Diodos Emisores de Luz

La luz puede ser emitida desde un material semiconductor como resultado de la

recombinación de un par electrón hueco. Sin embargo los materiales capaces de
emitir luz no lo logran a temperatura ambiente por que la concentración de huecos
y electrones excitados térmicamente es demasiado baja para producir radiación
distinguible. Por otro lado una fuente externa de energía puede ser usada para
excitar pares electrón hueco en número suficiente para producir una gran cantidad
de recombinaciones por radiación espontánea.

Una forma conveniente de lograrlo p n p n p n

es a través de la polarización
directa de una unión p-n, cuyo
efecto es la inyección de electrones
y huecos dentro de la misma región
+ - + - + -
de espacio. El resultado es la
radiación por recombinación a) LED b) Amplificador Óptico c) diodo
de Semiconductor Laser
llamada inyección
electroluminiscente. Figura 1
 Un diodo emisor de luz LED es una unión p-n polarizado directamente fabricado
de un material semiconductor de banda directa que emite luz por inyección
electroluminiscente.

Si el voltaje se incrementa arriba de cierto valor, el número de electrones y huecos en la

región de unión pueden ser lo suficientes para lograr la inversión de población con lo cual la
emisión estimulada (emisión inducida por la presencia de fotones) puede predominar sobre
la absorción. Por lo tanto la unión puede ser usada como diodo amplificador laser y con la
apropiada retroalimentación se obtiene un diodo laser.

Las fuentes de fotones de semiconductor, tanto en la

forma de LEDs e inyección laser sirven como
transductores electrónicos-fotónicos de alta eficiencia.
Son convenientes por su fácil modulación por control
de la corriente inyectada. Su tamaño pequeño, alta
eficiencia, alta fiabilidad y compatibilidad con los
sistemas electrónicos son factores importantes de su
éxito en varias aplicaciones como: lámparas
indicadoras, dispositivos de visión, escaneo, sistemas
de lectura e impresión, comunicaciones por fibra
óptica y sistemas de almacenamiento de datos.
 Electroluminiscencia en la presencia de inyección
de portadores

La tasa de emisión de fotones puede incrementarse considerablemente si utilizamos un

medio externo para producir un exceso de pares electrón hueco en el material, lo cual se
logra típicamente por polarización directa de la unión p-n del diodo que inyecta pares
portadores dentro de la región de unión. El flujo interno de fotones  generados dentro de
un volumen V de material semiconductor es directamente proporcional a la tasa se
inyección de pares portadores R.
V V
  i RV  i 
 r
Bajo condiciones estacionarias la tasa de generación o bombeo se iguala a la tasa se
recombinaciones o decaimientos tal que , es decir la concentración de exceso de
portadores es proporcional a la tasa se bombeo, . La eficiencia cuántica define la
fracción de recombinaciones de naturaleza radiactiva ( representa el conjunto de las
recombinaciones radiactivas y no radiactivas, y r representa solo las recombinaciones
radiactivas).
 Construcción de LED

Los componentes se montan sobre una trayectoria de reflexión de rayos para incrementar la
luz de salida. Los contactos están hechos sobre el cátodo por medio de adhesivos
conductivos y el ánodo se forma a través de un cable de oro. El encapsulado plástico le
brinda al dispositivo una alta resistencia a los efectos mecánicos.
Construcción de LED
Tabla de fabricación y longitud de onda de
emisión
Longitud de onda de emisión contra material semiconductor
en la construcción de LED
Aplicaciones del diodo emisor de Luz
Emisión Estimulada
Diodo Laser
Estructura del diodo Laser
Diodo Laser
Corrección oval del haz del diodo Laser