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  • Capitulo IV Sistema Cristalinos

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    Capitulo IV Sistema cristalinos

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    PPO PPOPDODPPPPD-PrPDDIDI-IPPPPPPPIDPPPPPED PP PPP PPPRPPDD DDD? Ciencia de los Materiales CAPITULO Sistemas Cristalinos POOP FPOPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPDPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPDD DDD DP Capitulo SISTEMAS CRISTALINOS ESTRUCTURA CRISTALINA CRISTALINIDAD Los materiales sélidos pueden clasficarse segin la regularidad con que se sitian sus dtomos o iones uinos respects a otros. Los materiales cristalinos presentan un orden en la disposicién repettiva o periédica de sus dtomtos, iones 0 moléculas, no sélo a corto aleance, sino en todo el material (a largo alcance). produciéndose tin patrén tridimensional repetitivo. Los materiales amorfos, por el contrario, no presemtan orden a largo alcance, aunque st pueden presentar orden a corto alcance, 5 Los materiales amorfos, al no presentar un ‘orden establecido, no poseen direcciones privilegiadas, comportindose de la misma forma en todas las direcciones, ya que carecen de orden en la distribucién atémica. ‘Acestos materiales se les denomina materiales isétropos. En los distintos sistemas cristalinos existen distintas direcciones principales. Dependiendo de la direccién en que hagamos trabajar al material, el material presentard distinto comportamiento, denomindndose a estos materiales materiales anisétropos. Sin embargo, en los materiales que presentan isotropia (como por ejemplo los metales), no todas las celdillas estin orientadas en la misma direccién, debido a que la orientacién de los cristales durante su solidificacion se produce al azar. Por ello, dichos materiales presentan simulténeamente isotropia y anisotropia, aunque la primera de ellas predomina, CELDILLA UNIDAD La distribucién regular de los étomos o iones permite que toda la superficie tridimensional se pueda conseguir mediante una reticula, Dicha reticula es una extensién en los tres ejes de una celdilla unidad. La celdilla unidad es la unidad estructural fundamental de los solidos cristalinos que se repite por todo el material a modo de patrén, La celdilla unidad de 1a mayoria de las estructuras cristalinas estd constituida por paralelepipedos o prismas con tres pares de caras paralelas. La dimensiGn tipica (a) de dichas celdillas unidades es del orden de 0.3-10 metros, lo que representa que en un milimetro de longitud existen 10° cetdillas unidades. Jo cual nos da una idea del tamafto que poseen dichas celdilas unidad, coe ih En la representacién de las celdillas unidad suelen emplearse dos modelos diferentes: considerando a los ftomos esferas sélidas con diémetro definido (modelo atémico de esferas rigidas) 0 bien considerando a los. ‘itomos meros puntos dentro.de la celdilla unidad (modelo atémico de esferas reducidas). ) o Figura 4.1 Repesentacion de a Celdla Unidad a) mean fear rigid, 0) Panis eras reduc RETICULOS CRISTALINOS ” C ‘Figura U2 (a) Ratclo espacial Gun sido Sidalino Wea, (b)Celda una dl retcao spac Los reticulos cristalinos, que como ya se dijo anteriormente, son la repeticién sucesiva de la celdilla ‘unidad, permiten reproducir todo el cristal, definiendo por tanto la estructura cristalina. Se suele emplear a menudo en estructuras cristalinas el termino red, significando en este contexto la disposicién tridimensional de puntos coincidentes con respecto a las posiciones de los étomos (0 centros de las esferas). ‘Asi mismo, para definir algunas estructuras cristalinas es necesario establecer més de una celdilla unidad. A dichos materiales que presentan varias formas de cristalizar se les denomina formas alotrépicas. A diferentes temperaturas, a dichos materiales (como por ejemplo el hierro y el titanio) les puede resultar més favorable energéticamente el convertirse en un determinado sistema cristalino. Sin embargo, generalmente se usa la celdilla unidad que tiene mayor nivel de simetria geométrica. Hierro hguido 1599 Hiro delta 181 (BCC 04 Hiewro gamma 1 (FCC Hierro aa (2) (BCC) ‘Temperatura ma Figura 43, Formas alotpioaseritalinas dl hero en Gon rags de eiperatura a presion atmos. CC COCECEECCECECOCECECECEECECECECECOECECEECEECEOCOECOCOCOCOOCOECOOCOCOCCOOCEEA DOPOPPPPPD PDA PPPPPPAPPPPPPPPPPP PPP PDO DPD PPP PP PDP POPP PP PPP PPPPP DDD (ELT eae namnc lament cete R et amMMMI La definicién de un sistema cristalino se realiza mediante la geometria que presenta la celdilla unidad, ‘en concreto, las relaciones entre los tres lados y los tes angulos de la celdilla unidad. Esto nos ofrece los siete sistemas cristalinos principales. Pero debido a que los dtomos (0 iones) que conforman el reticulo pueden disponerse de distinta forma dentro de las celdilas unidad, se obtienen catorce reticulos distintos (denominados reticulos 0 redes de Bravais) en funcién de la posicién relativa entre los atomos dentro de la celdilla unidad. La obtencidn de estas redes de Bravais se produce mediante un desdoblamiento de las posiciones de los ‘itomos dentro de Ia celdilla unidad. Dichos desdoblamientos pueden ser de cuatro tipos diferentes: sencillo (atomos s6to en los vértices) centrado en cuerpo (sencillo con un dtomo en el centro de la celdilla) centrado en caras _(sencillo con dtomos en el centro de las caras de la celdilla) centrado en bases _(sencillo con dtomos sélo en el centro de las bases de la celdilla) Para realizar la clasificacién de las celdillas unidad atendiendo a la geometria de la misma, se establece un sistema x. y.z de coordenadas cuyo origen coincide con el vértice de la celdilla unidad, donde los ejes x. ». coinciden con las aristas del paralelepipedo que salen de este vértice. La geometria de la celdilla unidad se define en funcién de seis pardmetros: la longitud de tres aristas a, 6 . ¢ y los tres Angulos interaxiales a. B, 7 entre los distintos ejes. Figura Ci Cedila wnlad co los gs de cordevads = ‘que sia as longtes de a arnt (2, b,c) Yl snl interaxiles (2, B, 1) DOOD PO POD ODDO DOO PO DODO PDP DP DODO PP PPP PDPDPD DOPOD DDD DODO DODD DDDDDDDD = jo ayn mote ore ; TP ‘oftiouas ootunfou, { Othe den oeqer oD1uyfa13, 2509 tj U2 opem2d a21u/90u0 Wy =F ous cotuso0u0yy dea-k=m _ozqee ooymy20u0p ee eee eaten ny uss eouppoquion, ¢ oeindan 9-0-8 ootapp0quoy sexta se] uo openuzo o21qug1s0110 0809 st] 9 openua> oaiqug.1049 odsano [9 Ua OpesUa9 OoIqUIQIOLC) a o1piouas o91qus93s0x0 iL O6=h=f=0 a¥qee oarquig2s0130, odrano jo ua openuso yeuoderray, oftouss jeuoBenay, oak=j=p dearer reuodesnoy, sesva so uo opestso 02140.) fal Uw ‘diana {2 ua opestus9 09190), ia) onewsrconro| (LL | asnteden _ osare oan Taree sopepcesaiuy soreyre somes sojnapong sonauy —__sapnuiuoy | omeysiz3 eworsig POOP PPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPP PPP PPP PPP PP PPPPPPDDDD ESTRUCTURAS CRISTALINAS PARAMETROS CARACTERISTICOS DE LA CELDA UNIDAD 8 Naimero de stomos en la celda unidad. 8 Namero de coordinacién. Es el mimero de étomos de la celda unidad en contacto con otros jomos de la red. ‘Factor de empaquetamiento atémico (FEA). Es la relacién del volumen sélido ocupado por los ‘tomos de la celda unidad en relacién al volumen total de Ia celda unidad. La mayoria de los metales comunes, y entre ellos os metales tipicos en aplicaciones aeronduticas. cristalizan en una de las tres estructuras cristalinas siguientes: ctibica centrada en el cuerpo (hierro), cibica centrada en las caras (aluminio) y hexagonal compacta (titanio). - | Bel ae Figura 06. Caldas unitarias dels prncpales cavucturas csalinas meio (@) Ciba centadaen el cuerpo, () Ciba eznrada en as caras, 5 (@) Hexagonal compacts, a ESTRUCTURA CRISTALINA CUBICA CENTRADA EN EL CUERPO La estructura cristalina cibiea centrada en el cuerpo (BCC, Body Centered Cubic) es una celdilla ciibica que tiene étomos localizados en los ocho vertices del cubo y un étomo en el centro del cubo. Los dtomos del centro y de los vétices estén en contacto mutuamente a lo largo de las diagonales del cubo. ee "Figara 47, Colds nian para coructras BCC. © Nimero de dtomos Cada celdilla unidad BCC tiene asociados 2 dtomos. Un dtomo equivalente a un ‘octavo de cada uno de los acho atoms de los vértices, que son compartidos con otras, ‘ocho celdillas unidad, y el 4tomo del centro de la celdilla, que no es compartido, 14 (602) = 24am © Nimero de coordinacién Cada dtomo situado en el centro de la celdilla esta rodeado por 8 stomos situados en los vertices de la celdilla. © Factor de empaquetamiento atémico El factor de empaquetamiento en la BCC es 0.68, que resulta menor que el factor de empaquetamiento correspondiente a la FCC. debido a un nimero de coordinacién ‘menor. fiz PEEL © Relacién de la arista del cubo a y el radio atémico R F de una cara + arista’ cubo = diagonal” cubo) aR 4R)? => Jia=4R > a= 28 vie B © Volumen de dos esferas (mimero de dtomos) Yee teensex?) 7 L x(4nr?) 2«(4ar? 7 pantie” Ge) ate) \ via = 48 © Volumen del cubo de arista de longitud a Ve =a? ESTRUCTURA CRISTALINA CUBICA CENTRADA EN LAS CARAS La estructura cristalina eibica centrada en las caras (FCC, Face Centered Cubic) es una celdilla ciibica que tiene dtomos localizados en los ocho vértices del cubo y un tomo en el centro de todas las caras del cubo. Los atomos del centro de las caras y de los vértices estén en contacto mutuamente a lo largo de tas diagonales de las caras del cubo. ‘Figura 48, Celdasuntaras para structuras FOC. © Namero de étomos Cada celdilla unidad FCC tiene asociados 4 dtomos. Un 4tomo equivalente a un octavo de cada uno de los ocho atomos de los vértices, que son compartidos con otras ocho celdillas unidad, y los restantes tres étomos corresponden a las mitades de los seis ‘étomos centrados en las caras, que sélo son compartidos con dos celdillas. (003) (6x8) «stone © Namero de coordinacién Cada dtomo situado en el centro de una cara esté rodeado por 12 atomos, de los cuales cuatro dtomos corresponden a los de los vertices de la celdilla, otros cuatro atomos corresponden a dtomos centrados en las caras de su propia celdilla y la siguiente celdilla por detrds (segiin un plano horizontal usado como referencia centrado en el tomo centrado en la cara), y os iltimos cuatro Stomos corresponden a los andlogos los cuatro étomos anteriores centrados en las caras de su propia celdilla y la siguiente celdilla por delante (segin un plano vertical usado como referencia centrado en el tomo centrado en la cara). © Factor de empaquetamiento atémico EI factor de empaquetamiento en la FCC ¢s 0.74, méximo empaquetamiento posible para esferas rigidas de! mismo tamafi. CECOCEECECEECOECCOCECECECECECEETECEEEECECECECEECEECEECEEEECEE CE OEEEE POOP PPPPPPPRAPPPPPPPPPPPPPPPPOPPOPPPPPPPPDOPPPPP PP PPP PPPPPPDDD © Relacién de la arista del cubo a y el radio atémico R (arista’ de cubo + arista“.de cubo = diagonal” de cara) : rn inf = fae maa oy t © Volumen de cuatro esferas (nimero de dtomos) Ve = 4 esferas (8) © Volumen del cubo de arista de longitud a 7 Ve=a? ESTRUCTURA CRISTALINA HEXAGONAL COMPACTA La estructura cristalina hexagonal compacta (HC) es una celdilla hexagonal prismatica que consiste en una base superior ¢ inferior hexagonal con los étomos localizados en sus seis vértices yun tomo en el centro de cada base, Entre ambos planos se sitia un plano con tres dtomos adicionales dispuestos en tridngulo. Esta celdilla unidad es més corta que la celdilla hexagonal correspondiente a la red de Bravais, Existe una relacién teérica entre la altura del prisma y la arista del hexagono que es tedricamente 1.633, aunque en algunos metales esta relacién se desvia del valor ideal, déndonos una idea de su deformacién con respecto ala celdilla teérica, oh @ = Figure 49. Colds ontarias para eracaras HC. x © Namero de atomos : Cada celdilla unidad BCC tiene asociades 6 dtomos. Dos atomos equivalentes a los doce dtomos situados en los vértices de los hexagonos de los planos superior ¢ inferior. que contribuyen cada uno con un tercio, al ser compartidos con otras tres celdillas unidad, pero de ese tercio sélo se emplea la mitad al estar compartido entre dos celdillas, una superior y la otra inferior, un dtomo que corresponde a las mitades de los, dos atomos centrados en el centro de los planos superior ¢ inferior, que sélo es es compartido con dos celdillas; y los tres atomos del plano central de la celdilla, que no * son compartidos. Q (oreo) © Namero de coordinacién Cada dtomo situado en el centro de cada plano superior ¢ inferior estd rodeado por 12 Atomos, de 10s cuales seis corresponden a los de los vértices del hexégono del correspondiente plano, otros tres Stomos corresponden a los tres étomos situados en el plano central'de la celdilla superior al plano hexagonal considerado. y los restantes {res dtomos corresponden a los tres dtomos situados en el plano central «. fa celdilla inferior al plano hexagonal considerado. tomes Pree EEE © Factor de empaquetamiento atémico El factor de empaquetamiento en la HC es 0.74, maximo empaquetamiento posible para esferas rigidas del mismo tamafo. © Relacién de la arista del cubo a y el radio atémico R (diagonal del hexgono = didmetro de dos étomos) 2a=4R > a=2R © Volumen de seis esferas (mimero de étomos) Vg = Gesferas ($<) © Volumen del prisma hexagonal de arista de longitud a (volumen de seis prismas de base triangular equilétera) Ne =6 fanculosxex( taxa cos") (ie) We Gnen(Faava co] ($x) : 6x Exax(4xaxa cos 60) ae DENSIDAD La densidad volumétrica que presenta una celdilla unidad de una estructura cristalina representa, al igual que cualquier otra definicién de densidad, la cantidad de masa contenida por unidad de volumen, Debido a ‘que la masa en el caso de estructuras crstalinas estérelacionada con la cantidad de Stomos contenidos en una celdilla unidad, se define la densidad volumétrica mediante la expresion M _ Ne PM} PV VeNa donde: Ne es el nimero de atomos en Ta celdilla unidad. PM es el peso atémico 0 molecular de Ia especie quimica. \Vces el volumen ocupado pot la celdila unidad. Ny esl Nimero de Avogadro (6.023 10” Stomos por mol). Realizamos un ejemplo para el wolframio (estructura cristalina cibica centrada en el cuerpo BCC) cuyo peso atémico es de 183.6 ra mos zetomoy/ x 136 aot celda * 6023 x 10" atomo . > Yl = 0p1g998"#M09/ 3 =18.998F8mos/ v (0318 x10) mm// 4, mm cm DENSIDAD LINEAL La densidad lineal representa la fraccién de longitud de linea de una direccién cristalografica que pasa a través de los centros de los étomos de una celdilla unidad de estructura cristalina, representados como esferas. donde: L,es la longitud de linea que intersecta con los étomos. Lres la longitud de linea dentro de la celdilla unidad. COC COOCCOCOCOCOCOCOCOOCEECOEOCOECOCEOCOCOCCECEOEECEOEOCECOEOCOCOCCOCOCOEOCOECOOCOCCECOL EOE DPOPOPPPPPIPPPPOPPPPPPPPPPDPP PPP DPD PPPPPPPPPPPPP PPP P PPP PP PDDDDD BSS GIT GSEs ce DENSIDAD PLANAR La densidad planar representa la fraccién del drea del plano cristalografico ocupado por étomos de una celdilla unidad de una estructura cristalina, representados como esferas. El plano cristalogrifico considerado debe pasar a través del centro de los dtomes. pp = A donde: A, es el area ocupado por los étomos, sabiendo que el érea de una circunferencia es R° A, sel érea del plano cristalografico dentro de la cella unidad. REPRESENTACION CRISTALOGRAFICA REPRESENTACION DE CELDILLAS ‘AL hablar de sistemas cristalinas, es conveniente especificar planos cristalogrificos y direcciones cristalogrificas concretas, para lo cual se emplean tres indices enteros. Los valores de estos indices enteros se determinan basindose en un sistema x, y, z de coordenadas cuyo origen coincide con el vértice de Ia celdilla tunidad, donde los ejes x, y, 2 coinciden con las arista del paralelepipedo que salen de este vértce. Silas arstas son perpendiculares entre si. como ocurre en los sistemas cristalinos cibico. tetragonal y ortorrémbico. dichos «jes son igualmente perpendiculares entre si, estableciéndose el sistema de coordenadas cartesianas ya conocido ampliamente. i f boy Figura 410, Cali wnidad con ls oe de coordnadss que musa ls longitudes caracteriticns de las sistas (2, bc). PUNTOS CRISTALOGRAFICOS Los puntos cristalogréficas corresponden a las posiciones que ocupan los distintos atomos de una celdilla unidad con respecto al sistema de coordenadas empleado. La notacién empleada en cristalografia para representar los puntos consiste en introducie la posicién segiin los ees utilizados entre paréntesis v separados por comas y 10.1.0) (1.0.9) (1.1.0) Figura TT, Poisons sas en una cela uidad cies BCC. eC Ciencia de fos Matersles DIRECCIONES CRISTALOGRAFICAS Una direccién cristalogréfica representa un vector entre dos puntos crstalogréficos con respecto al sistema de coordenadas empleado. La notacién empleada en cristalografia para representar las direcciones consiste en introducir los valores correspondientes al vector segin los ¢jes usados entre corchetes v_sin separadores de ninguna clase. Para determinar los indices de una direccién cualquiera se siguen los siguientes pasos: @ Se determinan las proyecciones del vector en cada uno de los tres ejes en funcién de las dimensiones caracteristicas de la celdilla unidad a, 6 , c. © Las tres proyecciones obtenidas se multiplican o dividen por un factor comin para reducitlos al valor entero menor [4o-erq © Si dichos indices son negativos, se representan mediante una linea sobre el indice correspondiente. Para emplear siempre la misma orientacién de celdilla unidad, es frecuente hacer un cambio de origen, sin que ello varie las proyecciones. [-1-10]+[7 79] © Se encierran los indices dentro de los corchetes. 4 Fgura 4.12, Ejenpos de dvecctonescisalogriias en clas nian FAMILIAS DE DIRECCIONES Una familia de direcciones es el conjunto de d’ ~cciones que cristalogréficamente son equivalentes. Varias direcciones no paralelas con diferentes indices son equivalentes si el espaciado atémico a lo largo de la direccién es el mismo. La notacién empleada en cristalografia para representar las familias de direcciones consiste en introducir los valores correspondientes al vector equivalente segiin los ejes utilizados entre paréntesis angular v in En Jos sistemas ciibicos todas las direcciones con los mismos indices son equivalentes entre si, sin tener en cuenta el orden de los indices ni su signo. Este hecho no se cumple en otros sistemas cristalinos. [100] [T 06] fo 1.0) [0 To] [00 i} (00 1] > (100) PLANOS CRISTALOGRAFICOS Un plano cristalografico representa un plano entre puntos cristalogréficos con respecto al sistema de coordenadas empleado. La notacién utilizada en cristalografla para representar los planos consiste en introducir tos valores correspondientes al plano segin los ejes usados entre paréntesis y sin separadores de ninguna clase Los planos cristalogréficos se especifican mediante tres indices denominados indices de Miller (hk). correspondientes a los reciprocos de las intersecciones con los ejes empleados. En los sistemas cibicos un plano cristalografico y su direccién normal tienen los mismos indices. Este hecho no se cumple en otros sistemas cristalinos. Para determinar los indices de un plano cualquiera se siguen los siguientes pasos: CO COOCOCECOCOOCECOCECOCOCEEOEE COOL OE OOOO OOOE ECO OEE DODO PPPPOPPOPPPDOPP PPP PPPPPPPPPOPOPPPDPPPPPPPPPPPP PPP PPP PPP DDD DD AMARA Ue a RN RNR RL CNRS) ea tam © Sil plano pasa por el origen, se realiza una traslacién adecuada del plano a otro plano paralelo dentro de la celdilla unidad, o bien se escoge un nuevo origen en el vértice de otra celdilla unidad, © Se determinan las intersecciones del plano con los tres ejes del sistema de coordenadas empleado. El plano cristalogrifico, o bien corta (la interseccién tiene el valor del punto donde corta el plano y el ge correspondiente, en funcién de las dimensiones caracteristicas de la celdilla unidad a. 6 ,c), 0 bien es parallo (la interseccién es en el infinito) a ee. ‘© Las tres proyecciones obtenidas se invierten. Se obtienen por tanto sus valores teciprocos. Si el plano es paralelo a un eje, la interseccién se produce en el infinito y, por lo tanto, su valor reciproco es cero (=) (249) © Las tres proyecciones obtenidas se multiplican o dividen por un factor comiin para reducirlos al valor entero menor. (4 0)>30) ‘© Se encicrran los indices dentro de los paréntesis. 9) ‘any fox (0), , . ” “ + 4 Figura 4.13, Ejemplos de panos critalogifics en celdasuntarias fl FAMILIAS DE PLANOS Una familia de planos es el conjunto de planos que cristalogréficamente son equivalentes. Varios planos son cristalograficamente equivalentes si para distintos indices (los cuales dependen de la simetria de ta estructura cristalina) presentan idéntico empaquetamiento atémico. Dos planos naralelos entre si son equivalentes, poseyendo, por tanto, los indices idénticos. Los planos equivalentes, repetidos paralelamente, son capaces de rcproducir todo el cristal, por lo que se les suele denominar a los planos equivalentes planos cristalograficos por si mismos, al ser los de mayor interés. Si se camibia de signo a todos los indices de un plano. se obtiene un plano paralelo opuesto a una distancia equivalente del origen. La notacién empleada en cristalografia para representar las familias de planos consiste en introducir los valores. reciprocos correspondientes a la interseccién del plano con los ejes utilizados entre Hlaves v sin separadores de ninguna clase Puede darse el caso, por ejemplo en los sistemas ciibicos, de que dos familias de planos sean paralelos. como ocurre con los planos (1 0 0) y (2 0 0), correspondientes a las caras de un cubo y al plano medio entre dos catas paralelas del cubo, respectivamente. Sin embargo, comparando las distancias entre los distintos planos de ‘una misma familia, se observa que entre los planos (1 0 0) la distancia entre planos es de la longitud caracteristica de la arista del cubo (a), mientras que entre los planos (2 0 0) la distancia es la mitad de Ia anterior. Esto da lugar a que la familia (1 0 0) esté incluida dentro de la familia (2 0 0) de planos. ‘Sin embargo, y siguiendo con las familias de planos (1 0 0) y (2 0 0) empleadas antes, si consideramos tuna estructura cristalogréfica cibica simple (Stomos en tos vértices de un cubo), la familia de planos (2 0 0) no seria cristalogrificamente posible, al no contener ningin étomo de la estructura ciibica simple, Sin embargo. el plano (1 0 0) si seria posible desde el punto de vista cristalogrifico, ya que contendria los cuatro atomos de una cara del cubo. Debido a que nuestro interés es poder reproducir totalmente la red cristalina, s6lo serdn de interés tos planos cristalogréficamente posibles, es decir, los que contienen étomos, En los sistemas cibicos, todos los planos con los mismos indices son equivalentes entre si, sin tener en cuenta el orden de los indices ni su signo. Este hecho no se cumple en otros sistemas cristalinos. GQANTANATHAIDTTNATH TD TT fry “onsen 0 eee an 10) ero Lowes ann oy aaa Figura C14 Ejeplos de frais de plans atalogiico en celdas waar La distancia entre los distintos planos equivalentes de una misma familia de planos cristalogrificos es la siguiente, segiin sabemos de Geometria (distancia entre dos planos paralelos), y siendo a la longitud de la arista del cubo: a Veve oP Figura 41S. Via sopesor de wna cla uniad que muesa la dstanca cre planos equivalents CRISTALES HEXAGONALES La orientacién de los sistemas hexagonales, debido a su forma, se realiza de manera parecida a los sistemas cibicos, empleando un sistema de coordenadas de cuatro ees, o de Miller-Bravais, Se establecen tres ies a; . a» . as en el plano basal formando 120° entre si, junto a otro eje c perpendicular al plano basal. Los valores de los primeros tres indices enteros se determinan con las proyecciones sobre los ees del plano basal a, . 4a; . a .y siendo el cuarto indice la proyeccién sobre el eje normal al plano basal c. A estos cuatro indices enteros que determinan las direcciones y planos cristalograficos en un sistema hexagonal se les denomina indices de Milter-Bravais. Figura 416, Cla uniad hexagonal co los ee de oordena dat 0,05. 05,2 COCCOOCOCOCEOCCEECOCOCEOOCOOCOCEEE OEE ECO EEOC COCO OCOEE POOP PPOPD PPP PPPPPPPPPPPPPPPDPP PPD P PPP PPP PP PPD PPP PP DP PDD DDDDD PD DIRECCIONES CRISTALOGRAFICAS Las direceiones cristalogrificas de un sistema hexagonal se obtienen de manera andloga a las ditecciones cristalogrificas del sistema ciibico, salvo que hay que considerar que el sistema hexagonal presenta cuatro ejes de coordenadas en lugar de los tres ejes de coordenadas del sistema ciibico. Por lo tanto, se obtiene una representacién de los planos cristalograficos mediante el empleo de cuatro indices enteros denominados {indices de Miller-Bravais (Aki), Figura 4.17. Ejmplos de diressones cisalogieas en cldas utara bexagonales PLANOS CRISTALOGRAFICOS | Los planos cristalograficos de un sistema hexagonal se obtienen de manera andloga a los planos cristalogréficos del sistema cibico, salvo que hay que considerar que el sistema hexagonal presenta cuatro ejes de coordenadas en lugar de los tres ejes de coordenadas del sistema cibico. Por lo tanto, se obtiene una representacién de los planos cristalogrificos mediante el empleo de cuatro indices enteros denominados indices de Miller-Bravais (hkil) El indice i es una redundancia, ya que equivale a la suma del indice hy del indice & —(h+k) Figura 4.18 indices de Miller Bravais de panos cisalogylicos hevagorale (a) Panos de as bases, (B) Plans de a ars. ESTRUCTURAS CRISTALINAS COMPACTAS EMPAQUETAMIENTO ATOMICO Las estructuras cristalinas presentan cierto empaquetamiento atémico debido a la proximidad entre los ‘tomos que conforman el reticulo. Puesto que la disposicién atémica de los planos cristalogréficos depende de la estructura cristalina, el empaquetamiento atémico para un mismo plano cristalografico varia segin sea la disposicién atémica de los tomos, y por lo tanto, varia segin la estructura cristalina. Por ejemplo, segin el plano (1 1 0), las estructuras FCC y BCC presentan distinto empaquetamiento atémico, como se puede observar en las figuras inferiores. Figura 419. (a) Cella unidad FOC con ol Plano (10) (0) Empaqustameatastmico del FCC con un plan (110) o Figura 4.20. (s) Celia wad BCC son al plana (170) fo) Empaquctaaeio aamiso del BCC con un plano (110), Para el estudio del empaquetamiento que presentan las diferentes estructuras cristalinas, se recurre a planos compactos. Los planos compactos son aquellos planos cuyos dtomos estin todos en contacto entre si Siondo planos cristalograficamente iguales donde se obtiene la maxima compactacién, de abi su interés. Considerando un plano compacto (Plano A), se forman tridngulos entre los centros de los étomos, apareciendo dos conjuntos de depresiones © huecos entre cada tres dtomos adyacentes, en los que se sitian los ‘tomos del siguiente plano compacto de dtomos. Para diferenciar a dichos huecos o depresiones, a los tridngulos con el vértice situado hacia arriba se les designa arbitrariamente como hueco A, mientras que los triingulos con cl vértice dirigido hacia abajo se les denomina hueco B. El segundo plano compacto (Plano B) se siti de tal forma que los centros de sus étomos se insertan en Jos huecos dejados por los toms del plano compacto inferior, denomindndose secuencia de apilamiento AB. La colocacién de un tercer plano compacto (Plano C) es vital en ta formacién del tipo de estructura cristalina. Si los étomos de dicho tercer plano compacto (Plano C) coinciden con las posiciones de los centros ‘atomicos del primer plano compacto (Plano A), resulta una secuencia de apilamiento ABABAB.., . estando, por. tanto. el primer y tercer plano compacto alineados. Si por el contrario, os atomos del tercer plano (Plano C) no ‘alinean con ninguna posiciéa del primer o segundo plano compacta, el tercer plano compacto (Plano C) se se haya desplazado, resultando una secuencia de apilamiento ABCABC. ” ” ” ‘Figura 421, Fomnacin de estructura crstlinas por apilamiento de planos atimicos (Vista superior) (a) Hlewos A y B (0) Secuencia de apilamiento ABABAB, () Secuencia de apilamiento ABCABC, ESTRUCTURAS CRISTALINAS HC ¥ FCC Las estructuras ciibica centrada en las caras FCC y hexagonal compacta HC, presentan un factor de empaquetamiento de 0.74, que es el mis eficiente empaquetamiento de dtomos o esferas de igual tamatt. ‘Ademds, ambas estructuras se generan colocando planos compactos uno encima del otro. La diferencia entre las dos estructuras radica en la secuencia de apilamiento de los distintos planos compactos. La estructura cristalina FCC se haya formada por sucesivos planos compactos (1 1 1) mientras que la estructura cristalina HC se haya formada por sucesivos planos compactos (0 0 0 1). Figura 4, (@) Earocura eridalina FCC qe tussra su plano compact (11) (b) Estructura crsalina HC que mesa su plano compact (00.01), CCOCOCOCOCEOCECOCECOCECOCOCOCCOOCECEOCEOCOEOCOOCOCOCOCOCCOCCCOCOCOCOCCOCOCOCOCCOCECOEE ae en TD La diferencia entre las estructuras cristalinas FCC y HC radica en la colocacién del tercer plano ‘ompacto, Para la estructura cristalina FCC los centros de los atomos del tercer plano (Plano C) no se alinean on ninguna posicién del primer o segundo plano compacto, por lo que el tercer plano compacto (Plano C) se haya desplazado, resultando una secuencia de apilamiento ABCABC.. . Para la estructura cristalina HC los centros de los étomos de! tercer plano compacto (Plano C) coinciden con las posiciones de los centros atémicos del primer plano compacto (Plano A), estanda, por tanto, el primer y tercer plano compacto alineados, dando como resultado una secuencia de apilamiento ABAL as Que SE epite sucesivamente. Figura 4.24, Estructura cisalina HC coma besuencia de apilamicnto ABABAB de panos atémicos ESTRUCTURA CRISTALINA BCC En el caso de la estructura cristalina BCC, ésta presenta un factor de empaquetamiento del 0.68. no hhabiendo contacto intimo entre los étomos del plano basal (1 0 0). Por ello, se debe recurtir al plano 0, mas estrictamente, a las familias de planos correspondientes, a (1 1 0) que pertenece a los planos normales a las diagonales de las bases, donde la estructura BCC posee mayor compacidad, y al plano (1 1 1). Dichas familias de planos son las que representarén al final una mayor capacidad de deformacién, Figura 4.25, Enctaraoritalina BOC que rivera (a) el plano baal (00,0) ona scsi dl plano Fal (100) donde observa que noes una esrutura compacta aunque as diagonals son dreclones compacts DVIODODODP OPPO P POPP OPPO ODO OPP PPP PPO DOD PDP PPP PDP PPP PP PP PDP PPD DDDD DD Pee EAA CRISTALES IONICOS CRISTALINIDAD IONICA . La cristalinidad no es un fendmeno exclusivo de los materiales metélicos. Se presenta asimismo en los materiales iénicos, aunque con unas caracteristicas propias, debido a la propia naturaleza de los materiales. En los cristales metilicos. los electrones formaban parte de una nube clectrénica (mar de electrones), los cuales no perlenecen a ningin atomo de metélico en concreto, sino que pertenecen a todo el conglomerado de dtomos Alicos de la red cristalina, Sin embargo, los cristales iénicos no presentan dicha nube electrénica, sino que ddoben visualizarse como una red de iones cargados eléctricamente, Los iones cargados positivamente o cationes, ceden un electron de su iiltima capa de valencia, los cuales son captados por iones cargados negativamente 0 aniones, Los eristales iénicos deben ser eléctricamente nulos, ¢s decir, que todas las cargas positivas de los cationes deben ser equilibradas por un niimero igual de cargas negativas de los aniones, Este hecho no tenia relativa importancia en los cristales metalicos debido a la existencia de la nube electronica y a la destocalizacion de los clectrones. En las distribuciones cristalinas, los aniones se consideran como fijos, mientras que los cationes, que presentan menor radio at6mico que los aniones, se distribuyen por el espacio sobrante entre los distintos aniones, denoinindndose a este espacio hueco intersticial. Los cationes prefieren tener a su alrededor el mayor nimero de ‘aniones posible, y también que estén lo més préximo posible, ESTABILIDAD e Uno de los fenémenos que debemos observar en las estructuras cristalinas iénicas es la estabilidad que presentan los cationes dentro de esa red cristalina, Se considera que una estructura cristalina idnica es estable cuando los cationes no pueden desplazarse en los huecos intersticiales que dejan los aniones entre si, Esto implica que el catién tiene una posicin fija y definida, al estar todos los aniones que rodean el catién en contacto con él Por otro lado. se considera que la estructura crstalina iénica es inestable cuando el radio atémico del catién es menor que el tamafto del hueco intersticial que debe ocupar, ya que existe una indeterminacién en la posicién que ocupa, Figura 426, Toetnacén nica, iNDICE DE COORDINACION El indice de coordinacién es el namero de aniones que rodean a un cation. Debido a que pueden existir bastantes aniones rodeando a un catién, s6lo de consideran los aniones més proximos al catién en cuestién. El indice de coordinacién esté relacionado con el cociente entre los radios de los cationes y los aniones (re r,). puesto que para un indice de coordinacién especifico, existe un valor critico 0 minimo de re / , para el cual el contacto entre catidn y aniGn se establece, con las consecuencias que ello tiene en la estabilidad de la estructura cristalina iénica RELACION DE RADIOS IONICOS Debido al fenémeno de transferencia de electrones (entre los cationes y aniones) por parte de los étomos de la red cristalina los iones varian su radio atémico en funcién de que cedan (disminuye su radio atbmico) 0 acepten electrones (aumenta su radio atémico). Por ello, 1s cationes son generalmente menores que los aniones, siendo el cociente entre el radio at6mico de los cationes (Fz) y el radio atémico de los aniones (r,) menor que la uunidad. COCOCOCOOCCOCCOCOECEOCOOCEOCEOCECECEECEECECEECECEE CEC EEEE EEE EE EE EEEEE PIPPPPPIOPPDPPIPPPPPDPPPPPPPP PP PPD PPP PPPPP PP PPD PP PP PPP PDD DDD COORDINACION TRIANGULAR Indice Disposicién de aniones de alrededor del eatién coordinacién central 2 Tineal| 3 Vértices de un triéngulo Vertices de un tetraedro Vértices de un octaedro Vertices de un cubo La coordinacién triangular presenta un catién rodeado por res aniones conformando un tridngulo equilatero entre los centros de los aniones. Por tanto, el indice de coordinacién correspondiente es tres. Si consideramos cl radio del anién y r el radio del catién. se observa en la figura que el tridngulo cuyos vértices son el centro de un anién (A), el centro del catién (D) y el punto de contacto entre dos aniones (E), tiene un angulo de 30°, fa mitad de Jos 60° que corresponden a cada uno de los dngulos de un tridngulo equilétero. Tomando como referencia dicho Angulo de 30°, su cateto contiguo es el radio del anién (R) y su hipotenusa es el radio del anién (R) y del catién () Por lo tanto, usando la formula del coseno de un dngulo, R 8 Rav cos sore Ree a 2 ‘obtenemos la relacién minima entre los radios catiénico y aniénico para una coordinacién triangular (0.155). que seria cuando existe contacto intimo entre el anién y el cation, ‘Rango-de relacién de ‘Geometria de coordinacién radios (radio catiénico a aniénico <0.155 ra 0.155 -0,255 * 0.225 -0.414 0.414 -0.732 0.732 - 1.000 Figura 127, Nomerory gromeras de coordnacion para sido nis re eri DISTRIBUCION ATOMICA EN LAS COORDINACIONES Como ya se habia explicado anteriormente. los dos parimetros principales que se dan en las estructuras cristalinas iénicas son el equilibrio de cargas y la relacién de radios iGnicos. Para que un determinado material se cristalice en una determinada coordinacion, debe cubrir los requisitos de relacién de radios iénicos, ademas de tener el mismo niinero de cargas positivas y negativas. entendiendo el nimero de cargas como el nimero de ‘tomos multipticado por la carga (0 valencia) que posean, Debido a que el factor mas limitante es la relacién de radios iénicos, al no poderse variar los radios atémicos de ninguna forma, una vez fijada esta elacién de radios idnicos en funcién de la cantidad de cargas que presenta el anién, los cationes correspondientes se distribuyen a su alrededor de forma que equilibren las cargas negativas de cada anién, APLICACION A LA ESTRUCTURA CRISTALINA DEL NaCt Si realizamos la relacién de radios iénicos: 5 102 am Ee he 0 am 56 fy Ol8Lam obtenemos que el cristal de NaCI puede tener tna coordinacién octaédrica, ya que posee una relacién iénica entre los valores de 0.414 y 0.732, Esto da como resultado un mimero de coordinacién de seis, estando cada catién de sodio rodeado por seis aniones de cloro, lo que es compatible con un equilibrio de cargas en la celdilla unidad. ° a ‘Figura 428 NaCl (a) Cela unlaa (6) Coordnasion ocala APLICACION A LA ESTRUCTURA CRISTALINA DEL CaF Si realizamos la relacién de radios inicos: Bo feart _ 0.100nm Bm 0133am obtenemos que el cristal de CaF: puede tener una coordinacién cibica, puesto que posee una relacién iénica mayor que 0.732, Esto da como resultado un nimero de coordinacién de ocho, estando cada catién de calcio rodeado por ocho aniones de flior. lo que es compatible con un equilibrio de cargas en la celdilla unidad. Figura 429. CaF COCOCECEECECECEEE CECE EEE CECE EEE COCO EEOC ECO EEE POP PDOPPPDOPPIPOIDOPPIDODPPP>IDIPPIP>IDPDIPPIPPIPPPPODPPPDDD DDD » & ey, oo ec, ee DETERMINACION DE ESTRUCTURAS CRISTALINAS EL FENOMENO DE LA DIFRACCION La difraceién ocurre cuando una onda incide sobre una serie de obsticulos separados regularmente, que son capaces de dispersardicha onda, Al incidir una onda en un obsticulo, el obstéculo es capaz de alterar la fase de Ia onda, denomindndose a este hecho interferencia, debido a la estructura de dicho obsticulo, Por tanto. el estudio de la difracci6n se basard en cémo varia dicha fase de la onda. Si una vez incidido el obstaculo, dos ondas de igual longitud de onda, que parten desde ef mismno origen. son reflejadas manteniendo la misma distribucién de la fase de la onda, dichas ondas se interfieren constructivamente o positivamente. La amplitud de la onda resultante es la suma de las ondas dispersadas. Si por el contrario, una vez reflejadas dos ondas de igual longitud de onda, que parten desde el mismo origen, se reflejan desfasadas una respecto a la otra, dichas ondas se interfieren destructivamente. La amplitud de la onda resultante se cancela debido a esa oposicién de fase, obteniéndose una amplitud de onda casi nula como resultado, ba rl t ri AA ANA A aa BRO a 5 a ” eae ri “TAN eee ;, ; i = ~ Al va a ; oni or P Posicion —— ‘Figura 30, Dacron de onda: (a iniereensa comaracva, (0) interareia deus DIFRACCION DE RAYOS X Los rayos X son una radiacién electromagnética que al poseer longitudes de onda de la radiacién det mismo orden que las distancias entre los planos cristalogréficos (0.1 Amstrong - 2.0 Amstrong), son de enorme utilidad en la determinacién de las estructuras cristalinas. Cuando un haz de rayos X incide sobre un material, parte de ese haz se dispersa a causa de los electrones de los Atomos 0 iones que se encuentra en su camino. Sut enorme utilidad radica en la posibilidad de determinar la distancia entre los planos cristalograficos, con lo cual se obtiene una idea de la estructura cristalina de la muestra, midiendo para ello el éngulo de difraccién de una ‘muestra de material sometida a una exposicién de radiacién de rayos X. cobre = Vemma de Série Rayo X Cops meta de enfoque Figura G3, Session de un tb de ayes X de Mlamerto salad El dispositivo emisor de rayos X consiste en un filamento de un material metélieo, generalmente de peso alémico alto, al cual se le somete a una tensién alta de unas decenas de kilovoltios. Al estar dicho material metalico sometido a tan alta tensién, se arrancan electrones de las capas interiores debido a la diferencia de potencial. Para ocupar los huecos que han dejado los electrones de las capas inferiores, otros electrones de las capas superiores rellenan dichos huecos. Este hecho supone una liberacién de energia que es emitida en forma de radiacin de rayos X. ane i rt a LI a Figura 4.32, Niveles de energia de fos cesrones dl moibdana con las vadlaciones Ra y Kg sorenpondintes a cletones que cubren el nivel K desde un vel superior (a) y dos ives superiors (B). Andlogamente, ls radiaciones Ly La corespondenes a electrones que cubrenel nivel L desde un nivel superoe (a) y da ives superiors). Figura 433, Espctro de rayosX del tal molbdeno que muss las adacionescorepondienes a raiaciones Ky Ky Al ser la longitud de onda de los rayos X del orden de las distancias entre los planos, se hace incidir rayos X sobre la muestra que tenemos, y en funcién de la intensidad de ta radiacién reflejada con respecto a la radiacién emitida, se podrén obtener los distintos planos cristalogréficos que posee la muestra. La importancia cstriba en la relacién de las fases de las ondas que depende de la longitud del camino recorrido por dicha onda. La diferencia entre las fases de las ondas va a’hacer que la onda que incide sobre el plano inferior recorra mas longitud que la onda que incide sobre un plano superior, por lo que legara mAs retrasada la onda que incide sobre el cilado plano inferior. La relacién de dicho desfase es la que determinara que la interferencia debida a la difraccién sea constructiva 0 destructiva. COCCOCCOCECOCCCOCEOCOEOCOCCOCOCCOC ECE EOCOCOCOCOCOCCOOECOCEC CECE EE POPOPPPPPPPPPPPDPOPPPPPPPPPPPPPPPPPDPP PPP PPP PPA P PPP PPP PPPDD DD DP LEY DE BRAGG La determinacién de estructuras cristalinas mediante rayos X se basa en la denominada Ley de Bragg, ‘que pone en relacién la longitud de onda empleada en la difraccién y la.distancia entre los planos cristalograficos, definida anteriormente mediante los indices de Miller de los planos cristalograficos, que definen Jas distintas estructuras cristalinas Se consideran dos planos AA’ y BB" paralelos de dtomos, definidos mediante los indices de Miller k |. por lo tanto separados por una distancia interplanar ds. Si se hace incidir un haz paralelo de rayos X de longitud de onda 2. estos rayos son difractados por los dtomos P y Q de dos planos paralelos distintos segiin un ‘angulo ® respecto a dichos planos. Para que dichas ondas produzcan una interferencia constructiva. las diferencias de recorrido entre dichas ondas, y por tanto de su fase, deben equivaler a un niimero entero n de longitud de onda, Como se observa en Ia figura inferior, la diferencia de recorrido entre los haces de rayos X segin los distints planos atémicos AA” y BB’ resulta SQ y QT. nd = 5Q+QT=d send +d send ah=2<, send] Ley de Bragg Considerando la distancia entre planos paralelos para las estructuras cristalinas cibicas, que se expuso anteriormente y que es: a aan errs ¥yaplicdindoto a la Ley de Bragg, obtenemos la expresin empleada para obtener los indices de Miller de distintos planos crstalograficos en funciGn del pardmetro de red (Ia longitud de la arsta del cubo en estructura cibicas): navi ++? 2a senO= Ro Mra a4 vn Nate oe Figura 434, Difacsion de rayon X por los planos anise AN y BBY TECNICAS DE DIFRACCION La técnica de difraccién més cominmente empleada utiliza una muestra pulverizada con cristales arbitrariamente distribuidos y por tanto una distribucién al azar de planos cristalogréficos. Con esta medida, nos aseguramos que existan particulas orientadas adecuadamente para que sus planos cristalogrificos cumplan las condiciones de difraccién, ‘Se emplea un difractémetro, el cual determina los angulos en los que ocurre difraccién en las muestras pulverizadas. Dicha muestra se sitia fija en un goniémetro, donde es sometida a una radiacién de rayos X. Debido a la incidencia de esta radiacién de rayos:X, se producen una serie de haces reflejados. oo ad CEE Aerericy Para medir la intensidad de dichos haces reflectados. se emplea un detector de radiacién que se desplaza sobre el circulo goniométrico. A medida que avanza el detector de radiacién en dicho cfrculo goniométrico, va ridiendo la intensidad recibida por dicho 4ngulo. Dicha intensidad se compara con la intensidad original emitida por el generador de radiacién. Esta relacién entre intensidad de radiacién emitida y recibida por el detector en cada angulo, se muestra de forma grifica representando la intensidad relativa frente a angulos de difraccién Estos dngulos de difraccién vendran expresados como el Angulo doble (28) de difraccién debido a consideraciones geomeétricas. Este hecho det angulo de difraccién doble debe ser tenido en cuenta a la hora de calcular los planos cristalograficos de la muestra, En el caso de que el Angulo de difraccién fuera nulo (8 = 0°) significaria que no existe difraccién, ya que las radiaciones de rayos X traspasan totalmente el cristal de ta muestra Detector de risen Detoctor de radiaciba (que se mene) solve ef ecculo goniomites Poroon de an esta cen ls were ad Raya wnidenie Generadoe de ration Genetador Pianos paraelos de radiacion ascend Cae Vista superior de ta muestra (4 en el evita fja.en un gomometro Figura 435 Maiocodifactomdvion de analsa de earacturas Sisalnas APLICACION A LA DETERMINACION DE ESTRUCTURAS CRISTALINAS No todas las familias de planos son capaces de producir difraccién. Esto depende de los indices de Miller del plano y de la estructura cristalina en cuestién. Debido 2 la estructura cristalina, existen ciertas restricciones para que un plano cristalogrifico pertenezca a una determinada estructura cristalina, © Enel caso de la estructura cristalina ciibica centrada en el cuerpo (BCC) la suma de sus indices de Miller h ,k ,/ debe ser par, considerdndose al nimero cero como par. © Porel contratio, la estructura cristalina centrada en las caras (FCC) tiene la caracteristica de que todos sus indices de Miller h , k, / deben ser pares o impares, considerdndose al niimero cero como par. oe ce us 10 0 ato) a raid ga 200 a a 210 Pyle zeae 222 a a Como se observa en la tabla anterior, no a todos los indices de Miller A , k , I les corresponde una estructura cristalina, Y también se presenta el caso contrario: a un mismo indice de Miller A . k , / le puede corresponder ambos tipos de estructura cristalina cubica. COCOCOCOCECOCECOCOCOCOCOCOCOCOCOCECOCOEOCOCCECOCEH OOOO OCOOCOCECOCOCCOOOCEOCCEE DOO POP PPP PO POP POD OPPOPPP DOPOD PPP PPP POPP PPD DP PPP PPP DPD PPP DDD DD MLR ami Ne ae a ian aamtaama Too) ‘Angulo de diaccion 28 Figura 436, Datos de Tos ingles de dfaccion para una mca de wolFan, que preeia les panos eisalogrificos corespondicatesa los dst Sngulos de dfscien, Partiendo del resultado que nos oftezca la difraccign por rayos X de una muestra, como por ejemplo la muestra de wolframio de la figura superior, se calculan los indices de Miller de los planos que satisfagan la Ley de Gragg para dicha muestra. Dichos indices de Miller serdn calculados cada vez que exista un cambio signifcativo de la intensidad reflejada, manifestindose gréficamente por picos de dicha intensidad frente al ngulo de difraccién. Cada pico de intensidad corresponde a un indice de plano cristalogréfico. En la figura superior perteneciente a una muestra de wolframio, estin representados los indices de Miller para dichos éngulos dde-difraccién, Para calcular los indices que presenta un determinado pico de intensidad en la figura anterior se emplea la Ley de Bragg antes expuesta, asegurdndose de que se cumplen las relaciones entre los indices de Miller h ,& antes enunciadas: Th=2dysen@ Ley de Bragg 5 aavir +e +P sen 2a Una vez determinados los planos crstalograficos de los picos de intensidades, se determinan las relaciones que existen entre los distintos Angulos de difraccién, a fin de obtener el tipo de estructura cristalina ‘mayoritariamente presente en la muestra analizada, Entre cualquier dos dngulos de difracci6n, recalcando que la figura representa los dngulos dobles del de difraccién, existe una relacign manifestada en la siguiente expresién: mayhi +k z senO, 2a = send, hy + a . Sen na yagrker SUS ng cage 2a Si particularizamos dichas relaciones para las dos estructuras cristalinas cibicas tipicas, la centrada en el cuerpo BCC y la centrada en las caras FCC, para planos cristalograficos posibles en dichas estructuras cristalinas, es decir, que cumplan las condiciones de los indices de Miller ,k se obtiene: Estructura cristaina edbiea centrada en el cuerpo BCC send, JEsE sO yO sen0y oro 2 © Estructura cristalina cubica centrada en las caras FCC. send, VE SP eE senty Veo 2 Si se calculan dichas relaciones para nuestra muestra de wolframio, se halla que el wolframio presenta tmayoritariamente una estructura cristalina cibica centrada en el cuerpo (BCC), que es lo que se descaba ‘encontrar en un principio mediante la difraccién de rayos X sobre la muestra de wolframio. sen 20° sen 3? 684040 Ciencia de los Materiales. DEFECTOS DEFECTOS DE PUNTOS EN REDES CRISTALINAS Hasta el momento, hemos supuesto que las estructuras cristalinas presentaban un ordenamiento ctistalino perfecto, Pero en la realidad, no existe tal solido crstalino ideal, y en general presentan gran nimero de defectos e imperfecciones. Estas irregularidades en el ordenamiento de la estructura cristalina son muy importantes al estudiar muchas de las propiedades de los materiales cristalinos. Uno de los tipos principales de defectos son los denominados defectos de punto, los cuales se basan en 1a variacién de una o dos posiciones de los étomos que forman la estructura cristalina, VACANTES EI defecto de vacante ocurre cuando falta un dtomo en la posicién que supuestamente deberia ocupar. La existencia de estas vacantes son el orige te la difusién de atomos en el estado sélido del material. Si estas vacantes no existieran, dicha difusién no tenasia lugar. INTERSTICIALES El defecto puntual intersticial 0 autointersticial ocurre cuando se introduce un étomo extrafio dentro de la red cristalina perfecta. Dicho tomo extraflo se desplaza a una posicién intersticial que generalmente esta desocupada. Asimismo, el étomo extraflo puede ocupar la posicién de un étomo perteneciente a la red cristalina, dando lugar a una distorsién local en la red. La presencia de los deiectos intersticiales es muy improbable. ya que , su presencia llega a no permitir que se cree la red cristalina, Vacante Intersicial o ‘Figura 437, Defects ela vod de panon (a) vacane, (erica DEFECTOS DE PUNTOS EN CRISTALES IONICOS ‘AL igual que en los s6lidos cristalinos, los sélidos iénicos también pueden presentar imperfecciones o efectos de puntos. Estos estan relacionados con las vacantes que dejan tanto los cationes como los aniones en la estructura cristalina iénica DEFECTO SCHOTTKY El defecto Schottky se debs a la eliminacién de un catién y un ién de la red cristalina, Esto supone un lesequilibrio de cargas que desaparece cuando se compensan las cargas aniénicas y catidnicas, en el caso de que los aniones y cationes eliminados presenten distinta carga electrénica. En el caso de que presentasen la misma ‘carga electrénica, no desapareceria el equilibrio de cargas. DEFECTO FRENKEL El defecto Frenkel se debe al abandono de un catién de su posicién en la red, dejando una vacante catiénica, Este catién se mueve a una posicién intersticial. No se produce cambio en la carga porque el cation rmantiene su misma carga positiva en las posiciones intersticiales. COCOCOCOCOOCOOCECOOCOCOCOCECOCOCOOCOCEECEEECOCEOCOCECECEO ECE OEE DOOPPOPPPPPPPPPPPOPPPPP PPD PPP PPP PPD PPP PPP PDP PPP PP PPPPPPPDDD PD DEFECTOS DE LiNEA O DISLOCACIONES El otro grupo principal de imperfecciones en !os solidos, son las irregularidades en la red cristalina de una dimensién, A estos defectos unidimensionales o lineales se les denomina dislocaciones. DISLOCACION EN CUNA ~ La distocacién en cua es un defecto lineal centrado alrededor de la linea definida por un plano de ‘totes adicional introducido dentro del material. Esto produce una asimetria en ta distribucién de la red Cristalina, introduciendo cargas interna. Como consecuencia, existen esfuerzos de compresién, de traccién y de cizalladura sobre los atomnos vecinos a la dislocacién. Los tomos del lado donde el plano de atomos adicional es introducido, es decir, por encima de la linea de dislocacién, presentan esfuerzos de comprensién. Debajo del semiplano adicional de ‘tomas, el efecto es el contrario, presentando entonces esfuerzos de traccidn. Esto se refleja en la ligera curvatura de los planos verticales de los atoms. S { ( } | 8 gy bs pe ‘Figura £39, Regions de compreiony accion alrededor de una dsoracionen cu. La magnitud de esta dislocacién decrece en funcién de la distancia a la dislocacién de cufta, En las posiciones mas alejadas, la red es virtualmente perfecta. La dislocacién en cufta se representa por el simbolo +, indicando que la distocacién se encuentra en la parte superior del cristal. También se puede formar la dislocacién cn ta parte inferior del cristal, representéndose mediante 1192" Mire eed Lincs de dnlecaei ‘decane Plano de dslocacién Figura 440, Dasani DISLOCACION HELICOIDAL La dislocacién helicoidal se forma al aplicar un esfuerzo de cizalladura, desplazandose la cortadura hacia uno y otro lado del plano. La parte superior de la regién frontal del cristal, desliza una unidad at6mica a la derecha respecto a la parte inferior. Establecer el estado de esfuerzos en esta situacién de carga es complicado. |. Linea de dislocacign en cuts Figura $4, Disloccioa Felicia COCOOCOCEECOCECECOCOCEECCEECEOCEEECEECEECCECEOCECEEEEEECEECECEEEE EEE EEE DOPOD OO POP DODO PO POD DOOD ODDO PO PO DOP DODO ODDO POP PDPPOD PDD DODD DD DPD DDDD DD DISLOCACION MIXTA La dislocacién mista se produce cuando existen conjuntamente una dislocacion en cuiia y una helicoidal. En funcién de! lado del cristal seleccionado, se obtendrén unos esfuerzos u otros, Poe LFS SS) Edve Figura 4 Dalocsion aia DESPLAZAMIENTO DE LAS DISLOCACIONES. Las dislocaciones son las responsables de la deformacién plastica de los materiales, la cual se consigue desplazando ta linea de dislocacién. A menudo, para simplificar la explicacién de dicho movimiento de las dislocaciones, se emplea el “simil de la alfombra”. Si se pretende eliminar una arruga de una alfombra de un solo tirén, el esfuerzo es grande. ¢ incluso es muchas veces mayor que el limite eléstico de dicha alfombra para desplazar los atomos de un plano. Sin embargo, si se desplaza la arruga a través de la alfombra, este procedimiento es mas ficil y de menor esfuerzo. Una ondulacin en una alfombrea et aniloga 2 ura dislocacin de ‘borde en un ensal metiico Alfombra sdbre el suelo. Dislocation de borde Figura 4:9, Simi dela alombra para ol deplaramionio de una Goran Aplicando este “simil de Ia alfombra” a un material metélico con una dislocacién, es decir, un plano de ‘tomes adicional. si dicho plano se desplaza bajo un pequefto esfuerzo de cizalladura perpendicular a dicho plano, el plano de dislocacién es forzado a desplazarse, Este plano de dislocacién empuja la parte superior de los restantes planos. Si la cizalladura es lo suficientemente elevada, los enlaces interatémicos del plano adyacente se rompen a lo largo del plano de cizalladura, convirtiéndose la parte superior del plano adyacente en el semiplano de dislocacién adicional de étomos, y el plano de dislocacién se enlaza con la mitad inferior del plano adyacente. Si el proceso se repitiera sucesivamente, daria lugar a que dicho plano de Stomos adicional se desplazara a lo largo de todo el cristal, pudiendo emerger en la superficie exterior del cristal, formando un escalén de magnitud igual a una distancia interatémica, Por tanto, la estructura de la red se distorsiona iinicamente durante el paso del semiplano adicional de tomos. : ce cas Figura iii, Deplaraniato de ua dinocacon. (@) Lie dislocaién de bordeFormada por un medio plano adicinsl de stomos. (0) Unesfoero origin un desplazamienta de enlaces atSmicos para liberar un nuevo plano inercalado {6) La epsilon de ete proceso da lugar aque a dslocacin se mueva alo largo del ital VECTOR DE BURGERS El Vector de Burgers (6) intenta representar el defecto ocasionado en una red cristalina, tanto en la magnitud del defecto como en su direccién (linea de dislocacién). Fijando un punto de partida, se rodea la dislocacién hasta legar nuevamente al punto de partida, Existiré una diferencia de longitud, referida a la longitud de las aristas de tas celdillas unidad, con respecto al estado sin dislocacion. Dicha diferencia de’ longitudes entre los estados con y sin distocacién representa la magnitud del mismo, La naturaleza de una dislocacién, ya sea en cufta, helicoidal o mixta, se define por las orientaciones relativas de la ditecci6n de dislocacién y la direccién de su vector de Burgers. En una dislocacién en cusia ambos son perpendiculares entre si, mientras que para una dislocacién helicoidal son paralelos. Sin embargo. en una dislocacién mixta no son ni perpendiculares ni paralelos, Ademés, aunque una dislocacién cambie de direccién y de naturaleza dentro de un eristal (por ejemplo pase de una dislocacién en cufla a una mixta y helicoidal). el vector de Burgers sera el mismo en todos los puntos alo largo de la linea. Dastecattone tine COCECOCOOCOCOCECOOCOOOC CECE COCEECEECOCOECECECEEEEEEEEECEEEEEEEEE Sarr rPPrOPPrPOPPPDPPIPPPPIPPPPPOPIPPDPPPPPPPPPP PP PP PPP PD ORD DD DP Figura $1 Vecorde usrpars SISTEMAS DE DESLIZAMIENTOS Las dislocaciones no se mueven con igual grado de facilidad sobre todos los planos cristalogrificos de tos tomos, ni en todas las direcciones cristalogrificas por igual. Normalmente, existe un plano preferido, y en este plano existen direcciones especificas, a lo largo de las cuales el desplazamiento de las dislocaciones se ve favorecido, ya que se requeriré menor fuerza para mover los étomos de una posicién atémica a la mas cercania, A este plano se le denomina plano de deslizamiento y.-por consiguiente, a la direccién del movimiento se le denomina direceién de deslizamiento. A la combinacién de plano y direccién de deslizamiento que favorecen el desplazamiento de las dislocaciones se le denomina sistema de deslizamiento, Estos sistemas de deslizamientos corresponden a los planos compactos que presenta la estructura cristalina, Los metales presentan un rvimero clevado de sistemas de deslizamientos, en especial 1a estructura cristalina cibiea centrada en caras (FCC) y la estructura cristalina cibica centrada en el cuerpo (BCC) EI sistema de deslizamiento depende de la estructura cristalina y del material. Para una determinada es-uctura cristalina, el plano de deslizamiento es el plano que tiene mayor densidad planar de atomos, y la direccién de deslizamiento corresponde a la direcci6n en este plano que es més compacta, es deci, que tiene Ia ‘mayor densidad lineal. Figura 446. Delizamienta wriso sobre: (a) un plano de enpagustanieto Sonpaco (Oyun plano de empaquetamiento no compacto. Ce, a RE: i

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