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UNIVERSIDAD Cátedra:

NACIONAL Electrónica Analógica


DE SALTA

2.1)
a)
10 ; 7 ; 200; 0,75 ; 12

?; ?

2N2222 →

12 7
500Ω
10
! :


12 0,75
50µ 226%Ω
10 ⁄200

1
24
500Ω

c) 100
# !
12 0,7
50µ
226%Ω
. 100 . 50µ 5

#
12 5 . 500Ω 9,5

50µ 5 9,5

Ing. Héctor RIZO 1


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2.2)

2.2) a) Datos 2N2222A: ≅ 0,7 ; ,á. 800 ;


0 ,á. 500 1;
R2
2 680%Ω; 3 4,7%Ω

3
R1
3 2

. 41 5
2N2222A
41 5
3 2
41 5 50µ
2
6 3 7
41 5
Según hoja de datos 89 : 1 ; 10 50; <= ℎ?@
12 0,7
626,61µ
680%Ω
3 41
2
5 4,7%Ω 41 505

3 12 626,61µ . 4,7%Ω 9,05

626,61µ 9,05

1

3 3

1
2,55
4,7%Ω

626,61µ
12,28µ
41 505
50µ

b) 0,7 ; 9,05 ; 0

0,7 9,05 8,35

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c) Simular.
d) Tarea. : 9 : 988,39µ ; 7,35

e) Tarea. : 9 : 1,63 ; 4,34

Observar cómo varían la IC con respecto a la VCE, cuando una aumenta, la otra disminuye.

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2.3)
a) Datos BC107: 0,7 ; ,á. 100 ;
0 ,á. 300 1 ; 110 < < 450; 12 ;

2 47%Ω; 3 10%Ω ; 220Ω ; 5Ω

2
KL
2 3

2 3
KL
2 3

47%Ω 47%Ω. 10%Ω


12 9,89 8,24%Ω
47%Ω 10%Ω 47%Ω 10%Ω

Malla de entrada: M 89N : 200

6 7

9,89 0,7
8,24%Ω
5Ω
200
198,91

Malla de salida
→ 4 5
4 5 12 198,91 . 225Ω

32,75

12 0,2
OPQR 52, 4S
225Ω

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0 TU !: . T@U4 5
V
52, 4 . 0,2 10,48 1

b)

1
53, 3S
225Ω

Se encuentra polarizado en lazo de


saturación.

c)El dispositivo no sufrirá daño al no superar la PCmàx.


d) Se lo podría utilizar como transistor conmutador o switching.

2.4 Tarea. : 9 : 7,53 ; 8,82

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2.5)

Datos: TT 15
0,7 ; 2 ;

2µ ;.

@W 1

De la ordenada al origen de la recta de carga se obtiene:


15
3,6 → 4,16%Ω 4,16%Ω
3,6

Con este valor, se arma la recta de carga:


1
3,6
4,16%Ω

Malla de salida

4 5 15 2 . 4,16%Ω 6,68

1000

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;
Condición de diseño:

→ ≫ 10

Mí ℎ Y9 100Ω, ! 10Ω ≤ ≤ 470Ω

1000.100Ω
10%Ω
10 10

6 7 2 4110Ω5 0,7 0,92 0,92

2 2
→ 2 3
2 3

2 3 2 3
→ 2 3
2 3

Igualando las ecuaciones:


2 2 3
→ 3 3 163,04%Ω

2 3
→ 2 10,65%Ω
2 3 2

Malla de salida
4 5

15 6,68
100Ω 4,06%Ω 4,06%Ω
2

O de otro modo:
4 5 4,16S%Ω 100Ω 4,06%Ω

b) Tarea. : 9 : 2,81 ; 4,79

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2.6
Datos: TT 15 ; 50
3 6 ; 2 3 2 ;

3 3

2 3 4

Por criterio:
100Ω

3 34 2 5

3
2
3

4,3%Ω

50
. 100Ω 500Ω Condición de diseño
10 10

3 2 3

3 6 2 7

500Ω
2 6 2 . 100Ω7 0,7 1,12
50

15
3 500Ω. 6,69%Ω
1,12

500Ω . 15
2 540,34Ω
15 1,12

2 2 2 15 4 . 100Ω 14,6

Ing. Héctor RIZO 8

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