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Tecnologias de Semiconductores Altas Frec
Tecnologias de Semiconductores Altas Frec
Semiconductores para
Frecuencias más Altas
E
l rango de ondas milimétricas (30-300 en el juego.
GHz) no está bien utilizado, excepto En este artículo, se presenta una vista panorámica
en su parte baja. Las nuevas de los dispositivos activos de semiconductores
aplicaciones en imagenología, disponibles para aplicaciones a 100-GHz y 100-Gb/s,
seguridad, basada en las
medicina,
transmisiones
y André Scavennec, propiedades de los
semiconductores y los
inalámbricas de Marko Sokolich, e requisitos de los
corto alcance, así como la dispositivos. Se
siempre creciente tasa de Yves Baeyens describen entonces las
transmisión de datos por fibra tecnologías de uso más
óptica podrían cambiar esta (Traducción por Dr. Roberto S. Murphy, INAOE, común, y se presenta el
situación rápidamente [1],[2]. Tonantzintla, Puebla, México) estado de las
Durante las últimas tres tecnologías en
décadas, las tecnologías III-V (GaAs y InP) se han competencia en dos áreas distintas: divisores de
expandido progresivamente en todo el rango de frecuencia, que ilustran la capacidad de una
ondas milimétricas. Más recientemente, y debido al tecnología para circuitos digitales de alta velocidad,
escalamiento continuo de los procesos, las y osciladores, que ilustran su comportamiento para
tecnologías basadas en silicio también han entrado aplicaciones en circuitos analógicos.
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André Scavennec (andre.scavennec@3-5lab.fr) está en Alcatel Thales III-V Lab, Route de Nozay, 91460, Marcoussis, Francia.
Marko Sokolich (MSokolich@hrl.com) está en los Laboratorios HRL, Malibú, California, 90265-4797, EUA.
Yves Baeyens (baeyens@alcatel-lucent.com) está con Bell Labs, Alcatel-Lucent, Murray Hill, Nueva Jersey, 07974, EUA.
Tabla 1. Propiedades de materiales semiconductores: Banda prohibida de energía (Eg) y voltaje de ruptura
(Vbr), movilidad de electrones y huecos (e y h, respectivamente), y velocidad de saturación (vsate, vsath para
electrones y huecos, respectivamente [4]).
TABLA 2. Las heterouniones más comunes y sus principales aplicaciones en microelectrónica. En esta tabla,
Eg indica la diferencia en bandas de energía entre los dos materiales, mientras que Ec es la discontinuidad en
banda de conducción.
Heterounión Características Aplicaciones
Heterouniones de HBTs de SiGe; el SiGe
Material Tensionado
Si/Si0.8Ge0.2 también se usa en CMOS de ingeniería por
Eg=0.18eV; Ec=0.03eV
tensión
Red apareada Estructura de Barrera/Canal para HEMTs y
Al0.3Ga0.7/GaAs
Eg=0.4eV; Ec=0.25eV unión emisor‐base de HBTs de GaAs
Unión Emisor‐Base para HBTs de GaAs; se
Red apareada
Ga0.5In0.5/GaAs considera que proporciona mayor
Eg=0.48eV; Ec=0.17eV
confiabilidad que AlGaAs
Tensionado Estructura de Barrera/Canal para HEMTs
Al0.3Ga0.7/In0.2Ga0.8As
Eg=0.7eV; Ec=0.45eV pseudomórficos
Red apareada Unión de Base‐Emisor para HBTs de InP, y
InP/In0.5Ga0.5As
Eg=0.6eV; Ec=0.25eV unión Colector‐Base de D‐HBTs
Heterounión de Barrera/Canal para HEMTs
Red apareada de red apareada en InP, así como en
Al0.5In0.5As/In0.5Ga0.5As
Eg=0.7eV; Ec=0.52eV HEMTs metamórficos en substrato de
GaAs
Tensionado Heterounión Barrera/Canal en HEMTs de
Al0.3Ga0.7N/GaN
Eg=0.85eV; Ec=0.55eV GaN (con substrato de zafiro, SiC o Si)
De Transistores a Circuitos
La sección anterior ilustra las características de los
Figura 2. Microfotografía de un DHBT de InP con
distintos procesos disponibles para dispositivos
emisor de 0.6 m de ancho antes de interconectarse. activos. Estos dispositivos son la llave para abrir la
El HBT se fabrica con un proceso autoalineado de puerta al rango de frecuencia sobre los 100 GHz,
triple mesa [18]. pero no son suficientes. También se necesitan
medios adecuados para transformarlos en circuitos
En años recientes, con la disponibilidad de funcionales, lo que implica áreas específicas de
procesos de compuertas muy cortas (ahora en el desarrollo para líneas de transmisión, componentes
rango de 45-90 nm), se han reportado muy altas pasivos y tierras. Debido a estos factores, las
frecuencias de corte para transistores MOS de canal n características de los dispositivos se traducen a áreas
(Ft > 200 GHz) [22]. Estos resultados, que van de de aplicación en las que un proceso puede ser más
acuerdo con el International Roadmap for adecuado que otros.
Semiconductors (ITRS), han sido obtenidos de la Actualmente, uno puede identificar áreas
reducción en longitud de compuerta a niveles antes específicas en las que un proceso destaca, como se
restringidos al (expansivo) proceso de definición de muestra en la Tabla 3.
compuerta por haz de electrones de los HEMTs III-V, Esta tabla nos da una imagen de la evolución del
así como de las múltiples y continuas evoluciones de estado del arte. Esta imagen se sustenta en la
la estructura MOS. Al igual que para la estructura siguiente descripción de dos tipos ilustrativos de
HEMT, el desempeño es mejorado por un canal de circuitos. El progreso en circuitos específicos de
mayor movilidad (obtenido, por ejemplo, con un ondas de luz de 100 Gb/s se trata en un artículo por
canal tensionado de silicio), y al mantener una T. Swahn, Y. Baeyens y M. Meghelli en este ejemplar
favorable razón de aspecto entre el espesor del óxido [53].
Osciladores (VCOs) como Referentes de Figura 4. Vista panorámica del ruido de fase
reportado (a 1 MHz de la portadora) para osciladores
Tecnología de ondas milimétricas implementados en distintas
Los osciladores controlados por voltaje (VCOs) son
tecnologías.
Figura 5. (a) Diagrama esquemático y (b) vista del patrón geométrico de un oscilador push-push de D-HBT de InP
[52].