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ELECTRÓNICA
DE POTENCIA
MUHAMMAD H. RASHID
ELECTRÓNICA DE POTENCIA
CUARTA EDICIÓN
Muhammad H. Rashid
Fellow IET,
Life Fellow IEEE
Electrical and Computer
Engineering
University of West Florida
T���������
Rodolfo Navarro Salas
Ingeniero Mecánico
Universidad Nacional Autónoma
Autónoma de México
R������� �������
Brahim El Filali
Academia de Sistemas
Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería
y Tecnologías
Tecnologías Avan
Avanzadas
zadas (UPIITA)
(UPIITA)
Instituto Politécnico
Politécnico Nacional,
Nacional, México
México
Datos de catalogación bibliográfica
RASHID, MUHAMMAD, H
Electrónica de potencia
Cuarta edición
PEARSON EDUCACIÓN, México, 2015
ISBN: 978-607-32-3325-5
Área: Ingeniería
Authorized translation from the English language edition entitled Power Electronics, 4th Edition, by Muhammad H. Rashid,
published by Pearson Education, Inc., publishing as Prentice Hall, Copyright © 20 14. All rights reserved.
ISBN 9780133125900
Traducción autorizada de la edición en idioma inglés titulada Power Electronics, 4a edición , por Muhammad H. Rashid,
publicada por Pearson Education, I nc., publicada como Prentice Hall, Copy right © 2014. Todos
Todos los derechos reservados .
Edición en español
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com
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fotoquímico
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o de sus representantes
representantes..
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A mis padres,
padres, mi esposa Fatema,
Fatema, y
mis hijos: Fa-eza, Farzana, Hasan, Hannah, Laith, Laila y Nora
Contenido
Prefacio xvii
Acerca del autor xxiii
Capítulo 1 Introducción 1
1.1 Aplicaciones de la electrónica de potencia 2
1.2 Historia de la electrónica de potencia 4
1.3 Tipos de circuitos electrónicos de potencia 6
1.4 Diseño de equipo electrónico de potencia 10
1.5 Determinación
Determinació n de valores de la media cuadrática de formas de onda 11
1.6 Efectos periféricos 12
1.7 Características y especificacion
especificaciones
es de conmutadores 15
1.7.1 Características ideales 15
1.7.2 Características de los dispositivos prácticos 16
1.7.3 Especificacion
Especificacioneses de un conmutador 18
1.8 Dispositivos semiconducto
semiconductoresres de potencia 19
1.9 Características de control de dispositivos de potencia 25
1.10 Opciones de dispositivos 25
1.11 Módulos de potencia 29
1.12 Módulos inteligentes 29
1.13 Diarios y conferencias sobre electrónica de potencia 31
Resumen 32
Referencias 32
Preguntas
Pregun tas de repaso 33
Problemas 33
Preguntas de repaso
Preguntas 441
Problemas 441
estado sólido”. En 1991 el doctor Rashid recibió el Outstanding Engineer Award del Institute
of Electrical and Electronics Engineers; en 2002 recibió el Educationa
Educationall Activity Award (EAA),
Meritorious Achievement Award in Continuing Education del IEEE con mención honorífica
“Por contribuciones al diseño y suministro de educación continua
continua en electrónica de potencia y
simulación asistida por computadora”. Asimismo, en 2008, el Undergraduate Teaching Award
del IEEE con mención honorífica “Por su distinguido liderazgo y dedicación en la evaluación
del programa de licenciatura de ingeniería eléctrica, la motivación de los estudiantes y la publi-
cación de libros de texto sobresalientes”.
Actualmente el doctor Rashid se desempeña como evaluador del programa ABET de
ingeniería eléctrica y computación, y también del programa (general) de ingeniería. Es edi-
tor de Power Electronics and Applications y Nanotechno logy and Applications de CRC Press.
Nanotechnology
Funge como consejero editorial de Electric Power and Energy con Elsevier Publishing. Dicta
conferencias y conduce talleres de trabajo en Educación Basada en Resultados (OBE, por sus
siglas en inglés) y sus implementaciones incluyen evaluaciones. Es conferencista distinguido de
la Education Society del IEEE y orador regional (anteriormente Conferencista Distinguido)
de la Industrial Applications Society del IEEE. También es autor del libro Process of Outcome-
Based Education-Im plementation, Assessment
Education-Implementation Assessment and
and Evaluations.
C A P Í T U L O 1
Introducción
Al concluir este capítulo los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente:
1
2 Capítulo 1 Introducción
Compuerta Cátodo
Potencia
Control
analógico Digital
Dispositivos Equipo de
electrónicos potencia
Circuitos estático Rotatorio
Electrónica
Ánodo
FIGURA 1.1
1.1 Aplicaciones de la electrónica de potencia 3
continúa
4 Capítulo 1 Introducción
v s
V m
v s V m sent
Diodo D1 0
2
v s V m sent
V m
vi suministro Resistencia de carga
vo
de ca V m
R
v s vo
Diodo D2 0
2
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda de voltaje
FIGURA 1.3
vGE
1
IGBT
V s Q1
0 t
V GE t 1 T t 1
Fuente vo
de cd T
C V s
Dm a V o V s
r vo
g
a
0 t
t 1 T
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda del voltaje
FIGURA 1.4
8 Capítulo 1 Introducción
v g
1, v g2
1
0
T T
v g
3, v g4 2
M 3 1
M 1
0
G T T
v g1 vo
2
Fuente V s
V
de cd s
Carga v g
3
vo
M 2 0
T T
M 4
2
G v s
FIGURA 1.5
v s
V m
v s V m sent
2
0 t
Tiristor T 1
FIGURA 1.6
ωt � π � α
α
controladores de voltaje de ca
Conmutadores estáticos.
conmutado res estáticos de ca conmutadores de cd
conmutadores
v s
V m
v s V m sent
0 t
2
V m
vo
TRIAC V m
0 t
Carga 2
Fuente v s V m sent vo
de ca resistiva,
R
V m
FIGURA 1.7
10 Capítulo 1 Introducción
Carga
Red
eléctrica
principal 2
Transformador Conmutador
Rectificador/cargador Inversor aislador estático de derivación
Batería
FIGURA 1.8
1.
2.
3.
4.
Rectificador
de diodos
it
C L
1 T 2
I rm � i dt
T 0s
T
I � I I n
n
I p
I p
I rms
2
T T 0
Onda senoidal
completa
(a)
T
I p
k
I rms I p
2
T 0
k
T 0
Senoidal T
pulsante
(b)
I p
1/2
I rms I p k sen T 0(1 k) cos (1 k)
2 2
(c)
T
I p I rms I p k
T 0
k
T
T 0 Cuadrada
(d)
T
1/2
I b I rms k( I b2 I a I b I a2)/3
I a
T 0
k
T
T 0 Rectangular
(e)
T
I p k
I rms I p
3
T 0
k
T
T 0 Triangular
(f)
FIGURA 1.10
1.12 Módulos inteligentes 29
Fuente de
potencia Carga
Circuitos Transistores bipolares de alta velocidad
analógicos
Amplificadores operacionales
Detección y
protección
Sobrevoltaje/subvoltaje
Circuitos de
detección Sobretemperatura
Sobrecorriente/sin carga
Circuitos
Interfaz lógicos CMOS de alta densidad
FIGURA 1.18
PREGUNTAS DE REPASO
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
1.10
1.11
1.12
1.13
1.14
1.15
1.16
1.17
1.18
1.19
1.20
1.21
1.22
1.23
1.24
1.25
1.26
1.27
1.28
1.29
1.30
1.31
1.32
1.33
1.34
PROBLEMAS
1.1
I P � T o � T �
I RMS I
1.2
I P � k � T �
I RMS I
1.3
I P � k � T �
I RMS I
1.4
I P � k � T �
I RMS I
34 Capítulo 1 Introducción
C A P Í T U L O 2
Diodos de potencia
y circuitos RLC conmutados
Al concluir este capítulo los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente:
RC -
RL -
LC
RLC
di/dt dv/dt RLC
TABLA 2.1
V
2 B O
3 S
4
5
6
semiconductor intrínseco -
graduarse -
dopado
-
n
p
Material tipo n
dopante
dopado n
semiconductor tipo n -
n� semiconductor tipo n�
38 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados
Material tipo p:
hueco
-
dopado p semiconductor tipo p
p� semiconductor tipo p�
n -
p p
n
-
10 133
n p
-
vD vD
FIGURA 2.1
pn
-
corriente de fuga
-
v-i
v-i -
ecuación de diodo de Schockley
V D �
I S � −6
10−15
n � coeficiente de emisión factor de idealidad,
n
n n
n
iD iD
I D
V BR
V D
0 vD 0 vD
Corriente
de fuga
inversa
iD
I F
SiC
t
Si
FIGURA 2.7
48 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados
conmutados
Semiconductor
Contacto óhmico Contacto óhmico
Ánodo Cátodo
Tipo n
iD
Metal
Ánodo Cátodo
vD
(a) (b)
FIGURA 2.8
-
pn
-
2.9 Diodos conectados en serie 49
A
RS
A
I D
K
K
(a) Diodo (b) Modelo SPICE
A
A
RS
RS
V D RD C D
V D I D
K
K
(c) Modelo de señal pequeña (d) Modelo estático
FIGURA 2.9
iD
iD
V D1 V D2
vD
V D1 0
D1
vD
I S1
D2
V D 2
I S
FIGURA 2.10
iD vD V D1
V D2 D1 D2 -
-
v-i
v-i
iD
iD V D1 V D 2
v
D
0
I R1 D1
V D1
R1
I S1 I S1
vD
I S2 I S2
V D2
R2 D2
I R2 I S
FIGURA 2.11
2.9 Diodos conectados en serie 51
R s
R1
D1
Voltaje C s
Voltaje
compartido compartido
en estado en estado
estable D2
C s
transitorio FIGURA 2.12
R2 R s
V D1 V D2
I S1 � � I S2 �
R R
--
R s
V D1 V D2
I S1 � � I S2 �
R R
52 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados
conmutados
V D1 �
V D R
2
� 1
I − I S1
I
2 S2
2
�
5 kV 100 k Ω
2
�
2
1
35 × 10−3 − 30 × 10−3 � 2750
2750VV 2
V D2 � V D − V D1 � − 2750 �
b. I S1 � I S2 � V D1 � V D2 � V D/2 �
V D1 V D2
I S1 � � I S2 �
R1 R2
V D2R1
R2 �
V D1 − R1( I S2 − I S1 2
2.5 kV × 100
2.5kV 100kk Ω
R2 �
2.5kV
2.5 100kk Ω × (35 × 10−3 − 30 × 10−3
kV − 100
� 125
125kk Ω
2
c.
R 2
1
0.01
D1 R1
100 k
V s 5 kV 3
R2
FIGURA 2.13 D2
100 k
0
2.10 Diodos conectados en paralelo 53
NOMBRE D1 D2
ID –3.00E–02 ID1=–30 mA –3.50E–02 ID2=–35 mA
VD –2.75E+03 VD1=–2750 V esperando –2750 V –2.25E+0
–2.2 5E+03
3 V D2=–2250 V
esperando –2250 V
REQ 1.00E+12 RD1=1 GΩ 1.00E+12 RD2=1 GΩ
Nota R � Ω
iD iD
D2 D1
D1 D2
R2 R1
vD v
D
R1 R2
L2 L1
FIGURA 2.14
(a) Estado estable (b) Repartición dinámica
54 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados
conmutados
v-i
V s � yR � yc � yR �
1
C L
i dt �
t 0
t
yc 1 2
t � 0
y R � Ri
vc (t � 0) �
i
12
i t �
V s −t /RC
R
e
yc 12
t �
1
C L
0
t
i dt � V s 1 1 − e − t /RC 2 1 s 1
� V − e − t /τ 2
τ � RC
RC
d c
y V s t /RC
� e −
dt RC
t �
d c
y
dt
` t �0
�
V s
RC
t � -
-
V S R
V S/R di/dt � ∞
Nota: i
2.11 Carga RC conmutada
conmutada por diodo 55
V s i
R
S1 D1 i V s
0.368
R
t 0 0 t
R vR
vc
V s
V s V s
0.632 V s
RC
C vc
0 t
FIGURA 2.15
RC
RC
dv/dt
RC
V s/RC
Ejemplo 2.4 Cómo determinar la corriente pico y la pérdida de energía en un circuito RC
R � 44 Ω C � μ
V c0
c0 � V c(t � 0) � S1 t �
R
t � 2 μ
Solución
a.
V s � V c0
c0 I
p
V c0 220
I P
P � � � 5A
R 44
V 0 i
S1
R
t 0
i R vR 0 t
vc
D1 V 0
C V co vc
0 t
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda
FIGURA 2.16
RC
56 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados
conmutados
b. W
W � 0.5CV 2c0 � 0.5 × 0.1 ∗ 10 6 × 2202 � 0.00242
−
0.00242JJ � 2.42
2.42mJ
mJ
c. RC � 44 × μ � μ t � t 1 � 2 μ
vc 1 2
t � 2 μs � V c0e − t /RC
� 220 × e − 2/4.4 � 139.64
139.64VV
12 1
i t �
V s
R
1 − e − tR/L
2
vL
V s
S1 D1 i
0.368 V s
t 0 0 t
R vR
V s i
I s
V s V s R
0.632 I s
L
L vL R
0 t
FIGURA 2.17
RL
2.12 Carga RL conmutada por diodo 57
di
V S � L
dt
di V S
�
dt L
-
-
V S/L
i � V S*t /L
Nota: D1
D1
vL t >> L/R,
I s � V s/R S1
� Li2
D1
diodo de conducción libre
Nota: i
RL
di/dt
RL V s/L
Solución
a. t � ∞
V S 220
I P
P � � � 55 A
R 4
b.
t ∞
W � 0.5
0.5LL I 2P � 0.5 5 10 3552 � 7.563 mJ −
d. L/R � � τ � t 1 �
V S 220
1 2
i t � 1 ms �
R
1 1 − e − tR/L 2
�
4
1 1 − e − 1/1.25 2 � 30.287 A
i(t � vc(t �
i
i
I p
S1 D1
i
t 0 0 t
t 1/2 t 1
vL
L v
c
2V s
V s V s
V s t 1 LC
C vc
0 t
t 1
FIGURA 2.18
LC
2.13 Carga LC conmutada
conmutada por diodo 59
12
i t � V s
LC
C
sen ω0t
ω0 � 1/ 1 LC
LC
I p
C
C
I p � V s
L
di V s
� cos ω0t
dt L
t �
di
dt
` t �0
�
V s
L
vc 12
t �
1
C L i dt � V 1 1
0
t
s − 2
cos ω0 t
Notas:
-
LC
C
L
D1
LC
-
D1
C
L C
V S
i
I p
S1
t 0
0 t
i L vL t 1/2
vc
V c 0
D1 t 1 LC
0 t
C V c 0 vc
FIGURA 2.19
V c 0 t 1
LC (a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda
S1 t �
Solución
a. ley del voltaje de Kirchhoff i
di 1
L �
dt C L i dt �
t 0
t
vc 1 2
t � 0 � 0
i i(t � 0) � vc (t � 0) � −V c0
12
i t � V c0
C
C
L
sen ω0 t
C C
C 20
I p � V c0 � 220 � 110A
L 80
b. t � t 1 � π 1 LC , t 1
t 1 � π 1 LC � π 1 20 × 80 � 125.66 μs
c.
vc 12
t �
1
C L i dt
0
t
− V c0 � − V c0 cos ω0 t
t � t 1 � μ vc(t � t 1) � − π � −
i(t � vc(t � 0) � V c0
L
d 2i R di i
2 � � � 0
dt L dt LC
V s
s
R 1
s2 � s � � 0
L LC
C 2L b
R R 2 1
s1, 2 � −
2L
{ a −
LC
S1
R
i
t 0 D1
L vL
V s V s
C V c 0 vc
FIGURA 2.20
RLC
62 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados
α ω0
Caso 1. α � ω0 s1 � s2 críticamente
amortiguado
1 2 1
i t � A1 � A2t e s1t 2
Caso 2. α > ω0 sobreamortiguado
1 2
i t � A1e s1t � A2e s2t
Caso 3. α < ω0 subamortiguado
s1,2 � − α { jωr
ωr frecuencia de repique ωr
ωr � 3 ω20 − α2.
1 2
i t � e −
1 A co ω t � A
αt
1 s r 2 s 2
en ωr t
sinusoide amortiguada decadente
Notas:
A1 A2
i(t � di/dt (t � α/ω0 razón
amortiguada, δ � R/2 2 C /L.
i(t
-
R, L C
i(t
i(t i R � 50 Ω, 160 Ω Ω
Solución
a. α � R/2L � 160 × 103/(2 × 2) �
ω0 � 1/ 1 LC � 105 rad/s.
ωr � 2 1010 − 16 × 108 � 91,652rad/s
α < ω0
12 1
i t � e − αt
A1 cos ωr t � A2 sen ωr t 2
t � 0, i(t � 0) � A1 �
12 t
i t � e α A 2 sen ωr t
−
i(t
di αt α
� ωr cos ωr t A2e −
− α sen ωr t A2e −
dt
t �
L t � di/dt V s/L
di
dt t �0
`
� ωr A2 �
V s
L
V s 220 × 1,000
A2 � � � 1.2A
ωr L 91,652 × 2
i(t
12 1 2
i t � 1.2 sen 91,652t e − 40,000t A
i, amp
1.2
0.8
1.2e40,000t
0.4
0 r t
0.4
40,000t
0.8 1.2e
FIGURA 2.21
1.2
64 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados
D1 2 R 3 L
i
1 4
50 2 mH
160
320
v s C 0.05 F
(a) Circuito
v s
220 V
0 1 ns 1 ms t , ms
(b) Voltaje de entrada
FIGURA 2.22
RLC
d.
50
0.8 A
160
0.6 A
320
0.4 A
0.2 A
0.0 A
0 s 10 s 20 s 30 s 40 s 50 s 60 s
I(L) Tiempo C1 14.385 , 913.522 m
C2 0.000, 0.000
dif 14.385 , 913.522 m
FIGURA 2.23
S1
D1
t 0 i i1
R L L I 1
V s V s V s V s i2
Dm
L
i f R R
Modo 1 Modo 2
(a) Diagrama del circuito (b) Circuitos equivalentes
I 1 i
i1 i2
0 t
i1
I 1 i2
t 1 t 2
0 t
(c) Formas de onda
FIGURA 2.24
t �
i1 i2
t 1 t 2
Modo 1. i1 -
i1 t �12 V s
R
1 1 − e − tR/L
2
t � t 1
di2
0 �L � Ri2
dt
i2(t � 0) � I s -
i f � i2
12
i2 t � I 1e − tR/L
t � t 2 t 2 >> L/R
Nota t 1 t 2
-
12
i t �
V s
L
t
V s i
I 0 t 1
L
0 t
t 1
S1 id
D1 I 0
t 0 id
i 0 t
t 1
V s V s Dm L i f
I 0
i f
t 1
0 t
t 1
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda
FIGURA 2.25
L
68 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados
b. S1 t � t 1
Dm -
I 0 �
L0 �
Modo 1. S1 t � D1
ai2 � i2 �
V s � ( vD − V s)/a
vD � V 1 2
s 1 � a
i s
di1
V s � Lm
dt
2.16 Recuperación de la energía atrapada con un diodo 69
vD
S1 D1 i2
N 1 : N 2
t 0 i1
V s V s v
1 v
2
N 1 : N 2
S1
FIGURA 2.26
12 12
i1 t � i s t �
V s
Lm
t para 0 ≤ t ≤ t 1
≤ t ≤ t 1 t � t 1
V s
I 0 � t
Lm 1
70 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados
ai2 0
i s ai2
D1 D1 vD 0
vD /a
Lm
V s V s 1 Lm
v
V s
V s /a
i1
i1 a
Modo 1 Modo 2
(a) Circuito equivalente
V s i1
I 0 t 1
Lm
t 2
0 t
t 1 (t 1 t 2)
ai2
V s
t 1
Lm
t 1
0 t
V s i s
t 1
Lm
0 t
v
1
V s
0 t
V s /a
v
2
aV s
0 t
V s
vD
V s(1 a)
aV s
V s
V s
0 t
(b) Formas de onda
FIGURA 2.27
2.16 Recuperación de la energía atrapada con un diodo 71
Modo 2.
D1
di1 V s
Lm � � 0
dt a
i1(t � 0) � I 0
12
i1 t � −
V s
aLm
t � I 0 con 0 ≤ t ≤ t 2
D1 t 1(t � t 2) �
aLm I 0
t 2 � � at 1
V s
≤ t ≤ t 2 t � t 2
Lm
a �
vD � V 1 2
s 1 � a 1 2
� 220 × 1 � 10 � 2420V
RESUMEN
-
-
pn
pn
-
-
REFERENCIAS
[1] Microelectronic Circuits: Analysis and Design
[2] Analysis and Design of Analog Integrated Circuits
[3] Power Semiconductors.
[4] SPICE for Circuits and Electronics Using Pspice
[5] SPICE for Power Electronics and Electric Power
[6] SPICE: A Guide to Circuit Simulation and Analysis Using Pspice
[7] Power Semiconductor Circuits
Problemas 73
[8]
IEEE Power Electronics Society Newsletter.
[9] IEEE Spectrum
PREGUNTAS DE REPASO
2.1
2.2.
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9 pn
2.10
2.11
2.12
2.13 pn
2.14
2.15
2.16
2.17
2.18
2.19
2.20 RL
2.21 RC
2.22 LC
2.23 RLC
2.24 -
RLC
2.25
2.26
2.27
2.28 RL
2.29 RLC
2.30
PROBLEMAS
2.1 t rr � 5 μ
di/dt � μ � (a)
QRR (b) I RR
2.2 t rr � 5 μ
di/dt � μ � (a) -
QRR (b) I RR
74 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados
2.3 t rr � 5 μ SF �
(a) QRR (b) I RR
μ μ μ
2.4
V D � I D �
� I D �
(a) n (b) I s
2.5
V D � I D �
V D � I D �
(a) n, (b) I S
2.6
V D1 � V D2 �
R1 � Ω v-i
R2 D2
i
150
100
50
2200 2000 1600 1200 800 400 200
v
0.5 1.0 2 3
5 mA
10 mA
15 mA
20 mA
25 mA
30 mA
FIGURA P2.6
2.7
V D1 � V D2 �
R1 � Ω v-i
R2 D2
2.8
v-i -
Problemas 75
2.9
v-i
2.10 -
v-i
I T � v �
R1 R2
2.11 -
v-i I T �
vD � -
R1 R2
2.12
R1 � R2 � Ω I S1 �
I S2 �
2.13
R1 � R2 � Ω I S1 �
I S2 �
2.14
I p �
i1 A
I p
t 1 100 s f s 250 Hz
t 2 300 s
t 3 500 s
0 t
t 1 t 2 t 3 1
T s
f s
200
FIGURA P2.14
2.15 -
I P �
i1 A
I p
t 1 100 s f s 500 Hz
t 2 300 s
t 3 500 s
0 t
t 1 t 2 t 3 1
T s
f s
FIGURA P2.15
2.16
I � I F
I PROM
2.17
I � I p I
2.18
I p �
76 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados
i, A
I p t 1 100 s, t 2 200 s,
t 3 400 s, t 4 800 s, t 5 1 ms
f s 250 Hz
150
100
0 t
t 1 t 2 t 3 t 4 t 5 1
T s
f s
FIGURA P2.18
2.19
I p �
2.20 E
I � I P I
2.21
I � I P I
2.22 V S � 220 V, R � Ω � 10 μ
V (t � 0) � t � 0,
R,
t � 2 μ
2.23 R � 22 Ω C � 10 μ S1
t �
C R
i V c 0 220
S1 D1
FIGURA P2.23
2.24 RL V S � 110 V, R � Ω L �
S1 t �
L, di/dt
2.25 RL V S � 220 V, R � Ω L �
S1 t �
L, di/dt
2.26 R � 10 Ω, L � V s � -
Dm S1
t � i
S1
t 0 i
R
Dm
V
s
L 10 A
FIGURA P2.26
Problemas 77
2.27 I 0
2.28 S1 t �
(a) i(t (b) di/dt -
(c) i(t di/dt (d) di/dt
di/dt
S1 S1 S1
R R
V V V
V
s s L s V
s
s V
s L
C V 0
i t 0 D1 t 0 20 H
H 0.5
L
V
s V V
s V
s
s 10 F C
C V 0
L2 10 H
(d) (e)
FIGURA P2.28
2.29 LC V C
(t � 0) � V S � C � 10 μ -
L � 50 μ S1 t �
2.30 V s �
L � C � 10 μ R � 22 Ω V c0 �
t � (a)
(b) (c) i(t
2.31 L � 4 μ
2.32 C � μ
2.33 R � 16 Ω
2.34 R � V S � -
L � -
S1 t 1 � 100 μ
L
2.35 -
Lm � 150 μH, N 1 � N 2 � -
V s �
S1 t 1 � 100 μ (a)
D1 (b) (c)
(d) D1 (e)
2.36 L � 450 μ
78 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados
L D1
S1 vc id
ia
ic
t 0 V
s
I a
V
s Dm
FIGURA P2.39
C A P Í T U L O 3
Diodos rectificadores
Al concluir este capítulo los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente
79
80 Capítulo 3 Diodos rectificadores
3.1 INTRODUCCIÓN
rectificador
v s
vo
vo � v
-
t rr
V D t rr � V D �
v
o
salida con rizo
CA
v v
s o
CD cd ideal
0 t
FIGURA 3.1
3.2 Parámetros de desempeño 81
B a b
V rm 2
(RF) � s
− 1 � 2 FF 2 − 1
V cd
factor de utilización del transformador
P cd
(TUF) �
V s I s
V s I s -
-
P
(PF) � ca
V s I s
I (
I s -
I s(pico)
(CF) �
I s
82 Capítulo 3 Diodos rectificadores
T /2
2 2V m
V cd =
T L 0
V m sen t dt
ω =
π
= 0.6366V m
v
V m s
v
s V m sen t
0 t
2
V m
vo
V m
vD 1 0 t
D1 2
vD
0 t
2
v
s
R io
v p
v
o
v v v
s D2 D1
D2
vD 1 0 vD 2 0
v
2V m
D2
FIGURA 3.2
3.3 Rectificadores monofásicos de media onda 83
v
s
V m
0 t
2
V m
v
o
V m
io
D1 D3 0 t
2
v
D
R t
v p v s vo 2
D4 D2
V m
v
D3 , vD4 v
D1 , vD2
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda
FIGURA 3.3
-
D D
D D
V m -
rectificador de onda completa puente rectificador
2V m
V cd � � 0.6366V m
π
V cd 0.6366V m
I cd � �
R R
V rms
� cL
2
T 0
T /2
(V m sen ωt )2 dt d 1/2
�
V m
1 2
� 0.707V m
V rm 0.707V m
I rm
s
� �
s
R R
P � V mR, P � V mR
a. η � V mV m �
b. � V mV m �
c. RF � 2 1.112 − 1 � 0.482 o 48.2%.
d. V s � V m/ 1 2 � 0.707V m.
I � V m/R
volt-ampere VA � 2 2V s I s � 2 2 × 0.707V m × 0.5V m/R.
0.63662
TUF � � 0.81064 � 81.06%
2 2 × 0.707 × 0.5
P ca 0.7072
PF � � � 1.0
VA 2 2 × 0.707 × 0.5
Nota � �
3.4 Rectificador monofásico de onda completa con carga RL 85
Ejemplo 3.2 Cómo determinar la serie de Fourier del voltaje de salida para un rectificador de
onda completa
RL
v0t
Solución
a
∞
v0(t ) � V cd � (an cos nωt � bn sen nωt )
n �2,4, c
2π
1 2 π
2V m
V cd =
2π L 0
2π
v0(t
) d(ωt ) =
2π L0
V m sen ωt d(ωt )
π
=
π
1 2
an =
π L 0
v0 cos nωt d(ωt
) =
π L V 0
m en ωt cos nωt d(ωt )
s
a
4V m ∞ −1
= con n = 2, 4, 6, c
π
n= 2,4, c
(n − 1)(n + 1)
= 0 con n = 1, 3, 5, c
2π π
1 2
bn =
π L0
v0 sen nωt d(ωt ) =
π L V 0
m sen ωt sen nωt d(ωt ) − 0
vo
V m
io
i s
D1 D3 R
0 2 t
io
v s V o I máx
L I o
I mín
D4 D2
E
0 2 t
2
(a) Circuito (b) Formas de onda
i s
I o
2
t
0
I o
vo V m sen (t – )
V m
t
0 2
io
0
(d) Corriente discontinua
FIGURA 3.4
RL
3.4 Rectificador monofásico de onda completa con carga RL 87
E v s � V m ωt �
1 2 V
s ωt i
L
di0
dt
� Ri0 � E � 1 2 V en s s ω t con i0 ≥ 0
i0 � ` 1 2V s
Z
sen(ωt − θ) ` � A1 e − (R/L)t −
E
R
A1 � a I 0 �
E
−
1 2V en s
s θ b e(R/L)(π/ω)
R Z
i0 �
1 2V en( t
s
s ω − θ ) � a I 0 �
E
−
1 2V en s
s θ b e (R/L)(π/ω − t )
−
E
Z R Z R
iωt � � iωt � π iωt � � I
I
I 0 �
1 2V en s
s θ
1 � e − (R/L)(π/ω)
(R/L)(π/ω)
−
E
con I 0 ≥ 0
Z 1 − e −
R
i0 =
1 2V s
c s en(ωt − θ) +
2
(R/L)(π/ω)
s en θ e − (R/L)t d −
E
Z 1 − e −
R
con 0 ≤ (ωt − θ) ≤ π e i0 ≥ 0
I D(rm ) � s
c 1
2π L 0
π
i20 d(ωt ) d 1/2
I o(rm ) � ( I 2D(rm ) � I 2D(rm ))1/2 �
s s s
1 2 I r
π
1
I D(av) �
2π L i d( t )
0
0 ω
88 Capítulo 3 Diodos rectificadores
V m
ωt � α iωt �
A1 � c E
−
1 2V en( s
s α − θ) d e(R/L)(α/ω)
R Z
i0 �
1 2V en( t
s
s ω − θ) � c E
−
1 2V en( s
s α − θ) d e (R/L)(α/ω − t )
−
E
Z R Z R
1 2V en(
s
s β
1 2V en( ) e
− θ) � c E
−
s
s α − θ d (R/L)(α − β)/ω −
E
�0
Z Z R R
1 2V /Z , R/Z s � θ ωL/R � θ
s en(β − θ) � a x
cos(θ)
− s en(α − θ) b (α − β)
e tan(θ) −
x
cos(θ)
�0
β -
β �
β θ � x �
x β
x �
I D(rm ) � s
c 1
2π L α
β
i20 d(ωt ) d 1/2
1 β
I D(prom) =
2π L i d( t )
α
0 ω
a 0.6
g
r
a
c
a
l
e
d
e
j
a
t
l x() 0.4
o
v
e
d
n
ó
i
c
a
l
e
R 0.2
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
2
Ángulo de impedancia de la carga, radianes
FIGURA 3.5
− e
− (RL)(πω)
R π
− ( )(ω )
L
−
E
R
x(θ): � c
1 � e 1 tan( ) 2
−
1 − e 1 tan( ) 2
−
π
θ
d
sen(θ) cos(θ)
π
θ
Solución
a. R � Ω L � f � ω � π × � V s � Z � R � ωL �
ω θ � −ωL/R �
1. ωt � I � I >
2. i
I D �
3. i20 ωt � π
I D �
1 1
4. I 0(rm ) = 2 I r = 2 × 28.50 = 40.3 A.
s
5. P ca = I 2rm R = 40.32 × �
s
P ca 4.061 × 10 3 −
PF � � � 0.84 (retraso)
V s I rm
s
120 × 40.3
Notas
1. i ωt � ωt �
i ωt � θ ωt � θ � π
i ωt � θ
2. -
-
I I D I D
3 io
V y
i s D1 D3
1 R 2.5
0V
2 5
vo
v s
L 6.5 mH
6
0 D4 D2
V x 10 V
FIGURA 3.6
Li
X L nLi
1
I sn X c C i I nh(n)
n C i
FIGURA 3.23
r �
I h
I s1
� c a a bd ∞
n �2,3, c
I sn
I s1
2 1/2
1
I 1h � 4 I a / 2 π e I nh � 4 I a/( 1 2 nπ) para n � 3, 5, 7, . . . . -
r 2 � a
∞
n �3,5,7, c
ab
I sn
I s1
2
� a
∞
n �3,5,7, c
` (ω2LiC i − 1)2
n2[(nω)2Li C i − 1]2
`
Li C i
× × π × LiC i ω LiC i � � LiC i � × −
2
1/ Li C i � 327.04 rad/s, C i � μ
Li �
v
s
V m
Le V cd
io I cd
v
0 2 t
s
V m
C e V cd iL
continua
0 2 t
discontinua
0 t
(a) Circuito equivalente (b) Formas de onda
FIGURA 3.24
LC
V V m i α
V cd � V m sen α
1 V cd
α � en
s
−
� sen 1 x −
V m
x � V /V m I 0
diL
Le � V m sen ωt − V cd
dt
i
ω
1 t
i0 �
ωLe αL (V m sen ωt − V cd) d(ωt )
V m V
� (cos α − cos ωt ) − cd (ωt − α) para ωt ≥ α
ωLe ωLe
ωt � β � π � α i
iωt � β � π � α �
I
π �α
1
I cd �
π L α
i0(t ) d(ωt )
I cd �
V m
ωLe
c 2 1 − x2 � x a bd 2
π
−
π
2
122 Capítulo 3 Diodos rectificadores
V � I � V m/ωLe
I I
k( x) �
I cd
I pk
� 2 1 − x2 � x a b2
π
−
π
2
B L
π �α
I 1
kr ( x) � rm � s
i0(t )2 d(ω . t )
I pk π α
α x x
k x kr x x
V � V m /π
2 V
I cd � m
πR
2 V m
πR
� I cd � I pk k( x) �
V m
ωLe
c 2 1 − x2 � x a bd2
π
−
π
2
Lcr � Le
Lcr �
πR
2ω
c 2 1 − x2 � x a bd
2
π
−
π
2
Le
Lcr
Le > Lcr =
π
2ω
R
c 2 1 − x2 + x a bd
2
π
−
π
2
Caso discontinuo. ωt � β π � α β
cos(α) − cos(β) − x(β − α) � 0
Ejemplo 3.15 Cómo determinar el valor crítico del inductor para que fluya corriente continua
a través de la carga
V � I � Lcr α
I I � Le � V
α β I
3.12 Voltaje de salida con filtro LC 123
1
Solución
ω = 2π × 60 = 377 rad/s, V
s = 120 V, V m = 2 × 120 = 169.7 V.
a. x � V /V � � � α � x � -
k � I / I � � I �
I /k � �
V m 169.7
Lcr � � � 11.59 mH
ω I pk 377 × 38.84
I pk kn �1 − kn
(26.58 − 31.05)(21.66 − 23.95)
� 31.05 � � 29.87%
15.27 − 23.95
L −v v � vbc − v -
D D
ángulo de conmutación traslape μ -
conmutación
reactancia de conmutación
L
di
vL 2 � L2
dt
3.13 Efectos de las inductancias de la fuente y la carga 125
L3
L1
id3
v
an a v
L1
v
bn M
D4 D6 D2
L2
b
vL2
(a) Diagrama del circuito
v
v L2
V m
v
ac
v
bc
v
L1
0 t
2 4 5 2
3 3 3 3
V m
id id5 id1 id3 id5
I cd
0 t
2 4 5 2
3 3 3 3
(b) Formas de onda
FIGURA 3.25
i I di/dt � it -
vL 2 ∆ t � L2 ∆ i
-
1
V x � 2(v � vL2 � vL3) ∆ t � 2 f (L1 � L2 � L3) ∆ i
T L1
� 2 f (L1 � L2 � L3) I cd
Lc � L � L � L
V x � 6 fLc I cd
f
126 Capítulo 3 Diodos rectificadores
1 1
Solución
Lc � V s � 208/ 3 � 120 V, f � 60 Hz, I cd � 60 A, y V m � 2 × 120 � 169.7 V. -
V � × �
100
V x � 6 × 60 × 0.5 × 10− 3 × 60 � 10.8 V o 10.8 × � 3.85%
280.7
Ejemplo 3.17 Cómo determinar el efecto del tiempo de recuperación del diodo en el voltaje
de salida de un rectificador
-
t rr � μ V s �
f s �
f s �
Solución
D ωt � π
t � π/ω � t rr -
1
v � V m sen ωt � 2 V s sen ωt ,
vo
V m
t rr
T
t
0
T
2
FIGURA 3.26
3.14 Consideraciones prácticas para seleccionar inductores y capacitores 127
V cd � V m �
a. t rr � μ f s �
V m
V rr = (1 − cos 2π f s t rr )
π
Nota: t rr
L s R s
R p Dz C
FIGURA 3.27
Referencias 129
3.14.5 Supercapacitores
-
-
RESUMEN
-
REFERENCIAS
[1] Rectifier Circuits-Theory and Design
[2] Power Converter Handbook-Theory Design and Application.
[3] Power Electronics Handbook
[4] Practices and Requirements for General Purpose Thyristor Drives
[5] Capacitors for Power Electronics- Application Guides
130 Capítulo 3 Diodos rectificadores
PREGUNTAS DE REPASO
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.9
3.10
3.11
3.12
3.13
3.14
3.15
3.16
3.17
3.18
3.19
3.20
3.21
3.22
PROBLEMAS
3.1 R � Ω
V m � f �
3.2
Lc �
3.3 R � Ω
V m � f �
3.4 -
Lc �
3.5 R � Ω -
3.6
Lc �
3.7
V � R � Ω
3.8 V �
I � -
Problemas 131
3.9 RL
V m � f � R � Ω -
L
I
3.10 RL
V m � R � Ω
L
I
3.11 E �
I � V p �
h � (a)
δ (b) R (c) P R R (d)
ho (e) η (f)
n : 1 R D1
io
v p v s E
FIGURA P3.11
3.12 E �
I � V p �
h � (a) δ
(b) R (c) P R R; (d)
ho (e) η (f)
3.13 L � � Ω E �
V s � (a)
I ωt � I D
I D I o (b)
i0 � − �
3.14 L � R � Ω E
� V ab � (a)
I o Ωt � π I D
I D I o (b)
iO �
− �
3.15
RL � Ω (a)
(b) C e
V
132 Capítulo 3 Diodos rectificadores
3.16
vD
i s D1
FIGURA P3.16
3.17 R
(a) (b) (c) (d) (e) (f)
(g) V m �
3.18
3.19 (a)
V � I � Le α I (b) I �
Le � V α β I
3.20 R
C I -
V
3.21 LC
R � Ω -
L �
Le C e
3.22 RL
(a) vot
i0t (b) V m �
R � Ω L
I cd.
3.23
I a (a)
D Dm (b)
vD
io
D1
R vR
v p v s V m sen t vo
Dm
L vL
FIGURA P3.23
Problemas 133
Transistores de potencia
Al concluir este capítulo los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente
di/dt dv/dt
Símbolos y su significado
Símbolo Significado
i; v
I ; V
I G; I D; I S; I DS
I B; I C; I E; I CS
V GS; V DS
V BE; V CE
I C; V GS; V CE
T A; T C; T J ; T S
t d; t r ; t n; t s; t f ; t o
134
4.1 Introducción 135
Símbolo Significado
βF (� hFE); αF
RC ; RD; RG
4.1 INTRODUCCIÓN
136 Capítulo 4 Transistores de potencia
I D
Sustrato de metal
Drenaje (D) n RD
Compuerta sustrato
de metal (G) tipo p
n I D
V DD D
V GS Canal
RD
G
n
Fuente (S)
Óxido V GS S V DD
I D
Estructura básica Símbolo
(a) MOSFET tipo agotamiento de canal n
I D
Sustrato de metal
D p
RD
sustrato
G tipo n
p I D
D
Canal
V GS V DD
RD
G
S p
V GS S V DD
Estructura básica Símbolo
(b) MOSFET tipo agotamiento de canal p
FIGURA 4.1
n
V GS p
V GS
voltaje de umbral V T
n
V DS I DS V GS
p
n� p
4.3 MOSFETs de potencia 139
I D
Sustrato de metal
D n RD
Metal
G sustrato
tipo p I D
V DD D
V GS
RD
G V DS
n
S
Óxido V GS S V DD
I D
Estructura básica Símbolo
(a) MOSFET tipo enriquecimiento de canal n
I D
Sustrato de metal
D p
RD
Metal
G Sustrato
tipo n D
V GS V DD
RD
G
p V DS
S
Óxido V GS S V DD
Estructura básica Símbolo
(b) MOSFET tipo enriquecimiento de canal p
FIGURA 4.2
FIGURA 4.3
140 Capítulo 4 Transistores de potencia
Fuente Compuerta
Compuerta
Fuente S G
SiO2 n
n n p
p p
Rn Rch
Repi
epitaxia
n nepi
epitaxia n
nsub Rsub
Drenaje D
Drenaje
(a) Corte transversal de un MOSFET V (b) Resistencia en serie en estado de conducción
de un MOSFET V
FIGURA 4.4
n� p
n� n
n
Ω
V p
iD V GS
0
V p 0 iD
V GS
canal n canal p
(a) MOSFET tipo agotamiento
V T
iD V GS
0
0 V T iD
V GS
canal n canal p
(b) MOSFET tipo enriquecimiento
FIGURA 4.5
iD � K n 1 vGS − 2
V T 2 para vGS > V T y vDS ≥ 1 vGS − V T
K n
vGS V
V T V
Región de estrangulamiento
Región o región de saturación
I D lineal
V GS4 V GS3 V GS2 V GS1 V T
V DD
V GS4
RD
I D V GS3
V GS1
FIGURA 4.6
V GS V T
0 V DS
V DS V DD
142 Capítulo 4 Transistores de potencia
V DS
V DS
vDS
iD − vDS
31
iD � K n 2 vGS − V T 2 vDS −
2
vDS 4 para vGS > V T y 0 < vDS < 1 vGS − 2
V T
I D
RD
RD
RS G D
I D
D V DD V DD
r 0
RDS
RS G V G RG V GS
V DS gmV GS
V G V GS RG S
S
(a) Diagrama del circuito (b) Circuito equivalente
FIGURA 4.7
4.3 MOSFETs de potencia 143
gm
vGS � V GS iD � I D
diD
gm � � 2K nV DS 0 V DS �con tante (región lineal)
dvGS s
1 2
� 2K n V GS − V T 0 V DS �con tante (región de saturación)
s
gm V GS
r o � RDS
∆ V DS
RDS �
∆ I D
vDS (<<V T
RDS
1
RDS �
vDS
iD
�
K n 2 1 vGS − 2
V T
para vGS > V T
D D
I D I D
D2
C ds D
C gd C gd
C ds Db D1
G G
Rbe G
C gs C gs
S
S S
(a) Bipolar parásito (b) Diodo interno (c) MOSFET con diodos externos
FIGURA 4.8
Db
D D
tiempo de retraso de encendido o conducción t d
tiempo de subida t r
V GSP
tiempo de retraso de apagado o bloqueo
t d
V V Gs
V DS tiempo de caída t f
V GS ≤ V T
G D
C gd
FIGURA 4.9
S
4.3 MOSFETs de potencia 145
V G
V 1
0 t
V GS
V G
0.9 V GS
V T
0 t
t r t n t f
t d(on) t d(off)
I D
0.9 I D FIGURA 4.10
t
Compuerta Compuerta
Fuente Fuente Fuente Fuente
deriva n–
deriva n−: 6× 1014 cm3, 120, m
Drenaje Drenaje
(a) MOSFET de SiC [43] (b) D MOSFET de SiC 4H de 10 A, 10 kV [48]
FIGURA 4.11
Compuerta
Fuente Fuente
Cubierta de compuerta
n+ R n+
B
Cuerpo p JFET Cuerpo p
BJT
parásito
Rderiva
Drenaje n−
sustrato n+
FIGURA 4.12
n Drenaje
n+ n+ n+ n+
6H tipo p
Deriva de drenaje n−
Sustrato de SiC 6H n+
FIGURA 4.13
Drenaje
4.4 COOLMOS 147
4.4 COOLMOS
n-
V BR
V BR
12 kc
RD on � V BR
Compuerta
Fuente
S G
n n
p p
p p
nepi
nsub
D
FIGURA 4.14
Drenaje
148 Capítulo 4 Transistores de potencia
× −
n p
p n
p
n
p n
Ω v-i
20
MOSFET estándar
16 Ron A V (BR)DSS2,4…2,6
] 12
A 2
m
n m
o
R
[
8
COOLMOS
0
0 200 400 600 800 1000
Voltaje de avance V(BR)DSS[V]
FIGURA 4.15
4.5 Transistores de efecto de campo de unión (JFETs) 149
Compuerta tipo p
Drenaje
Contactos
p
+ óhmicos de metal
canal
Fuente tipo n Drenaje Compuerta
p
+
Fuente
tipo p
FIGURA 4.16
n
150 Capítulo 4 Transistores de potencia
Compuerta tipo n
Drenaje
Contactos
n+ óhmicos de metal
canal
Fuente tipo p Drenaje Compuerta
n+
Fuente
tipo n
FIGURA 4.17
p
p
p
n p n
n p n
p
p
n
n
pn
I G
D D
I D I D
G G
V DS V DD V SD V DD
I G I G
S S
FIGURA 4.18
4.5 Transistores de efecto de campo de unión (JFETs) 151
I G n
p
n
I G
p
n
G
V GS p+
S Región de agotamiento D
tipo n
V DS
L
G
V GS +
p
S Región de agotamiento D
tipo n
V DS
L
FIGURA 4.19
n
152 Capítulo 4 Transistores de potencia
iD iD
V DS = V GS – V p
Región Región de
óhmica saturación V GS = 0 V
I DSS I DSS
–2 V
V p = –7 V V p = 6 V
–4 V canal n canal p
–6 V
vDS (para canal n)
V BD vSD (para canal p) –7 –6 –4 –2 0 2 4 6 V GS
(a) Características de salida (b) Características de transferencia
FIGURA 4.20
n
iD − vDS V GS
vDS
V BD
Región óhmica: V DS
iD
Región de saturación: vDS ≥ ( vGS − v p
V DS iD
V DS vDS ≥ (vGS − v p
vDS � vGS − V p
iD � K p 3 2
� K p
11 2 2 1
vGS
vGS
−
− V p vGS
vGS −
vGS − V p 2 4
V p y V p ≤ vGS ≤ 0 [para canal n]
vGS � V DS � V p
iD=K p 1 vDS � V
p − V p 2 2 =K v2
p DS
Compuerta
Fuente Fuente
p
n+ n+
p+ p+
Pared p enterrada
Región de deriva n−
Retén de campo n
Sustrato n++
Drenajes
FIGURA 4.21
154 Capítulo 4 Transistores de potencia
Fuente D
a
Compuerta Compuerta
C GD RD
com-
puerta p+ n– compuerta
canal p+
L L1
G RG I GD
C DS
W D I GS
I D
Lderiva
Región de deriva n–
C GS RS
W deriva
Drenaje S
(a) Corte transversal (b) Modelo del circuito
FIGURA 4.22
�
− −
p� n n��
JFET vertical:
n
Fuente Fuente
Com-
Compuerta n + puerta n+ Compuerta
p p p
Región de deriva n–
Sustrato n+
Drenaje
FIGURA 4.23
Fuente Compuerta
Fuente en T Fuente
Compuerta Compuerta
n+ n+ Compuerta n+
n– superior p+ n– B
Enterrada p+ Compuerta Compuerta Compuerta
enterrada p+ enterrada p+ enterrada p+
compuerta
Región de deriva n–
n–
Región de deriva n–
Sustrato n+
Sustrato n+
Drenaje
Drenaje
(a) BGJFET de SiC (b) DGVTJFET de SiC
FIGURA 4.24
156 Capítulo 4 Transistores de potencia
Colector Colector
C C
n I C p I C
Base I B Base I B
p n
B B
n I E p I E
E E
Emisor Emisor
(a) Transistor NPN (b) Transistor PNP
FIGURA 4.25
FIGURA 4.26
NPN
4.10 Reducción de potencia de transistores de potencia 177
MOSFET x x x i
MOSFET x x x
con dos
diodos
externos
BJT/IGBT x x
i
BJT/IGBT x x x i
con diodo
antiparalelo
v
BJT/IGBT x x x i
con un diodo
en serie
(continúa)
178 Capítulo 4 Transistores de potencia
Dos BJT/IGBT x x x x i
con dos diodos
antiparalelos
BJT/IGBT x x x x i
con cuatro
diodos
conectados
en puente
v
T A � T S − P T RSA
1
T J − T A � P T R JC � RCS � RSA 2
T C
T J T S
R JC RCS
P T RSA
FIGURA 4.45
T A
4.11 Limitaciones de di
/ dt y dv
/ dt 179
0 t
I L
I C I Cs
t
t r t f
FIGURA 4.46
180 Capítulo 4 Transistores de potencia
dv/dt
dv V s V cs
� �
dt t f t f
di/dt dv/dt
di/dt dv/dt
di/dt dv/dt
RC circuito amortiguador
amortiguador dv/dt L s di/dt
amortiguador en serie
I L
Dm
Q Dm
Dm
di/dt
di V s
�
dt L s
L s
V s t r
L s �
I L
C s
dv/dt
dv I L
�
dt C s
V G
V 1
L s i I L
0 t
R
Dm
i
I L
i f L
V S
0 t
RS
Q1 C s i f t f
I L t r
V G RG R s D s
0 t
(a) Circuitos de protección (b) Formas de onda
FIGURA 4.47
di/dt dv/dt
4.11 Limitaciones de di
/ dt y dv
/ dt 181
i I L
I L L s Dm
i i I L
L s L s
Dm I L I L
V S C s V S
V S V S
Q1 C s R s
G
FIGURA 4.48
I L t f
C s �
V s
V s
L s
RLC
RLC
δ �
L s
R s � 2
A C s
C s
R s C s D s
R s
R sC s � τ
T s
1
3R s C s � T s �
f s
1
R s �
3 f s C s
iCs s
0 t FIGURA 4.49
T 1/ f s
182 Capítulo 4 Transistores de potencia
Ejemplo 4.5 Cómo determinar los valores de amortiguamiento para limitar los valores de
dv /dt y di /dt de un interruptor BJT
f s �
V s � I L � V CE � t d �
t r � μ t f � μ L s C s R s
R s R s
P s
RC L s C s
Solución
I L = 100 A, V s = 220 V, f s = 10 kHz, t r = 3 μs, y t f = 1.2 μs.
a. L s = V s t r / I L = 220 × 3/100 = 6.6 μH.
b. C s = I L t f /V s = 100 × 1.2/220 = 0.55 μF.
c. 2 1
R s = 2 L s/C s = 2 6.6/0.55 = 6.93 Ω .
d.
e.
1 2 1
V s/R s = 0.1 × I L o 220/R s = 0.1 × 100 o R s = 22 Ω .
2
R s = 1/ 3 f s C s = 103/ 3 × 10 × 0.55 = 60.6 Ω .
I T
RC
Q2 Q1
I E2 I E1
V CC
Re2 Re1
FIGURA 4.50
I T
RC
Q2 Q1
I E2 I E1
Re2 Re1 V CC
L2 L1
FIGURA 4.51
Ejemplo 4.6 Cómo determinar la corriente compartida por dos MOSFETs en paralelo
I T � M V DS �
M V DS �
R s � Ω R s � Ω R s � R s � Ω
Solución
1
a. I D1 � I D2 � I T y V DS1 � I D1 RS1 � V DS2 � I D2 RS2 � V DS2 � RS2 I T − I D1 .2
V DS2 V DS1 � I T R s2
−
I D1 �
R s1 � R s2
3 − 2.5 � 20 × 0.2
� � 9 A o 45%
0.3 � 0.2
I D2 � 20 − 9 � 11 A o 55%
∆ I � 55 − 45 � 10%
184 Capítulo 4 Transistores de potencia
3 − 2.5 � 20 × 0.5
b. I D1 � � 10.5 A o 52.5%
0.5 � 0.5
I D2 � 20 − 10.5 � 9.5 A o 47.5%
∆ I � 52.5 − 47.5 � 5%
NPN PNP
NPN PNP V V
Q
Q <name> NC NB NE NS QNAME [(area) value]
NPN
pn
pn
pn
4.13 Modelos SPICE 185
C Colector
Rc
C cs
S
Sustrato
C jc C jc
I bc2 I bc1/ R
B RB
( I be1 I bc1)/K qb
Base
I be2 I be1/ F
C je
RE
E Emisor
(a) Modelo de Gummel-Poon
C
C
Rc
Rc
I C
C bc
I bc2 I bc1/ R F I E
RB RB
( I be1 I bc1)/K qb
B B
I be2 I be1/ F
C be
R I c
RE RE
E I E
E
(b) Modelo de cd Modelo de Ebers-Moll
FIGURA 4.52
186 Capítulo 4 Transistores de potencia
n p
D Drenaje
RD
D
C gd C bd
RD
V gd
V bd V bd
G B
RDS I d V ds G RDS Id B
Compuerta Masa
V bs V bs
V gs
RS
C gs C bs
S
(b) Modelo de cd
C gb
RS
S Fuente
(a) Modelo SPICE
FIGURA 4.53
n
4.13 Modelos SPICE 187
M<name> ND NG NS NB MNAME
� [L�<value>] [W�<value>]
� [AD�<value>] [AS�<value>]
� [PD�<value>] [PS�<value>]
� [NRD�<value>] [NRS�<value>]
� [NRG�<value>] [NRB�<value>]
pn
Compuerta
Emisor
g
C gs C gd
Emisor Compuerta
C m
c s
I mos d
C oxs C oxd
n
C dsj
s
Base p
p
C gdj
C dsj
c I c I mult
b
d
b
Rb I ccer I ceb
C ebj C ebd
e
Deriva n e
Sustrato p
Rb
Colector a
Colector
(a) Modelo del circuito interno (b) Modelo del circuito
FIGURA 4.54
n
C dg
V dg C dg
ϵ si C oxd
C dg �
B
2ϵ si V dg
C � Adg ϵ si
qN B oxd
4.14 Control de compuerta de MOSFET 189
C C
PNP PNP
Idg 5
Q1 Q1
6
G M 1 G M 1
MOSFET MOSFET
E E
(a) Modelo compuesto (b) Modelo PSpice de Sheng
FIGURA 4.55
I D
RD
Señal de compuerta C 1 V DD
R s
R1
V G RG
FIGURA 4.56
NPN
M 1
vin
PNP
FIGURA 4.57
4.15 Control de compuerta de JFET 191
V DD
FIGURA 4.58
192 Capítulo 4 Transistores de potencia
V CC
cd
cd
RDRV
JFET
de SiC
RB2
FIGURA 4.59
Interruptor
V EE
]
C CC
RGD RCD DCD RG
vo G DGD
0V GD iD C DS
DGS
D1 D2
C EE
D3
D4 C GS RS
V EE
S
FIGURA 4.60
]
RDC DDC
D (V Z( D
D D
V CC C AC (V CAC
iB
I B1
I Bs
0 t
FIGURA 4.61
I B2
βF
t
I B
β
1.
2.
3.
4.
C 1
I C
RC
vB R1 R2
V 1
I B
V C 1
t 1 t 2 V CC
0 t vB
I E
V 2
FIGURA 4.62
194 Capítulo 4 Transistores de potencia
C 1
D1
R2
RC
vB R1 R3
V 1
R4
0 t V CC
vB
C 2
V 2
FIGURA 4.63
4.16 Excitación de base de BJT 195
N 2
RC
S1 I C
Secundario
vB
Q1
V 1
C 1 R1 I B
V CC
N 1
0 t vB N 3 I E
FIGURA 4.64
D
V CE � V BE � V d1 − V d2
I L
V d2
I C
RC
RB I B D1
V CE
I 1
V d1
V B
V BE V CC
FIGURA 4.65
196 Capítulo 4 Transistores de potencia
1
I C � β I B � β I 1 − 2
I C � I L
�
β
1 2
I � I L
1 � β 1
V d > V d D
RC
β I B > I L
β
Excitador de base de BJT de SiC.
C B RB
V CC
4.17 Aislamiento de compuerta y excitadores de base 197
V CC
RDev
C
RB B
C B
FIGURA 4.66
Interruptor
G1 g1
G3 M 3 M 1 G1
G2 g2
S3 RL S1 Generador
G3 g3
lógico
V s G4 g4
G2 M 2 M 4 G4
S2 S4
G
C
(a) Configuración del circuito (b) Generador lógico
V g1, V g2
V G
0 t
V g3, V g4
V G
0
(c) Pulsos de compuerta
FIGURA 4.67
I D(V GS V GS V GS
V GS
V GS
1.
2.
D I D
G
V DD
V GS S
V G
RD RL
FIGURA 4.68
G
4.17 Aislamiento de compuerta y excitadores de base 199
I C
RB
RC
Q1
Circuito de V 1
excitación V CC
0
lógico V 2 FIGURA 4.69
4.17.2 Optoacopladores
t n � μ t o �
Optoacoplador
V CC
R
I D
R2 I D
Lógico 1 R3
D
V g1 0 1 V DD
Q1
1 M 1
RB G
R1 Q3
S
RG
RD
G
FIGURA 4.70
200 Capítulo 4 Transistores de potencia
�V S
V �
bufer
G
Compuerta
Fuente S
a
g
r
a
C
FIGURA 4.71
4.18 Circuitos integrados de excitación de compuerta 201
TABLA 4.4
Excitación
de compuerta
Fuente
flotante
Desplazador
Carga o
dispositivo
de nivel u del lado
optoacoplador
bajo
Carga o
dispositivo
del lado
bajo
(continúa)
202 Capítulo 4 Transistores de potencia
Retén Carga o
dispositivo
Oscilador del lado
bajo
bufer
bufer
RESUMEN
di/dt dv/dt
Referencias 203
REFERENCIAS
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[2] Semiconductor Power Devices.
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[16] Power Electronics Handbook,
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IEEE Transactions on Power Electronics.
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Materials Science Forum.
PREGUNTAS DE REPASO
4.1
4.2
4.3 NPN PNP
4.4 NPN
4.5 NPN
4.6 ¿
4.7 β
4.8 β βF
4.9
4.10
4.11
Preguntas de repaso 207
− ∆ I 1L1
t 2 �
V s − V c1
V c C ∆ I � I L − I L
∆ I 1 �
V st 1
�
− V 1
s − V c1 t 2 2
L1 L1
t � kT y t � − kT C
V s
V c1 �
1− k
L I L I L
t
I − I L21 ∆ I 2
V c1 � V a � L2 L22 � L2
t 1 t 1
∆ I 2L2
t 1 �
V c1 � V a
L I L I L t
∆ I 2
V a � − L2
t 2
∆ I 2L2
t 2 � −
V a
∆ I � I L − I L
∆ I 2 �
1 V c1 � V a t 1 2 �−
V a t 2
L2 L2
t � kT y t � − kT C
V
V c1 � − a
k
kV s
V a � −
1− k
V a
k�
V a − V s
248 Capítulo 5 Convertidores CD-CD
V s
1− k�
V s − V a
V s I s � −V a I a � V s I ak − k
kI a
I s �
1− k
Corrientes de rizo pico a pico de los inductores. T
1 ∆ I 1L1 ∆ I 1L1 − ∆ I 1L1V c1
T � � t 1 � t 2 �
f V s
− �
V s − V c1 V s V s − V c1 1 2
L
∆ I 1 �
− V 1
s V
s − V c1 2
fL1V c1
V sk
∆ I 1 �
fL1
T
1 ∆ I 2L2 ∆ I 2L2 − ∆ I 2L2V c1
T � � t 1 � t 2 �
f V c1 � V a
−
V a
�
V a V c1 � V a 1 2
L
∆ I 2 �
1
− V a V c1 � V a 2
fL2V c1
∆ I 2 � −
1
V a 1 − k 2 � kV s
fL2 fL2
Voltajes de rizo pico a pico de los capacitores. Q
C
t � t C I c � I s
C
1 t 2 1 t 2 I t
∆ V c1 �
C 1 L
I c1 dt �
0 C 1 L
I s dt � s 2
0
C 1
∆ V c1 �
1
I s 1 − k
2
fC 1
∆ I o ∆ I L � ∆ic
C T I c � ∆ I
C
T /2 T /2
1 1 ∆ I 2 ∆ I 2
∆ V c2 �
C 2 L0
I c2 dt �
C 2 L0 4
dt �
8 fC 2
∆ V c2 �
1
V a 1 − k 2 � kV s
8C 2L2 f 2 8C 2L2 f 2
Condición para corriente continua del inductor y voltaje continuo del capacitor. I L
L ∆ I 1 � I L
kV S 2kI a 2 V S
k
fL1
� 2 I L1 � 2 I S �
1− k
�2
1− k
a b R
Lc1 � L1 �
1 1 − k 2 R 2
2kf
I L L ∆ I � I L
kV S 2V a 2kV S
� 2 I L2 � 2 I a �
fL2 R
�
1− k R 1 2
Lc
Lc2 � L2 �
1 1 − k 2 R
2 f
V c ∆V c � V a ∆V c � V a
1
I S 1 − k 2 � 2V � 2 I R
a a
fC 1
I s C c
k
C c1 � C 1 �
2 fR
250 Capítulo 5 Convertidores CD-CD
V c ∆V c � V a
kV S 2kV S
2 � 2V a � 1 − k
8C 2L2 f
L C c
1
C c2 � C 2 �
8 fR
Q
L y L Q
C
Dm L
V a � V sk − k
L1 S2
C 1
S1
V s 1 L2 C 2 vc
2 R
(a) SEPIC
1 L2
S1 C 1
V s S2 C 2 vc
2 R
L1 2
FIGURA 5.21
(b) Inverso del SEPIC
5.9 Reguladores en modo de conmutación 251
I LV dm � V a I a L
I aV a
I L2 � � I a
V dm
� 1.25A
kR
k
R � r L
1
£1 2 1 2 1 − k 2R
1 2 a b§
1
1− k 1− k r C R
1 − k 2R � r L � k 1 − k
r C � R
−k
1− k
−k
1− k £ 1 2 1 12 2 a b §
1 − k 2R
1 − k 2R � r L � k 1 − k
r CR
r C � R
5.11 Convertidor elevador de múltiples salidas 253
G(k)
G(k)
1 G(k) = k G(k) = 1
4 1–k
3
0.5 2
1
0 k 0 k
0 0.5 1 0 0.5 1
(a) Reductor (b) Elevador
0 0.5 1 0 0.5 1
0 k 0 k
–1 –1
–2 –2
–3 –3
G(k) = –k –4 G(k) = –k
–4 1–k 1–k
G(k) G(k)
(c) Reductor-elevador (d) Cúk
G(k) G(k)
G(k) = k G(k) = k
4 1–k 4 1–k
3 3
2 2
1 1
0 k 0 k
0 0.5 1 0 0.5 1
(e) SEPIC (f) Inverso del SEPIC
FIGURA 5.22
Sa
L
V oa
V ob
Sb
V s
SI C b C a
FIGURA 5.23
V oa y V ob L Sl
ϕa y ϕb
ϕa � Sb V ob Sl
a
k1aT
k1bT
SI
k2aT
k3aT
Sa
b
k2bT
k3bT
Sb
iL
FIGURA 5.24
5.11 Convertidor elevador de múltiples salidas 255
I L ktaT
T
k aT S1 S a
V oa
k aT Sa
ϕb � k a k a y k a
ϕa � V oa
ϕa � V ob
ϕb � k aT
y k bT
N N
S1
L
V o1
V oN 1
SN 1
V s V oN
SN
So
C N C N 1 C 1
FIGURA 5.25
N
256 Capítulo 5 Convertidores CD-CD
L
Dm
Compuerta
Fuente Circuito
V in de M 1 V o C e Carga
de ca
excitación
I fb
I ref
V o
Convertidor Controlador
V in V ref
V / I K 1
V e
(a) Circuito
Ventana
de histéresis
Corriente de
referencia
senoidal
Onda senoidal
I ref
Onda
triangular
Ventana
de histéresis
Onda de referencia
y onda triangular
I fb sobrepuestas
FIGURA 5.26
258 Capítulo 5 Convertidores CD-CD
Dm
V o
va
L
vb
C L RL
L
S1
vc
FIGURA 5.27
Inductor Dm
elevador
L
ia
V a
A
ib G
Filtro S1 C RV o
V b
EMI A
C
ic
V c
Circuito sensor
y escalador Modulador
PWM
Divisor de voltaje
vcr de salida
Z 2
vr
R3
T S V RAMPA
R1
Filtro Z 1
EA
pasa altas V in V EA
R1
Amplificador R4
A de error
R2 V ref
FIGURA 5.28
i1(t ) i2(t )
i1(t ) P
i2(t )
1 u
o
t Red de e
r
v
1(t ) r t v2 (t ) M 1
e conmutación o v1
(t ) v2
(t )
u 2
P
Entrada k(t )
de control
(a) Red general de conmutación (b) Red de conmutación elevadora
de dos puertos
FIGURA 5.29
260 Capítulo 5 Convertidores CD-CD
Paso 1.
Paso 2.
v i i(t
v(t i(t
v i
v
<i1(t )>T s
i1(t )
s
T (
k
> )
)
t
1(t ) i2(t ) 2(t ) t <
(
2 1
i
v (
< )
t <V 2(t )>T s
) >
t
(
’
T
k s
V 1(t )
V 2(t )
0 kT s T s t
i2(t )
i1(t )
0 kT s T s t
(b) Formas de onda
FIGURA 5.30
11 2 2 1 2 1 2 1 2
k ′ t � k ′ − d ′ t
8 i t 9 T s � 8 i1 t 9 T s � I � i t
11 22 1 2 1 2 1 2
8 v t 9 T s � 8 v2 t 9 T s � V � v t
8v1 t 9 T s � V 1 � v1 t
12 12
8 i2 t 9 T s � I 2 � i 2 t
262 Capítulo 5 Convertidores CD-CD
I + i(t )
V s + s(t )
∼
(k –(t )) V + ∼(t ) (k –(t )) I + i (t ) C R V + ̂ (t )
FIGURA 5.31
Paso 6:
12 12 12 12
1 k ′ − d′ t 2 1 V � v t 2 ≈ k ′1 V � v t 2 − V d ′ t
12 12 12 12 12 12
1 k ′ − d′ t 2 1 I � i t 2 � k′1 I � i t 2 − I d′ t
− i t δ′ t
12 12 12
1 k ′ − d′ t 2 1 I � i t 2 ≈ k′1 I � i t 2 − I d′1 t 2
k′
1 + i ˆ(t ) V (t )
k:1
FIGURA 5.32
i1(t ) i2(t )
I 1 + i1
I 2 + i2
1:k V 1
V 1(t ) V 2(t )
i1(t ) i2(t )
V 1
kk
I 2
V 1(t ) V 2(t )
V 2 + v2
V 1 + v1 kk
FIGURA 5.33
264 Capítulo 5 Convertidores CD-CD
L1 C 1
iL1(t ) vC 1(t )
v s(t ) C 2 vC 2(t ) R
L2
iL2(t )
Red de
i1(t ) conmutación i2(t )
v1(t ) v2(t )
Q1 D1
Ciclo k(t )
de trabajo
(a) Red de conmutación
L1 C 1
I L2 + iL2
k:k
V 1
I 1
kk
kk
FIGURA 5.34
(b) Convertidor SEPIC
y′ y y′ � (d/dt y y � x
x1′ � x2
x 2 ″ � x3
x3″ � − a0 x1 − a1 x2 − a3 x3
n
n n
x x xn variables de estado
t
t > t
x u
V s u
Modo 1. S S
u1 � Lx1′ � x2
1
Cx2′ � x1 − x2
R
x1
S1
L
u1 S2 C x2 R
x1 x1
L
u1 C x2 R S2 C x2 R
FIGURA 5.35
266 Capítulo 5 Convertidores CD-CD
0 � Lx1′ � x2
1
Cx2 ′ � x1 − x2
R
1 −
x1 ′ � x
L 2
−1 1
x2 ′ � x2 � x
C RC 2
x ′ � A2 x � B2u 1
C RC
± ≤ 0
−
5.14 Análisis de espacio de estados de reguladores 267
u1 � vector e fuente � 0
A �
1
± ≤
L
1
1
C RC
0
−
k
B � L
0
°¢
x1
L
ku1 C x2 R
FIGURA 5.36
268 Capítulo 5 Convertidores CD-CD
inh 12
t � kI a �
I a ∞
nπ n �1 a
sen 2nπk cos 2nπ ft
�
I a ∞
nπ n �1 a1
1 − cos 2nπk sen 2nπ ft 2
n �
12
i1h t �
I a
π
s en 2πk cos 2π ft �
I a
π
1 2
1 − cos 2πk sen 2π ft
n
Troceado ih
ih ia I a I a
Dm
V s Carga
0 t
kT T
(a) Diagrama del circuito (b) Corriente del troceador
FIGURA 5.37
5.15 Consideraciones de diseño para filtro de entrada y convertidores 269
i s Convertidor
Le ih I a
C e Dm a
g
V s r
a
C
FIGURA 5.38
Le
X L 2 nfLe
X c
1 FIGURA 5.39
2 nfC e
1 1
I ns �
1 2 2
1 � 2nπ f LeC e
I nh �
1 2 I
1 � nf / f 0 2 nh
1 1 2
f f 0 � 1/ 2π LeC e
f/f >> n
I ns � I nh
f 0 2
nf
ab
L s
LC
1 1 2
I a � f � k � C e � μ Le � Le � 0.3mH,
f 0 � 1/ 2π C eLe �
12
I 1h t � A1 cos 2π ft � B1 sen 2π ft
270 Capítulo 5 Convertidores CD-CD
A � ( I a k y B � ( I a − k
1 2
I ph � A21 � B21 1/2 � 1 2 I 1
1
a
− cos 2πk 2 1/2
π
I 1h �
I a
π
1 1 − cos 2πk 2 1/2 � 45.02A
I 1 s � I 1h ab
f 0
f
2
Ejemplo 5.10
V s �
V a � I a �
f �
L e Le L, y C e
vc iL
i s
� � � � �
TR � � � − � �
Solución
V s � 110V, V a � 60V, I a � 20A
∆ V c � 0.025 × V a � 0.025 × 60 � 1.5V
V a 60
R� � � 3Ω
I a 20
V a 60
k� � � 0.5455
V s 110
i1 Le 4 L iL
Q1
V s 110 V Dm C e vc R
FIGURA 5.40
0
5.15 Consideraciones de diseño para filtro de entrada y convertidores 271
Le �
1 2
V a V s − V a
∆ IfV s
�
1
60 × 110 − 60
2 × 20 kHz × 110
� 681.82 μH
2
C e:
∆ I 2
C e � � � 8.33 μF
∆ V c × 8 f 1.5 × 8 × 20kHz
iL t � t � kT
∆ I L ∆ I L
L �L � ∆ V C
t 1 kT
L:
kT ∆ V c k ∆ V c
L� �
∆ I L ∆ I L f
0.5454 × 1.5
� � 40.91 μH
1 × 20 kHz
b. k � f � T � f � μ t � k × T � μ
V g
V y Le
1 2 Q1 3 4 L
8
681.82 H 40.91 H
0V
6 R 3
7
V x 0V
V g
0
(a) Circuito
v g
20 V
FIGURA 5.41
0 27.28 s 50 s t
(b) Voltaje de control
272 Capítulo 5 Convertidores CD-CD
I (VX �
I (Le � Le V �
V a � V c � ∆V c � ∆ I �
∆ I L � I a � ∆ I L
c.
60.0 V
40.0 V
V (4)
20.0 A
19.6 A
I (VX )
40.0 A
20.0 A
0.0 A
1.50 ms 1.52 ms 1.54 ms 1.56 ms 1.58 ms 1.60 ms
I (Le)
Tiempo
FIGURA 5.42
1 2
M M
N
Ó
I C
C C
A v
Z
I
L
A
I
C
I M
N
I
O O M
C B
v H S
v L 2 O
C
b
u
s
-
b
C
n Q e e Q
ó
i V d h
c c
c
e U a
c n
t e i
g a
e d
D ó g
n
L e
r
o
d
a s
o
s
n l
b
u
i s
-
m u
i p d
r e C
c
s d
i
D
n
ó
i V
c
c
e U
t e
e d
r l S r s D
o e B o o
t d
a s
l o
c i
u v v
n /
r
e u
p
d
r
a
d
a e
D n t
D
r d v e
e d e
T G R
r r
o
r l y d o
r l y d
o e C a
t o e C a
t
c i n W c i n W
u v u v
i
C i
C
v
n / P d n v
/ P
d
a m
i e a m e
i
e D r d e D r
r d r D c d
T d v
D c
T v i s s
i
d d
S S R
R
3
4
.
5
A
R
D N
I D N
I
S
S U
D
H S L V G
I
V F
Resumen 275
RESUMEN
modelo de conmutación
promediado
276 Capítulo 5 Convertidores CD-CD
r
d o
d
c i
e t
d r
e
a v
n
d
i o
l
a c
S l
e
d
n
ó
i
c
a
t
n
e
m
i
l
a
o
r
t
e
R
n
ó
i
r c
c
o e
t
d e
a D
u
g R
i
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r a
t
o r
m e n A
A u ó
i R
p c
c
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m t
e E
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C I T
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M n a n o
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i
W r c ó c
P r n i
c i
r o
c a a p
C r
o e l
e t
i e
C
d t
V
a d o m n
i i
e
C l o t l
o
r d a a r
r
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u t o j s
a i o
n B
o m e c
c
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a
r C n r e n
r e a e p d ó
A
R d i
c i
c
n n d
a c
ó e
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o i e
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C s
e p n o
r
V a
G l U p
e
a
i e v
a
c a d
l u
n v s
e r
t e o
r e
o s t u
p e n q 1
r o n 0
a e
j C a S
a d r
r A
B a 2
E
C
I n
C
A ó
i
V c
0 e e a
t
v v B n
7
2 a u
a F e
. . . u s
m 4
s e u i
l 4
.
5 e q a 5
8 u n o A
q a r
r r
t
n A e R
a
r C U
r R G
A I
F
Referencias 277
REFERENCIAS
[1]
. Electronics Letters
[2] Power
Engineering Journal
[3]
Proc. IEEE International Symposium on Circuits and Systems
[4]
Proc. IEEE Power Electronics Specialists Conference
[5]
rt Proc. IEEE International Symposium on Circuits and Systems.
[6]
IEE Proceedings: Electric Power Applications
[7]
IEEE Transactions on Power Electronics. .
[8]
IEEE Transactions on Power Electronics
[9]
Proc. IEEE International Symposium on Circuits and Systems,
[10] IEEE
Transactions on Industrial Electronics .
[11] Switch Mode Power Conversion—Basic Theory and Design
[12]
[13]
IEEE Power Electronics Specialist Conference.
[14]
IEEE Transactions on Circuits and Systems I : Fundamental Theory
and Applications .
[15]
Proc. IEEE Power Electronics Specialists
Conference,
[16]
IEEE Transactions on Industrial Electronics,
[17]
Conference Proc. IEEE-IAS Annual Meeting.
[18]
IEEE Transactions on Power Electronics .
510 Capítulo 10 Rectificadores controlados
1
donde x � E/ 2V s es la relación de voltaje y θ es el ángulo de impedancia de la carga para
α ≥ αc , I L 0 � 0. La corriente de carga descrita por la ecuación (10.8) fluye sólo durante el
periodo α ≤ ωt ≤ β. En ωt � β, la corriente de carga cae a cero una vez más. Las L as ecuaciones
derivadas para el caso discontinuo del diodo rectificador de la sección 3.4 se pueden aplicar
al rectificador controlado.
1. Genere una señal pulsante en el cruce positivo por cero del voltaje de suministro v s.
Retarde el pulso por el ángulo α deseado y aplique el mismo pulso entre lasl as terminales de
compuerta y cátodo de T 1 y T 2 por medio de circuitos de aislamiento de compuerta.
2. Genere otro pulso de ángulo de retardo α � π y aplique el mismo pulso entre las termina-
les de compuerta y fuente de T 3 y T 4 por medio de circuitos aislantes de compuerta.
ir �
1
ωLr L
ωt
π − α1
12
vr d ωt �
1
ωLr L
ωt
π − α1
1 1 � vo2
vo 21 2
d ωt
�
V
m
c
L L
ω r
ωt
2π − α1
s 12
en ωt t dd ωt −
L
ωt
2π − α1
− sen ωt 1 2d
t dd ωt
�
2V m
ωLr
1 2
cos α1 − cos ωt ir > 0 para 0 ≤ α1 <
co
π
π
2
(10.14)
Lr Lr
Convertidor 1 Convertidor 2
2 2 ir
vr io
T 1 T 3
T 2 T 4
a a
v s Carga vo2 v s
vo 1
b vo b
T 4 T 2
T 3 T 1
v s (a)
V m
v V m sen t V cd vo
0 t (c)
1 2 io
I cd 0 I cd
vo 1 V m sen t V cd
Salida del
2 convertidor 2
1
0 t (e)
2 1
V m sen t
vr (t ) vo1 vo2
Voltaje que genera
la corriente circulante
0 t (f)
1 2 1
FIGURA 10.2
Convertidor dual monofásico. (a) Circuito; (b) Cuadrante; (c) Voltaje
Voltaje de suministro de
entrada; (d) Voltaje
Voltaje de salida para el convertidor 1; (e) Voltaje de salida para el conver-
tidor 2, y (f) Voltaje
Voltaje que induce la corriente circulante.
una corriente circulante negativa. Con α1 � π/2, el convertidor suministra corriente circulante
positiva durante
durante el primer medio
medio ciclo, y el convertidor
convertidor 2 suministra corriente circu
ci rcula
lante
nte negat
negativa
iva
durante el segundo medio ciclo.
La corriente circulante instantánea depende del ángulo de retardo. Para α1 � 0, su mag-
nitud se vuelve mínima cuando ωt � nπ, n � 0, 2, 4, . . . , y má máxixima
ma cu
cuan
ando
do ωt � nπ, n � 1, 3,
5,. . . . Si la corr
corrien
iente
te de
de carga
carga pic
picoo es I p, uno de los convertidores que controla el flujo de po-
tencia puede conducir una corriente pico de ( I p � 4V m/ωLr ).
Los convertidores duales pueden funcionar con o sin corriente circulante. En el caso
de que funcione sin corriente circulante, sólo un convertidor funciona a la vez y conduce la
corriente de carga, y el otro convertidor está totalmente bloqueado por pulsos inhibidores
en la compuerta. Sin embargo, el funcionamiento con corriente circulante tiene las siguien-
tes ventajas:
1
Solución
ω � 2π × 60 � 377 rad/s, α1 � 60°, V m � 2 × 120 � 169.7 V, f � 60 Hz y Lr � 40 mH. Para ωt � 2π
y α1 � π/3, la ecuación (10.14) da la corriente circulante pico
1 2 1
I r r máx
máx �
�
2V m
ωLr
1 − cos α1 2 �
169.7
377 × 0.04
� 11.25 A
La corriente pico de carga es I p � 169.71/10 � 16.97 A. La corriente pico del convertidor 1 es (16.97 �
11.25) � 28.22 A.
salida varíe de 2V m /π a −2V m /π, siempre que la carga sea altamente
alta mente inductiva y su co-
rriente sea continua.
Para una carga altamente inductiva, el convertidor dual puede funcionar en cuatro cua-
drantes. La corriente puede fluir hacia dentro y hacia fuera de la carga. Se requiere un
inductor de cd para reducir la corriente circulante.
vbn �
2π
3
a b
V m sen ωt −
m sen ωt �
vcn � V
2π
3
a b
los voltajes de línea a línea correspondientes son
V cd
cd �
3
π L
π/2 �α
vab 12
d ωt �
3
πL
1 3 V
π/2 �α
a b12
m sen ωt �
π
6
d ωt (10.15)
3 1 3 V
π/6 �α π/6 �α
m
� co s α
π
10.4 Convertidores trifásicos completos 515
iT 1
io I a
T 1 T 3 T 5
a ia i s
c
ic
T 4 T 6 T 2
iT 4
(a)
On T 5, T 6 T 6, T 1 T 1, T 2 T 2, T 3 T 3, T 4 T 4, T 5 T 5, T 6
v
V m
0 t (b)
0 t (c)
0 t (d)
3 2
iT 1 6 6 2 I a 2
0 t (e)
5 I a
iT 4
6 6
0 t (f)
ia i s I a 7
6
0 t (g)
5 11
io 6 6 I a 6
I a
Corriente de carga
0 t (h)
/3
FIGURA 10.3
Convertidor trifásico completo.
co mpleto. (a) Circuito; (b) Secuencias de disparo; (c) Voltajes
Voltajes de fase; (d) Voltaje
de salida (voltajes de línea a línea); (e) Corriente a través del tiristor T 1; (f) Corriente a través del tiris-
tor T 2; (g) Corriente de suministro de entrada, y (h) Corriente de carga constante.
con stante.
516 Capítulo 10 Rectificadores controlados
V dm
dm �
1
3 3 V m
π
y el voltaje promedio de salida normalizado es
V cd
cd
V n � � cos α (10.16)
V dm
dm
V rm
rm �
s
cL3
π
π/2 �α
π/6 �α
a b 1 2d
3V 2m sen2 ωt �
�
π
6
d ωt
1/2
� 1 3 V m a 1 b
1 3 3
2
�
4π
cos 2α
1/2
(10.17)
Las figuras 10.5b-h muestran las formas de onda para α � π/3. Para α > π/3, el voltaje
instantáneo de salida vo tiene una parte negativa. Como la corriente a través de los tiristores no
puede ser negativa, la corriente de carga siempre es positiva. Por consiguiente, con una carga
resistiva, el voltaje instantáneo de carga no puede ser negativo, y el convertidor completo se
comporta como un semiconvertidor.
1. Genere una señal pulsante en el cruce positivo cero del voltaje de fase van. Retarde del
pulso el ángulo deseado α � π/6 y aplicarlo a las terminales de compuerta y cátodo de T 1
por medio de un circuito aislante de compuerta.
2. Genere cinco pulsos más con retardo de π/6 entre sí para disparar a T 2, T 3, . . . ,T 6, res-
pectivamente,, por medio de circuitos aislantes de compuerta.
pectivamente
1 1
Solución
1 1
El voltaje de fase V s � 208/ 3 � 120.1 V, V m � 2 V s � 169.83, V n � 0.5 y R � 10 Ω. El voltaje
máximo de salida V dm V. El voltaje promedio de salida V cd
dm � 3 3V m/π � 3 3 × 169.83/π � 280.9 V. El cd �
0.5 × 280.9 � 140.45 V.
a. Según la ecuación (10.16), 0.5 � cos α, y el ángulo de retardo es α � 60°.
b. La corriente promedio de salida I cd cd/R � 140.45/10 � 14.05A. De la ecuación (10.17),
cd � V cd
V rm
rm � 1 3 × 169.83 c 1
�
1
3 3
1 2d
cos 2 × 60°
1/2
� 159.29 V
s
2 4π
y la corriente rms I rms
rms � 159.29/10 � 15.93 A.
10.4 Convertidores trifásicos completos 517
1 1
c. La corriente promedio de un ti ristor I A � I cd
cd /3 � 14.05/3 � 4.68 A, y la corriente rms de un
tiristor I R � I rm
rm
s
2/6 � 15.93 2/6
2/6 2/6 � 9.2 A.
d. De la ecuación (3.3) la eficiencia de rectificación es
V cd
cd I cd
cd 140.45 × 14.05
η � � � 0.778 o 77.8%
V rm
rm I rm
srm 159.29 × 15.93
s
Nota: el PF es menor que el de los semiconvertidores trifásicos, pero mayor que el de los
convertidoress trifásicos de media onda.
convertidore
12
i s s t �
� a0 � a
∞
n �1, 2, c
1 an cos nωt �
� bn sen nωt 2
donde
L i 1 t 2 d 1 t 2 0
2π
1
ao � s
s ω �
2π 0
�
1
π
c L I co n t t dd1 t 2 − L
5π/6 �α
π/6�α
a s ω ω
11π/6 �α
7π/6�α
1 2d
I α cos nωt t dd ωt
4 I a nπ
� − sen sen nα para n � 1, 3, 5, c
nπ 3
� 0 para n � 2, 4, 6, c
�
1
π
c L I en n t t dd1 t 2 − L
5π/6�α
π/6�α
a s ω ω
11π/6 �α
7π/6 �α
1 2d
I a sen nωt t dd ωt
518 Capítulo 10 Rectificadores controlados
4 I a nπ
� cos cos nα para n � 1, 3, 5, c
nπ 6
� 0 para n � 2, 4, 6, c
Como a 0 � 0 y las corrientes de armónicos múltiplos impares del tercer armónico (para n �
múltiplo de 3) no estarán en una fuente trifásica balanceada, la corriente de entrada se puede
escribir como
12 a 1 2 I 1 2
∞
i s s t t � sn sen nωt �
� ϕn para n � 1, 5, 7, 11, 13, c
n �1, 3, 5, c
donde
an
ϕn � tan− 1 � − nα (10.18)
bn
El valor rms de la corriente de entrada del n-ésimo armónico está dado por
1
1 1 2
1 2 2 2 I a nπ
I sn � a � b2n 1/2
1/2 � sen (10.19)
2 n nπ 3
I s1 �
1 6 I a � 0.7797 I a
π
I s � c L 1 2 d A
2
2π
5π/6 �α
π/6 �α
I 2a d ωt
1/2
� I a
2
3
� 0.8165 I a
HF � ca b d ca b d
I s
I s1
2
− 1
1/2
�
π 2
3
− 1
1/2
� 0.3108 o 31.08%
DF 1 2
� cos ϕ1 � cos − α
PF � 1 2
I s1
I s
cos − α �
�
3
π
cosα � 0.9549 DF
b. Para α � π/3, V n � cos(π/3) � 0.5 pu, HF � 31.08%, DF � cos 60° � 0.5 y PF � 0.478 (retardo).
L
diL
dt
� RiL � E � 1 2 V ab
ab s en ωt ′ para
π
3
� α ≤ ωt ′ ≤
2π
3
�α
iL �
1 2 V ab
ab
s en 1 2
ωt ′ − θ −
E
Z R
� c
I L1 �
I
E
−
1 2 V ab
ab
s en a π
�α − θ bd 1 e R/L 21 2[ π/3 �α /ω − t ′]
(10.20)
R Z 3
I L1 �
1 2V
Z
ab
ab s 1 2 1 1 21
en 2π/3 � α − θ − sen π/3 � α −
1 − e − R/L π/3ω 2 θ 2 e− 1 21 2
R/L π/3ω
(10.21)
E
− para I L1 ≥ 0
para
R
1
Corriente discontinua a través de la carga. Si hacemos I L1 � 0 en la ecuación (10.21),
1
dividimos entre 2V s/Z y
y sustituimos R/Z � cos θ y ωL/R � tan θ, obtenemos el valor crítico de la
relación de voltaje x � E/ 2V ab ab como
x � C s en a 2π
3
�α − θ b 1a 2
− sen
π
3
�α − θ b e− 1 1 22
π
3tan θ
S cos 12
θ (10.22)
1 − e− 12
π
3tan θ
Solución
α � π/3, R � 2.5 Ω, L � 1.5 mH, f � 60 Hz, ω � 2π × 60 � 377 rad/s, V ab 2 2 1/2
ab � 208 V, Z � [R � (ωL) ] �
−1
2.56 Ω, y θ � tan (ωL/R) � 12.74°.
a. La corriente de carga en estado estable en ωt ′ � π/3 � α, es I L1 � 20.49 A.
b. La integración numérica de iL en la ecuación (10.20), entre los límites ωt ′ � π/3 � α a 2π/3 � α, da
la corriente rms promedio en el tiristor, I A � 17.42 A.
c. Por integración numérica de iL2, entre los límites ωt ′ � π/3 � α a 2π/3 � α, se obtiene la co-
rriente rms en el tiristor, I R � 31.32 A.
d. La corriente rms de salida es I rmrm �s
1 1
3 I R � 3 × 31.32 � 54.25 A.
e. La corriente promedio de salida es I cd
cd � 3 I
A � 3 × 17.42 � 52.26 A.
vbn a b
� V m sen ωt −
2π
3
vcn a b
� V m sen ωt �
�
2π
3
Los voltajes correspondientes de línea a línea son
Lr Lr
ic 2 2
vr vr
(a)
Encendido T 5, T 6 T 6, T 1 T 1, T 2 T 2, T 3 T 3, T 4 T 4, T 5 T 5, T 6
v
van vbn vcn
V m
1 V m
0 t (b)
1
0 t (d)
3 Salida del convertidor
1 1 2
vo2 6 6 2 2 2 para 2 120
vca vbc vba vca vcb vab vca
0 t (e)
7
1
Voltaje del bloqueador
6 1 6
vr vo1 vo2
0 t (f)
6
FIGURA 10.4
Convertidor trifásico dual. (a) Circuito; (b) Secuencias de disparo; (c) Voltajes de suministro de entrada;
(d) Voltaje de salida del convertidor 1; (e) Voltaje de salida para el convertidor 2, y (f) Voltaje del induc-
tor circulante.
522 Capítulo 10 Rectificadores controlados
1 c a b a bd
� 3 V m sen ωt �
�
π
−
6
s en ωt −
π
2
a b
� 3V m cos ωt −
π
6
(10.23)
12
ir t �
1
L 1 2
ωt
�
3V m
ωLr
c a b
sen ωt −
π
6
− sen α1 d (10.24)
La corriente
corr iente circulante depende del ángulo de retardo α1 y de la inductancia Lr . Esta corriente
se vuelve máxima cuando ωt � 2π/3 y α1 � 0. Aun sin carga externa alguna, los convertidores
continuarían funcionando gracias a la corriente circulante como resultado del voltaje
voltaje de rizo
a través del inductor. Esto permite la inversión suave de la corriente a través de la carga
durante el cambio de funcionamiento
funcionam iento de un cuadrante a otro y proporciona respuestas dinámi-
cas rápidas, en especial para propulsores de motores eléctricos.
LD I D
Q1 Q3
)
t
(
n
e
s
D V D Carga
m
V de cd
=
s
v
Q4 Q2
FIGURA 10.5
ref Convertidor monofásico con control
Señales de PWM
de PWM.
524 Capítulo 10 Rectificadores controlados
ac L 1 2d
p αm�δm
2
V cd � V m sen ωt d ωt
m �1 2π αm
�
V m
a [co
π m �1
p
s αm − cos 1 2
αm � δm ] (10.25)
12
i s t � A0 � a
∞
n �1, 3, c
1
An cos nωt � Bn sen nωt 2 (10.26)
� ca 2 L I co n t d1
p
m �1 π
αm �δm
αm �δn /2
a s ω 2
ω −
π
2
L
π �αm �δm /2
π �αm
1 2d
I a cos nωt d ωt � 0
L i 1 t 2 12
2π
1
Bn � s s en nωt d ωt
π 0
a c2L 12 1 2d
p αm �δm π �αm �δm /2
2
�
m �1 π αm �δm /2
I a sen nωt d ωt −
π L
π �αm
I a sen nωt d ωt
10.6 Control de modulación por ancho de pulso 525
0 (a)
2 3 t
vo
m
0 (b)
m 2 3 t
i s1
I a
m
m
0 (c)
2 3 t
i s3
0 (d)
i s m 2 3 t
I a
m
m
0 (e)
m 2 3 t
I a
io
I a
Corriente de carga
0 (f)
t
v
vr vc
Ar
Ac
0 t
v g1, v g2
S1, S2 S1, S2 S1, S2
m
0 m t
(g)
FIGURA 10.6
Control de PWM. (a) Voltaje de suministro de entrada; (b) Voltaje de salida; (c)
Corriente de línea a través del interruptor S1; (d) Corriente a través del interrup-
tor S3; (e) Corriente de suministro de entrada; (f) Corriente de carga constante,
y (g) Generación de señales de control de compuerta.
526 Capítulo 10 Rectificadores controlados
Bn �
4 I a p
nπ m �1 a a b c c a
sen
nδm
4
bd s en n αm �
3δm
4
ca
− sen n αm � bdd δm
4
�π para n � 1, 3, 5, c (10.27)
12
i s t � a 1 2 I en 1n t
∞
n �1, 3, c
ns ω � ϕn 2 (10.28)
donde ϕn 1 2
� tan− 1 An/Bn � 0 y I 1 A B 2 /1 2
n �
2 �
n
2 1/2
n � Bn/ 1 2.
10.6.2 PWM senoidal monofásica
Los anchos de los pulsos se pueden variar para controlar el voltaje de salida. Si hay p pulsos por
medio ciclo con el ancho igual, el ancho máximo de un pulso es π/ p, pero los anchos de
los pulsos podrían ser diferentes. Es posible seleccionar los anchos de los pulsos de modo
que se puedan eliminar ciertos armónicos. Hay diferentes métodos de variar los anchos de
los pulsos y el más común es la modulación senoidal por ancho de pulso (SPWM) [18-20]. En
0 t (a)
i s1
I a
0 t (b)
m
m 2 3
I a
i s2
0 t (c)
m 2 3
m
i s
I a
m
m m
0 t (d)
m 2 3
io I a
I a
Corriente de carga
0 t (e)
FIGURA 10.7
Control por ancho de pulso senoidal. (a) Generación de señales de control de compuerta;
(b) Corriente a través del interruptor S1; (c) Corriente a través del interruptor S3; (d)
Corriente de suministro de entrada, y (e) Corriente de carga constante.
10.6 Control de modulación por ancho de pulso 527
el control de SPWM, como se muestra en la figura 10.7a-e, los anchos de pulso se generan
comparando un voltaje de portadora triangular vc de amplitud Ac y frecuencia f r con un voltaje
semisenoidal de referencia vr de amplitud variable Ar y frecuencia 2 f s. El voltaje senoidal vc
está en fase con el voltaje de fase de entrada v s y tiene dos veces la frecuencia de suministro f s.
Los anchos de los pulsos (y el voltaje de salida) se varían cambiando la amplitud Ar , o el índice
de modulación M de 0 a 1. El índice de modulación se define como
Ar
M � (10.29)
Ac
En un control de PWM senoidal el DF es unitario y PF se mejora. Los armónicos de
bajo orden se eliminan o reducen. Por ejemplo, con cuatro pulsos por medio ciclo el armó-
nico de menor orden es el quinto; con seis pulsos por medio ciclo, el armónico de menor
orden es el séptimo. Se pueden usar programas de computadora para evaluar los desempeños
de control PWM y SPWM uniformes, respectivamente.
Notas:
1. Para modulación de pulsos múltiples, los pulsos de distribuyen de manera uniforme y tie-
nen los mismos anchos, δ � δm. Para una SPWM, los pulsos no se distribuyen uniforme-
mente y los anchos de pulso son diferentes. Las ecuaciones de la sección 10.6.1 derivadas
en formas generales se pueden utilizar para una SPWM.
2. Al igual que los inversores PWM, las señales de control de compuerta de los convertido-
res se generan comparando una señal portadora vr con una señal de referencia vref para
mantener el voltaje o corriente deseada. Para rectificadores, una entrada sinusoidal i s que
esté en fase con el voltaje de suministro v s es deseable para obtener un alto PF de entrada
con un bajo valor de THD de la corriente de entrada.
v s
V m
0 t (b)
2
v g
1
Pulso de compuerta de T 1
T 1 i1 0 t (c)
v g Pulso de compuerta de T 2
2
i s io
0 t
i2 R
T 2 2
v s vo i1
L
0 t (d)
2
2
(a)
v g
1
0 t (e)
2 2
v g2
0 t
v g
1
0 t (f)
2
v g
2
0 t
FIGURA 11.5
Controlador monofásico de onda completa con carga RL. (a) Circuito; (b) Voltaje de suministro de entrada;
(c) Pulsos de compuerta para T 1 y T 2; (d) Corriente a través del tiristor T 1; (e) Pulsos de compuerta continuos
para T 1 y T 2, y (f) Tren de pulsos de compuerta para T 1 y T 2.
V o �
2
2π
c L α
β
2V 2s sen2 ωt d ωt 1 2d 1/2
�
4V 2s
4π
c L 1 α
β
1 − cos 2ωt d ωt 2 1 2d 1/2
� V
s
π
β −ca
1
α �
en 2α sen 2β
2
−
2
s
bd 1/2
(11.11)
11.4 Controladores monofásicos de onda completa con cargas inductivas 561
La corriente rms a través del tiristor se puede calcular por la ecuación (11.8) como
I R �c 1
2π
1 2d
Lα
β
i21 d ωt
1/2
�
Z π
c L 1 2 1 21
V s 1
α
β
5 en ωt −
s θ − s en α − θ e 21 2 1 2d
R/L α/ω − t 2d ωt
6
1/2
(11.12)
y la corriente rms de salida se puede determinar entonces al combinar la corriente rms de cada
tiristor como
1 2
I o � I 2R � I 2R 1/2 � 1 2 I
R (11.13)
El valor promedio de la corriente del tiristor también se puede calcular con la ecuación
(11.8) como
L i d1 t 2
β
1
I A � 1 ω
2π α
1 2V 3 en 1 β
2 1 21 2 1 2 4 d1 2
2 Z L
s
� s ωt − θ − sen α − θ e R/L α/ω − t
ωt (11.14)
π α
Las señales de control de compuerta podrían ser pulsos cortos para un controlador con
cargas resistivas. Sin embargo, los pulsos cortos no son adecuados para cargas inductivas.
Esto se puede explicar con referencia a la figura 11.5c. Cuando el tiristor T 2 se enciende en
ωt � π � α, el tiristor T 1 continúa conduciendo debido a la inductancia de carga. Para cuando
la corriente del tiristor T 1 cae a cero y T 1 se apaga en ωt � β � α � δ, el pulso de compuerta
del tiristor T 2 ya ha cesado y por consiguiente T 2 no se puede encender. El resultado es que sólo
el tiristor T 1 funciona y produce formas de onda asimétricas del voltaje y la corriente de salida.
Esta dificultad se puede resolver utilizando señales de compuerta continuas con una duración de
(π − α), como se muestra en la figura 11.5e. En cuanto la corriente de T 1 cae a cero, el tiristor T 2
(con pulsos de compuerta como se muestra en la figura 11.5e) se encendería. Sin embargo, un
pulso de compuerta continuo aumenta la pérdida por conmutación de los tiristores y requiere
un transformador de aislamiento más grande para el circuito de control de compuerta. En la
práctica, para resolver estos problemas, normalmente se utiliza un tren de pulsos con duraciones
cortas como se muestra en la figura 11.5f.
Las formas de onda del voltaje de salida vo, la corriente de salida io, y el voltaje a través
de T 1, vT 1 se muestran en la figura 11.6 para una carga RL. Puede haber un corto ángulo γ de
retención después del cruce por cero de la corriente que se está volviendo negativa.
La ecuación (11.8) indica que el voltaje de carga (y corriente) pueden ser senoidales si
el ángulo de retardo α es menor que el ángulo de carga θ. Si α es mayor que θ. Si α es mayor
que θ, la corriente de carga sería discontinua y no senoidal.
Notas:
1. Si α � θ, de la ecuación (11.9),
s 1 2 1 2
en β − θ � sen β − α � 0 (11.15)
y
β − α � δ � π (11.16)
562 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA
v
s io v s
io
(a)
2
0 t
v
o
vo
(b)
0 t
2
v
T
vT 1
(c)
0 t
v T 2
FIGURA 11.6
Formas de onda típicas de un controlador monofásico de ca con una carga RL.
(a) Voltaje de suministro de entrada y corriente de salida; (b) Voltaje de salida,
y (c) Voltaje a través del tiristor T 1.
2. Como el ángulo de conducción δ no puede exceder de π y la corriente de carga debe pasar
por cero, el ángulo de retardo α no puede ser menor que θ y el rango de control del
ángulo de retardo es
θ ≤ α ≤ π (11.17)
3. Si α ≤ θ y los pulsos de compuerta de los tiristores son de larga duración, la corriente de
carga no cambiaría con α, pero ambos tiristores conducirían durante π. El tiristor T 1
se encendería en ωt � θ y el tiristor T 2 se encendería cuando ωt � π � θ.
1. Genere un tren de señales pulsantes en el momento del cruce por cero del voltaje de
suministro v s [1].
2. Retarde este pulso por el ángulo α deseado para controlar T 1 mediante un circuito de
aislamiento de compuerta.
3. Genere otro pulso continuo de ángulo de retardo α � π para el control de compuerta.
11.5 Controladores trifásicos de onda completa 563
P o 1134.200
PF � � � 0.444 (retrasado)
VA 2556
Nota: la acción de conmutación de tiristores hace que las ecuaciones para las corrientes sean
no lineales. Un método de solución numérico para el ángulo de conducción y corrientes del tiris-
tor es más eficiente que las técnicas clásicas. Se utiliza un programa de computadora para resolver
este ejemplo. Se insta a los estudiantes a que verifiquen los resultados de este ejemplo y aprecien
la utilidad de la solución numérica, en especial al despejar ecuaciones no lineales de circuitos de
tiristor.
T 1
A I L ia a
T 4
R
v AN V L van
T 3
ib b R
N n
B vbn
vBN R
vCN T 6
vcn
C T 5 c
ic
T 2
FIGURA 11.7
Controlador trifásico bidireccional.
vBN � 1
2 V en ωt −
s s
2π
3
a b
vCN � s s a b
1 2 V en ωt − 43π
los voltajes instantáneos de línea de entrada son
v AB � s s a b
1 6 V en ωt � π6
vBC � s s a b
1 6 V en ωt − π2
vCA � s s a b
1 6 V en ωt − 76π
Las formas de onda para los voltajes de entrada, ángulos de conducción de los tiristores y
voltajes de fase de salida, se muestran en la figura 11.8 para α � 60° y α � 120°. Para 0 ≤ α ≤ 60 ,
inmediatamente antes del disparo de T 1, dos tiristores conducen. Una vez encendido T 1, tres
tiristores conducen. Un tiristor se apaga cuando la corriente intenta invertirse. Las condiciones se
alternan entre dos y tres tiristores que conducen.
11.5 Controladores trifásicos de onda completa 565
(a)
t
0 t 2
6
(b) 0 t 0 t
2
2 0
g1 g1
0 t 0 t
g3 g3
0 t 0 t
g5 g5
(c) 0 t 0 t
g2 g2
0 t 0 t
g4 g4
0 t 0 t
g6 g6
0 t 0 t
5 5 6 6 1 1 2 2 3 3 4 4 5 4 5 6 1 2 3 4 5 6
6 6 1 1 2 2 3 3 4 4 5 5 6 5 6 1 2 3 4 5 6 1
(d) 0 t 0 t
0.5 v AC
0.5 v AB 0.5 v AC
0.5 v AB
para 60 para 120
FIGURA 11.8
Formas de onda de un controlador trifásico bidireccional. (a) Voltajes de línea de entrada; (b) Voltajes
de fase de entrada; (c) Pulsos de compuerta de tiristor, y (d) Voltaje de fase de salida.
Para 60° ≤ α ≤ 150°, sólo dos tiristores conducen en todo momento. Para 90 ° ≤ α ≤ 150°,
aunque dos tiristores conducen en todo momento, hay periodos en los que ningún tiristor está
encendido. Para α ≥ 150°, no hay ningún periodo en el que dos tiristores conduzcan y el voltaje
de salida se vuelve cero cuando α � 150°. El rango del ángulo de retardo es
0 ≤ α ≤ 150° (11.18)
Al igual que los controladores de media onda, la expresión para el voltaje rms de salida
depende del rango de los ángulos de retardo. El voltaje de salida para una carga conectada en
Y se puede calcular como sigue. Para 0 ≤ α ≤ 60°:
578 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA
io
i p T 1 T 3 T 2 T 4
a
g
r
v s a
C
(a)
iP in
io
vo
Carga
de ca
vP V m sen ot vn V m sen ot
Convertidor P Convertidor N
Circuito de control
(b)
(c) 0 st
2 3
vo
T o f o 20 Hz
2
4 5 6 ot
(d) 0 2 3
p n
T o
2
n
Convertidor P encendido ot
(e) 0
Convertidor N encendido ot
0
FIGURA 11.16
Cicloconvertidor monofásico/monofásico. (a) Circuito; (b) Circuito equivalente; (c) Voltaje de suministro
de entrada; (d) Voltaje de salida, y (e) Periodos de conducción para convertidores P y N .
11.8 Cicloconvertidores 579
i s T 1
Convertido
T 2 positivo
v s i p
io
v p Carga LR Reactor
intergrupo
in
v s
T 2 Convertido
negativo
i s
T 1
FIGURA 11.17
Cicloconvertidor con reactor intergrupo.
Solución
V s � 120 V, f s � 60 Hz, f o � 20 Hz, R � 5 Ω, L � 40 mH, α p � 2 π/3, ω0 � 2 π × 20 � 125.66 rad/s, y
X L � ω0L � 5.027 Ω.
a. Para 0 ≤ α ≤ π, la ecuación (11.1) da el voltaje rms de salida
ca
V o � V s
1
π
π − α �
en 2α
s
2
bd 1/2
(11.34)
� 53 V
b. Z � [R2 � (ω0L)2]1/2 � 7.09 Ω y θ � tan−1(ω0L/R) � 45.2°. La corriente rms de carga es I o � V o/Z �
1
1
53/7.09 � 7.48 A. La corriente rms a través de cada convertidor es I p � I N � I o/ 2 � 5.29 A y
la corriente rms a través de cada tiristor es I R � I p / 2 � 3.74 A.
c. La corriente rms de entrada es I s � I 0 � 7.48 A, la capacidad de VA es VA � V s I s � 897.6 VA,
y la potencia de salida es P o � V o I o cos θ � 53 × 7.48 × cos 45.2 � 279.35 W. Utilizando la
PF �
P o
V s I s
�
V o cos θ
V s
ca
� cos θ
1
π
π − α �
sen 2α
2
bd 1/2
(11.35)
279.35
� � 0.311 (retrasado)
897.6
i p in
(a)
(b) 0 st
2 4 6 8 10
vo
0 Convertidor P activado ot
(d)
FIGURA 11.18
Cicloconvertidor trifásico/monofásico. (a) Circuito; (b) Voltajes de línea; (c) Voltajes de salida,
y (d) Periodos de conducción de los convertidores P y N .
P N P N P N
Neutro
(a) Esquema
A
C
Carga de
la fase a
(b) Fase a
FIGURA 11.19
Cicloconvertidor trifásico/trifásico.
La ecuación (10.1) indica que el voltaje promedio de salida de un segmento es una función
11
coseno del ángulo de retardo. Los ángulos de retardo de los segmentos se pueden generar com-
parando una señal coseno en la frecuencia de la fuente vc � 2 V s cos ω s t con un voltaje
de referencia senoidal ideal en la frecuencia de salida vr � 2 V r sen ω0 t . La figura 11.20
1
1 22
muestra la generación de señales de control de compuerta para los tiristores del cicloconvertidor
de la figura 11.18a.
El voltaje promedio máximo de un segmento (que se presenta cuando α p � 0) debe ser
igual al valor pico del voltaje de salida, por ejemplo, con la ecuación (10.1),
V p �
2 1 2V � 1 2V
s
o (11.36)
π
D1 S1
io
S2
D2
R S1
D2 0
S1 S2
v s vo 0
S2 S1
D1 L 0
S2
0
FIGURA 11.21
Controlador de voltaje de ca para control de PWM.
vo
vm
(a)
0
2 t
io
(b)
0
2 t
FIGURA 11.22
Voltaje de salida y corriente de carga de un controlador de voltaje de ca.
(a) Voltaje de salida y (b) Corriente de salida.
586 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA
v AN
i A A Convertidor matricial
n
(a) Circuito de convertidor (b) Matriz de conmutación
FIGURA 11.23
(a) Circuito de convertidor matricial (3 ϕ−3ϕ) con filtro de entrada y (b) Símbolo de matriz de conmu-
tación de convertidor.
11.10 Convertidor matricial 587
exactamente un interruptor para cada una de las posibles conexiones entre la entrada y la
salida. Los interruptores se deben controlar de modo que en cualquier momento, uno y sólo
uno de los tres interruptores conectados a una fase de salida debe cerrarse para evitar un
cortocircuito en las líneas de suministro o interrumpir el flujo de la corriente de carga en
una carga inductiva. Con estas restricciones, hay 512( � 29) estados posibles del convertidor,
pero sólo se permiten 27 combinaciones de conmutación para producir los voltajes de línea
de salida y corrientes de fase de entrada. Con un conjunto dado de voltajes trifásicos de
entrada se puede sintetizar cualquier conjunto deseado de voltajes trifásicos de salida si se
adopta una estrategia adecuada de conmutación [11,12].
El convertidor matricial puede conectar cualquier fase de entrada ( A, B y C ) a cualquier
fase de salida ( a, b y c) en cualquier instante. Cuando están conectadas los voltajes van, vbn, vcn
en las terminales de salida están relacionados con los voltajes de entrada v AN , vBN y vCN como
C S C
V an
V bn
V cn
=
S Aa
S Ab
S Ac
SBa
SBb
SBc
SCa
SCb
SCc
SC S V AN
V BN
V CN
(11.40)
CS C
i A S Aa
iB � SBa
iC SCa
S Ab
SBb
SCb
S Ac
SBc
SCc
SCS
T
ia
ib
ic
(11.41)
bilaterales capaces de operar a alta frecuencia; (2) implementación compleja de ley de con-
trol; (3) limitación intrínseca de la relación del voltaje de salida-entrada, y (4) conmutación y
protección de los interruptores. Con control de PWM de vector espacial y sobremodulación, la
relación de transferencia de voltaje se puede incrementar a 1.05 a expensas de más armónicos
y grandes capacitores filtro [13].
Ejemplo 11.8 Cómo determinar las capacidades de dispositivo del controlador monofásico
de onda completa
El controlador de voltaje de ca monofásico de onda completa de la figura 11.2a controla el flujo de
potencia de una fuente de ca de 230 V, 60 Hz en una carga resistiva. La potencia de salida máxima
deseada es 10 kW. Calcule (a) la capacidad de corriente rms máxima de los tiristores I RM ; (b) la capa-
cidad de corriente de los tiristores I AM ; (c) la corriente pico de los tiristores I p, y (d) el valor pico del
voltaje del tiristor V p.
1
Solución
P o � 10,000 W, V s � 230 V, y V m � 2 × 230 � 325.3 V. La potencia máxima se puede suministrar
cuando el ángulo de retardo es α � 0. Según la ecuación (11.1), el valor rms del voltaje de salida
V o � V s � 230 V, P o � V 20/R � 2302/R � 10,000, y la resistencia de carga es R � 5.29 Ω .
1
a. El valor rms máximo de la corriente de carga es I oM � V o/R � 230/5.29 � 43.48 A, y el valor rms
máximo de la corriente del tiristor es I RM � I oM / 2 � 30.75 A.
b. De acuerdo con la ecuación (11.3) la corriente promedio máxima de los tiristores es,
1 2
I AM �
×230
� 19.57 A
π × 5.29
vo
T 2 io V m
FIGURA 11.24
Convertidor monofásico completo con carga RL.
Solución
a. La forma de onda del voltaje de entrada se muestra en la figura 11.5b. El voltaje instantáneo de
salida como se muestra en la figura 11.24b se puede expresar en una serie de Fourier como
vo 12t � V cd � a
∞
n �1, 2, c
an cos nωt � a
∞
n �1, 2, c
bn sen nωt (11.42)
donde
V dc �
1
2π L 0
2π
12
V m sen ωt d ωt � 0
an �
1
π
c L 1
α
β
1 2 L 1 1 2d
2 V s sen ωt cos nωt d ωt �
π �β
π �α
2 V s sen ωt cos nωt d ωt
1 2V s C 1 2 1
cos 1 − n2
1 21 21 2
α − 1 2 cos 1 − n β � cos 1 − n
− cos 1 − n π � β
π�α
�
2π 1− n
1 2 1 1 2 21 12 21 2 S
cos 1 � n α − cos 1 � n β � cos 1 � n
− cos 1 � n π � β
π�α
�
1 � n
para n � 3, 5, c (11.43)
�0 para n � 2, 4, c
592 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA
I n I h
R
1
V n jn C
FIGURA 11.26 jn L
Circuito equivalente para determinar la corriente armónica.
d. La figura 11.26 muestra el circuito equivalente para determinar la corriente armónica. Utilizando
la regla divisora del voltaje, la corriente armónica a través de la carga está dada por
I h X c
� 2
1
I n [R � nωL − X c 2]1/22
donde X c � 1/(nωC ).
). Para n � 3 y ω � 377,
I h X c
�
1
I n [2.5 � 3 × 0.377 × 6.5 − X c 2]1/2
2 2
� 0.1
la cual da X c � −0.858 o 0.7097. Como X c no puede ser negativa, X c � 0.7097 � 1/(3 × 377C )
o C � 1245.94 μ F.
3 I g I a 1
R g
v g S1
4
5
3
V x 0V V Y 0V
v g
1
T 1 2
FIGURA 11.27
Modelo SPICE de un tiristor de ca.
Las gráficas PSpice del voltaje instantáneo de salida V (4) y la corriente de carga I(VX) se muestran
en la figura 11.29.
594 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA
C s 7 R s
0.1 F 750
4 io
1 4
T 1 2
90
R 2.5
3 T 2 5
v s 1245.94 F C
2 3 L 6.5 mH
v g1 v g2 6
V x 0V
4 1
0
(a)
v g1
para T 1
10 V
(b) t w 100 s T
T 16.667 ms
t w
t r t f 1 ns
0
t 1 T t
0A
40 A
I (VX)
200 V
0V
200 V
0 ms 5 ms 10 ms 15 ms 20 ms 25 ms 30 ms 35 ms
V(4) Time C 1 10.239 m, 118.347 m
C 2 0.000, 0.000
dif 10.239 m, 118.347 m
FIGURA 11.29
Gráficas del ejemplo 11.10.
Los componentes de Fourier de la corriente de salida, que es igual a la corriente de entrada, son los
siguientes:
1 1
PF �
1 1 � THD2 2 /2 cos ϕ1 �
11/2 1 1 � 0.29012 2 /2 ×
11/2 0.461 � 0.443 (retrasado)
v s
2 V s
(a)
0
t
2 3
vo
2 V s io L0
(b)
0 t
2 3
vo
FIGURA 11.30 L 0
2 V s io
Efectos de la inductancia de carga en el voltaje
y corriente de
d e carga. (a) Voltaje
Voltaje de entrada; (b) (c)
Voltaje y corriente de salida con inductancia 0
t
2 3
de carga, y (c) Voltaje
Voltaje y corriente de salida sin
inductancia de carga.
Referencias 597
RESUMEN
El controlador de voltaje de ca puede utilizar
utiliza r un control de encendido-apagado o un control
c ontrol
por ángulo de fase. El control de encendido-apagado es más adecuado para sistemas que
tienen una alta constante de tiempo. Normalmente se util izan controlad
c ontroladores
ores de onda completa
en aplicaciones industriales. Debido a las características de conmutación de los tiristores, una
carga inductiva complica las soluciones de las ecuaciones que describen el desempeño de
los controladores y un método de solución iterativo es más conveniente. El PF de entrada de los
controladores que varía con el ángulo
ángu lo de retardo, en general es malo, sobre todo en el rango
bajo de salida. Los controladores de voltaje de ca se pueden utilizar como cambiadores de
conexión estáticos de transformador.
Los controladores de voltaje proporcionan
proporcionan un voltaje de salida a una frecuencia fija. Dos
rectificadores controlados por fase conectados como convertidores duales pueden funcionar
como cambiadores de frecuencia directos conocidos como cicloconvertidores . Con el desa-
rrollo de dispositivos de potencia de conmutación rápida, es posible la conmutación forzada
de los cicloconv
cicloconvertidores;
ertidores; sin embargo, se requiere
requiere sintetizar las funciones de conmutación de los
dispositivos de potencia.
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SPICE for
Press.
PREGUNTAS DE REPASO
11.1 ¿Cuáles son las ventajas y desventajas del control por ángulo de fase?
11.2 ¿Cuáles son los efectos de la inductancia de carga en el desempeño de los controladores de voltaje
de ca?
11.3 ¿Qué es el ángulo de extinción?
11.4 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los controladores de onda completa?
11.5 ¿Qué es un arreglo dede control por
por vinculación?
11.6 ¿Qué es un convertidor matricial?
11.7 ¿Cuáles son los pasos para determinar las formas de onda del voltaje de salida de los controladores
trifásicos de onda completa?
11.8 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los controladores conectados en delta?
11.9 ¿Cuál es el rango
rango de control del ángu
ángulo
lo de retardo para controladores monofásicos de onda completa?
completa?
11.10 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de un convertidor matricial?
11.11 ¿Cuál es el rango de control del ángulo
ángulo de retardo para controladores trifásicos
trifásicos de onda completa?
11.12 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los cambiadores de conexión de transformador?
11.13 ¿Cuáles son los métodos para controlar el voltaje de salida de los de transformador?
transformador?
11.14 ¿Qué es un cambiador de conexión sincrónico?
11.15 ¿Qué es un cicloconvertidor?
11.16 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas
desventajas de los cicloconvertidores?
cicloconvertidores?
11.17 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas
desventajas de los controladores
controladores de voltaje de ca?
11.18 ¿Cuál es el principio de operación de los cicloconvertidores?
cicloconvertidores?
11.19 ¿Cuáles son los efectos de la inductancia de carga en el desempeño de los cicloconvertidores?
11.20 ¿Cuáles son los tres posibles arreglos de un controlador de voltaje
voltaje de ca monofásico
monofásico de onda completa?
11.21 ¿Cuáles son las ventajas de las técnicas de reducción armónica sinusoidal para cicloconvertidores?
11.22 ¿Cuáles son los requerimientos de señal de compuerta de tiristores para controladores de voltaje
con cargas RL?
11.23 ¿Cuáles son los efectos de las inductancias de fuente y carga?
11.24 ¿Cuáles son las condiciones para el diseño
diseño en el peor de los casos de dispositivos de potencia para
controladores de voltaje de ca?
11.25 ¿Cuáles son las condicione
condicioness para el
el diseño en el peor de los casos de filtros de carga para contro-
ladores de voltaje de ca?
PROBLEMAS
11.1 El controlador de voltaje de ca de la figura P11.1 tiene una carga resistiva R � 10 Ω y el voltaje de
entrada (rms) es V s � 120 V, 60 Hz. El tiristor interruptor está abierto durante n � 25 ciclos y
cerrado durante m � 75 ciclos. Determine (a) el voltaje rms de salida V o; (b) el factor de potencia
de entrada (PF), y (c) las corrientes promedio y rms de los tiristores.
Problemas 599
T 1
i s
T 2
io
v s vo R
FIGURA P11.1
11.2 El controlador de voltaje de ca de la figura P11.1 se utiliza para calentar una carga resistiva
R � 2.5 Ω y el voltaje de entrada es V s � 120 V (rms), 60 Hz. El tiristor interruptor permanece abierto
durante n � 125 ciclos y cerrado durante m � 75 ciclos. Determine (a (a)) el voltaje rms de salida V o;
(b) el factor de potencia de entrada, y (c(c)) las corrientes promedio y rms del tiristor.
11.3 El controlador de voltaje de ca de la figura P11.1 utiliza un control de encendido-apagado para
calentar una carga resistiva de R � 2 Ω y el voltaje de entrada es V s � 208 V (rms), 60 Hz. Si la
potencia de salida deseada es P o � 3 kW, determine (a) el ciclo de trabajo k y (b) el PF de entrada.
11.4 El controlador monofásico de voltaje de ca de la figura P11.4 tiene una carga resistiva de R � 10 Ω y
el voltaje rms de entrada es V s � 120 V, 60 Hz. El ángulo de retardo del tiristor T 1 es α � π/2.
Determine (a) el valor rms del voltaje de salida V o; (b) el PF de entrada, y (c) la corriente rms de
entrada I s.
i s T 1
io
D1 R
v p v s vo
FIGURA P11.4
11.5 El controlador de voltaje de ca monofásico de media onda de la figura 11.1a tiene una carga resis-
tiva de R � 2.5 Ω y el voltaje de entrada es V s � 120 V (rms), 60 Hz. El ángulo de retardo del tiristor
T 1 es α � π/3. Determine (a) el voltaje rms de salida V o; (b) el PF de entrada y (c) la corriente
promedio de entrada.
11.6 El controlador de voltaje de ca monofásico de media onda de la figura 11.1a tiene una carga
resistiva R � 2.5 Ω y el voltaje de entrada es V s � 208 V (rms), 60 Hz. Si la potencia de salida
deseada es P o � 2 kW, calcu le (a) el ángulo de retardo α y (b) el PF de entrada.
kW, calcule
11.7 El controlador de voltaje de ca monofásico de onda completa de la figura 11.2a tiene una carga
resistiva de R � 2.5 Ω y el voltaje de entrada es V s � 120 V (rms), 60 Hz. Los ángulos de retardo de
los tiristores T 1 y T 2 son iguales: α1 � α2 � 2π/3. Determine (a) el voltaje rms de salida V o; (b) el PF
de entrada; (c) la corriente promedio I A de los tiristores, y (d) la corriente rms I R de los tiristores.
11.8 El controlador de voltaje de ca monofásico de onda completa de la figura 11.2a tiene una carga resis-
tiva de R � 1.2 Ω y el voltaje de entrada es V s � 120 V (rms), 60 Hz. Si la potencia de salida deseada
es P o � 7.5 kW, determine (a) los ángulos de retardo de los tiristores T 1 y T 2; (b) el voltaje rms de
salida V o; (c) el PF de entrada, (d) la corriente promedio I A de los tiristores, y (e) la corriente rms I R
de los tiristores.
600 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA
T 1
A I L ia a
D4
R
v AN V L van
T 3
b R
N
n
B ib vbn
vBN
D6 R
vCN
vcn
T 5
C ic
c
D2
FIGURA P11.12
Controlador trifásico unidireccional.
11.13 El controlador trifásico unidireccional de la figura P11.12 alimenta una carga resistiva conectada
en Y con R � 2.5 Ω y el voltaje de entrada de línea a línea es 208 V (rms), 60 Hz. Si la potencia de
salida deseada es P o � 12 kW, calcule (a) el ángulo de retardo α; (b) el voltaje rms de fase de salida
V o, y (c) el PF de entrada.
11.14 El controlador trifásico unidireccional de la figura P11.12 alimenta una carga resistiva conectada en
Y con R � 5 Ω y el voltaje de entrada de línea a línea es 208 V (rms), 60 Hz. El ángulo de retardo es
α � 2π/3. Determine (a) el voltaje rms de fase de salida V o; (b) el PF de entrada, y (c) las expresio-
nes para el voltaje instantáneo de salida de la fase a.
11.15 Repita el problema 11.12 para el controlador trifásico bidireccional de la figura 11.7.
11.16 Repita el problema 11.13 para el controlador trifásico bidireccional de la figura 11.7.
11.17 Repita el problema 11.14 para el controlador trifásico bidireccional de la figura 11.7.
11.18 El controlador trifásico bidirecciona
bidi reccionall de la figu
figura
ra 11.7
11.7 alimenta una carga conectada
conectad a en Y deR �
5 Ω y L � 10 mH. El voltaje de entrada de línea a línea es 208 V, 60 Hz. El ángulo de retardo es
α � π/2. Grafique la corriente durante el primer ciclo después de que el controlador se activa.
Problemas 601
11.19 Un controlador de voltaje de ca monofásico alimenta una carga resistiva de R � 5 Ω y el voltaje de
entrada de línea a línea es V s � 208 V a 60 Hz. Grafique el PF en función del ángulo de retardo α para
(a) el controlador de media onda de la figura P11.12 y (b) el controlador de onda completa de la
figura 11.7.
11.20 El controlador trifásico bidireccional conectado en delta de la figura 11.10 tiene una carga resistiva
de R � 2.5 Ω. Si el voltaje de línea a línea es V s � 208 V, 60 Hz, y el ángulo de retardo es α � π/3,
determine (a) el voltaje rms de fase de salida V o; (b) las expresiones para las corrientes instantáneas
ia, iab e ica; (c) la corriente rms de fase de salida I ab
ab y la corriente rms de línea de salida I a; (d) el PF de
entrada, y (e) la corriente rms I R del tiristor.
11.21 El circuito de la figura 11.13 se controla como cambiador de conexión sincrónico. El voltaje del
primario es 208 V, 60 Hz. Los voltajes del secundario son V 1 � 120 V y V 2 � 88 V. Si la resistencia
de carga es R � 2.5 Ω y el voltaje rms de carga es 180 V, determine (a) los ángulos de retardo de los
tiristores T 1 y T 2; (b) la corriente rms de los tiristores T 1 y T 2; (c) la corriente rms de los tiristores
T 3 y T 4, y (d) el PF de entrada.
11.22 El voltaje de entrada al cicloconvertidor monofásico/monofásico
monofásico/monofásico de la figura 11.16a es de 120 V, 60 Hz.
La resistencia de carga es 2.5 Ω y la resistencia de carga es L � 40 mH. La frecuencia del voltaje de
salida es 20 Hz. Si el ángulo de retardo de los tiristores es α p � 2π/4, determine (a) el voltaje rms
de salida; (b) la corriente rms de cada tiristor, y (c) el PF de entrada.
11.23 Repita el problema 11.22 si L � 0.
11.24 Para el problema 11.22, grafique el factor de potencia en función del ángulo de retardo α. Suponga
una carga resistiva con L � 0.
11.25 Repita el problema 11.22 para el cicloconvertidor trifásico/monofásico de la figura 11.18a, L � 0.
11.26 Repita el problema 11.22 si los ángulos de retardo se generan comparando una señal coseno a la
frecuencia de fuente con una señal de referencia senoidal a la frecuencia de salida como se muestra
en la figura 11.20.
11.27 Para el problema 11.26, grafique el factor de potencia de entrada en función del ángulo de retardo.
11.28 El controlador de voltaje de ca monofásico de onda completa de la figura 11.4a controla la potencia
de una fuente de 208 V, 60 Hz suministrada a una carga resistiva. La potencia de salida máxima
deseada es 5 kW. Calcule (a) la capacidad de corriente rms máxima del tiristor; (b) la capacidad de
corriente promedio máxima del tiristor, y (c) el voltaje pico del tiristor.
11.29 El controlador de voltaje de ca trifásico de onda completa de la figura P11.12 se utiliza para controlar la
potencia de una fuente de 2300 V, 60 Hz suministrada a una carga resistiva conectada en delta.
La potencia de salida máxima deseada es 100 kW. Calcule (a) la capacidad de corriente rms máxima de
los tiristores I RMRM; (b) la capacidad de corriente promedio máxima de los tiristores I AM AM, y (c) el valor
pico del voltaje del tiristor V p.
10.30 El controlador monofásico de onda completa de la figura 11.5a controla la potencia sumi nistrad nistradaa
a una carga RL y el voltaje de suministro es 208 V, 60 Hz. La carga es R � 5 Ω y L � 6.5 mH.
(a) Determine el valor rms del tercer armónico de corriente. (b) Si se conecta un capacitor
en paralelo con la carga, calcule el valor de la capacitancia para reducir el tercer armónico de la
corriente en la carga a 5% de la corriente de carga, α � π/3. (c) Use PSpice para trazar la gráfica g ráfica
del voltaje de salida y la corriente de salida y para calcular la distorsión total armónica (THD) del
voltaje y corriente de salida y el PF de entrada con y sin el capacitor filtro de salida en (b).
Los capítulos 12 a 15 se encuentran en español en el sitio Web del libro
Circuitos trifásicos
V α V α − θ
I � � (A.1)
R � jX Z
P � VI co
cos θ (A.2)
Va � V
p 0
Vb � V
p − 120°
Vc � V
p − 240°
Vab � Va − Vb � 2 3 V
p 30° � V L 30°
Vbc � Vb − Vc � 2 3 V
p − 90° � V L − 90°
Vca � Vc − Va � 2 3 V
p − 210° � V L − 210°
Por consiguiente, un voltaje de línea a línea es V L, es 2 3 veces un voltaje de fase V p. Las tres
corrientes de línea, que son iguales a las corrientes de fase, son
A-1
A-2 Apéndice A Circuitos trifásicos
I
V
R I
V
Z R jX I
V
jX
0 0
Pf retrasado Pf adelantado
FIGURA A.1
Circuito monofásico.
Va V p
Ia � � − θa
Z a θa Z a
Vb V p
Ib � � − 120° − θb
Z b θb Z b
Vc V p
Ic � � − 240° − θc
Z c θc Z c
Para una alimentación balanceada, V a � V b � V c � V p. La ecuación (A.3) se escribe como
I a
a
Z R jX
V a Z V b V ab 3V a
V ab
V c
V ca n 120
V b jX 30
jX 0 V a
R
b I b V c
R 120
V bc
I c V b
c
(a) Carga conectada en Y (b) Diagrama fasorial
FIGURA A.2
Circuito trifásico conectado
con ectado en Y.
Apéndice A Circuitos trifásicos A-3
Para una carga balanceada, Z a � Z b � Z c � Z , θa � θb � θ c � θ, e I a � I b � I c � I p � I L, la
ecuación (A.4) se vuelve
P � 3V p I p cos θ
V L
�3 I Lcos θ � 2 3V L I Lcos θ (A.5)
2 3
En la figura A.3a se muestra una carga conectada en delta, donde los voltajes de línea son
los mismos que los voltajes de fase. Si los voltajes trifásicos son
Va V L
Iab � � − θa � I p − θa
Z a θa Z a
Vb V L
Ibc � � − 120° − θb � I p − 120° − θb
Z b l θb Z b
Vc V L
Ica � � − 240° − θc � I p − 240° − θc
Z c l θc Z c
I a
a
I ab I ca
I ca
jX
Z R jX
V ab
Z I ab
V ca 0
R 120
30
I b R jX I bc
b 120
V bc I bc
I c I ac I a
c
FIGURA A.3
Carga conectada en delta.
A-4 Apéndice A Circuitos trifásicos
Por consiguiente, en una carga conectada en delta, una corriente de línea es 2 3 veces una
corriente de fase.
La potencia de entrada a la carta es
Para una alimentación balanceada, V ab � V bc � V ca � V L, la ecuación (A.6) se vuelve
Para una carga balanceada, Z a � Z b � Z c � Z , θa � θb � θc � θ, e I ab � I bc � I ca � I p, la ecua-
ción (A.7) se vuelve
P � 3V p I pcos θ
2 3 co θ � 2 3V I co θ
I L
� 3V L s L L s (A.8)
Nota: Las ecuaciones (A.5) y (A.8), que expresan la potencia en un circuito trifásico, son
las mismas. Para los mismos voltajes de fase, las corrientes de línea en una carga conectada en
2
delta son 3 veces las de una carga conectada en Y.
A P É N D I C E B
Circuitos magnéticos
ϕ = BA (B.1)
B = μH (B.2)
μ = μr μ0 (B.3)
f = NI = Hl (B.4)
l
r � (B.7)
μr θ0 A
A-5
A-16 Apéndice C Funciones de conmutación de convertidores
2V m 1 1
�
π
c 1 − co 2 s θ �
3
cos 2θ − cos 4θ
3
1 1 1 1
�
5
cos 4θ − cos 6θ � cos 6θ − cos 8θ �
5 7 7
g d
2V m
�
π
c1 − 23 co 2 s θ −
2
15
2
cos 4θ − cos 6θ −
35
g d
2V m 4V m ∞
cos 2mθ
� − a 2
(C.13)
π π m �1 4m − 1
La ecuación (C.13) es la misma que la ecuación (3.12) La primera parte de la ecuación (C.13 es
el voltaje de salida promedio y la segunda parte es el contenido de rizo en el voltaje de salida.
Para el rectificador trifásico de las figuras 3.13a y 10.5a, las funciones de conmutación son
S1(θ) � g1 � g4, S2(θ) � g3 � g6 y S3(θ) � g5 � g2. Si los voltajes de entrada trifásicos son V an(θ),
V bn(θ) y V cn(θ), el voltaje de salida es
v
Señal portadora
Señal de
referencia 180
0 t
90 270 360
g1
180 270
0 t
g4 90 360
t
FIGURA C.3
Función de conmutación con SPWM.
Apéndice C Funciones de conmutación de convertidores A-17
comparando una onda coseno con pulsos triangulares. Si g 1 y g4 son las señales de disparo para
los interruptores Q1 y Q4, respectivamente, la función de conmutación es
S(θ) � g1 � g4
S(θ) se puede expresar en una serie de Fourier como
A0 ∞
S 1 θ 2 � � a 1 An cos nθ � Bn sen nθ 2 (C.15)
2 n �1,2 c
π /2
4
=
π L S 1 2 co n d
0
θ s θ θ
α 2 α 4 α6
4
=
π
cL α 1
cos nθ dθ +
L α 3
cos nθ dθ +
L α5
cos nθ dθ + d
g (C.16)
a 1 2
p
4 m
= [ −1 s en nαm]
nπ m =1,2,3, c
S 1 2
θ �
∞
a Ancos nθ
n �1,3,5 c
(C.17)
p
4
�
∞
ac
nπ n �1,3,5
c a
m �1,2,3, c
−1 1 2 ms
en nαmcos nθ d
Si el voltaje de entrada es V i(θ) � V s, las ecuaciones (C.1) y (C.17) dan el voltaje de salida como
a Ancos nθ
n �1,3,5, c
(C.18)
a Ancos nθ cos θ
n �1,3,5, c
(C.19)
V m ∞
� a c An[cos n − 1
2 n �1,3,5,
1 2
θ � cos n1 � 2
1 θ]
A-18 Apéndice C Funciones de conmutación de convertidores
V m A1 ∞
An− 1 + An +1
= + V m a cos nθ (C.20)
2 n =2,4,6, c 2
S 1 θ 2 � a Ansen nθ
n �1,3,5, c
(C.21)
V m ∞
= a An[cos 1 n − 1 2 θ − cos 1 n
2 n =1,3,5, c
+ 1 2 θ]
V m A1 ∞
An− 1 − An +1
= − V m a cos nθ (C.23)
2 n =2,4,6, 2c
Respuestas a problemas
seleccionados
CAP TULO 1
2.7 I R1 � 22 mA, I R2 � 7 mA,
1.1 I RMS � 70.71A, I PROM � 63.67A R2 � 314.3k Ω
1.2 I RMS � 50A, I PROM � 31.83A 2.8 I D1 � 140 A e I D2 � 50 A
1.3 I RMS � 63.27A, I PROM � 20.83A 2.9 I D1 � 200A e I D2 � 110A
1.4 I RMS � 63.25A, I PROM � 40 A 2.10 R1 � 14 m Ω , R2 � 5.5 m Ω
1.5 I RMS � 57.04A, I PROM � 36 A 2.11 R1 � 9.333m Ω , R2 � 3.333m Ω
1.6 I RMS � 36.52A, I PROM � 20 A 2.12 V D1 � 2575 V, V D2 � 2425 V
2.13 V D1 � 5.375V, V D2 � 4.625V
CAPÍTULO 2
2.14 I prom � − 2.04 A, I rm � 71.59 A,
s
R-1
R-2 Respuestas a problemas seleccionados
2.25 (a) I D = 46.809A, (b) W = 7.121 J, 2.32 (a) s1 � − 15.51 * 103, s2 � − 64.49 * 103,
(c) di/dt = 33.85 kA/s A1 � − A2 � 2.245, α � 40 k,
ωo � 31.62krad/s
1 2 22 − 12e A
2.26 i t = − 2000t
1 2
(b) i(t ) � A1 e s1t − e s2t
B
L 2.33 (a) A2 � 1.101, α � 4k,
2.27 1 t 2 I
vC = 0 en1 t 2 s ωo ωr � 99.92krad/s,
C
− V co 1 t 2 V ωo + S (b) t 1 � 31.441 μs
S s
(d) I o(rm ) � 52.16A
s
en
s − sen A cos A | en A
s − cos A | s en A
cos cos A | en A
s − cos A { en A
s cos A
s 1
en A { B2 � s en A cos B { cos A senB
cos A 1 { B 2 � cos Acos B | s enA senB
s en 2A � 2 senA cos A
cos 2A � 1 − 2 sen2 A � 2 cos2 A − 1
A �B A− B
s enA � senB � 2 sen cos
2 2
A �B A− B
s enA − senB � 2 cos sen
2 2
A �B A− B
cos A � cos B � 2 cos cos
2 2
A �B B− A
cos A − cos B � 2 sen cos
2 2
1
s en A sen B � [cos A − B − cos A � B ]
2
1 2 1 2
1
cos A cos B � [co 1 A − B 2
s � co 1 A B 2 ]
s �
2
1
s enA cos B � [sen A − B � sen A � B ]
2
1 2 1 2
cos nx
sen nx dx � −
L n
x sen 2nx
s en2 nx dx � −
2 4n
FUNCIONES DE USO COMÚN
1
en m − n x 2 1 2
en m � n x
L
s s
en mx sen nx dx � para m n
s
1
2 m− n 2
−
1
2 m �n2
s en nx
cos nx dx �
n
x sen 2nx
cos2 nx dx � �
2 4n
1 2 1
en m − n x sen m � n x 2
L
s
cos mx cos nx dx � para m n
1
2 m− n 2
�
2 m �n 1 2
en2 nx
L
s
s en nx cos nxdx �
2n
1 2
cos m − n x cos m � n x 1 2
L en mx co nx dx
s s �
1
2 m− n
−
2
2 m �n
para m
1 2 n
En la página Web del libro encontrará material adicional, tanto en inglés como en
español, sobre circuitos trifásicos y magnéticos, y sobre funciones de conmutación,
así como una introducción a la energía renovable y a los circuitos de excitación de
compuerta.
ISBN 978-607-32-3325-5
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