Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos p y n,

por lo que también reciben la denominación de unión pn. Hay que destacar que
ninguno de los dos cristales por separado tiene carga eléctrica, ya que en cada cristal, el
número de electrónes y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos
cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je).

Semiconductor
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Un semiconductor es un elemento que se comporta como conductor o como aislante

dependiendo del campo eléctrico en el que se encuentre. Los elementos químicos
semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla siguiente.

Electrones en
Elemento Grupo la última
capa

Cd II A 2 e-
Al, Ga, B,
III A 3 e-
In
Si, Ge IV A 4 e-
P, As, Sb VA 5 e-
Se, Te, (S) VI A 6 e-

El elemento semiconductor más usado es el silicio, aunque idéntico comportamiento

presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos
VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). De un tiempo a esta
parte se ha comenzado a emplear también el azufre. La característica común a todos
ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuración electrónica s²p².

Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unión, zona que recibe diferentes

denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de deplexión, de

vaciado, etc.

A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va

incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin
embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona
p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n con
una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones
y terminará deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre
las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3
V si los cristales son de germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del
orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado que el
otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.

Al dispositivo así obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal
que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no está
polarizado. Al extremo p, se le denomina ánodo, representándose por la letra A,
mientras que la zona n, el cátodo, se representa por la letra C (o K).

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Bandas de energía
Supongamos una red cristalina formada por átomos de silicio (o cualquier mezcla de las
mencionadas). Cuando los átomos están aislados, el orbital s (2 estados con dos
electrones) y el orbital p (6 estados con 2 electrones y cuatro vacantes) tendrán una
cierta energía Es y Ep respectivamente (punto A). A medida que disminuye la distancia
interatómica comienza a observarse la interacción mutua entre los átomos, hasta que
ambos orbitales llegan a formar, por la distorsión creada, un sistema electrónico único.
En este momento tenemos 8 orbitales híbridos sp³ con cuatro electrones y cuatro
vacantes (punto B). Si se continua disminuyendo la distancia interatómica hasta la
configuración del cristal, comienzan a interferir los electrones de las capas internas de
los átomos, formándose bandas de energía (punto C). Las tres bandas de valores que se
pueden distinguir son ***:

1. Banda de Valencia. 4 estados, con 4 electrones.

2. Banda Prohibida. No puede haber electrones con esos valores de energía en el
cristal.
3. Banda de Conducción. 4 estados, sin electrones.
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Conductividad eléctrica del cristal

Para que la conducción de la electricidad sea posible es necesario que haya electrones
en la capa de conducción, así podemos considerar tres situaciones:

 Los metales, en los que ambas bandas de energía se superponen, son

conductores.
 Los aislantes, en los que la diferencia existente entre las bandas de energía, del
orden de 6 eV impide, en condiciones normales el salto de los electrones.
 Los semiconductores, en los que el salto de energía es pequeño, del orden de 1
eV, por lo que suministrando energía pueden conducir la electricidad; pero
además, su conductividad puede regularse, puesto que bastará disminuir la
energía aportada para que sea menor el número de electrones que salte a la
banda de conducción; cosa que no puede hacerse con los metales, cuya
conductividad es constante, o más propiamente, poco variable con la
temperatura.

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Tipos de semiconductores
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Semiconductores intrínsecos

Un cristal de silicio forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante
enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por
simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones
pueden, absorbiendo la energía necesaria, saltar a la banda de conducción, dejando el
correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energías requeridas, a
temperatura ambiente son de 1,1 y 0,72 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.

Obviamente el proceso inverso también se produce, de modo que los electrones pueden
caer desde el estado energético correspondiente a la banda de conducción, a un hueco
en la banda de valencia liberando energía. A este fenómeno, se le denomina
recombinación. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de
creación de pares e-h, y de recombinación se igualan, de modo que la concentración
global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo n la concentración de
electrones (cargas negativas) y p la concentración de huecos (cargas positivas), se
cumple que:

ni = n = p

siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la

temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensión, se producen dos
corrientes eléctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la
banda de conducción, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la
banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos próximos (2), originando una
corriente de huecos en la dirección contraria al campo eléctrico cuya velocidad y
magnitud es muy inferior a la de la banda de conducción.

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Semiconductores extrínsecos
Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje
de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se
denomina extrínseco, y se dice que está dopado. Evidentemente, las impurezas deberán
formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al corespondiente átomo de silicio.

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Semiconductor extrínseco tipo n

Es el que se ha dopado con elementos pentavalentes (As, P o Sb).

Al tener éstos elementos 5 electrones en la última capa, resultará que al formarse, como
antes, la estructura cristalina, el quinto electrón no estará ligado en ningún enlace
covalente, encontrándose, aún sin estar libre, en un nivel energético superior a los cuatro
restantes. Si como antes, consideramos el efecto de la temperatura, observaremos que
ahora, además de la formación de pares e-h, se liberarán también los electrones no
enlazados, ya que la energía necesaria para liberar el electrón excedente es del orden de
la centésima parte de la correspondiente a los electrones de los enlaces covalentes (en
torno a 0,01 eV).

Así, en el semiconductor aparecerá una mayor cantidad de electrones que de huecos; por
ello se dice que los electrones son los portadores mayoritarios de la energía eléctrica y
puesto que este excedente de electrones procede de las impurezas pentavalentes, a éstas
se las llama donadoras. Aún siendo mayor n que p, la ley de masas se sigue
cumpliendo, dado que aunque aparentemente sólo se aumente el número de electrones
libres, al hacerlo, se incrementa la probabilidad de recombinación, lo que resulta en un
disminución del número de huecos p, es decir:  :n > ni = pi > p, tal que: n·p = ni² Por lo
que respecta a la conductividad del material, ésta aumenta enormemente, así, por
ejemplo, introduciendo sólo un átomo donador por cada 1000 átomos de silicio, la
conductividad es 24100 veces mayor que la del silicio puro.

[
5555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555
5555555555555555555555555555555555555555In).

En este caso, las impurezas aportan una vacante, por lo que se las denomina aceptoras
(de electrones, se entiende). Ahora bien, el espacio vacante no es un hueco como el
formado antes con el salto de un electrón, si no que tiene un nivel energético
ligeramente superior al de la banda de valencia (del orden de 0,01 eV).

En este caso, los electrones saltarán a las vacantes con facilidad dejando huecos en la
banda de valencia en mayor número que electrones en la banda de conducción, de modo
que ahora son los huecos los portadores mayoritarios.

Al igual que en el caso anterior, el incremento del número de huecos se ve compensado

en cierta medida por la mayor probabilidad de recombinación, de modo que la ley de
masas también se cumple en este caso:

p > pi = ni > n, tal que: n·p = ni²

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La resistencia eléctrica - conductores - aislantes - dieléctricos

Es la oposición que ofrece un material al paso de los electrones ( la corriente eléctrica).

Cuando el material tiene muchos electrones libres, como es el caso de los metales, permite el
paso de los electrones con facilidad y se le llama conductor.
Ejemplo: cobre, aluminio, plata, oro, etc..

Si por el contrario el material tiene pocos electrones libres, éste no permitirá el paso de la
corriente y se le llama aislante o dieléctrico

Ejemplo: cerámica, bakelita, madera (papel), plástico, etc..

Los factores principales que determinan la resistencia eléctrica de un material son:

 - tipo de material
 - longitud
 - sección transversal
 - temperatura

Un material puede ser aislante o conductor dependiendo de su configuración atómica, y podrá

ser mejor o peor conductor o aislante dependiendo de ello.

Características

 - Un material de mayor longitud tiene mayor resistencia eléctrica

              
El material de mayor longitud ofrece mas resistencia
 al paso de la corriente que el de menor longitud

 - Un material con mayor sección transversal tiene menor resistencia. (Imaginarse un cable
conductor cortado transversalmente). La dirección de la corriente (la flecha de la corriente) en
este caso entra o sale de la página

El material de menor sección (gráfico inferior) ofrece mayor resistencia

 al paso de la corriente que el de mayor sección

 - Los materiales que se encuentran a mayor temperatura tienen mayor resistencia

La unidad de medida de la resistencia eléctrica es el Ohmio y se representa por la letra griega

omega (Ω) y se expresa con la letra griega "R".

Este artículo se refiere a la resistencia eléctrica como fenómeno físico, para ver el
componente ir a Resistor.

Se denomina resistencia eléctrica, R, de una sustancia a la oposición que encuentra la

corriente eléctrica para recorrerla. Su valor se mide en ohmios y se designa con la letra
griega omega mayúscula (Ω).
Esta definición es válida para la corriente continua y para la corriente alterna cuando se
trate de elementos resistivos puros, esto es, sin componente inductiva ni capacitiva. De
existir estos componentes reactivos, la oposición presentada a la circulación de corriente
recibe el nombre de impedancia.

Según sea la magnitud de esta oposición, las sustancias se clasifican en conductoras, no

conductoras o aislantes y semiconductoras.

Resistencia (componente)
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Símbolos

Resistor

Diferentes resistores.

Se denomina resistencia o resistor (en lenguaje técnico) al componente electrónico

diseñado para introducir una resistencia eléctrica determinada entre dos puntos de un
circuito. En otros casos, como en las planchas, calentadores, etc., las resistencias se
emplean para producir calor aprovechando el Efecto Joule. Es frecuente utilizar la
palabra resistor como sinónimo de resistencia.

La corriente máxima de una resistencia viene condicionada por la máxima potencia que
puede disipar su cuerpo. Esta potencia se puede identificar visualmente a partir del
diámetro sin que sea necesaria otra indicación. Los valores más corrientes son 0.25 W,
0.5 W y 1 W.
[editar]

Código de colores
Las resistencias de potencia pequeña, empleadas en circuitos electrónicos, van rotuladas
con un código de franjas de colores. Para caracterizar una resistencia hacen falta tres
valores: resistencia eléctrica, disipación máxima y precisión.

Los otros datos se indican con un conjunto de rayas de colores sobre el cuerpo del
elemento. Son tres, cuatro o cinco rayas; dejando la raya de tolerancia (normalmente
plateada o dorada) a la derecha, se leen de izquierda a derecha. La última raya indica la
tolerancia (precisión). De las restantes, la última es el multiplicador y las otras las cifras.

Valor de la
Color de la Coeficiente de
cifra Multiplicador Tolerancia
banda temperatura
significativa
Negro 0 1
Marrón 1 10 1% 100ppm/ºC
Rojo 2 100 2% 50ppm/ºC
Naranja 3 1 000 15ppm/ºC
Amarillo 4 10 000 25ppm/ºC
Verde 5 100 000 0,5%
Azul 6 1 000 000 0,25% 10ppm/ºC
Violeta 7 10 000 000 0,1% 5ppm/ºC
Gris 8 100 000 000
Blanco 9 1 000 000 000 1ppm/ºC
Dorado 0.1 5%
Plateado 0.01 10%
Ninguno 20%

El valor se obtiene leyendo las cifras como un número de una, dos o tres cifras; se
multiplica por el multiplicador y se obtiene el resultado en Ohmios (Ω). El coeficiente
de temperatura únicamente se aplica en resistencias de alta precisión (<1%).

Ejemplo: La caracterización de una resistencia de 470.000 Ω (470 k Ω), con una

tolerancia del 10%, sería la representada en la figura siguiente: Tolerancia = Plateado ;
Multiplicador = Amarillo ; 2°cifra = Violeta ; 1°cifra = Amarillo
[editar]

Comportamiento en un circuito

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redacción.

Las resistencias se utilizan en los circuitos para limitar el valor de la corriente o para
fijar el valor de la tensión.

Componentes Electrónicos
1. Introducción
2. Resistencias
3. Condensador
4. Reóstatos
5. Transformador
6. Diodo
7. Bobina
8. Pila (acumulador, batería)
9. Fusible
10. Relé
11. Transistores
12. Circuitos integrados
13. Conclusión

INTRODUCCIÓN

A finales de la década de 1940, la electrónica no tenia mayor consideración

que la de ser una rama secundaria de la electricidad.

Aunque por aquel entonces ya existían aparatos que podrían tener al menos
exteriormente, cierto aspecto de "electrónicos", como receptores de radio,
tocadiscos o rudimentarias máquinas de calcular no dejaban de ser circuitos y
piezas puramente eléctricas unidas mediante cables.

Las investigaciones en busca de mejoras, tanto en las propiedades como,

sobre todo, en el tamaño de las válvulas, dieron origen a la aparición de unos
nuevos materiales llamados semiconductores, que a su vez provocaron la
creación de una nueva disciplina tecnológica denominada electrónica.

Sea como fuere, tanto en electricidad como en electrónica, el movimiento de

los electrones es el motivo fundamental del funcionamiento de sus circuitos; la
única diferencia es que la segunda utiliza componentes tales como las válvulas,
los semiconductores y los circuitos integrados, a los que genéricamente se
denomina elementos activos en oposición a los usados en electricidad
(resistencias, condensadores, bobinas etc.), llamados elementos pasivos

Gracias a tales elementos activos, la electrónica se constituye en una ciencia

cuyo objetivo primordial es ser una perfecta herramienta para obtener, manejar
y utilizar información.

Como ya hemos dicho, los componentes son elementos básicos con los que se
construyen circuitos, y desempeñan, por lo tanto, las funciones elementales de
la electrónica.

Cada circuito, ya sea eléctrico o electrónico ha de contener, por lo menos, un

componente pasivo que actué como conductor y que provoque la circulación de
una corriente eléctrica por dicho circuito.

RESISTENCIAS

Propiedad de un objeto o sustancia que hace que se resista u oponga al paso

de una corriente eléctrica. La resistencia de un circuito eléctrico determina
según la llamada ley de Ohm cuánta corriente fluye en el circuito cuando se le
aplica un voltaje determinado. La unidad de resistencia es el ohmio, que es la
resistencia de un conductor si es recorrido por una corriente de un amperio
cuando se le aplica una tensión de 1 voltio. La abreviatura habitual para la
resistencia eléctrica es R, y el símbolo del ohmio es la letra griega omega, Ω.
En algunos cαlculos eléctricos se emplea el inverso de la resistencia, 1/R, que
se denomina conductancia y se representa por G. La unidad de conductancia
es siemens, cuyo símbolo es S. Aún puede encontrarse en ciertas obras la
denominación antigua de esta unidad, mho.

RESISTENCIAS

CONDENSADOR
El condensador es uno de los componentes mas utilizados en los circuitos
eléctricos.

Un condensador es un componente pasivo que presenta la cualidad de

almacenar energía eléctrica. Esta formado por dos laminas de material
conductor (metal) que se encuentran separados por un material dieléctrico
(material aislante). En un condensador simple, cualquiera sea su aspecto
exterior, dispondrá de dos terminales, los cuales a su vez están conectados a
las dos laminas conductoras.

Condensador no polarizado Condensador variable

 REÓSTATOS

Son resistencias bobinadas variables dispuestas de tal forma que pueda variar
el valor de la resistencia del circuito en que esta instalada, como ya sabemos,
son capaces de aguantar mas corriente. . A las resistencias variables se le
llaman reóstatos o potenciómetros, con un brazo de contacto deslizante y
ajustable, suelen utilizarse para controlar el volumen de radios y televisiones.

 TRANSFORMADOR

Dispositivo eléctrico que consta de una bobina de cable situada junto a una o
varias bobinas más, y que se utiliza para unir dos o más circuitos de corriente
alterna (CA) aprovechando el efecto de inducción entre las bobinas. La bobina
conectada a la fuente de energía se llama bobina primaria. Las demás bobinas
reciben el nombre de bobinas secundarias. Un transformador cuyo voltaje
secundario sea superior al primario se llama transformador elevador. Si el
voltaje secundario es inferior al primario este dispositivo recibe el nombre de
transformador reductor. El producto de intensidad de corriente por voltaje es
constante en cada juego de bobinas, de forma que en un transformador
elevador el aumento de voltaje de la bobina secundaria viene acompañado por
la correspondiente disminución de corriente. La cantidad de terminales varía
según cuantos bobinados y tomas tenga. Como mínimo son tres para los auto-
transformadores y cuatro en adelante para los transformadores. No tienen
polaridad aunque si orientación magnética de los bobinados.
  

TRANSFORMADOR NÚCLEO DE AIRE TRANSFORMADOR

DIODO

Componente electrónico que permite el paso de la corriente en un solo sentido.

Los primeros dispositivos de este tipo fueron los diodos de tubo de vacío, que
consistían en un receptáculo de vidrio o de acero al vacío que contenía dos
electrodos: un cátodo y un ánodo. Ya que los electrones pueden fluir en un solo
sentido, desde el cátodo hacia el ánodo, el diodo de tubo de vacío se podía
utilizar en la rectificación. Los diodos más empleados en los circuitos
electrónicos actuales son los diodos fabricados con material semiconductor. El
más sencillo, el diodo con punto de contacto de germanio, se creó en los
primeros días de la radio, cuando la señal radiofónica se detectaba mediante
un cristal de germanio y un cable fino terminado en punta y apoyado sobre él.
En los diodos de germanio (o de silicio) modernos, el cable y una minúscula
placa de cristal van montados dentro de un pequeño tubo de vidrio y
conectados a dos cables que se sueldan a los extremos del tubo.

Diodo rectificador Diodo emisor de

luz (LED)

BOBINA

Las bobinas (también llamadas inductores) consisten en un hilo conductor

enrollado. Al pasar una corriente a través de la bobina, alrededor de la misma
se crea un campo magnético que tiende a oponerse a los cambios bruscos de
la intensidad de la corriente. Al igual que un condensador, una bobina puede
utilizarse para diferenciar entre señales rápida y lentamente cambiantes (altas y
bajas frecuencias). Al utilizar una bobina conjuntamente con un condensador,
la tensión de la bobina alcanza un valor máximo a una frecuencia específica
que depende de la capacitancia y de la inductancia. Este principio se emplea
en los receptores de radio al seleccionar una frecuencia específica mediante un
condensador variable.

 
 BOBINAS

PILA (Acumulador, Batería)

Dispositivo que convierte la energía química en eléctrica. Todas las pilas

consisten en un electrolito (que puede ser líquido, sólido o en pasta), un
electrodo positivo y un electrodo negativo. El electrolito es un conductor iónico;
uno de los electrodos produce electrones y el otro electrodo los recibe. Al
conectar los electrodos al circuito que hay que alimentar, se produce una
corriente eléctrica.

Las pilas en las que el producto químico no puede volver a su forma original
una vez que la energía química se ha transformado en energía eléctrica (es
decir, cuando las pilas se han descargado), se llaman pilas primarias o
voltaicas. Las pilas secundarias o acumuladores son aquellas pilas reversibles
en las que el producto químico que al reaccionar en los electrodos produce
energía eléctrica, puede ser reconstituido pasando una corriente eléctrica a
través de él en sentido opuesto a la operación normal de la pila.

PILA-ACUMULADOR-BATERÍA

FUSIBLE

Dispositivo de seguridad utilizado para proteger un circuito eléctrico de un

exceso de corriente. Su componente esencial es, habitualmente, un hilo o una
banda de metal que se derrite a una determinada temperatura. El fusible está
diseñado para que la banda de metal pueda colocarse fácilmente en el circuito
eléctrico. Si la corriente del circuito excede un valor predeterminado, el metal
fusible se derrite y se rompe o abre el circuito. Los dispositivos utilizados para
detonar explosivos también se llaman fusibles.

Un fusible cilíndrico está formado por una banda de metal fusible encerrada en
un cilindro de cerámica o de fibra. Unos bornes de metal ajustados a los
extremos del fusible hacen contacto con la banda de metal. Este tipo de fusible
se coloca en un circuito eléctrico de modo que la corriente fluya a través de la
banda metálica para que el circuito se complete. Si se da un exceso de
corriente en el circuito, la conexión de metal se calienta hasta su punto de
fusión y se rompe. Esto abre el circuito, detiene el paso de la corriente y, de
ese modo, protege al circuito.
  

FUSIBLES

RELÉ

Conmutador eléctrico especializado que permite controlar un dispositivo de

gran potencia mediante un dispositivo de potencia mucho menor. Un relé está
formado por un electroimán y unos contactos conmutadores mecánicos que
son impulsados por el electroimán. Éste requiere una corriente de sólo unos
cientos de miliamperios generada por una tensión de sólo unos voltios,
mientras que los contactos pueden estar sometidos a una tensión de cientos de
voltios y soportar el paso de decenas de amperios. Por tanto, el conmutador
permite que una corriente y tensión pequeñas controlen una corriente y tensión
mayores. Técnicamente un relé es un aparato electromecánico capaz de
accionar uno o varios interruptores cuando es excitado por una corriente
eléctrica.

Relé rápido Relé con doble bobinado

TRANSISTORES

Los transistores se componen de semiconductores. Se trata de materiales,

como el silicio o el germanio, dopados (es decir, se les han incrustado
pequeñas cantidades de materias extrañas), de manera que se produce un
exceso o una carencia de electrones libres. En el primer caso, se dice que el
semiconductor es del tipo n, y en el segundo, que es del tipo p. Combinando
materiales del tipo n y del tipo p se puede producir un diodo. Cuando éste se
conecta a una batería de manera tal que el material tipo p es positivo y el
material tipo n es negativo, los electrones son repelidos desde el terminal
negativo de la batería y pasan, sin ningún obstáculo, a la región p, que carece
de electrones. Con la batería invertida, los electrones que llegan al material p
pueden pasar sólo con muchas dificultades hacia el material n, que ya está
lleno de electrones libres, en cuyo caso la corriente es prácticamente cero.

 
 Transistor NPN Transistor PNP

CIRCUITOS INTEGRADOS

La mayoría de los circuitos integrados son pequeños trozos, o chips, de silicio,

de entre 2 y 4 mm2, sobre los que se fabrican los transistores. La fotolitografía
permite al diseñador crear centenares de miles de transistores en un solo chip
situando de forma adecuada las numerosas regiones tipo n y p. Durante la
fabricación, estas regiones son interconectadas mediante conductores
minúsculos, a fin de producir circuitos especializados complejos. Estos circuitos
integrados son llamados monolíticos por estar fabricados sobre un único cristal
de silicio. Los chips requieren mucho menos espacio y potencia, y su
fabricación es más barata que la de un circuito equivalente compuesto por
transistores individuales.

(IC)Circuito integrado símbolo genérico

CONCLUSIÓN

Los componentes electrónicos han venido evolucionando a través del tiempo

que cada día, mas pequeños y complejos son los circuitos eléctricos, esto se
debe a que los componentes son elaborados con la finalidad de realizar
diversas tareas dentro del circuito en el caso de los circuitos integrados su
desarrollo ha revolucionado los campos de las comunicaciones, la gestión de la
información y la informática. Los circuitos integrados han permitido reducir el
tamaño de los dispositivos con el consiguiente descenso de los costes de
fabricación y de mantenimiento de los sistemas. Al mismo tiempo, ofrecen
mayor velocidad y fiabilidad. Los relojes digitales, las computadoras portátiles y
los juegos electrónicos son sistemas basados en microprocesadores. Otro
avance importante es la digitalización de las señales de sonido, proceso en el
cual la frecuencia y la amplitud de una señal de sonido se codifica digitalmente
mediante técnicas de muestreo adecuadas, es decir, técnicas para medir la
amplitud de la señal a intervalos muy cortos. La música grabada de forma
digital, como la de los discos compactos, se caracteriza por una fidelidad que
no era posible alcanzar con los métodos de grabación directa. De igual manera
pasa con los transistores, ha reemplazado casi completamente al tubo de vacío
en la mayoría de sus aplicaciones. Al incorporar un conjunto de materiales
semiconductores y contactos eléctricos, el transistor permite las mismas
funciones que el tubo de vacío, pero con un coste, peso y potencia más bajos,
y una mayor fiabilidad.