Tema 5 Dopado

TEMA 5
Tecnología y fabricación de CIs

E. Procesos de dopado en Semiconductores:
Difusión e
Implantación iónica
Tema 5. Tecnología y Fabricación de CIs
I. Introducción: Procesos de dopado
La impurificación de cristales es de total necesidad en Electrónica.

En muchos casos el dopaje se realiza a la vez del crecimiento (del lingote o
crecimiento epitaxial) impurificación uniforme de la oblea (aunque no del lingote).
Además, en el curso de la fabricación de dispositivos es necesario introducir
nuevas impurezas para modificar las propiedades electrónicas.
Los PROCESOS para dopar una capa SC:

Difusión de impurezas (se utiliza desde los
años 70)
Las impurezas se introducen a Tª elevada en
regiones seleccionadas del semiconductor.
La concentración de dopantes disminuye
desde la superficie.
Implantación iónica los iones se
implantan mediante un haz de iones altamente
energético.
Esta técnica se usa tanto en Si como en
GaAs.
Comparación entre técnicas de difusión (superior) y de
Es un proceso más moderno, complejo y implantación iónica (inferior) para la introducción
costoso que la difusión selectiva de dopantes en un substrato semiconductor.
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II. Procesos de dopado: Difusión
Definición: Redistribución de átomos desde regiones de alta concentración de

especies móviles hacia regiones de baja concentración. las impurezas,
previamente depositadas sobre la superficie del cristal, penetran en el
interior.
Este fenómeno tiene lugar a todas las temperaturas, sin embargo, la difusividad
tiene una dependencia exponencial con la temperatura.
C (x)
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Comparativa uso de difusión en Si vs GaAs:

En la tecnología de Si es la técnica más
empleada utilizando la capacidad del óxido
de Si (SiO2) para actuar como máscara.
Permite la formación de la fuente y el drenador de
MOS y regiones activas de transistores bipolares.
Pueden manejarse muchas obleas en cada
proceso.
En GaAs, la difusión es menos controlable,
además las estructuras avanzadas de
diferentes capas requieren en su mayoría
procesos epitaxiales.
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DIFUSION:
Vamos a estudiar:
Naturaleza de la difusión
Teoría de la difusión: Modelo 1D de Fick
Fuente de impurezas ilimitada o constante
Fuente de impurezas limitada
Ejemplos de resolución
Efectos reales en la difusión

Efectos de difusión lateral
Segregación de impurezas
Hornos de Difusión: Sistemas físicos para la realización de procesos de

difusión
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Naturaleza Microscópica de la difusión: La difusión de átomos en una red

cristalina depende de los diferentes tipos de mecanismos de difusión que se
pueden producir en la red.
Tipos de mecanismos de difusión:
1. Intersticial: La impureza penetra en el cristal de forma

intersticial y se mueve o salta a otra posición intersticial.
2. Substitucional: Un átomo salta desde un punto de la

red cristalina a otro adyacente que es necesario que esté
vacante. Este mecanismo ocurre con menor velocidad que
la difusión intersticial. Muchos de los dopantes de Si son
substitucionales.
3. Mecanismo “kick-out” o patada: Un átomo de

impureza pasa de un lugar intersticial a un lugar de la red
desplazando un átomo: se forma una intersticial de átomo
de la red que puede difundirse como una impureza.
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TEORIA de la difusión: (Teoría 1D de Fick) Las constantes de difusión

representan la facilidad de penetración de las impurezas en el sólido.
Hipótesis simplificadoras
Sistema unidimensional que ignorar los efectos de fronteras de granos
Supone dispositivos plano-paralelos.
Supone difusión substitucional (se aplica lo mismo en difusión intersticial) en la
red del Si o GaAs (Zinc- Blenda).
Considera una sección transversal de área A, el
espacio entre planos es d/(3)0.5 donde “d” es la
distancia entre los lugares de las redes del tetraedro.
En la difusión los átomos de una capa (de
impurezas o de la red) deben pasar a la capa vecina.
Se calcula el flujo de átomos (F ) neto a lo lago
del plano P en la dirección x probabilidad
temporal de cambio de concentración de impurezas:
C, por unidad de área como:
∂C
F = −D
∂x 1ª Ley de Fick de la difusión.
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TEORIA de la difusión: (Teoría 1D de Fick)
Primera ley de Fick de la Difusión:

La redistribución de dopantes macroscópicos viene determinada por la primera Ley
de Fick que describe como el flujo de dopantes ( F: átomos/cm2 s) depende el gradiente
de la concentración:
∂C
F = −D
∂x
Es similar a otras leyes en las cuales la causa es

proporcional al efecto (Ley de Ohm, de Fourier…).
El signo negativo el flujo produce la reducción

del gradiente de concentración.
D = Difusividad o Coeficiente de Difusión D

(cm2/s) (está relacionada con la dependencia de la
frecuencia del salto de los átomos a la capa 1ª Ley de Fick de la difusión:
vecina).
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Primera ley de Fick de la Difusión:
Coeficiente de difusión:
 E 
D(T ) = D0 exp − A 
 K BT 
El coeficiente de difusión depende de la

temperatura de la manera de manera
exponencial:
EA: la energía de activación de la impureza
Difusividades medias de
dopantes substitucionales en Si
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Existe un límite para la difusión:

Supongamos que establecemos un
depósito en la superficie de impurezas en
exceso.
La concentración en superficie (Cs) es
constante a lo largo del tiempo e igual al
limite de solubilidad del sólido es la
concentración máxima que, para cada
temperatura, puede ser introducida en el
sólido.
Para mayores valores de impurezas, éstas
precipitan en otra fase.
Observar la solubilidad de impurezas como el

fósforo (P), Arsénico (As) y Boro (B).
Solubilidad del sólido en Silicio

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Segunda ley de Fick de la Difusión:

Esta ley describe como el cambil en concentración en un elemento de volumen
viene determinado por el cambio en los flujos dentro y fuera del volumen.
∂C ∂F ∂  ∂C 
= = D 
∂t ∂x ∂x  ∂x 
CASO PARTICULAR: D=cte: coeficiente de

difusión no depende de la concentración
(ocurre así en muchas aplicaciones).
2ª Segunda ley de Fick se reduce a:

∂ ∂2 2ª Ley de Fick de la difusión:
=D 2
∂t ∂x
NOTA: N=C (concentración de dopantes)
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RESOLUCION de la 2ª LEY DE FICK de la Difusión
1er CASO: Difusión desde una fuente ILIMITADA o constante

La oblea se expone a una cantidad ∞ de impurezas en el proceso de difusión
La solución que satisface 2ª Ley de Fick: Función Error
 x 
( x, t ) = 0erfc 
 2 Dt 
La concentración en la superficie se mantiene cte

en el tiempo e igual al límite de solubilidad, N0.
La anchura de difusión aumenta con el tiempo

(determinada por la función error).
APLICACIONES: regiones de fuente y drenador de

Perfiles de difusión de fuente constante.
MOSFET, así como en el emisor del BJT de Si y en Concentración de impurezas para diferentes
la mayoría de las difusiones de GaAs tiempos de difusión
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2º CASO: Difusión desde una fuente LIMITADA

En este caso poseemos una cantidad finita de átomos de impureza para su difusión.
La solución que satisface la 2ª Ley de Fick GAUSSIANA
Q0  x2 
( x, t ) = exp − 

πDt  4 Dt 
Q0 es una constante
La concentración en x=0 decrece como 1/ t
La distancia de difusión desde el origen aumenta como:
2 Dt
APLICACIONES: dopajes muy profundos pero con
valores bajos de la concentración en la superficie: Perfiles de difusión de fuente Limitada.
Dopaje de la base de un BJT. Concentración de impurezas para diferentes
tiempos de difusión
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2º CASO: Difusión desde una fuente LIMITADA
Concentración de impurezas: evolución

temporal de la función Gaussiana
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c
Comparativa matemática de
Gaussiana y Función Error
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EJERCICIO 1:
Se realiza la difusión de aluminio en una capa gruesa de
silicio sin contenido previo de aluminio a una temperatura de
1100ºC durante 6 horas.
¿a qué profundidad habrá una concentración de
1016átomos/cm3 si la concentración en la superficie es
1018átomos/cm3?.
NOTA: A esa temperatura el coeficiente de difusión de
aluminio en silicio es 2 10-12cm2/s.
 x 
( x, t ) = 0erfc 
 2 Dt 
SOLUCIÓN: buscamos la profundidad en la que la concentración

cae hasta el 1 % del valor en la superficie Impurity conc/surface
conc= 10-2.
Gráficamente obtenemos:  x 
z =  = 1.75
 2 Dt 
Despejamos el valor de x: x = 1.75 × 2 Dt
Sustituyendo D y t, ambos conocidos Obtenemos para la

profundidad x= 106.5 nm=0.11 µm.
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EJERCICIO 2:
Se difunde arsénico en una capa gruesa de silicio sin contenido

previo de As a 1100ºC.
Si la concentración de ese elemento en la superficie es
5x1018átomos/cm3 y a 1,2µm de la superficie es 1,5
1016átomos/cm3 ¿cuál habrá sido el tiempo de difusión?.
NOTA: D=3 10-14 cm2/s para As en Si a esa temperatura.
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Efectos reales en la difusión: Efectos de difusión lateral
En la práctica, la difusión en microcircuitos se lleva a cabo a través de ventanas abiertas en

una máscara que se coloca en la oblea
El modelo 1D representa una manera satisfactoria de describir este proceso excepto en el
límite de la máscara. En el límite, la fuente dopante proporciona impurezas que se difunden:
Principalmente en un ángulo perpendicular a la superficie del semiconductor
También de manera lateral
Podemos ilustrar los contornos de concentración de

dopaje constante en los que se observa la difusión
lateral.
La penetración lateral es del orden del 75-80 % de la
penetración en la dirección vertical para
concentraciones que son más de dos órdenes de
magnitud bajo la concentración superficial
Contornos de difusión al límite de una

ventana de difusión
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HORNOS de difusión:
Los requerimientos básicos que debe cumplir un sistema de difusión son:

Un método para atraer las impurezas difusoras hacia la oblea
Mantenerlas allí durante un tiempo y una Tª específica
Los requerimientos adicionales del proceso de difusión son:
El proceso de difusión no debe dañar la superficie de la oblea
Tras la difusión, el material restante en la superficie debe ser eliminado (grabado)
fácilmente para realizar otros procesos posteriores: formación de contactos u otras
difusiones
Es necesario que los resultados sean altamente reproducibles de un “run” al siguiente
proceso de fabricación
Sería rentable poder realizar el proceso de difusión en el mayor número de obleas al
mismo tiempo.
Hornos de difusión:
Se realizan normalmente en tubos abiertos (los hornos de difusión) en los que las
obleas se colocan en una barquilla dentro de un tubo horizontal de cuarzo de alta
pureza.
El horno se calienta (mediante arrollamientos resistivos se controla la Tª
electrónicamente en la zona central del horno: entre Tª entre 600 ºC y 1200º C.
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HORNOS de difusión:
El primer horno de difusión fue patentado en 1957:
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III. Procesos de dopado: Implantación Iónica
La implantación iónica es un método de impurificación tanto de Silicio como de

GaAs.
Es el método dominante de dopaje utilizado hoy día a pesar de sus desventajas.
Es un proceso más costoso y complejo que la difusión y una alternativa a la misma.
Comparación entre técnicas de difusión (superior) y de

implantación iónica (inferior) para la introducción Haz del equipo implantador incidiendo en la oblea
selectiva de dopantes en un substrato semiconductor.
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Vamos a estudiar:
Procesos microscópicos en la implantación iónica
Principio básico de la implantación iónica
Ventajas e inconvenientes de la implantación iónica
Distribución de iones implantados: definición de parámetros
Sistema físico de implantación: implantador iónico
Comparación de los perfiles de dopantes obtenidos mediante difusión e implantación
iónica
Efectos reales de la implantación iónica:
Acanalamiento.
Dañado de la red cristalina
Recocido : RTA
Implantación iónica a través del óxido (SiO2)
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Proceso de Implantación Iónica
Principios básicos:
Se dopa un substrato mediante un flujo de iones energéticos de la impureza (obtenidos
de un plasma de la misma) que se proyectan contra la oblea (blanco).
Los iones de impurezas penetran en el substrato con una alta energía (velocidad) y
pierden su energía mediante colisiones con los núcleos y los electrones que acaban
deteniendolos.
Los iones quedan parados a una determinada distancia de la superficie de la oblea
formado un perfil de implantación.
La profundidad a la que se localiza la impureza

depende en la energía (o velocidad) de los iones.
Las colisiones con los núcleos del blanco hacen que se

modifique la situación de los iones de la red cristalina
dañando el substrato:
Si el átomo del semiconductor recibe en una colisión una

energía mayor que su energía umbral de
desplazamiento provoca la formación de defectos
(típicamente defectos puntuales como vacantes e
intersticiales).
Proceso microscópico de la implantación iónica
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La implantación iónica, presenta importantes ventajas:
Posibilita la introducción controlada de grandes dosis de impurezas en una región del

semiconductor proceso de NO EQUILIBRIO: es posible introducir dopantes a
concentraciones mayores que su solubilidad sólida de equilibrio.
Permite realizar un control independiente del dopaje y de la profundidad (salvo en
algunos casos de acanalamiento)
Los perfiles de impurificación obtenidos por implantación iónica son mucho más precisos
(errores de ± 1 %) y más superficiales (< 1mm) que los obtenidos por difusión
Aplicaciones en procesos de fabricación delicados:
Ajuste del potencial umbral VT de conducción de los

MOSFET.
Autoalineamiento de puerta de los mismos.
Posibilidad de formación de capas enterradas de
colector en los BJTs.
Proceso de baja Tª al poder realizarse a Tª

ambiente, es posible una gran flexibilidad a la hora
de elegir las máscaras (Si3N4, Al, Silica)(incluso
fotoresinas).
Es posible realizar la implantación iónica a través
del óxido de Si: SiO2 como máscara.
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La implantación iónica muestra ciertas desventajas o inconvenientes :

Los dopantes no son eléctricamente activos dado que están situados en lugares intersticiales
Aparece una reducción en la movilidad debido al daño producido en el substrato
Debido a los choques internos en el

semiconductor al realizar la implantación
produce un daño en la superficie del cristal
semiconductor.
Es necesario un posterior recocido (anneal) (a
Tª elevada) para reparar este efecto
Re-cristaliza.
Re-activa los dopantes.
Este recocido es delicado en GaAs.
También es un inconveniente la sofisticación y el

coste del Equipo Implantador que a
estudiaremos más tarde. Esquema (resumen) de las ventajas/desventajas
de la implantación iónica, así como de los
parámetros de una implantación-iónica típica
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Distribución de iones implantados: definición de parámetros típicos
Se definen los siguientes términos para caracterizar los perfiles (la distribución de
dopantes) de la implantación iónica:
Rango (R): Distancia recorrida por unión en el sólido.

Rango proyectado (Rp): Profundidad de penetración media bajo la superficie.
Desviación transversal (RT): Desviación standard en el plano perpendicular a la superficie.
∆Rp (desviación estándar o straggle).
Definición de los parámetros típicos de una Simulación de implantación de Boro

implantación iónica
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La distribución de iones (cualitativamente):
Los iones pesados (como el Sb) se frenan más

rápidamente que iones ligeros (como el B)
En media, la distribución de iones muestra un
máximo en una profundidad bajo la superficie.
Este pico define el parámetro de rango
proyectado: Rp)
IMPORTANTE:
Debido a la trayectoria aleatoria de los iones,
algunos iones separan más rápido y otros
iones tienen un viaje más largo originan
una distribución de rangos proyectados que
presenta una cierta desviación estándar:
∆Rp.
En 1ª aproximación, el perfil de
implantaciones puede ser descrito mediante
un distribución Gaussiana con un máximo en
Rp y una desviación estándar : ∆Rp
La distribución Gaussiana es
matemáticamente sencilla, aunque en la Perfiles de distribución (Gaussiana) de
realidad solamente se ajusta en la región del diferentes dopantes en Si (Energía
máximo. implantación= 200keV)
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La distribución de iones (de manera cualitativa):

Rp depende de la energía de implantación mayores energías dan lugar a rangos proyectados
más profundos
Para obtener una distribución de impurezas con un perfil profundo, se requieren:
Iones ligeros
Energías de implantación elevadas
Distribución de iones de Boro en Si para diferentes Rango de los dopantes más comunes en Si
energías de implantación en función de la energía de la implantación
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Rango proyectado en Si y SiO2. Desviaciones del rango.

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II. Procesos de dopado: Implantación iónica
EJERCICIO 1:
Dibujar aproximadamente los perfiles de impurezas si:
Se implantan impurezas de arsénico, boro y fósforo, con energía
de 300 keV y dosis adecuadas para que la máxima concentración
que se obtenga sea 1020 cm-3.
SOLUCION: De las gráficas obtenemos los valores de la situación

de los máximos de la concentración (Rango proyectado):
Arsenico= 0.15 µm.
Fósforo= 0.4 µm
Boro= 0.8 µm
También obtenemos los valores de las desviaciones del Rango:

Arsenico= 0.055 µm.
Fósforo= 0.1 µm
Boro= 0.1 µm
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El implantador, cuyo esquema aparece en la figura consiste básicamente de los siguientes bloques:
Una fuente de iones, en la que se produce el plasma de la impureza, normalmente a partir de una
fuente gaseosa de la misma (BF3, AsH3, PH3, SiH4) aunque puede producirse por evaporación o por
“sputtering” de una fuente sólida.
Mediante un ligero potencial extractor y un diafragma, el flujo deseado de iones son encaminados al
espectrógrafo de masas.
Espectrógrafo de masas, que desvía Placas ace-
Placas de-
los iones por la aplicación de un Diafragma leradoras
flectoras
campo magnético producido por las Selección
Oblea
bobinas del espectrógrafo. Ajustando
este campo se puede seleccionar el Espectrógrafo
ion que atraviesa el diafragma de de masas
salida
Columna de aceleración. Los iones
seleccionados en el espectrógrafo de
Haz de
masas son acelerados al atravesar iones
Lentes
diversos diafragmas de potenciales electrónicas
crecientemente negativos. (hasta unas
energías máximas y típicas de 300
KeV (algunas aplicaciones se alcanzar
algunos MeV).
mjmm@usal.es Fuente
de iones
Zona de focalización: El haz de iones seleccionado y acelerado es focalizado mediante las
correspondientes lentes electromagnéticas, que diminuyen su divergencia a valores en torno al grado
sexagesimal.
Zona de deflexión y barrido. Está formada, esencialmente, por placas de desviación electrostática.
Permiten:
Separar aquellos iones que han perdido energía en su camino por colisiones con residuos de gas o
las paredes del implantador
Realizar irradiación uniforme de la oblea mediante un barrido de la misma por el haz.
Cámara del blanco. En ella se

aloja la oblea u obleas a
implantar y se puede orientar
adecuadamente la muestra con
relación al haz y, en muchos
casos, hacer un control de
temperatura. Además se puede
medir (mediante un
culombímetro) la carga
aportada por los iones y
deducir, de ella, la dosis de
implantación, que oscila,
usualmente, entre 1011 y 1016
iones cm-2.
mjmm@usal.es
mjmm@usal.es
Parte final
mjmm@usal.es del equipo implantador
Espectrógrafo Diafragma Va Lentes Vacío

de masas Selección electrónicas
Placas ace-
Haz de Placas de- Oblea
leradoras
iones flectoras
A Fotografía del
Medidor
Implantador de alta
Fuente de flujo
de iones
energía, Eaton
HE3, mostrando el
haz de iones
impactando en la
estación de obleas
de 300 mm.
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Comparación de Perfiles de Dopantes: Difusión e Implantación Iónica
En la difusión, vimos que normalmente se realiza en dos fases:

Debemos recordar que en el proceso de difusión, el máximo de concentración se localizaba justo en la
superficie
La implantación iónica
Una dosis se distribuye justo bajo la superficie. Sin embargo, el máximo de concentración aparece en
una distancia: Rp
Posteriormente, (si se desea) los dopantes se redistribuyen mediante una fase de “recocido”:
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Efectos reales de la implantación iónica: acanalamiento
El acanalamiento o channeling ocurre cuando:

Un ión incidente encuentra una entrada hacia un espacio entre filas de átomos.
Ocurre si la velocidad del ión es paralela a una orientación principal del cristal.
Una vez que el ión entra, es guiado a lo largo del canal hacia distancias considerables la
distancia de penetración de un ión acanalado es mucho mayor que la de un blanco amorfo.
Se producen de manera inesperada perfiles de impurificación muy profundos en la
componente de concentración aparece una “cola” debido a la componente de acanalamiento
Efecto del acanalamiento en una dirección

privilegiada de la red cristalina
Esquema de un recorrido iónico en un monocristal mostrando
mjmm@usal.es el comportamiento acanalado y el “no acanalado” y sus
consecuencias en la concentración de dopantes
Efectos reales de la implantación iónica: acanalamiento
Para evitar este efecto,

se realiza una
inclinación de la oblea
7º en la dirección [110]
y una rotación de 30º
(110) (111)
Simulación virtual del

“channeling” en Si en
diferentes orientaciones
mjmm@usal.es (100) (100 con rotación e inclinación)

Recocido
Dependiendo del tipo de iones tendremos diferentes
daños:
Iones pesados (As, Sb, In) se frenan mediante
colisiones nucleares el daño es importante.
Iones ligeros como B y P Se frenan principalmente
mediante interacciones electrónicas La mayor parte
del daño ocurre al final de la trayectoria.
Temperaturas del recocido: Daño producido dependiendo del tipo de ión

T> 400ºC: de impureza
se eliminan defectos puntuales y
comienzan a activarse las impurezas.
External chamber
Se eliminan defectos en la interfase Si-
SiO2, de los dispositivos MOS.
Process
T> 1000ºC, se activan impurezas de Gas Quartz
iones ligeros y pesados implantadas. Chamber
Si es necesarias Tª elevadas se Esquema de
recurre entonces al recocido térmico un sistema de
recocido
rápido: RTA (Rapid Thermal rápido (RTA:
Annealing): Rapid Thermal
elevaciones/descensos/mantenimientos Annealing) Wafer
súbitos de temperatura hornos Pyrometer
especiales RTA. mjmm@usal.es
Tungsten-Halogen
Lamps
Implantación iónica a través del
óxido (SiO2)
Ventajas del Si en la fabricación de CIs la superficie del Si puede cubrirse por
una capa gruesa de SiO2.
La superficie de protección se mantiene mientras se realiza la implantación a través del
óxido de este modo la superficie del Si no es expuesta durante el proceso.
La implantación puede realizarse a través del

óxido de diferentes maneras:
El Perfil A: la capa del SiO2 en este caso sirve como
máscara en la práctica se utilizaría un grosor de
óxido mayor para impedir la penetración de Boro
El perfil B : deposita una gran dosis de Boro dentro del
Si útil en el dopado del semiconductor mientras a la
vez se mantiene su superficie cubierta por una capa de
pasivación. En este caso la capa de óxido sirve como
ventana de implantación
El perfil C: la mitad de la distribución de iones se
deposita en Si, mientras que el resto se mantiene en el
óxido. Idealmente, de esta manera se controla una
carga superficial en la interfaz Si-SiO2 .
NOTA: extremadamente importante para controlar el voltaje
umbral de los MOSFETs.
Implantación de Boro a través de SiO2. Capa de
SiO2 de 120 nm que cubre la superficie del Si
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Aplicaciones a dispositivos MOSFET
Fabricación de un MOSFET:
Actualmente las regiones de fuente y drenador no se forman mediante difusión.
Se utiliza una técnica de autoalineado (se usa el mismo proceso de máscara para realizar el
metal de la puerta que para el dopaje de la fuente y el drenador) junto con implantación.
Se forma la puerta con SiO2 y posteriormente una capa de polisilicio.
Se realiza una implantación iónica para formar las islas de fuente y drenador.
La puerta hace de máscara del canal durante la implantación y también se dopa el poli-silicio se convierte en conductor.
Al conseguir el auto-alineado de fuente y drenador se reduce el efecto de las capacidades de “overlap”.
Esta implantación y el posterior recocido puede modificar el dopaje de la interfaz Si/SiO2 de puerta
Se controla el voltaje umbral, que es proporcional a la carga:
QT ε ox
∆VT = q Cox =
Cox tox
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Distribución de dopantes después de la implantación.
mjmm@usal.es
Distribución de dopantes tras la implantación y el recocido.
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TEMA 5

Tecnología y fabricación de CIs

La impurificación de cristales es de total necesidad en Electrónica.

Los PROCESOS para dopar una capa SC:

Definición: Redistribución de átomos desde regiones de alta concentración de

Comparativa uso de difusión en Si vs GaAs:

Efectos reales en la difusión

Hornos de Difusión: Sistemas físicos para la realización de procesos de

Naturaleza Microscópica de la difusión: La difusión de átomos en una red

1. Intersticial: La impureza penetra en el cristal de forma

2. Substitucional: Un átomo salta desde un punto de la

3. Mecanismo “kick-out” o patada: Un átomo de

TEORIA de la difusión: (Teoría 1D de Fick) Las constantes de difusión

Primera ley de Fick de la Difusión:

Es similar a otras leyes en las cuales la causa es

El signo negativo el flujo produce la reducción

D = Difusividad o Coeficiente de Difusión D

Primera ley de Fick de la Difusión:

El coeficiente de difusión depende de la

EA: la energía de activación de la impureza

Existe un límite para la difusión:

Observar la solubilidad de impurezas como el

Solubilidad del sólido en Silicio

Segunda ley de Fick de la Difusión:

CASO PARTICULAR: D=cte: coeficiente de

2ª Segunda ley de Fick se reduce a:

1er CASO: Difusión desde una fuente ILIMITADA o constante

La concentración en la superficie se mantiene cte

La anchura de difusión aumenta con el tiempo

APLICACIONES: regiones de fuente y drenador de

2º CASO: Difusión desde una fuente LIMITADA

2º CASO: Difusión desde una fuente LIMITADA

Concentración de impurezas: evolución

SOLUCIÓN: buscamos la profundidad en la que la concentración

Sustituyendo D y t, ambos conocidos Obtenemos para la

Se difunde arsénico en una capa gruesa de silicio sin contenido

En la práctica, la difusión en microcircuitos se lleva a cabo a través de ventanas abiertas en

Podemos ilustrar los contornos de concentración de

Contornos de difusión al límite de una

Los requerimientos básicos que debe cumplir un sistema de difusión son:

El primer horno de difusión fue patentado en 1957:

La implantación iónica es un método de impurificación tanto de Silicio como de

Comparación entre técnicas de difusión (superior) y de

La profundidad a la que se localiza la impureza

Las colisiones con los núcleos del blanco hacen que se

Si el átomo del semiconductor recibe en una colisión una

Posibilita la introducción controlada de grandes dosis de impurezas en una región del

Ajuste del potencial umbral VT de conducción de los

Proceso de baja Tª al poder realizarse a Tª

La implantación iónica muestra ciertas desventajas o inconvenientes :

Debido a los choques internos en el

También es un inconveniente la sofisticación y el

Rango (R): Distancia recorrida por unión en el sólido.

Definición de los parámetros típicos de una Simulación de implantación de Boro

La distribución de iones (cualitativamente):

Los iones pesados (como el Sb) se frenan más

La distribución de iones (de manera cualitativa):

Rango proyectado en Si y SiO2. Desviaciones del rango.

SOLUCION: De las gráficas obtenemos los valores de la situación

También obtenemos los valores de las desviaciones del Rango:

Cámara del blanco. En ella se

Espectrógrafo Diafragma Va Lentes Vacío

En la difusión, vimos que normalmente se realiza en dos fases:

El acanalamiento o channeling ocurre cuando: