Unidad 3

Tiristores
 Introducción
• El tiristor es un dispositivo de 3 terminales: ánodo,
cátodo y gate o compuerta.
• El ánodo y el cátodo son llamados terminales
principales y al igual que en un diodo son los
encargados de circular la corriente cuando el
dispositivo está en estado de conducción.
• El gate o compuerta es denominado terminal de
control y permite encender el dispositivo.
 Introducción
• Fue propuesto de manera teórica por William
Shockley in 1950.
• El primer dispositivo práctico fue desarrollado
en 1956 por los ingenieros de potencia de
General Electric (G.E.), liderados por Gordon
Hall.
 Introducción
• El nombre proviene de un tubo de vacío existente
previamente denominado «thyratron». Esta palabra se
combinó con «transistor» para dar el nombre de «thyristor» o
tiristor.
• También se lo denomina SCR por Silicon Controlled Rectifier.

• Símbolo:
 Estructura física
• Es un dispositivo de 4 capas
Análisis de funcionamiento
 Análisis de funcionamiento
IC2 = α2IK + ICBO2
IA = IC1 + IC2 = α1IA + ICBO1 + α2IK + ICBO2

Para corriente de compuerta IG

IK = IA + IG

Resolviendo para IA
𝛼𝛼2 𝐼𝐼𝐺𝐺 +𝐼𝐼𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶 +𝐼𝐼𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶
𝐼𝐼𝐴𝐴 =
1−(𝛼𝛼1 +𝛼𝛼2 )
 Activación del tiristor
• Térmica
• Luz
• Alta tensión
• dv/dt
• Corriente de gate
Curvas corriente-tensión
 Protección del tiristor
• Snubbers para protección de
di/dt => proteger contra
puntos calientes
– di/dt=Vs/Ls

• Snubbers para protección de

dv/dt => proteger contra
encendidos indeseados
– dv/dt=0,632V/τ = 0,632V/RsCs
– Rs=Vs/ITD
 Ejemplo
• Un tiristor posee el circuito de protección de la figura y tiene una
especificación dada por el fabricante de dv/dt=100V/µs. Se desea limitar
además la corriente de descarga a 100A. Determinar Rs y Cs, considerando
R=5Ω, L=0H y Vs=200V.
200
– Rs= 𝑉𝑉𝑠𝑠�𝐼𝐼𝑇𝑇𝑇𝑇 = = 2Ω
100

1
– 𝑉𝑉𝑠𝑠 = 𝑅𝑅𝑠𝑠 + 𝑅𝑅 𝑖𝑖 + ∫ 𝑖𝑖 𝑑𝑑𝑑𝑑 + 𝑣𝑣𝑐𝑐 (𝑡𝑡 = 0)
𝐶𝐶𝑠𝑠
𝑉𝑉𝑠𝑠
– 𝑖𝑖 𝑡𝑡 = 𝑒𝑒 −𝑡𝑡⁄𝜏𝜏
𝑅𝑅𝑠𝑠 +𝑅𝑅
𝑅𝑅𝑉𝑉𝑠𝑠 −𝑡𝑡⁄𝜏𝜏
– 𝑣𝑣𝑇𝑇 (𝑡𝑡) = 𝑉𝑉𝑠𝑠 − 𝑒𝑒
𝑅𝑅𝑠𝑠 +𝑅𝑅
𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑣𝑣𝑇𝑇 (𝜏𝜏)−𝑣𝑣𝑇𝑇 (0) 0,632𝑅𝑅𝑉𝑉𝑠𝑠
– = =
𝑑𝑑𝑑𝑑 𝜏𝜏 𝐶𝐶𝑠𝑠 (𝑅𝑅𝑠𝑠 +𝑅𝑅)2
– 𝐶𝐶𝑠𝑠 = 0,129𝜇𝜇𝐹𝐹
Operación en serie de los tiristores
Operación en paralelo de los tiristores
 Encapsulados
Al igual que para el caso de los diodos existen numerosos encapsulados dependiendo
de la potencia para la cual es diseñado el tiristor. Un encapsulado debe cumplir en
general con:
i) aislación eléctrica entre el semiconductor y la superficie de disipación de calor;
ii) Buen desempeño térmico;
iii) Buen desempeño eléctrico;
iv) Larga vida/alta confiabilidad
v) Bajo costo
 Encapsulados
Tiristor activado por pulso de luz
 Aplicaciones del tiristor
• Rectificador controlado monofásico
 Aplicaciones del tiristor
• Rectificador controlado monofásico
 Aplicaciones del tiristor
• Sistema HVDC
 Aplicaciones del tiristor
• Dos convertidores de 6 pulsos en conexión paralela
 Aplicaciones
del tiristor
• Cicloconvertidor
 Aplicaciones del tiristor
• Inversor con fuente de corriente
 Aplicaciones del tiristor
• Reactores conmutados por tiristor (TSI y TSC)
 Aplicaciones del tiristor
• Switches estáticos de transferencia para UPS
 William Bradford Shockley Jr.
(February 13, 1910 – August 12, 1989) was an American
physicist and inventor. Shockley was the manager of a
research group that included John Bardeen and Walter
Brattain. The three scientists invented the point-contact
transistor in 1947 and were jointly awarded the 1956
Nobel Prize in Physics.
Shockley's attempts to commercialize a new transistor
design in the 1950s and 1960s led to California's "Silicon
Valley" becoming a hotbed of electronics innovation. In
his later life, Shockley was a professor of electrical
engineering at Stanford University.
Algunas figuras y textos tomados de:
• Power Electronics Handbook, Muhammad Rashid, 2nd Edition.
• Power Electronics: Circuits, Devices & Applications, Muhammad Rashid,
4th Edition.