Codificación:

INGMCT-G-141
Número de Revisión No.:
Guías de Prácticas de Laboratorio Páginas:

Fecha Emisión:
Laboratorio de: Electrónica y Laboratorio
Título de la Práctica de Laboratorio: EL DIODO Y SUS APLICACIONES

Elaborado por: Revisado por: Aprobado por:

DOCENTE(S) JEFE DE AREA DIRECTOR DEL
SERGIO CHAPARRO Y DARIO AMAYA HURTADO PROGRAMA
ANDRÉS CASTRO
 GUÍA PARA LABORATORIO DE ELECTRÓNICA

LABORATORIO 1

EL DIODO Y SUS APLICACIONES.

1. FACULTAD O UNIDAD ACADÉMICA: INGENIERÍA

1. PROGRAMA: MECATRÓNICA

1. ASIGNATURA: ELECTRÓNICA

1. SEMESTRE: CUARTO

1. OBJETIVOS:

Describir y graficar la operación de un diodo semiconductor en las regiones de

polarización directa y polarización inversa.

Diseñar, simular y montar circuitos con diodos para verificar su desempeño como
limitador, rectificador y reguladores de tensión.

1. COMPETENCIAS A DESARROLLAR:

Competencia genérica:

Investigar: 1) Las acciones practicas dan lugar a reflexiones teóricas. 2) La descripción

de situaciones, soluciones o fenómenos discrimina sesgos que el propio punto de vista
puede estar introduciendo en ella. 3) El significado de datos cuantitativos puede ser
interpretado como una cualidad o un conjunto de ellas. 4) Los informes sobre acciones
prácticas y experimentales logran un nivel adecuado de detalle.
Competencia Específica:

Investigar: 1) los fenómenos o procesos se explican usando conceptos y principios

matemáticos. 2) estos fenómenos y procesos se representan gráficamente.
Diseñar: 2) Los modelos matemáticos presentados son analizados en diferentes
situaciones que permiten experimentar con los resultados.

1. MARCO TEÓRICO:

La unión pn (el diodo)

La unión se forma al introducir dopantes tipo n y tipo p en dos regiones adyacentes
dentro de un material semiconductor (figura 1). A esta unión también se le conoce
como diodo y es uno de los dispositivos semiconductores más simples con gran
cantidad de aplicaciones. De acuerdo a la tensión que se aplique sobre la unión,
esta puede encontrarse en equilibrio, polarización inversa o polarización directa.

Unión pn en equilibrio

Un diodo se encuentra en equilibrio cuando no tiene conectado nada en sus

terminales. En esta condición las corrientes de difusión generadas por el gradiente
de concentración entre las regiones n y p, son canceladas por las corrientes de
deriva producto del campo eléctrico generado en la zona de agotamiento. Este
campo eléctrico genera la barrera de potencial o potencial intrínseco (Vo) en los
diodos y se representa bajo la siguiente expresión:

donde K es la constante de Boltzman, T es la temperatura en Kelvin, q es la carga

del electrón, NA y ND son las concentraciones de dopantes del lado p y n
respectivamente, y ni es la concentración intrínseca del material semiconductor.

Unión pn en polarización inversa.

Un diodo se encuentra polarizado inversamente cuando la tensión aplicada tiene su

terminal negativo conectado al ánodo del diodo y el terminal positivo al cátodo
(Figura 2).

En esta condición, el campo eléctrico de la fuente (E R) se suma al campo eléctrico

de la zona de agotamiento E e, aumentando el tamaño de la misma e impidiendo el
flujo de corriente eléctrica. Polarizado inversamente el diodo se comporta como un
capacitor controlado por tensión de acuerdo a la expresión:

donde Cj es la capacitancia de unión por unidad de área, C j0 es Cj cuando VR=0, VR

es la tensión aplicada, Vo es el potencial intrínseco y si es la permitividad del Silicio.

Unión pn en polarización directa

Un diodo se encuentra polarizado directamente cuando la tensión aplicada tiene su
terminal negativo conectado al cátodo del diodo y el terminal positivo al ánodo
(Figura 3).

En esta condición el campo eléctrico generado por la tensión V f se opone al campo

eléctrico en equilibrio Ee permitiendo de nuevo el flujo de la corriente de difusión.
Polarizado directamente el diodo permite el flujo de corriente la cual se expresa
mediante la expresión:

donde Is es la corriente de saturación reversa, V f es la tensión aplicada, VT =KT/ q es

la tensión térmica, Dn y Dp son las constantes de difusión del lado n y p de la unión
respectivamente, Ln y Lp son las longitudes de las regiones n y p respectivamente.

Modelado en gran señal del diodo.

Para modelar el comportamiento del diodo en gran señal existen tres modelos
fundamentales, el modelo exponencial, el modelo de tensión constante y el modelo
ideal (figura 4).

Modelo exponencial
En el modelo exponencial (figura 4a), la corriente para cualquier valor de tension
que soporte el diodo está representada por la ecuación exponencial presentada
para el diodo polarizado directamente. Es la expresión más exacta para analizar el
comportamiento del diodo, sin embargo, lleva a sistemas de ecuaciones no lineales
cuya solución es tediosa.
Modelo de tensión constante
En este modelo (figura 4b)), se asume el diodo como un diodo ideal en serie con
una fuente de valor VD,on. Este modelo se extrae de considerar que una vez V D
alcanza un cierto valor en el modelo exponencial, la corriente continua variando
mientras VD se mantiene casi constante. Este modelo lleva a sistemas de
ecuaciones lineales, introduce errores tolerables y por eso es el más usado para el
análisis de circuitos con diodos.
Modelo ideal
El modelo del diodo ideal (figura 4c)) considera el diodo como un interruptor. Este
modelo introduce errores considerables pero permite la inspección rápida de la
operación de un circuito.

Aplicaciones del diodo

Los diodos se usan en una gran cantidad de aplicaciones, entre las mas conocidas
se encuentran los circuitos rectificadores, los reguladores de tensión y los
limitadores.

Rectificadores
Un circuito rectificador se encarga de convertir una señal de corriente alterna (AC) a
corriente continua (DC).
Los rectificadores más conocidos son el de media onda y onda completa.

Rectificador de media onda: Este rectificador se muestra en la figura 5. El diodo

se encarga de eliminar el ciclo negativo de la señal alterna de entrada. Durante el
ciclo positivo el capacitor C1 se carga y en el negativo ocurre la descarga a través
de la resistencia de carga RL , obteniendo el comportamiento de la figura.

Para que el tiempo de descarga del capacitor sea mayor y asobtener una mejor
rectificación, el valor de C1 (capacitor de suavizado) debe ser alto. A la diferencia
entre el valor pico de la señal de salida (V p VD,on) y el mínimo alcanzado durante la
descarga se le conoce como tensión de rizo (V R) y se expresa como:

Vp y fin son el valor pico y la frecuencia de la señal de entrada e I L es la corriente de

carga.

Recitador de onda completa: Este rectificador disminuye el rizo al disminuir el

tiempo de descarga del capacitor, mediante la inversión del ciclo negativo de la
señal de entrada en vez de anularlo (figura 6).

El rizo para este rectificador se expresa como:

Las ecuaciones para VR de los rectificadores se aproximan bastante al valor real, si

el valor del rizo deseado es inferior al 10 % del valor pico de la señal de entrada.
 Reguladores de tensión
Un regulador es un circuito que se encarga de mantener una tensión DC a la salida
constante en presencia de variaciones de la tensión DC de entrada. En la figura 7
se presentan dos tipos de reguladores, uno aprovechando la tensión V D,on del diodo,
y el otro aprovechando la región de ruptura mediante un diodo zener para el cual se
presenta su relación entrada-salida.

Limitadores

Un limitador es un circuito que ja un nivel máximo o umbral de señal tolerable. Por

debajo de dicho nivel, la salida del circuito equivale a la entrada, sin embargo, si el
nivel de entrada excede el umbral, la salida quedara limitada al valor máximo
definido. En la figura 8 se muestra un circuito limitador con su característica
entrada-salida y su respuesta ante una entrada AC.

Preguntas previas para el desarrollo de la práctica

¿Qué representa la tensión intrínseca del diodo?

¿Cuál es la función de un circuito rectificador?
¿Cuál es la función de un regulador de voltaje?
¿Cuál es la función de un circuito limitador?
¿Cómo puede disminuirse la tensión de rizo en un rectificador? Justificar.

1. MATERIALES, REACTIVOS, INSTRUMENTOS, SOFTWARE, HARDWARE O

EQUIPOS:

• 8 diodos 1N4007,
• resistencias de 1/2 Watt: 2 de 1 KΩ, 2 de 51Ω , 2 de 510Ω y 2 de 10Ω
• Capacitores de más de 20V:1 de 10 uF y 1 de 50 uF
• Multímetro (Amperímetro).
• Multímetro (Voltímetro).
• Potenciómetros de 1K.
• Fuentes de voltaje.
• Cables de conexión.
• Caimanes.
• Protoboard.
• Materiales para circuito de diseño.

1. PRECAUCIONES CON LOS MATERIALES, REACTIVOS, INSTRUMENTOS Y

EQUIPOS UTILIZAR:

Los equipos deben ser entregados al laboratorista en el mismo estado en el que

fueron prestados al estudiante.
Tener cuidado con no exceder voltajes y corrientes.

1. CAMPO DE APLICACIÓN:

• Electrónica
• Sensórica
• Electrónica de potencia
1. PROCEDIMIENTO, METODO O ACTIVIDADES:

1. Usando el multímetro medir la tensión V D,on de cada uno de los diodos 1N4007 y
reportarla en la tabla 1.Hacer el dibujo del diodo identificando sus terminales en la
figura 9. La medición del potencial intrínseco se realiza en la opción de diodo del
multímetro.

2. Para el circuito de la figura 10, si D1 y D2 son diodos 1N4007:

a) Usando el valor de VD,on obtenido en el ítem anterior, con R1 = R2=1KΩ y

VB2=1.5 V, extraer teóricamente la característica entrada-salida, reportarla en la figura
11.

b) ¿Qué tipo de circuito tiene una característica entrada-salida similar?

-Los circuitos de tipo reguladores y limitadores pueden presentar configuraciones

similares a las del circuito de la figura 11.

c) Realizar el montaje del circuito en la protoboard usando los valores dados en a) y

una fuente DC para Vin. Variar la fuente como se indica en la tabla 2 y medir V out.
Reportar los datos obtenidos y graficar estos puntos en la figura 12.

d) Si Vin es una señal senoidal de valor pico 5 V y frecuencia de 1 KHz aplicada con el
generador de señales. Visualizar las señales de entrada y salida en el osciloscopio y
reportarlas en la figura 13. ¿El resultado está de acuerdo a la característica entrada-
salida obtenida en a) y b)?
3. Realizar el montaje del rectificador de onda completa de la figura 14. Si los diodos
son 1N4007, R1=10Ω,RL=510 Ω y C1=10 uF :
a) Usando en el generador de señales, colocar una entrada de 10 voltios pico y 1KHz
de frecuencia, y observar en el osciloscopio las tensiones de entrada y salida. Calcular
la tensión de rizo, compararla con el valor medido y reportar los gráficos visualizados
en la figura 15.

b) Reemplazar el capacitor por uno de 50 uF y reportar los nuevos valores calculado y

medido de la tensión de rizo.

c) Manteniendo el capacitor del ítem anterior, aumentar la frecuencia de la señal de

entrada a 5 KHz y verificar en el osciloscopio las tensiones de entrada y salida. Que
sucedió con la tensión de rizo? Justificar.
4. Realizar el montaje del circuito de la figura 16 usando diodos 1N4007, R1=10Ω,
R2=51Ω , RL=510Ω y C1 =10 uF.

a) Aplicar una tensión de entrada de 8 V pico y 1 KHz de frecuencia y visualizar la

tension de salida y la tensión Vrect. Bosquejar en la figura 17 Vin, Vout y Vrect, y explicar a
qué corresponde cada una.
b) Variar el valor pico de la entrada en ±2 V y vericar V out. Reportar en la tabla 3 los
valores promedio de Vout obtenidos y calcular la regulación de línea para V in=8 Vp.

5. Diseño. Diseñar una fuente de voltaje de 12v regulada por diodos zener, con un
factor de rizo menor al 3% en el capacitor, un factor de regulación menor al 5% y
una carga variable entre 50Ω y 100Ω. Sustentar circuito y Diseñar PCB.

1. RESULTADOS ESPERADOS:

Cálculos, simulación y medición en laboratorio en los cuales el estudiante entiende lo

que hay detrás de los resultados y propone mejoras con base a lo analizado y a los
resultados obtenidos.

1. CRITERO DE EVALUACIÓN A LA PRESENTE PRÁCTICA

• Preparar el laboratorio con anterioridad, cálculos y demás puntos solicitados.
• Simulaciones.
• Montaje.
• Análisis de los resultados.
• Informe.
• Diseño PCB (Printed Circuit Board).
1. BIBLIOGRAFIA:
1
BOYLESTAD Robert L y NASHELSKY L. Teoría de Circuitos y Dispositivos
Electrónicos.10 ed. Estado de México: Pearson Educación, 2009.p. 1-49.
2
DONALD Neamen, A. Dispositivos y circuitos electrónicos. 4 ed. New York:
McGraw-Hill,2010.p.9-54.
3
SEDRA Abel y Smith Kenneth. Circuitos Microelectronicos,4ed.Mexico: Oxford
University Press,1999.p.139-217.