Filtrado y acondicionamiento de señales
J. Molina, D. Salcedo y M. Rojas
I. OBJETIVOS GENERALES
a) Reafirmar la fundamentación teórica y el
procedimiento para realizar análisis y diseño de
sistemas electrónicos.
b) Diseñar, simular y sustentar, de forma
algorítmica, aplicaciones didácticas de aplicación
electrónica.
c) Consultar manuales técnicos de los fabricantes
de dispositivos semiconductores de aplicación
específica.
d) Manejar herramientas computacionales, para
análisis y diseño de sistemas electrónicos.
e) Manejar herramientas y equipo de laboratorios
para cumplir con los objetivos propuestos con la
práctica.
f) Analizar e identificar fallas en sistemas
electrónicos.
g) Elaborar informe con análisis y justificación de
resultados obtenidos.
II. OBJETIVOS ESPECÍFICOS.
a) Fundamentar en la práctica, los conceptos de
amplificadores operacionales en configuración de
filtrado y acondicionamiento de sensores.
b) Familiarizar al estudiante con la selección y
manejo de los Amplificadores Operacionales y
transistores de efecto de campo.
I. INFORMACIÓN TEÓRICA
A. ¿Qué es un LM35?
Imagen 1. Sensor LM35
El LM35 es un sensor de temperatura lineal de tres
terminales de National semiconductors que puede
medir temperaturas desde los -55 hasta los +150
grados centígrados, por lo que cuenta con
aplicabilidad para distintos ambientes, y gracias a
sus dimensiones puede ser instalado en casi
cualquier lugar. El ajuste de salida de voltaje del
LM35 es proporcional al de su entrada, y por cada
valor de temperatura este aumenta o disminuye 10
mV. El LM35 puede funcionar con una fuente de
alimentación continua de 5 V hasta 20 V, y la
corriente de reserva es inferior a 60 uA.
Dependiendo del tipo de encapsulado y
presentación puede variar en su escala de
temperatura, como se aprecia a continuación:
LM35-LM35A: Lectura de temperatura entre -55 a
+150ºC.
LM35C-LM35CA: Lectura de temperatura entre
-40 a +110ºC.
LM35D: Lectura de temperatura entre 0 a 100ºC.
Este componente posee grades ventajas frente a los
circuitos integrados calibrados en grados kelvin, y
la más destacable es que no se necesita sustraer una
tensión constante elevada de su salida para
ajustarla a una escala en grados centígrados. Por
otra parte, no requieren de circuitos adicionales
para calibrarlo externamente, y su baja impedancia
de salida, salida lineal y precisa calibración hace
posible que pueda ser instalado fácilmente en
cualquier circuito de control. [1]
A. Qué es un transistor MOSFET?
El transistor de efecto de campo metal-óxido-
semiconductor o MOSFET (en inglés metal-oxide-
semiconductor field-effect transistor) es un
transistor utilizado para amplificar o conmutar
señales electrónicas.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales
llamados fuente (S, Source), drenador (D, Drain),
puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo,
el sustrato generalmente está conectado
internamente al terminal de fuente y por este
motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET
de tres terminales. [2]
El Mosfet controla el paso de la corriente entre una
entrada o terminal llamado fuente sumidero
(source) y una salida o terminal llamado drenador
(drain), mediante la aplicación de una tensión (con
un valor mínimo llamada tensión umbral) en el
terminal llamado puerta (gate). Es un interruptor
controlado por tensión. Al aplicar tensión conduce
y cuando no hay tensión en la puerta no conduce.
El transistor de efecto de campo se comporta
como un interruptor controlado por tensión, donde
el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que
fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El movimiento de carga se produce
exclusivamente por la existencia de campos
eléctricos en el interior del dispositivo. [3]
Imagen. Transistor MOSFET.
A. ¿Qué es el PWM?
La modulación por ancho de pulsos (también
conocida como PWM, siglas en inglés de pulse-
width modulation) de una señal o fuente de energía
es una técnica en la que se modifica el ciclo de
trabajo de una señal periódica (una senoidal o una
cuadrada, por ejemplo), ya sea para transmitir
información a través de un canal de
comunicaciones o para controlar la cantidad de
energía que se envía a una carga.
El ciclo de trabajo de una señal periódica es el
ancho relativo de su parte positiva en relación con
el período.
La construcción típica de un circuito PWM se lleva
a cabo mediante un comparador con dos entradas y
una salida. Una de las entradas se conecta a un
oscilador de onda dientes de sierra, mientras que la
otra queda disponible para la señal moduladora. En
la salida la frecuencia es generalmente igual a la de
la señal dientes de sierra y el ciclo de trabajo está
en función de la portadora.
La principal desventaja que presentan los circuitos
PWM es la posibilidad de que haya interferencias
generadas por radiofrecuencia. Estas pueden
minimizarse ubicando el controlador cerca de la
carga y realizando un filtrado de la fuente de
alimentación.
En la actualidad existen muchos circuitos
integrados en los que se implementa la modulación
PWM, además de otros muy particulares para
lograr circuitos funcionales que puedan controlar
fuentes conmutadas, controles de motores,
controles de elementos termoeléctricos, choppers
para sensores en ambientes ruidosos y algunas
otras aplicaciones.[4]
Imagen. Diagrama de ejemplo de la utilización de
la modulación de ancho de pulsos en un variador
de frecuencia.
IV. CÁLCULOS Y RESULTADOS OBTENIDOS
DISEÑO DE UN FILTRO DE RESPUESTA
BUTTERWORTH
Se realizó el diseño de un filtro pasa banda con Fc1
= 5000 Hz y Fc2 = 5500 Hz, de orden 4 y respuesta
Butterworth con el fin de que éste a partir de una
señal cuadrada bipolar de 1kHz obtuviera el quinto
armónico de dicha señal y que su salida fuera una
señal senoidal, para esto, tomamos como base la
Tabla tomada de las diapositivas entregadas por la
docente para conocer los valores de Q para un
filtro de orden 4.
 1
C=
2 π f p √ R1 R 2

C=3,51 μF

Teniendo en cuenta el procedimiento y las

ecuaciones anteriormente descritas, se hallaron los
Tabla. Valores de Q para filtros Butterworth de
valores necesarios para diseñar el segundo filtro
distinto orden.
pasa-altas, los resultados fueron los siguientes:
Para diseñar un filtro pasa banda de 4 orden es
necesario implementar dos filtros pasa altas y dos Q=1,31
pasa bajas de segundo orden cada uno y
conectarlos en cascada. R2=12 Ω

PASA ALTAS R1=82 Ω

f c =5 kHz

k c =1

f p=5 kHz
Q=0.54, R2=8.2 Ω
C=1,01 μF
R1
0.54=0.5
√
8.2 Ω PASA BAJAS

R1=10 Ω

Q=0.54, C 2=20 nF

C2
f c =5 kHz Se toma este valor porque el quinto
armónico corresponde a 5*f y la frecuencia es de
0.54=0.5
√ 20 nF

1kHz. C 2=23,3 nF

k c =1

fc
=f p
kc

5 kHz=f p f c =5,5 kHz .

k c =1

fc
=f p
kc
 5,5 kHz=f p

1
R=
2 π f p √C 1 C 2

R=1,34 kΩ

Teniendo en cuenta el procedimiento y las Imagen. Diagrama de BODE filtro pasa banda.
ecuaciones anteriormente descritas, se hallaron los
valores necesarios para diseñar el segundo filtro
pasa-bajas, los resultados fueron los siguientes:
ACONDICIONAMIENTO DEL SENSOR DE
Q=1,31 TEMPERATURA LM35

C 2=206 nF Para realizar el respectivo acondicionamiento del

sensor LM35 se tuvo en cuenta la investigación
realizada sobre este para que las entradas
C 1=30 nF correspondieran al rango del sensor. Además,
sabemos que por cada valor de temperatura este
f c =5,5 kHz aumenta o disminuye 10 mV.

k c =1 LM35: Lectura de temperatura entre -55 a +150ºC.

Por cada °C aproximadamente se entregarán 0.1V

f p=5,5 kHz
−0.55 V →5.5 V
R=368 Ω
1.5 V → 15 V

Hallamos la pendiente:
Y 2−Y 1
m=
X 2− X 1
m=4.63
y 2− y 1=m( x 2−x 1 )
y 2−5.5=4.63(x 2−(−0.55))
y 2=4.63 x 2 +8.05
Imagen. Filtro pasa-banda de cuarto orden.
V out =4.63 V ¿ +8.05

Se montó un amplificador operacional restador, se

hallaron las resistencias y el voltaje de las fuentes,
así:
 R2 https://www.areatecnologia.com/electronica/m
=4.63 osfet.html. [Accessed: 01- Oct- 2020].
R1
R2=R 4=46.3 kΩ [4]"Modulación por ancho de pulsos",
Es.wikipedia.org, 2020. [Online]. Available:
R1=R 3=10 kΩ
https://es.wikipedia.org/wiki/Modulaci
%C3%B3n_por_ancho_de_pulsos#:~:text=La
4.63∗V 1=−8.05 %20modulaci%C3%B3n%20por%20ancho
%20de,a%20trav%C3%A9s%20de%20un
V 1=−1.74 V %20canal. [Accessed: 06- Oct- 2020].

Imagen. Simulación en Proteus cuando

T =−55 ° C

Imagen. Simulación en Proteus cuando

T =150 ° C

REFERENCIAS

[1]"Sensor LM35: ¿Qué es?, ¿Cómo

funciona?, Características - Actualidad
Tecnologica", Actualidad Tecnologica, 2020.
[Online]. Available:
https://actualidadtecnologica.com/lm35/.
[Accessed: 29- Sep- 2020].

[2]"Transistor de efecto de campo metal-

óxido-semiconductor", Es.wikipedia.org, 2020.
[Online].
Available:https://es.wikipedia.org/wiki/Transist
or_de_efecto_de_campo_metal-
%C3%B3xido-semiconductor. [Accessed: 01-
Oct- 2020].

[3]"Mosfet Explicación Partes y

Funcionamiento Facil del Transistor Mosfet",
Areatecnologia.com, 2020. [Online]. Available: