 v -v
v0   i 0
R e  gm zp R e RS  zp
v0 R e  gmzpR e R e  gmzpR e
 
v i R S  R e (1  g m z p ) R S  R e  z p (1  g m R e )
Teniendo presente las siguientes relaciones:

hie hie
zp  ; g m hie  h fe ; hib 
1  sCb 'e hie 1  h fe
Se obtiene finalmente la expresión de la FT.
v0  Re'  1  sCb 'e hib 1  s /  ze

Av   ' 
 Avm [62]
v i  RS  hie  Ré  C h ( R  Re ) 1  s /  pe
1  s bé ie S
RS  hie  Re'
Analizando las resistencias asociadas en la definición del cero y polo de [62] se deduce que
no serán muy diferentes. En efecto tomando la relación respectiva
hib ( R  hie  Re' ) RS  Re'  hie Re'
 S  
hie ( RS  Re ) h fe ( RS  Re ) h fe RS  Re' h fe RS  Re'
RS  hie  Re'
En la anterior si RS es del mismo orden de magnitud que Ré , la separación entre ambos será
escasamente de una octava y habrá una marcada cancelación parcial, si es más chica (Ej. Re-
sistencia interna del generador (ri) de 50 o 75 ), prácticamente se cancelarán, debido a esto
se concluye que será el capacitor Cb’c quien generará la frecuencia de corte, cuyo polo depen-
derá fundamentalmente del valor de resistencia interna del generador ri , debido a que su resis-
tencia asociada es esta, en paralelo con Zi ( fig 29.b), que es muy elevada en esta configura-
ción.
Página 51 de 60
En efecto midiendo la resistencia vista por Cb’c con Cb’e = 0, se obtiene:

RCb’c =Rs // Zi con Zi = (hie + R’e) , además R’e = Re (1+hfe) >> hie y RS = ri //Rb
con Rb >> ri
Finalmente se puede expresar con una aproximación razonable a la ganancia presentando un
solo polo.
v0 1
Av   Avm [63]
vi 1 s /p
1
Con p  [64]
Cbć RS (hie  Re´ )
RS  hie  Re'
Fig. 29.a
Fig. 29.b
Página 52 de 60
Fig. 29.c
3.4. Amplificadores en Cascada.
3.4.1. Análisis de la Respuesta.

Del análisis en alta frecuencia de los amplificadores monoetapas se derivan métodos que per-
miten aproximar la frecuencia superior de corte de una cascada, mediante cálculos relativa-
mente simples realizados sobre modelos criteriosamente simplificados y debido a que gene-
ralmente una cadena con acoplamiento capacitivo, raramente supera las dos o tres etapas, es
posible hacerlo manualmente con errores razonables. Además las conclusiones podrán ser
utilizadas para el diseño de configuraciones que deban satisfacer requisitos de ganancia y an-
cho de banda. Un caso típico es la conexión de dos etapas idénticas de emisor común en cas-
cada de Fig.30.a, donde:
Ro =RC2 // RL y R = RC1 // Rb2
vo
ri io
Q1 Q2
Rb1 R Ro
Vin
Figura 30.a
El esquema modelado de (b) muestra la última etapa cargada resistivamente, con el efecto
Miller reducido a la entrada a través de, Ci2 = Cbé + CM,. Esto hace que la primera resulte
cargada con una importante componente capacitiva,. En consecuencia las relaciones de trans-
ferencia se resuelven satisfactoriamente considerando el caso de una etapa con carga comple-
ja tratado en la sección 3.3.4, donde se concluyó que la determinación de la frecuencia de cor-
te se realiza con bastante exactitud a partir del circuito simplificado de Fig.25.En efecto, un
cálculo ajustado se realiza resolviendo [ 44 ] o puede aproximarse con error razonable, por el
método de las constantes de tiempo que resulta atractivo por su simplicidad. La aplicación de
este último conduce al cálculo de las resistencias asociadas (Thévenin), a la capacidad total
Página 53 de 60
del circuito de entrada y salida, Ci1 y Ci2 de Fig 31 y a partir de allí los  respectivos que
definen h .
ri ib Vb'e1 Cb'c io
vb’e2
vo
gm vb’e2
Vin gm vb’e1
Cb'e Ro
Rb1 rb'e Rb’e2 Ci2
E
Rb’e1
Fig.30.b
ri ib io
Vb'e1 vb’e2
vo
gm vb’e2
Vin gm vb’e1 Ro
Ci1 Rb’e2 Ci2
Rb1 rb'e
E Cb’e+Cm
Rb’e1 Cb’e+Cm
 
Fig.31
Es importante remarcar que la aproximación a la frecuencia de corte por suma de las constan-
tes de tiempo ( i  h ) además de la simplicidad y bajo error permite extender su aplicación
a casos de análisis de más de dos etapas idénticas cuyas conclusiónes además serán de gran
ayuda para el diseño de una cascada amplificadora como la que está bajo análisis.
En efecto este concepto resulta de resolver la expresión [44] que da la solución completa,
aplicada al circuito de Fig.30.c.
En efecto al ser etapas iguales se cumple que:

CiL1 = CIL2 = Cb’e + CM y Ro = Rb’e1 = R b’e2  iL1 = iL2 = 1 = 1/ 1
Con estos parámetros la solución completa de la expresión [44], conduce a una función de
transferencia de polo múltiple.
 1   ( Aim1 ) 2 
A   Aim  2 2   [65]
 s  1  s 2 1  1   (1  s 1 ) 2 
 
En la anterior es
1
AIim1= - gm Rb’e y i 
(Cb 'e  CM ) Rb 'e
Página 54 de 60
El resultado es equivalente a suponer a ambas etapas cargadas resistivamente y generando

cada una la función de transferencia de un solo polo, producido por la malla de entrada con
el efecto Miller reducido.
AIm 1
Ai ( s ) 
s
1
i
Resolviendo [65] a la frecuencia de corte para n etapas se obtiene:
Ai ( h ) 1 1
 n
   h  1 n
2 1 [66]
Aim  2  2
 1    H  
   
  1  
n 1 2 3 4
h 1 0,64 0,51 0,44
1
El diagrama siguiente resume lo expuesto.
Fig. 31
Si bien los métodos analizados dan aproximaciones por defecto de la frecuencia de corte, este
último es mas cercano al valor real debido a que resulta de resolver [44], sin despreciar el
término de segundo grado en S .
Página 55 de 60
3.5. Diseño.
El problema de diseño de amplificadores discretos de banda ancha puede tener soluciones
diversas dependiendo de la aplicación en particular, no obstante todas buscan aproximaciones
más o menos simples con procedimientos de prueba y error que tienen hitos que les son co-
munes. En efecto, la selección del elemento activo a utilizar, el número de etapas mínimo para
satisfacer la ganancia exigida y su coordinación con el ancho de banda exigido, son compro-
misos ineludibles en cualquier procedimiento que finaliza con la verificación mediante Soft
y/o Hard. El ejemplo siguiente expone un camino, que utiliza conclusiones simplificativas
derivadas del análisis realizado en secciones precedentes, particularmente del concepto de
polo múltiple.
Ejemplo E.3.6.
Diseñar un amplificador en configuración emisor común, Fig E-3.6a, con las siguientes carac-
terísticas.
vo
 Ganancia de tensión en la banda de paso Avm   300
vi
 Acoplamiento Capacitivo
 Ancho de banda B  12 MHz
 Frecuencia de corte en baja frecuencia fL = 1 kHz
 Impedancia del generador de señal ri = 300 
 Impedancia de Carga RL = 300 
 Tensión de Alimentación A seleccionar
io
vo
ri
Q1
Rb1 Rc Ro
Vin
Rb’e
RO = RC // RL
Fig.E.3.6.a
Página 56 de 60
La selección del transistor se efectúa coordinando la banda de frecuencias de trabajo reco-

mendadas por el fabricante, donde el parámetro indicativo será obviamente el producto
GBW= fT , que necesariamente deberá ser bastante mayor que el ancho de banda requerido
por el amplificador. Buscando una opción entre los dos transistores que se utilizan como
ejemplo en este texto resulta favorecido el MPSH10, recomendado para aplicaciones de VHF,
cuyos datos relevantes para esta aplicación se detallan abajo.
Datos de hoja : fT│Icq= 4Ma  670 MHz >>> fh ; hFEmin = 60 ; C b’c= .7 Pf.
Datos de .Model : hfe Typ = 300 Cejo = 1.52 Pf.; F =136 pSeg
La hipótesis de etapas iguales implica, R0 = Rb’e e iguales condiciones de polarización, la

determinación del número mínimo de ellas se efectúa en base a la ganancia requerida en la
banda de paso, que una vez conocida, permite aproximar el ancho de banda de cada una y con
estas la resultante de la configuración utilizando [66].
Considerando una etapa con carga resistiva pura y el efecto Miller reducido, Fig E-3.6.b se
deduce :
Ii ic io
ri vbe
gm vb’e
Vi Rb r'be vo
CiL Ro
Rb’e
Fig E.3.6.b
Rb’e = Ro =300  ; Cb’c = .7 Pf

ICQ
A1vm  g m RO  300  g m  1s   ICQ  26 mA
26mV
Cb’e = 2Cejo + F gm  139 pF ;
CM = Cb’c (1+gm RO) =210 Pf.
1
i   9.52 106 rps  fh1  1.5 106 Hz << 12 MHz.
Obviamente el ancho de banda no satisface debido a que el elevado valor de ganancia requeri-
do, (gm ), eleva excesivamente la capacidad Cb’e y esta reduce consecuentemente el ancho res-
pectivo.
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Considerando 2 etapas iguales a E-3.6.a:

A1vm1  gm RO  300  17  gm  60 ms  ICQ  1.45 mA
Los valores previos son razonablemente más bajos. A partir del nuevo punto de polarización
se deducen los valores de los parámetros restantes del modelo a utilizar.
Cb’e = 2Cejo + F gm  13 pF ;
CM = Cb’c (1+gm RO) =12 .6 pf.
1
i   130 106 rps  fh1  20.7 106 Hz.
Resultando la frecuencia de corte global para 2 etapas.
fh  fh1 * .64  13.3 106 Hz.
No obstante este resultado es levemente mayor que el exigido, resulta satisfactorio teniendo en
cuenta que este método de aproximación da un valor por defecto. Resta verificar por simula-
ción y para ello es necesario completar el cálculo de componentes.
Etapa 2.
Malla de salida.
Para satisfacer Ro  300, se selecciona Rc >> RL  Rc2 = 2 k
Re ICQ  0.1Vcc  Re2 = Re1 < 357   300 
Con estos valores, VCEQ  1.8 V.
Malla de entrada :
Rb’e = Rc2 // Rb1 // hie = 300
Tomando R c1= Rc2 = 2k y hie = 2.7 k, se obtiene:
Rb2 = 400 R1=535  R2 = 1.7 K
Malla de entrada etapa 1
Rb’e = ri // Rb1 // hie  300  Rb1  5k R1= 6.7 K R2 =20 K
El circuito calculado fue simulado arrojando los siguientes resultados :
Avm  333 y fh 14 MHz
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
3.6. Respuesta en Alta Frecuencia del Amplificador Cascode

Se desprende del análisis previo y particularmente del ejemplo de diseño de amplificadores
que en la configuración emisor común el aumento de ganancia de tensión penaliza severamen-
te el ancho de banda debido al efecto Miller, la configuración cascode minimiza este efecto
permitiendo obtener altas ganancias con el ancho de banda de la etapa de base común.
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Q2 io
ri vo
Q1
Ro
Rb1
Vin
Rb’e
Fig. 32.a
ri ib Vb'e1 Cb'c io
vb’e2
Cb’c
vo
gm vb’e1 gm vb’e2
Cb’e
Vin Cb'e Ro
Rb1 rb'e 1/gm
E
Rb’e
Figura 32.b
En la figura 32.c se ha aplicado el teorema de Miller en la primera etapa, considerando que su

impedancia de carga es resistiva pura (1/gm), resultando:
 1 
C M  Cb 'c 1  g m    2Cb 'c
 g m 
Se ve que el efecto incrementa débilmente la capacidad de entrada debido a que Q1 opera con
ganancia de tensión unitaria.
ri ib io
Vb'e1 vb’e2
Cb’c
vo
gm vb’e1 gm vb’e2
1/gm
Vin
CiL Ro
Rb1 rb'e Cic
Cb’e+2Cbć
E Cb’e+Cbć
Rb’e
Figura 31.c
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Recordando que en esta configuración se cumple :

ICQ1= ICQ2 ; Q1 = Q2  gm1 = gm2 = gm y hfe1 = hfe2 = hfe
Por inspección de la figura anterior se deduce la ganancia de tensión.
   
   
vo vbé 2 vbé1  g m Ro   1   R/(ri  R) 
Av ( s )    [69]
vbé 2 vbé1 vi  1  sC bć Ro   1  sC iC / g m   1  s C iL R bé 
       
 1 / 1  1/ 2  1/3 
Donde : R = Rb1 // hie y Avm=( gm Ro)( R / (ri + R))
Análisis de la frecuencia de corte.
1 gm 1
1  ; 2   T ;  3    [70]
Ro Cb 'c Cb 'e  Cbć Rb 'e (Cb 'e  2C b 'c )
Las magnitudes involucradas en [70] muestran que fh depende fuertemente de la resistencia

interna del generador, tal que:
Si ri  R y Rb’e = ri // Rb // hie  Aim  gm Ro y h  ω3   << T y 1
En cambio como es frecuente en esta aplicación
ri << Rb // hie  3 → ∞
Resultando que la frecuencia de corte queda definida generalmente por ω1, con valores supe-
riores a .
La ganancia de corriente presenta las mismas singularidades que [69], con valor en la banda
de paso igual a
Aim = gm Rb’e
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Universidad Nacional de Córdoba

Facultad de Ciencias Exactas, Físicas y Naturales

Cátedra Electrónica Analógica II

Ing. Oscar H. Puigdellibol

Fig. 1a. Diagrama de Módulo. (Escala logarítmica)

Fig. 1b. Diagrama de Fase. (Escala logarítmica)

Es frecuente clasificar los amplificadores de acuerdo a la relación entre el ancho y la frecuen-

2. Respuesta en Baja Frecuencia.

2.1.1. Amplificador Emisor Común.

2.2. Diseño de la Respuesta.

Am  jL  ze  Aim

La simplificación al problema de diseño, que implica lo expuesto es evidente y la aproxima-

2.2.1. Efecto del Capacitor de Emisor. (C1 y C2 = ∞)

Las expresiones anteriores corroboran lo asumido respecto de la separación polo-cero y mues-

La figura [5] muestra el diagrama asintótico de amplitud de la respuesta.

2.2.2. Efecto de las Capacidades de Acoplamiento.

La ganancia de corriente resulta :

2.2.3. Cálculo de los Capacitores.

el de emisor (  e ), de manera de producir su cancelación y el restante para producir su polo

Q1=2N2222A y hfe  150

Del circuito se deduce:

ICQ = 1 mA → hie = 3.7 k → gm = 40 ms

La ganancia en la banda de paso es:

a) Utilizando el concepto de polo dominante y capacidad total mínima, se debe cumplir lo

La frecuencia del cero generado por el capacitor Ce es:

Cálculo de los Capacitores C1 y C2.

Del circuito se deducen las resistencias según [15] y [16].

El problema matemático se traduce en encontrar la posición en la que debe generarse el polo

La función de transferencia [3] se transforma en la siguiente:

Tomando módulo y planteando la condición de corte

1 = 2 = 3 = x = 0,5 x 628 = 314 (rps)

2.3. Seguidor de Emisor en Bajas Frecuencias.

2.3.1. Diseño de la Respuesta

2.3.1.1. Efecto del capacitor de Emisor (C1 =∞).

A partir de este último esquema donde se ha despreciado hib se obtiene:

Donde, R + RL , es la resistencia medida a bornes de Ce.

2.3.1.2. Efecto del Capacitor de Acoplamiento C1. (Ce =0).

R=Rb // R´e // R´L

Se puede reconstruir la función de transferencia completa, a partir de [17] y [18].

2.4. Configuración Base Común

2.4.1. Diseño de la Respuesta

Estas dos últimas muestran lo observado respecto a la proximidad de ambas singularidades,

Esta circunstancia otorga un grado más de libertad para ubicar el polo de C2

Finalmente la función de respuesta se puede aproximar por la siguiente expresión:

ICQ = 2 mA ri = 50 ; hib =13  ; hfe =100 ; Re = 500 

Utilizando [19] en adelante resultan:

 z1 | 71.4 rps y  p1 |  78.5 rps

2.5. Amplificadores en Cascada Acoplados Capacitivamente.

2.5.1. Etapas Idénticas.

2.5.2. Etapas no Idénticas.

hfe =150 hfe = 60

CIRCUITO EC + CC FIG E.3.3.

Circuito de emisor (Q1)

3. Respuesta en alta frecuencia.

El circuito hibrido  de la fig. 16.b corresponde a la configuración emisor común. La compo-

La resistencia de extensión de base rbb’, depende de la geometría y conductividad del material

La segunda componente se denomina de agotamiento (Cje), y es una función de la tensión de

Siendo Cjeo la capacidad de agotamiento con VBE = 0.

Cb'e Cb'c rb'e

La ecuación [30] muestra la dependencia en frecuencia de la ganancia directa de corriente en

3.1.1. Producto Ganancia-Ancho de Banda [GBW].

GBW  h fe (o)    [31]

Con referencia a la figura 20 y ecuación [45] se deduce que :

20 [log h fe (o)  log1]