UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE PUEBLA

ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA INDUSTRIAL

MATERIA :ELECTRONICA 1

PRACTICA 6 : TRANSISTORES BIPOLARES

ELABORO : ING. TEC. AGUAYO CANO JOSE ABRAHAM

OBJETIVO :
En la práctica se estudiará un nuevo dispositivo semiconductor el transistor, se estudiarán
sus polarizaciones, la curva del transistor y los parámetros más importantes del mismo con
el objeto de introducir al estudiante a predecir su funcionamiento y detectar averías en el
dispositivo.

INTRODUCCION
Desde la invención del transistor en 1951 por W. Schockley la electrónica sufrió avances
impresionantes que la condujeron al CI. El transistor es un dispositivo de tres terminales
capaz de amplificar señales eléctricas.

Es un dispositivo npn por que tiene una zona p entres dos zonas n.
Un transistor tiene tres zonas de dopaje: el emisor, la base y el colector.

n
El Colector es la zona que esta dopada de forma
intermedia y su tarea es recolectar la mayor cantidad

p
de electrones que se encuentran en la base.
La Base es la zona menos dopada y en la base se
recombinan los electrones inyectados
El emisor es la zona mas grande de las tres y su
n
tarea es inyectar la mayor cantidad de electrones
a la base y que se recombienen para llegar al

Símbolo de un transistor:

npn pnp

El transistor de la figura anterior tiene dos uniones: una entre la base y el emisor y la otra
entre la base y el colector, por tanto el transistor es similar a dos diodos contrapuestos.
Cada diodo tiene una caída de potencial de 0.7V para Silicio a temperatura ambiente, por
eso se les denomina simplemente Diodo emisor y Diodo colector.

§ Curva de Salida de un Transistor

Midiendo Ic y Vce se obtienen los datos para la curva de Ic en función de Vce:

 Ic

Zona Activa
Zona de
Zona de Ruptura
Saturación
Vce
Zona de Corte

§ Zonas de Funcionamiento:

La curva exhibe cuatro zonas de funcionamiento en un transistor. La zona central donde

Vce puede variar y Ic se mantiene casi constante es la zona mas importante del transistor ya
que representa el funcionamiento normal y se le llama zona activa, para estar en ella hay
que polarizar al diodo emisor directamente y al diodo colector inversamente.
Otra zona de funcionamiento es la zona de ruptura, el transistor nunca debe trabajar ahí ya
que podría causar su destrucción o degradación.
Después tenemos la parte ascendente de la curva, donde Vce esta desde 0 hasta pocas
decenas de voltio, esta pendiente es la zona de saturación, para estar en esta zona ambos
diodos tanto el de emisor y de colector están polarizados directamente.
Finalmente otra zona inesperada es la de la parte inferior de la curva , esta es la zona de
corte donde la corriente de base es cero y existe una pequeña corriente de fugas por el
colector.

§ Polarización del Transistor

Si se conectan fuentes de alimentación a las terminales del transistor se obtienen corrientes

a través de él y se puede saber en que zona de funcionamiento esta trabajando.

N P N
Al polarizar el diodo emisor y el diodo
colector directamente obtendremos el
funcionamiento del transistor en saturación.

N P N
Al polarizar el diodo emisor y el diodo
colector inversamente el transistor
funcionará en la zona de corte.
 N P N
Al polarizar directamente el diodo
emisor e inversamente el diodo
colector el transistor funcionará en la
zona activa

§ Parámetros del Transistor

La Alfa de un transistor es una medida del cociente de la corriente de colector con respecto
a la corriente de emisor y representa que tan eficaz es el paso de esa corriente a través del
transistor:
aCD= Ic
Ie

La Beta del transistor es una medida de la ganancia que existe de la corriente de colector
con respecto a la corriente de base:

b CD= Ic
Ib

§ Hoja de Características

Estos transistores de pequeña señal pueden disipar un vatio o menos, cuando se estudian
estos dispositivos se debe comenzar por las limitaciones máximas.
Algunos parámetros son los siguientes:
Corriente de colector máxima Ic
Potencia máxima del transistor PD
Ganancia de corriente bCd = hFE

Material:
§ Fuente de Alimentación CD
§ Transistor (npn) BC548 o 2N3904 y hoja de características del dispositivo
§ Resistencias (150W,1kW, potenciómetro de 500W) a 1¤4 W
§ Multimetro digital
§ Protoboard
§ Alambre delgado
 ELABORACIÓN DE LA PRÁCTICA:
TRANSISTOR BIPOLAR

1.- Montar en la tableta para prototipos el siguiente circuito:

R2

Q1 150ohm
R1 2N3391
V2
5V
1.0kohm
V1
5V

2.- Realizar los cálculos correspondientes de: Ib, Ic, Vce, etc.
Después comprobar prácticamente los resultados obtenidos y llegar a una conclusión.

3.- La siguiente prueba consiste en colocar la terminal de base a tierra y realizar los mismos
cálculos, después comprobar los resultados con el Multimetro y llegar a una conclusión.

R2

150ohm
V2
Q1 5V
R1 2N3904

1.0kohm

4.- Finalmente monte el mismo circuito utilizado en el punto número 1 y agregue el

potenciómetro de 500W en el lado de la resistencia de base, observe lo que sucede cuando
el potenciómetro cambia de valor.
R2

150ohm
V2
V1 Q1 12V
12V 2N3904
R1
Key = a
50%
1K_LIN
5.- Trace la recta de carga del transistor y grafique 3 puntos en ella, después de eso
concluya en que zona esta trabajando el transistor.

Preguntas:
1.- ¿El transistor tiene tres zonas de dopaje, explique la tarea de cada una de ellas?

2.- ¿Cuáles son las dos formas en que un transistor se puede emplear?

3.- ¿Para polarizar en la zona activa al transistor como deben de polarizarse los diodos
base-emisor y base-colector?

4.-Al aumentar la tensión de la fuente de polarización del colector, ¿Qué le sucede a la

corriente de colector y la corriente de base?

5.-Cuales son las tres corrientes en un transistor y cual es la relación entre cada una de
ellas?

6.- Cuales son los parámetros mas importantes del transistor que se ha utilizado en esta
práctica?

Bibliografías:
1.- Principios de Electrónica
Autor : Albert Paul Malvino
Edit. Mc Graw-Hill

2.- Teoría de Circuitos

Autor : Boylestad
Edit. Mc Graw-Hill