Eficiencia

Eficiencia cuántica
cuántica externa.
externa.

Pérdidas de Fresnel
Ángulo crítico.
Absorción del semiconductor
 Eficiencia
Eficiencia cuántica
cuántica externa.
externa.
1. Pérdidas de Fresnel

R f (θ ≈ 0 ) =
(n2 − n1 )
2

T f (θ ≈ 0 ) =
4 n1n 2
Incidencia normal: (n1 + n 2 )2 (n1 + n 2 )2

θ2 C

• n1=3.5 n 2=1 ⇒T=70% n2

• nx=(n1·n2)1/2 ⇒ T=82%
n1
• nx=1.5 ⇒T=80% n1 > n2
θ1
A B
n1 cosθ 1 − n2 cos θ 2
rTE =
n1 cos θ 1 + n2 cos θ 2
 Eficiencia
Eficiencia cuántica
cuántica externa.
externa.
2. Ángulo sólido:
- Fotones con θ < θc θ c = sin −1
(n2 n1 )
• n1=3.5 n 2=1 ⇒ θc=17º

• nx=1.5 θc=nx· sen 90º ⇒ θc=26º

n1· senθ
 Eficiencia
Eficiencia cuántica
cuántica externa (definición)..
externa (definición)
Eficiencia ηext ∝ ángulo sólido
dΩ=dA/R2 dA=2πR2senθ·d θ
dΩ= 2πsenθ· d θ

1  θc

η ext = 2 • ∫ T f (θ ) • 2π • sen θdθ 
4π  0 

4 n1n2
Incidencia normal ηext =
(n1 + n2 )2
(1 − cos θc ) ηext=3%
Emisor lambertiano
θ
I=I0cosθ 1 θc  n22
ηext = T f  ∫ ( I 0 cosθ )2π • sen θdθ  ηext = Tf 2
2πI 0  0  n1
Eficiencia
Eficiencia cuántica
cuántica externa (definición)..
externa (definición)

Fuente Perfil de θ1/ 2 Φ emitido en [0º,θ] Φ total

Intensidad
Puntual Iθ = I 0 NA 2πI 0 (1 − cosθ ) 4πI0
Lambertiana I θ = I 0 cosθ 60º πI 0 sin 2θ πI0
Exponencial I θ = I 0 cos n θ Cos-1 0.51/n 2πI 0 (1 − cos n +1 θ ) 2πI 0
n +1 n +1
Eficiencia
Eficiencia cuántica
cuántica (acoplo fibra)..
(acoplo fibra)

sen −1 ( NA )

∫ I (θ ) sen θdθ
ηc = 0
90º

∫ I (θ ) sen θdθ
0

ηc = ( NA)
2
Lambertiano ⇒
NA=0.15 ⇒ ηc
 Doble
Doble heterounión
heterounión
Ventajas:
- Transparencia
- Confinamiento
- Eficiencia de inyección
- Guiado óptico
- Contactos
- Ataque selectivo

Doble Heterounión
Parámetro
Parámetro de
de malla
malla vs
vs gap
gap

AlxGa1-xAs:
Eg(x) = 1.424 + 1.266x + 0.266x 2 0<x<0.45

In1-xGaxAsyP1-y
Eg(x) = 1.35 - 0.72y + 0.12y2
x = 0.45·y(max=1.65m)
2ª ventana λ=1.3 m (x=0.28)
3ª ventana λ =1.55 m (y=0.6)
Parámetro
Parámetro de
de malla
malla vs
vs gap
gap

Sensores de gases ópticos

Comunicaciones ópticas
 Fabricación
Fabricación de
de LEDs
LEDs (rojo
(rojo 660nm)
660nm)

1. Substrato GaAs 200 um

2. Epitaxia GaAs0.6P0.4
3. 50 um de GaAs0.6P0.4 dopado N=1017
4. Ventana de SiO2 y dopapo P=1019
5. Contatos superior e inferior
 Fabricación
Fabricación de
de LEDs
LEDs (SLED
(SLED vs
vs ELED)
ELED)
Surface LED (SLED) Edge LED (ELED)
BURRUS

Confinamiento en zona activa

⇒ Atenuación
⇒ Guía muy delgada y electrodo largo
Radiancia I(mA) P(mW)
InGaAsP(1.3 µm) SLED 50 100 6
AlGaAs (0.85 µm) SLED 100 150 14
AlGaAs (0.85 µm) ELED 1000 450 8
Fabricación
Fabricación de
de LEDs
LEDs (SLED
(SLED vs
vs ELED)
ELED)
Fabricación
Fabricación de
de LEDs
LEDs (encapsulados)
(encapsulados)
T-1 T-1 3/4
 Fabricación
Fabricación de
de LEDs
LEDs (encapsulados)
(encapsulados)

Subminiature

T-1 T-14/3

Rectangular Hermetic
Polarización
Polarización de
de LEDs
LEDs
Aplicaciones
Aplicaciones LEDs:
LEDs: sensores
sensores transmisión
transmisión
Aplicaciones
Aplicaciones LEDs:
LEDs: sensores
sensores transmisión
transmisión
Aplicaciones
Aplicaciones LEDs:
LEDs: sensores
sensores reflexión
reflexión