Laboratorio 9 Dispositivos Electrónicos

TRANSISTORES BIPOLARES (CARACTERIZACIÓN Y AMPLIFICACIÓN)

Melissa Alvarez Anaya 2162065, B02

INTRODUCCIÓN
En el presente documento analizaremos el
comportamiento de circuitos con transistores bipolares
PNP, se llaman bipolares porque la carga en el
dispositivo es transportada por dos portadores de
diferente polaridad, este transistor tiene tres terminales
llamadas emisor, colector y base .

ACTIVIDADES DEL LABORATORIO

a) Curva característica transistores bipolares.

Figura 1

Ic
B=
Ib
1.217 mA
B= =4.06∗1010
5.472∗10 uA
B=BF
⃗¿ Ve−Vc
1.1) Resultados simulación: ⃗¿ 776.5 mV −(−7.218 V )

Ve=7.986 V
⃗ 0.2V
≫

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--- Veb=Ve−Vb
1.2) Cálculos teóricos:
⃗¿ 776.5 mV −(0 V )
I B=5.956uA
Ve=776.5 mV
OBSERVACIONES Y ANÁLISIS DE
0.5 V −0.79V
RESULTADOS
A partir de los 263.793mV podemos observar que
comienza la zona activa del diodo.
Vbc=Vb−Vc
b) Circuito polarización transistor bipolar PNP.
Vbc=0 V −(−7.218 V )
Vbc=7.218 V
Vbc> 0

Figura 2

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TRANSISTORES BIPOLARES (CARACTERIZACIÓN Y AMPLIFICACIÓN)
Melissa Alvarez Anaya 2162065, B02
OBSERVACIONES Y ANÁLISIS DE RESULTADOS Av=164.75
Podemos observar a través de los cálculos que el
voltaje del Vec es mayor que el voltaje Vbc y que el
voltaje Veb se logra mantener entre los 0.5V y 0,79V.
c) Circuito amplificador transistor bipolar PNP.

Figura 3

3.1) Resultados simulación:

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OBSERVACIONES Y ANÁLISIS DE RESULTADOS

Se puede notar que la señal de salida es mayor
que la señal de entrada por lo que podemos decir
que el circuito está amplificando de forma
correcta.

CONCLUSIONES
● Se logró conocer e identificar las curvas
características de los transistores bipolares
PNP.
● Se pudo determinar las zonas activas y la de
saturación de los transistores bipolares PNP.
● Se editan las variables de voltajes y corriente
en circuitos de polarización de DC.

Vout
Gv=
Vs
726.55 mV
Gv=
239.9 mV
Gv=3.02
Vout
Av=
Vi
726 mV
Av=
4.41 mV