ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL TECNOLOGÍA EN ELECTRÓNICA Y TELECOMUNICACIONES

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS PRÁCTICA 6

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

PRÁCTICA No. 6
Jueves 12/11/2015

Tema: Polarización de transistores de efecto de campo (FET).

Objetivo: Analizar e implementar los principales circuitos de polarización para FET’s.

PREPARATORIO:
1. Consultar las características y la asignación de pines de los transistores NTE312, NTE326,
2N3684, 2N3819 Y 2N3687.
2. Para los circuitos de las figuras 1, 2 calcule los voltajes y corrientes de polarización.
3. Realizar y presentar las simulaciones de los circuitos mostrando los valores de polarización.
4. Traer armado los circuitos en el protoboard.

R2
2k

Q1
NJFET
+ V2
16
R1
1000k

V1
+ 2

Figura 1.

Figura 2.
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL TECNOLOGÍA EN ELECTRÓNICA Y TELECOMUNICACIONES
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS PRÁCTICA 6

TRABAJO EN EL LABORATORIO:

1. Implementar cada uno de los circuitos.

2. Tomar medidas de las componentes continuas de cada circuito.

INFORME:

1. Presentar en un cuadro las mediciones realizadas en la práctica y los valores teóricos

calculados en el trabajo preparatorio. Obtener los porcentajes de error.
2. Indique las diferencias entre los TBJ y los FET.
3. Dibuje la curva de transferencia de cada circuito, ID vs VGS.
4. Conclusiones y Recomendaciones.