Modulo trazador de curvas para caracterizar elementos o dispositivos en

la gama de nanoamperes
José Guillermo Pérez Luna, Luis Armando Moreno Coria,

Salvador Alcántara Iniesta, Sandra Jiménez Xochimitl

Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores, BUAP

Av. 14 Sur y Av. San Claudio, Col. San Manuel, Puebla Pue., C.P. 72560, México

jgperezluna@gmail.com; armandcor@hotmail.com; iniesta.salvador@gmail.com;

sanjim@hotmail.com

Antonio Esteban Jiménez González

Instituto de Energías Renovables, UNAM
Priv. Xochicalco S/ N, Temixco Mor., C.P. 62580, México
ajg@ier.unam.mx

RESUMEN
En este trabajo se presenta un circuito analógico que fue diseñado para obtener la curva
característica corriente-voltaje (I-V) de diferentes elementos o dispositivos que operan en la
gama de nanoamperes; tal es el caso de los diodos semiconductores cuando se polarizan con
voltaje inverso. La técnica empleada consiste en conectar un capacitor en serie con el
elemento que se va a caracterizar; y forzar una corriente por medio de una fuente de voltaje
externa. En esta condición se aprovecha que la corriente del capacitor y el dispositivo bajo
prueba es la misma, debido a que ambos elementos se encuentran conectados en serie. La
corriente se obtiene directamente derivando el voltaje presente en el capacitor. La técnica
descrita fue implementada con amplificadores operacionales y el circuito diseñado presenta en
su salida la magnitud de la corriente y el voltaje del dispositivo bajo prueba. De manera
particular, se presentan los resultados obtenidos para el diodo 1N4007 en condición de
polarización inversa y variación de temperatura. Los resultados obtenidos muestran que se
obtuvo un sistema de medición confiable y de bajo ruido.

PALABRAS CLAVE: Trazador de curvas, curvas características I-V, nano-amperímetro,

amplificador operacional, diodo semiconductor.

1 INTRODUCCIÓN
La evaluación y análisis de un elemento o dispositivo requiere con frecuencia que se determine
el comportamiento de la corriente versus voltaje (curvas I-V). Esto es común para los
dispositivos electrónicos, tal es el caso de los diodos y de las celdas fotovoltaicas. El caso
particular de un diodo semiconductor muestra que, en condición directa las corrientes son
grandes (mA o A); sin embargo, en polarización inversa las corrientes son pequeñas (nA). Esto
se puede observar después de graficar la ecuación típica deducida para un diodo [1]; esto es,


i D  IS e
VD
 VT

1 .
(1)

1
En donde, iD es la corriente del diodo, IS es la corriente de saturación, vD es el voltaje presente
entre las terminales del diodo, η es el coeficiente de emisión cuyo valor está en la gama 1 ≤ η ≤
2 y VT es el voltaje térmico definido como VT=kT/e. En esta última expresión, k es la constante
de Boltzmann, T es la temperatura absoluta y e es la magnitud de la carga del electrón.

La figura 1 muestra la curva I-V típica del diodo 1N4007 en condición de polarización inversa;
como puede observarse, para un voltaje vD próximo a 0 V, la corriente se incrementa de
manera súbita; mientras que, para voltajes de polarización inversa de mayor magnitud, la
corriente del diodo se incrementa en forma asintótica, hasta alcanzar el valor IS. Esta gráfica se
obtuvo por medio del programa Pspice [2].

Figura 1. Curva I-V del diodo 1N4007 en condición de polarización inversa.

Este tipo de gráficas I-V se obtienen usualmente con equipos de alta sensibilidad; tal es el caso
del modelo Keithley SourceMeter 2450 SMU Instrument [3]; el cual trabaja con magnitudes de
voltaje de hasta 100 V y corrientes del orden de pA. Además de este equipo, la literatura
menciona la técnica de carga capacitiva para obtener la curva I-V de paneles fotovoltaicos.
Esta técnica es útil porque la impedancia del capacitor se incrementa conforme este elemento
se carga por medio del panel fotovoltaico, de esta manera se pasa por toda la serie de puntos
de operación desde la condición de corto circuito (ISC) hasta la condición de circuito abierto
(VOC). Sin embargo, en este trabajo el procesamiento de la información se realiza por medio de
una computadora y no necesariamente en tiempo real [4].

Este trabajo muestra una alternativa analógica de bajo costo empleando amplificadores
operacionales. La alternativa se comprende de manera teórica cuando se analiza la ecuación
típica de carga de un capacitor de magnitud C. La figura 2 muestra el comportamiento de
voltaje en un capacitor cuando se le alimenta por medio de una fuente de voltaje V0 en serie
con una resistencia R.

2
 Figura 2. Respuesta en voltaje de un circuito RC tipo integrativo a un escalón unitario.

La expresión que rige el comportamiento del voltaje en el capacitor empleado como carga, está
dada por [5]:


VC t   V0 1 e
t
RC
.
(2)

Esta ecuación describe el comportamiento del voltaje en el capacitor para un resistor de valor
constante; es de esperase que VC(t) se modifique si la característica del elemento resistivo es
no-lineal; por tanto, el voltaje de carga del capacitor contiene información sobre la corriente del
elemento resistivo. Este concepto se puede aplicar para determinar el comportamiento I-V de
un diodo en condición de polarización inversa. Básicamente, la corriente de este dispositivo se
puede determinar si se conoce la corriente en el capacitor, pues ambos elementos se
encuentran conectados en serie. Considerando el caso de un diodo, al cual se le desea obtener
su curva característica I-V en condición de polarización inversa; entonces el diodo se puede
emplear como elemento resistivo no-lineal conectado en serie con una fuente externa y
acoplado de tal manera que la configuración cargue al capacitor empleado como carga. En
esta condición se cumple que la corriente del diodo es la misma que la corriente empleada para
cargar el capacitor; es decir, se cumple que [1, 5]:

dVC t 
ID t   C .
dt
(
3)

En esta ecuación resulta importante observar que la corriente del diodo está ponderada por el
valor de la capacitancia C; es decir, para medir nA, se requiere de un capacitor con magnitud
igual a 1 nF. Para implementar esta técnica en forma experimental; es necesario descargar el
capacitor, antes de realizar cada medición.

2 DESCRIPCIÓN DEL MODULO TRAZADOR DE CURVAS

La técnica mencionada en la sección anterior se puede implementar con amplificadores
operacionales, en donde se debe tomar en cuenta de manera especial, la implementación de
un circuito derivador; la figura 3 muestra el circuito analógico que puede realizar esta función

3
[1]. Como puede observarse, a la configuración típica del circuito derivador R2C1, se le agregó
la resistencia R1, la cual disminuye el ruido asociado inherentemente a esta configuración.

Figura 3. Circuito derivador con ganancia unitaria.

La figura 4 muestra el diagrama a bloques que describe la idea completa del Módulo Trazador
de Curvas (MTC) para corrientes pequeñas (nA).

Figura 4. Diagrama del MTC para graficar la curva I-V de dispositivos en la condición de baja
corriente (nA).

Como puede observarse en esta figura, la fuente de voltaje que carga al capacitor es de 10 V;
lo cual significa que se puede obtener barrido de voltaje en el dispositivo bajo prueba de hasta
10 V. Se describe también por medio de las conexiones que, el dispositivo bajo prueba está en
serie con el capacitor. El circuito derivador está conectado directamente al capacitor C y su
terminal de salida se conecta directamente a un filtro activo compuesto por un filtro integrador y
un seguidor de voltaje (buffer). La salida de este filtro proporciona la información sobre el
comportamiento de la corriente que está presente en el dispositivo bajo prueba. Para medir el
voltaje entre las terminales del dispositivo, sin alterar la medición, se emplean dos circuitos
buffer para el acoplamiento de las señales presentes entre las terminales del dispositivo. Estas
señales se introducen a un circuito amplificador diferencial (restador). La salida de este último
circuito corresponde a la información sobre el comportamiento del voltaje presente entre las
terminales del dispositivo bajo prueba.

4
La figura 5 muestra la implementación del diagrama a bloques por medio de amplificadores
operacionales. Como puede observarse, los circuitos buffer se implementaron por medio de un
amplificador operacional con entrada en la terminal no inversora y salida en la conexión de
corto circuito entre la entrada inversora y la salida del amplificador operacional. La frecuencia
de corte del filtro activo fue diseñada para un valor igual a 1.6 Hz, con esto se asegura eliminar
el ruido correspondiente a la frecuencia de 60 Hz (R3=1 MΩ y C2=0.1μF). El amplificador
diferencial se diseñó para ganancia unitaria; por tanto, las cuatro resistencias que lo conforman
son de igual magnitud (100 kΩ) [1].

Figura 5. Circuito analógico del MTC para graficar la curva I-V de dispositivos en la condición
de baja corriente (nA).

Para obtener la curva I-V del dispositivo bajo prueba se requiere descargar el capacitor por
medio del interruptor J1; es decir, el evento inicia con una carga en el capacitor igual a 0 V. A
partir de este momento; conforme el capacitor se va cargando, el circuito analógico va
midiendo el voltaje presente entre las terminales del dispositivo bajo prueba y la corriente que
está fluyendo hacia el interior del dispositivo.

3 RESULTADOS EXPERIMENTALES
Con el fin de verificar la calibración del MTC, se optó por determinar la curva característica I-V
de un resistor de valor conocido; en este caso un resistor de 1 MΩ. La prueba se realizó por
medio del circuito mostrado en la figura 5 en donde el capacitor C3 empleado como carga
corresponde a 1 µF; esto significa que los valores de voltaje obtenidos en la salida del circuito
derivador corresponden a una magnitud expresada en µA. Las figuras 6 y 7 muestran los
resultados obtenidos por medio del MTC y por medio del equipo Keithley SourceMeter 2450
SMU Instrument.

5
 1
𝑚= 1
𝑅 𝑚=
𝑅

Figura 6. Curva I-V de la resistencia de 1 MΩ Figura 7. Curva I-V de la resistencia de 1 MΩ

obtenida con el MTC. obtenida con el SourceMeter 2450.
La figura 6 muestra que hay una correspondencia directa entre el voltaje aplicado de -5 V y la
corriente de -5 µA; lo cual corresponde precisamente a una resistencia de 1 MΩ. Una curva I-V
de características similares se obtuvo por medio del equipo de referencia (ver figura 7).

3.1 Curvas I-V del diodo 1N4007 en condición de polarización inversa

La caracterización del diodo 1N4007 en condición de polarización inversa, se llevó a cabo en

dos etapas. En la primera etapa se obtuvo la curva I-V del diodo en condición de temperatura
ambiente; empleando el MTC y el equipo de referencia. Las figuras 8 y 9 muestran los
resultados obtenidos, en donde se puede observar la similitud obtenida tanto en voltaje como
en corriente para ambos sistemas de medición.

Figura 8. Curva I-V del diodo 1N4007 obtenida por Figura 9. Curva I-V del diodo 1N4007 obtenida por
medio del MTC. medio del SourceMeter 2450.

6
En la segunda etapa, se realizaron pruebas paramétricas al diodo 1N4007 para diferentes
condiciones de temperatura; esto requirió que el diodo fuese encapsulado junto con un
termopar tipo K. El barrido de temperatura se efectuó para los valores de 30, 35, 40 y 45 °C
(figura 10).

Figura 10. Familia de curvas I-V del diodo 1N4007 obtenidas por medio del MTC para
diferentes temperaturas.

Como puede observarse en la figura 10, la magnitud de corriente cambió de 3 nA a 11 nA en el

punto de operación correspondiente a 5 V; esto muestra que el MTC está midiendo
correctamente las magnitudes de corrientes. La figura 10 muestra también los cambios de
corriente con respecto a la variación de voltaje entre las terminales del diodo bajo prueba y el
cambio abrupto que se presenta en la familia de curvas en la región cercana a 0 V. Se escogió
mostrar la familia de curvas en el tercer cuadrante para enfatizar el comportamiento del
dispositivo en condición de polarización inversa.

Tomando en consideración que la técnica de medición involucra el proceso de cargar un

capacitor de magnitud pequeña (1000 pF), resultó importante estudiar el efecto que puede
ocasionar la capacitancia interna del diodo en las mediciones. Para determinar este efecto, se
conectaron en paralelo con el diodo algunos capacitores con diferente magnitud; en particular,
un capacitor de 15 pF, no causó efecto alguno. Este valor coincide con la magnitud de la
capacitancia interna de un diodo. De hecho, se pudo observar que para valores de capacitancia
grandes (100 pF), la caracterización realizada al diodo con el MTC, determina también el efecto
de la capacitancia interna del diodo, sin afectar la medición realizada; esto debido a que el
capacitor empleado como carga es totalmente independiente del dispositivo bajo prueba.

4 CONCLUSIONES
Se presenta el diseño de un Módulo Trazador de Curvas para obtener la curva característica de
diferentes elementos y dispositivos operando con magnitudes de corriente del orden de nA.

Se mostró que la técnica de cargar un capacitor por medio de una fuente externa y el
dispositivo bajo prueba es viable para medir corrientes pequeñas.

7
Se mostró que el circuito analógico diseñado permite obtener las curvas características I-V de
elementos o dispositivos en condición de baja corriente; en particular, las pruebas efectuadas
al diodo 1N4007 resultaron precisas y confiables.

5 AGRADECIMIENTOS
Se agradece al CONACYT el apoyo de la beca para el estudiante de doctorado con CVU
256849.

REFERENCIAS
rd
[1] Neamen D. A. Microelectronics, Circuit Analysis and Design, 3 ed. New York: Mc Graw Hill
International Edition, (2007).

[2] URL http://www.orcad.com

[3] Model 2450 Advanced Touchscreen Sourcemeter SMU instrument. Disponible en la

URL http://www.keithley.com/products/dcac/currentvoltage/2450smu/?mn=2450, (2014).
[4] Ferichola J. F. Caracterización de módulos fotovoltaicos con dispositivo portátil. Universidad
Carlos III de Madrid, España.

[5] Hayt W. H., Jr. / J. E. Kemmerly, Análisis de Circuitos en Ingeniería, Cuarta edición McGraw
Hill, México, (1988), p.131.