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  • DISPOSITIVOS TOMO I Margarita Garcia Burciaga PDF

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    dispositivos electronicos TOMO1 Cuarta edieién (Primera reimpresién) Margarita Garcia Burciaga de Cepeda Arturo Cepeda Salinas (Egresados de la Escueta Superior de Ingenieria Mecanica y Eléctrica) i INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL $6 MEXICO, 1988 CONTENIDO r INTRODUCCION CAPITULO CAPITULO il 1 ‘12 1 T1 Ld. 1. al Al bn Bits be PPNYyy DURROD Concepto de elemento Leyes de Kirchoff Teoremas mds empleados en el anilisis de circuitos electronicos MODELOS LINEALES Introduccion Diodo ideal y fuente dependiente ideal Diodo ideal Fuente dependiente ideal Ejemplos Problemas PRINCIPIOS FUNDAMENTALES DE LOS SEMICONDUCTORES Introduccién Teorfa de las bandas de energia Teorema de Bloch Modelo de Kronig-Penney para un cristal infinito unidimensional Masa efectiva m* Concepto de hueco Semiconductores intrinsecos Estadistica de huecos y clectrones Semiconductores extrinsecos Concentracién de portadores Pagina 89 89 92 96 103 109 114 117 121 122 CAPITULO x os rs) bi 27 2.7. 2.7. 2.8 29 2.9. 2.9. 2.9. wre Nivel de Fermi en un semiconductor extrinseco para diferentes temperaturas Bajas temperaturas y altas concentraciones de impurezas Caso de incompleta ionizacion del nivel de impurezas a muy bajas temperatura Movimiento de los portadores de carga Conductividad Difusion Efecto Hall Fotoconductividad Tipos de fotoconduccién Mecanismos de fotoconduccién Fotoconductividad intrinseca Ejemplos Preguntas Problemas Bibliografia UNIONES Y CONTACTOS SOLIDOS Introduccion Contacto metal-metal Comportamiento térmico Contacto metal-semiconductor Distribucion de potencial y capacidad en un contacto metal-semiconductor rectificante Distribucion de potencial en un contacto metal-semiconductor no rectificante (contacto Shmico) Comportamiento elécirico de un contacto metal-semiconductor rectificante Unién semiconductor-semiconductor Unién abrupta Capacidad de la union P-N por unidad de area de union Comportamiento eléctrico de la unién P-N Fenémenos de ruptura en la union P-N Ruptura por avalancha o multiplicacion Consideraciones térmicas sobre la ruptura por avalancha Ruptura Zener 125 125 128 128 129 131 132 135 135 136 137 443 156 158 160 161 161 162 165 165 172 173 176 178 187 189 192 192 195 196 www Www DANA Wn abe CAPITULO Comportamiento dindmico de la unién P-N Comportamiento transitorio Ruido en Ja uni6n P-N Ruido térmico Ruido blanco Ruido total Ejemplos Preguntas Problemas Bibliografia DIODOS SEMICONDUCTORES Introduccion /Diodo rectifieadox! Comportamiento eléctrico Simbolo Especificaciones y limitaciones Modelos Variacion de parametros iodo Zener” Comportamiento eléctrico Simbolo Especificaciones y limitaciones Modelos Variacién de parametros _Aplicacion tipica . Diodo tanel . Proceso tanel Simbolo Especificaciones y limitaciones Modelos Variacién de parémetros Aplicaciones tipicas Diodo varactor (varicap) Simbolo Especificaciones y limitaciones Circuito equivalente Ejemplos Preguntas Problemas Bibliografia 199 200 206 207 207 207 209 231 233 235 237 237°" 238+ 238°" 239 247 249 258 270 271 272 274 276 280 282 282 284 285 311 314 319 CAPITULO 5 a BoB wn pp & bre 5.4.1 5.4.2 5.4.3 55 APENDICES Rome AmMmoOm TRANSISTOR BIPOLAR « _ Introducgi6n | Eguaciones de EbersMoll “ #8imbolo del transistor bipolar Especificaciones y limitaciones Variacién de parametros Ruptura det transistor Métodos fundamentales de polarizar un transistor bipolar Modelos equivalentes 0 circuitos equivalentes Modelo equivalente a partir de las ecuaciones de Ebers-Moll Circuito equivalente hibrido Circuito equivalente hibrido = Concepto de recta de carga y punto de operacion Ejemplos Preguntas Problemas Bibliografia Método de WKB para determinar Ja transparencia de las barreras de potencial Constantes fisicas Cuadripotos Propiedades de los semiconductores Propiedades del Ge, Si y GaAs a T=300K Tabla de conversién de factores Curva normalizada de la funcién error normalizada y la distribucién gaussiana Principales dispositivos semiconductores discretos Calculo de disipadores en funcién del drea de Jas placas de aluminio Teoremas de circuitos Disipadores Bibliografia de apéndices INDICE TEMATICO 321 321 323 333 333 346 346 347 349 349 351 356 357 361 384 387 394 395 397 399 400 417 418 420 421 422 440 441 451 460 461 | INTRODUCCION Para el entendimiento de los circuitos y dispositives electrénicos es necesario partir de las ieyes mas elementales de la teorfa de los circuitos eléctricos, puesto gue los circuitos electrénicos también obedecen a estas leyes. il, CONCEPTO DE ELEMENTO Elemento de un circuito electrénico es cualquier dispositivo 0 arreglo de dispo- sitivo por el que circula una corriente electronica. Pueden ser dispositivos un(a): resistencia; bobina: capacitor; diodo; triodo; transistor; SCR; transformador, circuito integrado; varistor; fotocelda. Cada uno de estos dispositivos obedece a una ley de comportamiento eléc- trico, es decir: In =f, T. 2, t, etc), J INFRODUCCION donde: Ip esa corriente en el dispositivo; \ Tp esel voltaje en el dispositivo; T esia temperatura; | es el nivel de iluminacién: t eseltiempory ! etc es cualquier otro parémetro. \ Conociendo Ja ley de comportamiento de cada dispositivo, y el arreglo de dispositivos que forman cl elemento, se puede obtener la ley de comportamien- to eléctrico del mismo. Ejemplo i.1. Sea el elemento de la Fig. id: Do Do Ds Figura i, Elemento serie-paralelo formado por tres dispositivos. Si el comportamiento de los dispositivos del ejemplo i.1 es: Vp, = KiB, » (il) Von = Rib, » (2) Wp, =M+Nkp; > G3) el comportamiento del elemento sera: Van = Vay + Vor = Yo, + os» Vp, = Vos» Y= Van. Jp, + Ing = Io, = lp. M+ Nbb. at + bbs = i.1. CONCERTO DE ELEMENTO Rly -M bos" NER: "Rip —M = Kip sen SRoé | G4) La expresion (1,4) da el comportamiento eléctrico del elemento mostrado = ls Fig. i. De la misma manera, conociendo el comportamiento eléctrico de dispositive involucrados en un elemento, siempre es posible obtener el mportamiento eléctrico del mismo, siendo en ocasiones este comportamiento o expresable en ecuaciones diferenciales o bien en funciones trascendentes iles de manipular. Se dice que un circuito eléctrico es el formado por la conexién de elemen- siempre que se forme al menos una trayectoria cerrada para la corriente tr6nica, Para el andlisis de los circuitos eléctricos existen algunas leyes y teoremas simplifican los cdlculos y ayudan a comprender mas répidamente el funcio- -amiento eléctrico del circuito. L1.1. Leyes de Kirclibff La suma de corrientes que entran a un punto de interconexion de elemen- tos (nodo) es igual a la suma de corrientes que salen. Es decir, en el caso de Ja Fig. 12 se debe cumplir: i tigtitisin tis. G5) Elemento 1 Elemento 6 Figura i.2. Representacién gréfica de un punto de interconexién de elementos (nodo). La suma algebraica de las diferencias de potencial en cualquier trayectoria cerrada (maila) es cero (considerando las fuentes como subidas de potencial). Es decir, en el caso de la Fig. 1.3 se debe cumplir: %-K-K%-%-B=0, 1 INTRODUCCION donde: \% y % son fuentes de voltaje: y |. % y % son las caidas de potencial en los elementos 1, 2 y 3 respectivamente, cs Figura 1.3, Representacién grafica de una trayectoria eléctrica cerrada (malla), Con estas dos leyes, y teniendo en consideracién los comportamientos de Jos dispositivos y sus limitaciones, es posible analizar cualquier circuito eléetri- co 0 clectronico, entendiéndose por “analizar” el determinar corrientes, volta- jes y potencias en cada elemento del circuit y, por ende, en cada dispositivo. Sin embargo, para simplificar la tarea del andlisis se emplean algunos teoremas que en ocasiones, y mediante su correcta aplicacién, esclarecen el problema de anillisis. i.1.2. Teoremas mas empleados en el andlisis de circuitos electrénicos 11.2.1. Teorema de Thevenin Este teorema establece que cualquier-red lineal activa con terminales A y B de salida (0 conexién) puede sustituirse por una fuente-de voltaje.(Vp) en serie, con una impedancia Zp, A A Red lineal activa —_— Op B Figura i.4, Representacion esquomitica del teorema de Thevenin. 16 i.1. CONCEPTO DE ELEMENTO a) E1 voltaje equivalente de Thevenin (/7) es el voltaje medido entre las termi- nales A y B en circuito abierto. b) La impedancia equivalente de Thevenin (Zr) es la impedancia que se mide entre las terminales A y B cuando todas las fuentes internas estan en cero. 1.1.2.2. Teorema de Norton EI teorema de Norton establece que cualquier red lineal activa con“terminales Ay B de salida (o conexién) puede sustituirse por una fuente de corriente dy en paralelo con una impedancia Zy. a) La corriente equivalente de Norton (Jy) es la corriente que circula entre A y B al aplicar un cortocircuito a estas terminales, b) La impedancia equivalente de Norton (Zy) es la impedancia que se mide entre las terminales A y B cuando todas las fuentes internas son cero, 7 OA Red lineal activa /s [ Jax Figura i.5, Representacisn esquemitica del teorema de Norton. 1.1.2.3. Teorema de superposicién Fl teorema de superposicién establece que la respuesta (V; 7, P) en cualquier elemento de una red bilateral que contenga dos 0 mas fuentes, es igual a la suma de las respuestas obtenidas por cada fuente actuando separadamente y con todas las otras fuentes en cero. Ejemplo i.2. Aplique cl teorema de superposicién al circuito mostrado y obten- gael voltaje en Ry. R52 Ry=4.2. ‘, A + =3V1C) L\ 7-24 Figura £..2. Diagrama para el ejemplo i.2 (aplicacién del teorema de superposicién). bey 17 | INTRODUCCION Aplicando el teorema de superposicién tenemos: Ro RiRz Yaa> Rak @* RR” Vay = 4.875 V. Los dispositives clectronicos nacen cuando se logra controlar el fluo dela corricats eléotrica, manipulando grandes potencias con pequeflas potencias de control, como sucede en la valvula de vacfo (triodo) o en el transistor, & bien, Ie recistencia de una fotoresistencia al variar Ja intensidad de luz que incide en thle, En la actualidad el ingeniero cuenta con mas de 100 dispositives electroni- cos con los que puede concebir muy distintas aplicaciones. En el presente libro se tratan los principales dispositivos discretos abt san, profundizando en los principios fisicos de operacion, sus caracteristicas y Kimitaciones eléctricas, en sus leyes de comportamiento y en sus aplicaciones tipicas. En resumen, se puede considerar como dispositive electronico: al elemento de circuito que conduce la corriente eléctrica bajo una ley de comportamiento definida y repetitiva, que cumple con las Teyes y teoremas de la teorfa de los circuitos eléctricos Tl olisenador debe conocer el comportamicnto de los distintos dispositives que se consiguen en el mercado, asi como de sus especificaciones, caracteristi- ws tipicas y limitaciones, con objeto de que al aplicarlos pueda predecir el Comportamiento repetitivo del mismo y sus variaciones en tiempo, temperatu- ta, encapsulado, sensitividades con frecuencias de trabajo, ete, ¥ asi poder dise- flar equipos confiables, econdmicos y durables. Connciendo ademas de lo anterior las leyes fundamentales del comportar miente fisico de los dispositivos, asf como detalles de su construceion, podre- nos on el futuro asimilar nuevos dispositivos que surjan y aplicarlos con soltura y seguridad, Es nuestra intencién que a lo largo del libro se consigan estas metas. 18 Capitulo 1 MODELOS LINEALES INTRODUCCION Dentro de la teorfa y andlisis de circuitos eléctricos se trata con elementos pasi- vos y fuentes de voltaje y corriente, desarrollindose métodos de andllisis que se simplifican al “conocer” en cada elemento de circuito el voltaje, la corriente y la potencia. Sin embargo, cuando se tiene un elemento cuyo comportamiento no sigue la ley de Ohm (dV/d/ = cte} dentro de un circuito, el andlisis se com- plica. Por ejemplo: A B o-—_{_}—-9 B Figura 1.1. Circuito serie-resistencia-elemento no lineal para mostrar la dificultad en el andlisis, Si se conecta una resistencia 6hmica (V = RJ) en serie con un elemento no lineal (dV/dI# cte) cuya ley de comportamiento eléctrico es Vag = Me™! ‘ver Fig. 1.1), y esta serie se alimenta con una fuente de voltaje 1 constante, ¥ se quiere determinar la corriente en el circuito, aplicando la ley de voltajes de Kirchoff se tiene: Y= RI+ Vas, (id) donde: Uap = MeX! (siendo M y K constantes); entonces: Ve = RI+ eX, (i.2) | MODELOS LINEALES Si en la expresién (1.1.2) se quiere determinar el valor de la corriente J, se tiene que hacer por tanteos o por algéin método iterativo de cdloulo numéri- co por ser una funci6n trascendente. Si este problema de andlisis se piensa con una sefial de excitacion dependiente del tiempo (por ejemplo, Vg = Vpsen wt) y se quiere determinar el valor de /(1), el problema se complica pues la expresion que se obtiene es doblemente trascendente: Ypsen wt = RI(t) + Me*t , (14.3) Al introducir en un circuito con mayor nimero de mallas un elemento no lineal como el usado en este ejemplo, el problema de anilisis se complica, pues se tiene que trabajar con un elemento de este tipo en Ja solucién de las ecuacio- nes simultdneas que representen al circuito. La complejidad que manifiesta el andlisis de un circuito simple, que involu- cra un elemento no lineal como el usado en el ejemplo, hace necesario el desa- trollo de un método o teorfa que permita, mediante aproximaciones lineales, sustituir los elementos o dispositivos no lineales, para poder simplificar el anali- sis y el disefio de la mayoria de los cisguitos electronicos. El método de athcar un problema de anilisis que involucte elementos o.dis- positives no Iineales es desarrollar un modelo que aproxime mediante segmen- ‘os lineales al dispositivo y asf transformar un problema de un cireuito no lineal en un cierto numero de problemas lineales relacionados y poder aplicar_los m todos y las matematicas de la teorfa clisica de circuitos lineales. “ET concepto de modelo recalca la necesidad de hacer aproximaciones como parte del proceso de analizar un problema fisico, estableciéndose en consecuen- cia un compromiso entre la simplicidad y la realidad. Se puede decir que la teorfa de los circuitos electrénicos comprende cuatro fases importantes: 1) desarrollar un modelo lineal adecuado para los dispositivos electrénicos, que permita el uso de la teoria clasica de los circuitos; 2) desarrollar métodos de anilisis aplicables a circuitos electrénico: 3) sustituir los dispositivos por sus modelos, sin olvidar las regiones en que éstos valen; y 4) interpretar adecuadamente los resultados para que las aproximaciones reali- zadas no hagan que se pierda la iniciativa creadora que permite la concep- cién de nuevos circuitos. En general los cireuitos electronicos no son lineales ni simétricos, y algunos presentan caracterfsticas de impedancia negativa que no pueden ser aproxima- das por elementos pasivos (R, Z, C). Fl prablema de poder desarrollar un mode Io para estos dispositivos se resuelve valiéndose de dos elementos circuitales, ef diodo ideal y la fuente dependiente ideal. 20 1.1, DIODO EAL Y FUENTE DEPENDIENTE IDEAL 1.1, DIODO IDEAL Y FUENTE DEPENDIENTE IDEAL 1.1.1. El diodo ideal Es un elemento no lineal que no disipa potencia y que no es posible encontrar 2a forma practica, pero que sin embargo es necesario para el desarrollo de algu- 20s modelos. La ley que se establece para este elemento es: hm =0, si p20; Ip=0, si B Ze Baan : Z=RU-a). (E117) En la ecuacion (E.1.1.7), sia > 1, la impedancia se hace negativa. Si comparamos el resultado de Ja ecuacion (E.1.1.3) con la ecuacion (E.1.1,7) podemos observar una gran diferencia; esto se debe al hecho de que el teorema de Thevenin usado en el caso de fuentes independientes se tiene que adaptar al do correcto es el de la ecuacién (E.1.1.7), en el cual tenemos efecto de impe- dancia negativa debido a la Presencia de una fuente dependiente, x Ejemplo 1.2. Dibuje la curva de BL y determine el valor de Hen la grdfica Para el circuito de la Fig. E.1.2.1. he b Ya a 2 Figura E.1.2,1. Fuente de voltaje real dependiente de voltaje. s Solucién: Del circuito mostrado en la Fig. E.1.2.1 podemos obtener las siguientes ecua- ciones: (E.1.2.1) 4 an 2.2) ate Olle ] MODELOS LINEALES Usando las ecuaciones (E.1.2.1) en el plano j-h, podemos graficar rectas con pendiente 1/R desplazadas del origen por #M sobre el eje de Vy, tal como se muestra en Ja Fig. 1.2.2. | how oie —Fys01 23 4 % A) fu fu 3 e054; OE MOY Figura E.1.2.2, Grafica de Ja fuente de voltaje real dependiente de voltaje. Ejemplo 1.3. Grafique ¥/ para el circuito de la Fig. E.1.3.1. Solucién: Del circuito de la Fig. E.1.3.1 podemos obtener las siguientes ecuaciones: V=E-RI, (E.1.3.1) geet 2 2 i= R V+ R B (E.1.3.2) Al graficar la ecuacion (E.1.3.2) en el plano V-/, obtenemos una recta con pendiente —1/R, tal como lo muestra la Fig. E.1 Bide Tr EIR ow y £ Figura E.1,3.2, Grafica de la fuente de voitaje real independiente. 26 EJEMPLOS Ejemplo 1.4. Grafique V-/ para el circuito de la Fig, E.1.4.1. Tet teps Figura E.1.4.1. Fuente de corriente real independiente, Solucién: Be fees fou 4 do Tar Del circuito de la Fig. E.1.4.1 obtenemos las. siguientes, ‘ecuaciones: V=Rolny oe (E.1.4.1) T=lo— Izy, ae, (E142) Fe deh By. wong Graficando la ecuacién (E.1.4.3) en el plano V-F obtenemos una recta con pendiente —1/Ro,, tal como se muestra en la Fig. E.1.4.2. Tr Lo (E.1.4.3) Rly ew Figura E.1.4.2. Grafica de la fuente de corriente real independiente. Ejemplo 1.5. Dado un dispositivo de tres terminales que se comporta como se ilustra en la Fig. E.1.5.1, encuentre un modelo que sea equivalente, Figura E.1.5.1. Grafica del comportamiento j-/; de un dispositivo triterminal. J] MODELOS LINEALES Solucion: La Fig, E.1.5.1 muestra Hineas rectas con pendiente 1/R, desplazadas del origen BI, veces sobre el eie de la cortiente; esto hace pensar que el dispositivo tri- terminal que lo representa sea una fuente de comiente real dependiente de cotriente, tal como el que se muestra en la Fig, E.1.5.2, donde: y h=bht+ae oh b=37 oh = ote G05 Be, Resmencas eve pares. eas cae Solucién: Del circuito de la Fig. E.1.6.1 obtenemos: A T=hth, a) 1 RR RD” oy . “ 28 pyre Tea EJEMPLOS Ri +R, +R; : _ R3(Ri + R2) PRR) IY SR RRR : ’ T=Rrl. (E.1.6.1) La ecuacién (E.1.6.1) graficada en el plano ¥-/ representa una recta que i atravieza el origen con pendiente I/Rr, tal como se muestra en la Fig, E.1.6.2. i Rr 0 Figura E.1.6.2. Grafica de las resistencias serie-paralelo. Ejemplo 1.7, Grafique V-/ para el circuito de la Fig. E.1.7.1. by aa + Wows, a Figura E.1.7.1, Circuito paralelo con diodo ideal. = oy: wa. ¥ oft Soluci6n: tex , keg Del circuito de la Fig. .1.7.1 obtenemos las siguientes ecuaciones: . T=h+h, A a h=Ip,, (E.1.71) V=Rht+ he. lt fey V=Rh- a. at |] MODELOS LINEALES Para poder despejar de las ecuaciones (E.1.7.1) la corriente J en funcién del voltaje V, es necesario considerar dos casos, a saber: cuando el diodo conduce y cuando el diodo esté abierto (no conduccién). En esta forma es posible tener dos alternativas. a) Cuando el diodo Dy conduce tenemos Ip, >0 ¥ To, = 0- Sustituyendo estas condiciones en las ecuaciones (E.1.7.1), tenemos: si Ip, 20 entonces > 0; y por lo tanto: T=hth, V=eRh, (B.1.7.2) V=Rob - Despejando f, € Jo on funcién de V, y sustituyendo en J, obtenemos: (E.1.7.3) p) Cuando D, estd abierto (no conduccién), tenemos Ip, = Oy hp, <0. Sustituyendo estas condiciones en Jas ecuaciones (E.1.7.1) obtenemos: si Ip, = 0 entonces i, = 0; y por lo tanto: T=h, (E.1.7.4) V=Roh- Despejando de las ecuaciones (6.1.7.4) aJ en funcion de V, tenemos: l=4y-V. (E.1.7.5) Las ecnaciones (E.1.7.3) y (E-1.7.5) representan en el plano Vi dos rectas con pendientes 1/Rr y 1/Ro respectivamente, tal como se muestra en Ja Fig. E.1.7.2. 30 EJEMPLOS Figura E.1.7.2. Gréfica de las ecuaciones (B.1.7.3)y (£1.75), Para obtener el comportamiento del citcuito es necesario aclarar para qué condiciones de voltaje y corriente valen las ecuaciones (E.1.7.3) y (E.1,7.5), lo cual resulta sencillo ya que la ecuacién (E.1.7.3) se obtiene cuando el diodo D, conduce, y esto sucede cuando > 0 y V > 0, y la ecuaci6n (E.1.7.5) se obtie- ne cuando el diodo D, no conduce, esto es para /< 0 y 7 < 0. Por lo tanto, la srdfica de le Fig. E.1.7.2 representa el comportamiento del circuito representa- do en la Fig. E.1.7.1 en los tramos mostrados en la Fig, E.1.7.3. Figura E.1.7.3. Comportamiento grafico del circuito de la Fig. E.1.7.1. Ejemplo 1.8, Dado el circuito de la Fig. E.1.8.1, grafique su comportamiento de voitaje-corriente en el plano FL, Figura E.1.8.1. Circuito paralelo con diodo ideal Y corrimiento de nivel, 31 |] MODELOS LINEALES Soluci6n: Del circuito de la Fig. E.1.8.1 tenemos: T=hth, =I, * (E.1.8.1) V=Roh, VeRh+ Yo, Fh. Tomando en cuenta el ejemplo anterior, tenemos dos casos. a) Cuando el diodo D; conduce, tenemos Ip, > 9 y Vo, = 0 Sustituyendo en las ecuaciones (E.1.8.1), se tiene: si Ip, 2 0, entonces f > 0; y por lo tanto: T=ht+h, V=Roh. (E.1.8.2) VeRht&. Despejando J, e J, en funcién de V y sustituyendo en J, obtenemos: tide BL ot ee RoR T= Re + RY RO Rr=R Ri? (B.1.8.3) b) Cuando el diodo D, no conduce, tenemos Ip, = Oy Fb, <0. Sustituyendo en las ecuaciones (E.1.8.1), se tiene: si Ip, = 0, entonces J, = 0, y por lo tanto: l=h. (E.1.8.4) FaRoh- 32 EJEMPLOS Despejando / en funcién de V, tenemos: 1 T RY: 2 (E.1.8.5) Las ecuaciones (E.1.8.3) y (E.1.8.5) representan en el plano de ¥-7 dos rec- tas, una con pendiente 1/Ry desplazada del origen y otra con pendiente 1/Ry que atravieza el origen. Para saber cudl es el comportamiento definitivo del cir- cuito, necesitamos nuevamente conocer en qué condiciones de valtaje V y corriente J del circuito el diodo D, conduce o estd abierto. En el ejemplo anterior resulta facil, ya que no existen fuentes de voltaje ni de corriente y s6lo hay un diodo, pero cuando el circuito se hace m4s complejo la manera de obtener las condiciones de voltaje V y corriente J en que algiin determinado diodo empiece o deje de conducir es el método que llamaremos fre puntos de inflexién, el cual nos permitird obtener el punto o puntos en que dos o mas rectas cambian de pendiente. A continuacién describimos el método de puntos de inflexién @D. El punto de inflexién corresponde al punto en donde las rectas cambian de pendiente y es precisamente cuando un diodo ideal empieza o deja de conducir y, de acuerdo a sus caracteristicas, esto sucede en el punto en que J, = Oy ¥p = 0, tal como se muestra en la Fig. E.1.8.2. db Y= 0, Ip=0 Figura E.1.8.2, Caracteristicas VJ del diodo ideal. Si aplicamos este método a nuestro presente ejemplo, podemos obtener el punto en que ambas rectas cambian de pendiente y asf saber cual es el compor- tamiento definitivo del circuito mostrado en la Fig. E.1.8.1. El lector puede comprobar que el punto que obtendremos debe ser igual al que se obtiene al igualar las ecuaciones (E.1.8.3) y (E.1.8.5). Cuando Ip, = Oy Yp, = 0, las ecuaciones (E.1.8.1) se reducen a: T=h, V=Roh , (E.1.8.6) Vek. 33 | MoDELOS LINEALES Despejando J en funcion de Ey, se tiene: AL : Ro * (E.1.8.7) . V=E,. El punto de inflexién del diodo Dy sera: E, PLDAEs,R-) + Al graficar las ecuaciones (E.! 8.3), (E.1.8.5) y el punto de inflexién PID, Negamos a la grafica mostrada en la Fig. F.1.8.3. Figura E.1.8.3, Gréfica del circuito de la Fig, B.1.8.1. Ejemplo 1.9. Dado el circuito general paralelo con diodos ideales de la Fig. §.1.9.1, encuentre el comportamiento de Vel Figura E.1.9.1, Circuito general paralelo con diodos ideales y fuentes de voltae ideales inde- pendientes, donde Ey >Ey-1> +.B, >E, > Eo. 34 EJEMPLOS Solucién: Aplicamos los conceptos vistos en los ejemplos anteriores, de tal manera que las ccuaciones que podemos obtener del circuito mostrado en la Fig, E.1.9.1 son: T=hththt+...+h, h=tb,, h=h,. In = Ip,» (E.1.9.1) V= Rolo + Eo, VeRh+ isk, V=Rht +h, V= Rh, + Yo, + En Cuando hay mas de un diodo en el circuito, resulta conveniente determinar primeramente los puntos de inflexién de cada uno de ellos y luego las ecuacio- nes que describen el comportamiento de VJ. Del ejemplo anterior podemos ver que el diodo D, conduce a partir de que V>£,. Esto nos permite inducir que para nuestro ejemplo 1.9 el diodo D, conducird a partir de que V > £,; el diodo D; lo hard cuando V> Ey. y asf sucesivamente. Si tomamos en cuenta esto. podemos tener los siguientes puntos de inflexion. i) Para el diodo D, el punto de inflexién se tendra cuando Ip, = 0, Ip, = Oy el resto de los diodos se consideren abiertos, Esto implica que: Jp, = 0, In, = 0,. - ., Jp, = O3y entonces las ecuaciones (E.1.9.1) se redu- cen a la siguiente forma: | MopELOS LINEALES I=h; V= Roly + £o> (B.1.9.2) Vek. Despejando J en funcién de £, , obtenemos: sae (£.1.9.3) V=E,. Las ecuaciones (E.1.9.3) muestran las coordenadas del punto de inflexién para el diodo Dy, esto es: E- PED, (Ei, Ay : ii) Para el punto de inflexidn del diodo D2 , tenemos Ip, = 0, Vp, = 0. Eldiodo D, est en conducci6n (por lo tanto Ip, > 0, Vp, = 0) y el resto de los dio- dos estan abiertos; entonces Jp, = 0,-..- ++ Jp, = 0. Sustituyendo estas condiciones en las ecuaciones (E.1.9.1), obtenemos: T=h+h, V= Rol t+ Fo, VeRhth. V=h. Despejando / en funcién de £, , obtenemos: BoB WB Re Ro (E.1.9.5) Vem. (E.1.9.4) Las ecuaciones (E.1.9.5) muestran las coordenadas del punto de inflexién del diodo D;, esto es: E,— Fo PED Ea 36 EJEMPLOS En la misma forma podemos obtener Jos puntos de inflexién para el resto de los diodos, quedando en forma general que el punto de inflexién para el dio- do D, es: donde: n=1,2,3,4... Para determinar las ecuaciones de comportamiento tenemos: a) Cuando ningiin diodo conduce. es decir, cuando V < Ey, Ey... . Ey, se cam: ple que Ip, = Ip, = Ip, = -».= Ip, = 0. Por lo tanto, lasecuaciones (E.1.9.1) se reducen a: T=h. (E.1.9.6) V = Roly + Eo- Despejando / en funcién de V, obtenemos: I Ez. V-Rolo (E.1.104) b) Cuando D, no conduce. Ip, = Oy I, <0. Por lo tanto, las ecuaciones (E.1.10.1) se reducen a la forma: 39 | MODELOs LINEALES T= In, hs V=Rl+ to, > oP (E.1.10.5) V=Rol+ Riley» Vp, = Rule, - De las ecuaciones (E.1.10.5) obtenemos: Ry a i V<-Roh. (.1.10.6) Bek RR,” Usando el punto de inflexidn y las ecuaciones (E.1,10.4) y (E.1.10.6), obte- nemos el comportamiento grafico del circuito, tal como se muestra en la Fig. E.J.10.2. Figura E.1.10.2. Comportamiento 1-/ del circuito serie con diodo ideal y corrimiento de nivel. Ejemplo 1.11. Dado el circuito general serie con diodos ideales, obtenga su comportamiento V-I. Figura E.1.11.1. Circuito general serie con diodos ideales donde, fy >In. >. PA > ho - 40 fl EJEMPLOS Solucion: Del circuito mostrado en la Fig, E.1.11 .1, obtenemos las siguientes ecuaciones: I= + Ing, T=h+In,— Ip,» (E111) V = Vag + Vig to. + Van» Ta, = Wy. Van = Voy - Yan = Von - Aplicando el método descrito en los ejemplos anteriores, es posible que el lector compruebe las siguientes ecuaciones: PED, (2 Ri,— toh) (E.1.11.2) La ecuacion (E.1.11.2) es valida para J, < I< Iner J] MopELos LinEaLes Graficando los puntos de inflexién y Ja ecuacién (E.1.11.2), obtenemos la Fig. E.1.11.2. Figura E.1.11,2, Comportamiento VJ del circuito general serie con diodos ideales. En el circuito de la Fig. E.1.11.1, a mayor numero de diodes la impedancia del mismo tenderd a aumentar; por lo tanto, la pendiente en la grafica de la Fig. F.1.11.2 tiende a disminuir. Ejemplo 1.12, Obtenga el comportamiento -V, detcircuito dela Fig. E.1.12.1. i a, Figura E.1.12.1. Circuito con diodo ideal. Solucién: Del circuito de la Fig, E.1.12.1, obtenemos: KW=hth. Wi= hm, +R, (E.1.12.1) Ww=Rl. EJEMPLOS Para el punto de inflexién del diodo D;., tenemos Ip, = 0 y ¥p, = 0; entor- ces! = 0, Por lo tanto, de las ecuaciones (E.1.12.1) obtenemos: Ah, %=0, (B.1.12.2) PI-D,(0,0) . a) Cuando D, conduce, Jp, > 0 y %, Entonces, de las ecuaciones (E.1.1 -1) tenemos: h=h%. WP. (E.1.12.3) b) Cuando D, no conduce, Ip, = 0 y Vp, < 0, entonces /= 0. Por lo tanto, de las ecuaciones (E.1.12.1) se tiene: Y=, (E.1.12.4) KR=0, K<0. Graficando el punto de inflexién y las ecuaciones (E.1.12.3) y (E.1.12.4), obtenemos Ja Fig, E.1.12.2. ey Wy Figura E.1.12.2. Comportamiento ¥,-V;, del circuito de la Fig. B.1.12.1. 43 | MODELOs LINEALES Fjemplo 1.13. Obtenga ei comportamiento 4-W del circuito de la Fig. E.1.13.1. Figura E.1.13.1. Circuito con diodo ideal. Solucién: Del circuito de la Fig. E.1.13.1, obtenemos: a eee %-E In =A Ann Ian =e R , (E.1.13.1) Vi= Ve, + by Y= Va, W=Et+Rilp,- Para el punto de inflexién del diodo Dy. Ip, = Oy Ye, = Osentonces Fe = 0. Por lo tanto, usando las ecuaciones (E.1.13.1), obtenemos: Tay = Ins + E Ins = Ry w= Vay > (E.1.13.2) %=0, . Ri han Ree y hed, R PED(-RE. 0). EJEMPLOS 0, entonces % = 0. & Cuando D, conduce, Ip, > 0 y Yb, = .13.1) se reducen a: Por lo tanto, las ecuaciones (E.1 Tn, = Ir, ~ loys In® -eE . (£.1.13.3) Kava, w=0, R, Wwa0, W<-Qok. (E.1.13.4) 2 b) Cuando D, no conduce, Ip, = Oy Mp, <0. Entonees las ecuaciones (E.1.13.1) se reducen a: Jn, = Ir y-E Tay = “ae ; (E.1.13.5) Y= Va, te. De las ecuaciones (E.1.13.5), obtenemos: Ry RX Rem “tere E, Ve-Zte. 1138) Graficando el punto de inflexién y las ecuaciones (E.1.13.4) y (E.1.13.6), obtenemos la Fig. E.1.13.2. RiEMRi+ Ra) ~RIR)E Figura E.1.13.2. Comportamiento ,-V4 del circuito de la Fig, £.1.13.1. |] MODELOS LINEALES Fjemplo 1.14. Grafique el comportamiento 4-V; del circuito de la Fig. E.1.14.1. Figura E.1.14.1, Circuito con diodo ideal y fuente de voltaje independiente. Solucién: Del circuito de la Fig. E.1.14.1, obtenemos: Y= Vay + Voy +E, Vi = Vay + Vans V= Va,» (E1141) hah, +F, Tn, = Ib, + Tre + Para el punto de inflexién del diodo Dy, Ip, = Oy Vo, = Osentonces % = E. Por lo tanto, las ecuaciones (E.1.14.1) quedan: i= Ya +E, Vi = Vas» —s (B.1.14.2) Ww=E, Tey = Ing + De las ecuaciones (E.1.14.2), podemos obtener: 46 EJEMPLOS: A Rr Ete, Ri + Re —e FE y Kee, RitRz PED ELE). a) Cuando D, conduce, Jp, > 0 y ¥, = 0; entonces ¥; = Ey las eouaciones (E.1.14.1) se reducen a la forma: Y= Vet, Y= Ta, + My, Kate, (E.1.14,3) WB=E, Try = Ip, + Ing » De las ecuaciones (E.1 -14.3) obtenemos: (Ri + RE wae, y>titRe (E.1.14.4) Ry b) Cuando D, no conduce, Ip, = Oy Vp, < 0, entonces: Vi= Van + Vp, +E, Vi= Vay + Vays Y= Va (E.1.14.5) V= Vp, +E, Tay = Ing» 47 | MODELOS LINEALES Usando las ecuaciones (E.1.14.5) obtenemos: Ry < (Ry + RE he A, & R (E.1.14.6) Graficando el punto de inflexién y las ecuaciones (B.1.14.4) y (B.1.14.6), obtenemos la Fig. E.1.14.2. KH (Ry+RDEIR2 Figura E.1.14.2. Comportamiento Vi-V; del circuito de la Fig. E.-1.14.1. Ejemplo 1.15. Grafique el comportamiento V-/ del circuito de la Fig. E.1.15.1. Figura E.1.15.1, Circuito con diodos ideales. Solucién: Del circuito de la Fig. E.1.15.1, obtenemos las siguientes ecuaciones: (E.1.15.1) 48 EJEMPLOS En este ejemplo existen dos diodos ideales; por lo tanto, tendremos dos puntos de inflexion, uno para el diodo D, y otro para el diodo D,. En esta forma deberemos determinar el punto de inflexién para el diodo D,, condicionando al diodo D, el cual puede estar en conduccién o abierto. Si la condicion que tomamos no es correcta, las ecuaciones que obtengamos darén resultados erréneos, tal como mostramos a continuacién. Para el punto de inflexién de D,, Jp, = Oy ¥, = 0; ademés consideramos que el diodo D, esta abierto, 1o cual implica que Ip, = 0. Sustituyendo en fas ecuaciones (E.1.15.1), obtenemos: Va¥%,, ieh, . (B.1.15.2) Wy =Ta-E, r=0, Al trabajar con las ecuaciones (E.1.15.2), podemos ver que existen resulta- dos contradictorios, esto es: T=h=0, mientras que otra de las ecuaciones da: In=(%o, + BIR=0, %, =—E (este valor haria que D, estuviera en conduccién). Estos resultados nos permiten concluir que en nuestro ejemplo no podemus considerar que el diodo D, esta en no conduccién (abierto), cuando calculamos el punto de inflexién del diodo D, ; por lo tanto, ia condicién correcta para D, sera considerarlo en conducci6n, lo que implica que Jp, > Oy Vp, = 0. Sustituyendo en las ecuaciones (E.1.15.1), tenemos: V=0, Ie = Sop » =k, i=0. (E.1.15.3) 49 |] MODELOs LINEALES Despejando de las ecuaciones (E.1.15.3) el punto de inflexién, se tiene: PED, (0,0). Para determinar el punto de inflexion de D,, consideramos ahora que el diodo D, esta en conduccidn, esto es: Ip, = Oy Vp, = 03¢ In, > OY Vo, = 0. Sustituyendo en las ecuaciones (E.1.15.1), obtenemos: v=0, 1=Ip. (B.1.15.4) aE. Despejando de las ecuaciones (E.1.15.4) el punto de inflexién de D2 , tene- mos: v=0, E [=z + PED; (0,2). Las ecuaciones de comportamiento del circuito seran: a) Cuando ambos diodos conducen: Jp, > 0 y Vp, = 0, € lp, > OY Ve, Sustituyendo en las ccuaciones (E.1,15.1), tenemos: v=0, # (E.1.15.5) Pedy) OM eee b) Cuando el diodo D, no conduce y el diode D, conduce: Jp, = Oy Yo, <0, ely, > Oy Vo, = 0. Sustituyendo on las ecuaciones (E.1.15.1), se tiene: v=%. (£.1.15.6) T=0, V Oy Yo, = 0, elp, = OY Ip, <0. 50 EJEMPLOS Sustituyendo en las ecuaciones (E.1.15.1), se tiene: Va To, f=In, (E.1.15.7) > e-E. Despejando J en funcién de V, obtenemos: -4y34 £ I= Rt RE. Ip R- (E.1.15,8) Graficando los puntos de inflexién de ambos diodos y las ecuaciones (E.1.15.5), (E.1.15.6) y (E.1,15.8), se obtiene la Fig. (E.1.15.2). L (0,£/R) (0,0) Figura £.1.15.2. Comportamiento VI del Girevito de la Fig, E.1.15.1, Nota.— En los siguientes ejemplos nuestra soluciin seré mds directa, Siguiendo Jos pasos que hemos venido aplicando, Ejemplo 1.16. Obtenga el comportamiento ¥-J del circnito de la Fig. E.1.16.1. Figura E.1.16.1. Circuito con diodos ideales. SE | MODELOs LINEALES Solucion : V=h,t+E£, V=h,-E, (E.1.16.1) T= Ip, — Ip, « Punto de inflexién para el diodo D, : Ip, = 0 y Mp, = 0; se considera D, abierto, Ip, = Oy Vo, <0. Entonces tenemos: V=E, (E.1,16.2) I=0, PED, (E, 9). Punto de inflexién para el diodo D,: Jp, = 0 y Mp, = 0; se considera D, abierto, Ip, = Oy %, <0. Entonces tenemos: =-E, (E.1.16.3) I=0, PED, (-E, 0). a) Cuando D, esté abierto y D, en conducci6n: Jp, = Oy %, <0;elp, > Oy Yp, = 0. Por lo tanto: V=-E, (E.1.16.4) =-Ip, « b) Cuando D, esta abierto y D, en conduccion: Ip, = Oy Va, <0, ¢ tp, > OY Vp, = 0. Por lo tanto: V=E, (E.1.16.5) T= Ip, « 52 EJEMPLOS ©) Cuando ambos diodosestin abiertos: Jp, = Oy Tp, < 0,€ Ip, = Oy Vp, <0. Por io tanto: T=0, -E oem (61.173) V= Vay, VeVe,+h. De las ecuaciones (E.1.17.3), ya que Jz, = Ip, = 0, tenemos Vr, Por lo tanto: V=h, et (B.1.17.4) Ri’ A PED, (E.R) - 1 Para el punto de inflexién del diodo Dy, consideramos D, y D; abiertos; por lo tanto: fp, = OY Wp, % Oslp, = OY Moy < Ose Ip, = OY Vo, = 0. Sustituyendo esto en las ecuaciones (E.1.17.1), obtenemos: 54 EJEMPLOS (E.1.17.5) De las ecuaciones (E.1.17.5), obtenemos: i=0, Vs-E,, *, PID; (—E,, 0). a) Para D, en conduccién y D; y Ds Ip, = Dy Yo, < 030 Ip, = OY Te, <0. abiertos, tenemos: Ip, > 0 y Ve, = 0; Sustituyendo esto en las ecuaciones (E.1.17.1) obtenemos: t=, , Joy = Try V= Vays V=h, +h, V=,-B. De las ecuaciones (E.1.17.6) tenemos: Vath Le V= Rie, (E.1.17,6) (E.1.17.7) 55 | MODELOS LINEALES b) Para D, y D, en conduccion y Dg abierto, tenemos: Ip, > 0 y Vo, = 05 Ing # OY Yo, = 030 Ip, = OY Voy <0. T=,» Jp, = Ia + Toy» V= Ves (B.1.17.8) V=Vath, V=,-f - De las ecuaciones (E.1.7.8), tenemos: 1= Ip, + Ib,» E - I= Ce te V>k,. (E.1.17.9) ¢) Para D, y Dy abiertos y Ds en conduccién, tenemos: Ip, = 0 y Vo, < 05 Ip, = OY Vo, <03€ Ip, > OY Vo, = 0. Sustituyendo esto en las ecuaciones (E.1.17.1), se tiene: 1 =-Ip;, Ip, = 0, V= Vos (E.1.17.10) V= Vp, + Tp, + Es Va-In,- Bi. Despejando de las ecuaciones (E.1.17.10) se obtiene: 56 EJEMPLOS Vigee. V<-h . (E1171) 3 d) Para D,, Dz y D3 abiertos, tenemos: Jp, = Oy I, <0, Jp, = Oy Vp, <0,e Ip, = OY Vy, <0. Sustituyendo en las ecuaciones (E.1.17.1), se tiene: T=0, V=%,-h, J=0, -E, Ty + Try ~ Ip, = Ing + I + Ip, = Ir, » i= Ws» Y=ht+h, = Va > . Va = Vay» = 1k, +, +h. (E.1.18.1) Para el punto de inflexion del diodo D, consideramos D; y D; abiertos; por lo tanto: Ip, = Oy Ye, = Oily, = Oy Vo, < 0;e fp, = Oy Vo, <0. Sustituyendo en las ecuaciones (E.1.18.1), se tiene: i= = In, = 9, Kah, VY, = Rola - Despejando V, y % en funcién de / , tenemos: WeRoh, WYaRh, PED; (Roh ; Roh) 3 yaque f;=0.5SA y Ro = 109, tenemos: PED, (5V, SV). 53 (£.1.18.2) (E.1.18.3) EJEMPLOS Para el punto de inflexién del diodo D;, consideramos D, y D; abiertos; por lo tanto: Ip, = Oy Wh, < O:Jp, = Oy Wh, = Ose Ip, = Oy Ip, <0. Sustituyendo en las ecuaciones (E.1.18.1), se tiene: f=h+Tn,, 1+ Tay = Ing Ing = 0, W=%,, (E.1.18.4) K= bth, Yo, = Vay B= Vag» W=E8,. Despejando Vi y % de tas ecuaciones (E.1.18.4), tenemos: Kak - (B.1.18.5) W=Rilny +B, -R, Wee h-RAth, 7 Ri + Ro Y=¢ Via—- Rik, Ro 39 | MODELOS LINEALES +R . PED: (OR a — Rik Ba) yaque Ro =R, = 109; J, = 0.5 Ay Ey = 10 V, tenemos que: PED, (15 V, 10 V). Para el punto de inflexién del diodo D, consideramos que el diodo D, con- duce y el diodo D, esté abierto; por lo tanto: Ip, > Oy Vo, = 05 fb, = OY Vox < 0; 8 Ip, = OY Voy = 0- Sustituyendo en las ecuaciones (E.1.18.1) se tiene: t= ha Tye 4, - Ip, = Iay > Ia = 9, (E.1.18.6) y=0, Kah, . PI-D; (0, 0). a) Cuando el diodo D, estd en conduccién y los diodos D; y Ds abiertos, tene- mos: Ip, > OY Vp, = O:lpy = OY Vo, < 0:€ dng = OY To; < 0. Sustituyendo en las ecuaciones (E.1.18.1), se tiene: I=h-Ip,. le —Ip, = Ino» Ing = 0, Y= Nh; E.1.18.7) hah, Va = Vag» V= he, +h - 60 ESEMPLOS De las ecuaciones (E.1.18.7), obtenemos: Kh=W, O Oy Wo, = Ose lp, = Oy Wp, <0. 61 | MODELOS LINEALES Sustituyendo en las ecuaciones (E.1.18.1), se tiene: T=ht+tIy, Ty + Try = Ing * toa» In, = Ina» Yim Vos 5 (E.1.18.12) Wak, +h, Vo, = Vag Va = Vag» Vi, = Va, + E+ De las ecuaciones (E.1.18.12), obtenemos: Tag = 1, + Try — treo » yw-h Ing = ht RR : ne RoRa y+ Ri Ro (Roh + Es) a= ROR FRR, FRR: |)” RoR + RoR: FRR: ” (E.1.18.13) yaque 1 =0.5A;2,=10VyR)=Ri=Ri= 102, wazurs, W>isv. (B.1.18.14) 4) Cuando D, conduce, D, est abierto y Ds conduce, tenemos: Ip, > 0 y Vo, = Orda, = OY Yo, < 058 tn, > OY hy = 0. Sustituyendo en Jas ecuaciones (E.1.18.1), se tiene: T=h~ In, toy, l= Ip, = Teo > In, = 95 y=0, Kaw. (E.1,18.15) EJEMPLOS De las ecuaciones (E.1.18.15), obtenemos: %=0, K Oy Vp, = 95 ¢ In, > OY Th, = O- 64 EJEMPLOS: Sustituyendo en las ecuaciones (E.1.19.1), obtenemos: T=—-Ip,-Io, I=L-lb,, (E.1.19.4) v=0, v=o, (E.1,19.5) I=h- Ip, I<-imA,. b) Cuando Dy esté abierto y D; conduce, tenemos: Jp, =0 y Tp, <0; € Ip, = Oy Vo, = 0. Sustituyendo en las ecuaciones (E.1.19.1), tenemos: I=h,-h, T=h~t,, (E.1.19.6) v=, Vat. De las ecuaciones (E.1.19.6) obtenemos: V=Rip,, V=R,U+h), 1 Re V-h. (E.1.19.7) Yaque 4=1mA y R,=1KQ, entonces: I=(V—-l)mA, OV4V. (E.1.19.11) Graficando los puntos de inflexién de los diodos D , D, y las ecuaciones (E.1.19.5), (E.1.19.8) y (E.1.19.11), obtenemos la Fig. B.1.19.2. myo Figura E.1.19.2. Comportamiento det circuito de Ja Fig. E.1.19.1. Ejemplo 1.20. Obtenga cl comportamiento gréfico del siguiente circuito que utiliza diodos ideales y fuente de cortiente ideal dependiente de corriente. Bench 2 ax3 Ryo Ry Ryr(@-2)Rs Figura E.1.20.1. Circuito con diodos ideales y fuente de corrients ideal dependiente de corriente. 66 EJEMPLOS Solucién : l=h-at+h+h, V=%, +h +Rih, Veh, +h+Rh, v (E.1.20.1) Rh, h=k,, L=lb,. Para el punto de inflexion del diodo D, , considerando al diodo D, abierto, tenemos: Ip, = Oy Ip, = O;elp, = Oy, <0. Sustituyendo en las ecuaciones (E.1.20.1) se tiene: T=h, Vek, (E.1.20.2) V=R3L. Despejando de las ecuaciones (E.1.20.2),,obtenemos: z, Ini. VaEk, E, PED, (E; "Rt Para el punto de inflexién del diodo D,, consideramos al diodo D, en con duccibn; por lo tanto: Ip, > Oy Yo, = Ore fp, = Oy Ve, = 0. Sustituyendo en las ecuaciones (E.1.20.1), obtenemos: f=(-Oh+4h, VeE+Rh, (E.1,20.3) Vek, V=Rshy. 67 a) db °) 68 MODELOS LINEALES. Despejando de las ecuaciones (E.1.20.3), se tiene: V=Ek, (L-a)(-&) | & [= * l-a\l&-Fil , & +. PED, (Ey, Boa ail 5 By. Cuando ambos diodos estén abiertos, tenemos: Jp, = Oy Vo, < 03e Ip, = 0 y Vp, < 0; entonces las ecuaciones (E.1.20.1) se reducen a la forma: I=h. (B.1.20.4) V=Rh, Tag, VSB. (B.1.20.5) Cuando el diodo D, conduce y el diodo D, esté abierto, tenemos: Ip, > Oy Vp, = 03¢ lp, = Oy Vo, < 0- Sustituyendo en las ecuaciones (E.1.20.1), se tiene: I=(-@h+h, V=E,+Rh, (E.1.20.6) V=Rsh Despejando a J en funcién de V de las ecuaciones (E.1 .20.6), tenemos: Joy =a Rot EVO RTE Bs V 0 y Vp, = 0: Ip, > OY Vp, = 0. EJEMPLOS Sustituyendo en las ecuaciones (E.1.20.1), se tiene: f=(l-aht+h th, V=RL+E,, (E.1.20.8) V=RL+E,, V=Rsi. Despejando de las ecuaciones (E.1.20.8) a J en funcion de V, obtenemos: “RB: V>E. (E.1.20.9) En la ecuacién (E.1.20.9) podemos observar que la pendiente se hace cero, ya que Ry =R,/(a—2). Graficando los puntos de inflexién de los diodos D,, D, y las ecuaciones (E.1.20.5), (E.1.20.7) y (E.1,20.9), obtenemos la Fig. E.1.20.2. amy 1/Rs lea, t m= tat we RL Rs etna, bya F/R ms mR Re Rs pA. a vu Figura E.1.20.2. Comportamiento V-I del circuito de la Fig. E.1.20.1. En este circuito podemos ver que, con s6lo variar los valores de la a, las R’s, E, y Ep, las pendientes de la Fig. E.1.22.2 pueden cambiar. Ejemplo 1.21. Dada la curva mostrada en la Fig. E.1.21.1, la cual es el compor- tamiento de un dispositive, deduzca un modelo con diodos ideales que lo aproxime, 69 |] MODELOs LINEALES Figura E.1.21.1, Curva de un dispositivo aproximada con un modelo segmento lineal. Solucion : De le grafica propuesta, determinamos las pendientes: para Yer2sv, VK <0, 02, met. En la grafica de la Fig. E.1.22.1 se observan dos puntos de inflexién, lo que implica dos diodos; de esta forma el punto de inflexién del diodo D, correspon- de al punto (2 V, 2 V) y el punto de inflexién del diodo D, corresponde al pun- to (~2 V, —2 V). Por lo tanto: By=2V y B=2V. En base a las pendientes y a los voltajes en que se tiene variacién de éstas, se propone el circuito de la Fig. E.1.22.2. 1 te Ro Dy Ds 4 Ry Ry % a =A Figura E.t.22.2. Circuito propuesto para ser modelo del dispositivo triterminal de la Fig. E.1.22.1. Para obtener los valores de las resistencias, tomamos en cuenta las pendien- tes determinadas: esto es: a) Cuando D, y D, estan abiertos: Wek. (E.1.22.1) mal. (E.1,22.2) 73 J] MODELOs LINEALES b) Cuando D, conduce y D, esta abierto: Ri Ro » RrR Wt Rik ER. (E.1.22.3) R m= BER (E.1.22.4) c) Cuando D, esta abierto y D; conduce: R: Ro Y= eae 47 RR . (E.1.22.5) Ri ™m-ReR, (E.1.22.6) Sustituyendo valores en las ecuaciones (E.1.22.4) y (E.1.22.6), obtenemos los valores de las R's en funcidn de Ro : esto es: R Raz y R=Ro- Ejemplo 1.23. Un condensador de 1 f cargado a 2 V se conecta a través de un interruptor a las terminales de una caja negra; Ja ley de comportamiento que sigue el capacitor es: a) el voltaje del condensador decrece linealmente desde 2 V (al momento de conectarse) hasta 1 V; cuando el voltaje del condensador alcanza 1 V, decae exponencialmente hasta cero. Usando fuentes, resistencias y diodos ideales, sintetice un cireuito que fun- cione de la manera indicada. b Solucion : 1) La ecuacion que gobierna el voltaje en un condensador es: + Ke +f Tat. (E.1.23.1) fs Para que el voltaje del condensador decaiga linealmente. se requiere que T= Ip = cte;es decir: 14 3 4 ) ESEMPLOS. 1 ; 1 , Vo= efor], = Ghett HO). Si de la condicién del problema? We2V parar=0. Ve=1V parat= 1 seg, y C= 1f, entonces: h=1A. Se requiere que al conectar cl condensador vaya toda la cortiente de descar- ga a través de una fuente de corriente de 4, = 1 A, la cual dejara de funcio- nar para cuando I= 1 V. Se requiere que cuando Me = 1 V. el condensador quede conectado en serie con una resistencia para lograr que la descarga sea exponencial hasta cero. Para satisfacer el punto 2, se puede pensar en un circuito como el que se muestra én la-Fig. E.1.23.1. : Figura E.1.23.1. Condensador que se descarga a través de una fuente de cortiente ideal, hasta un valor dado de Vo, Antes de cerrar el interruptor S la corriente /, circula totalmente por D,. Cuando se cierra S, se tiene un voltaje de 2 V entre A y B, lo que hace que haya un vollaje de +1 V entre C y B, por lo cual el diodo D, deja de condu- cir y la corriente que se le demanda al condensador es de Jy Cuando cl voltaje del condensador es de | V el diodo D, deja de conducir y nuevamente toda la corriente /) circula por D,. y se tiene un voltaje nulo entre C y B. 75 J MovELos LINEALES 5) Para satisfacer el punto 3 una vez satisfecho lo anterior, basta con agregar una resistencia mayor a 1 Q entre las terminales A y B para que se solucio- ne cl problema planteado, pues esta resistencia quedaria en paralelo con el condensador a partir de que Vo = 1 V. porque el voltaje entre los puntos Cy Bes cero. Circuito final: Figura E.1.23.2. Circuito para la solucién del ejemplo 1.23. Ejemplo 1.24. Dado el comportamiento IJ de la Fig. E.1.24.1, obtenga un cir- cuito equivalente. Figura E.1.24.1. Grifica de comportamiento V1. Solucion : Para V<-Ey, m=O: 1 —Ey Eo, m= 0. 76 EJEMPLOS La grdfica E.1,24.1 muestra dos puntos de inflexion, lo cual implica dos diodos: el punto de inflexion del diodo D, corresponde al punto (—E,, —fy) y el punto de inflexién para el diodo D; corresponde al punto (Ey, 4). En esta forma podemos proponer el circuito de la Fig. E.1.24.2. LZ es R "EH Se | Figura E,1.24,2. Circuito propuesto para el ejemplo 1.24. En este caso las fuentes de corriente tendrn valores de /, y la resistencia R= £glh. a) Cuando ambos diodos conducen: (E.1.24.4) (E.1.24.2) b) Cuando D, conduce y D, esta abierto: T=h, (E.1.24.3) m=0. (E.1.24.4) ¢) Cuando D, estd abierto y D, conduce: m =0. (E,1.24.6) 77 | MopEtos LINFALES Ejemplo 1.25. Dado el comportamiento Vf de la Fig. E.1.25.1, obtenga un cir- cuito equivalente. Figura E.1.25.1. Comportamiento V-I para el ejemplo 1.25. Solucién : Para ¥<0, m =0; O VER, De la grifica, tenemos 3 puntos de inflexién, lo que implica 3 diodos; ade~ més se presenta una pendiente negativa, lo cual podemos solucionar con una fuente de corriente dependiente de corriente (ver ejemplo 1.20). El punto de inflexién del diodo D, corresponde al punto (0, 0); el punto de inflexion para el diodo D, corresponderd al punto (Eo, J) y el punto de in- flexion para el diodo Ds corresponderd al punto (E; . 0). En esta forma pode- mos proponer el siguiente circuito equivalente. Figura E.1.26.2. Circuito equivalente propuesto para el ejemplo 1.26, a) Cuando ningiin diodo conduce: 1=0, (E.1.26.1) m= 0. (E.1.26.2) 80 EJEMPLOS b) Cuando D, conduce y D; y Ds estan abiertos: (E.1.26.3) m=2-. (E.1.26.4) ; ©) Cuando D, y Dy estén en conduccién y Dy abierto: r= + 4-142, (E.1.26.5) Ri 2 R, °° —_— (E.1.26.6) (E.1.26.7) (E.1.26.8) Los valores de las R’s, de Eo, E, y de a dependeran de las pendientes que se tengan en la grafica de la Fig. E.1.26.1. Ejemplo 1.27. Dado el circuito mostrado en la Fig. E.1.27.1, analice el compor- tamiento estdtico (muy baja frecuencia) y establezca la gréficade W contra K. 2 1K. =10v = Woeel e _ TF Figura E.1.27.1. Circuito limitador de voltaje con capacitor (histéresis), Out g——_> {I DELOS LINEALES Solucion : a) Cuando 0V < i <5 V, el diodo D, conduce, cargando el condensador a SV; Wa5Vv. E127.) b) Cuando 5 V< % < 10 V. el diodo D, conduce y D, se abre; wah. (E.1.27.2) ©) Cuando V; > 10 V, los diodos D, y Ds conducen: y= OV. (E.1.27.3) Alreeresar en la excursion del voltaje de positivo a negativo, tenemos: 4) Cuando Yj =10V, ningin diodo conduce y el condensador no se puede des- cargar, quedando en 10 V, hasta que h < 5 V, en donde empieza a conducir Dz, descargandose el condensador hasta 5 V, W%=10-(K-5). O 0, iniciéndose nuevamente el ciclo, inciso (a). Graficando se obtiene la Fig. E.1.27.2. Figura E.1.27.2. Comportamiento del circuito de la Fig. E.1.27.1 con excursiones de i len- tas entre —10 y +20 V. a2 EJEMPLOS Ejemplo 1.28. Dado el circuito mostrado en la Fig. E.1.28.1, analice el compor- tamiento estatico (muy baja frecuencia) y establezca la grdfica de V, contra Vy. Figura E.1.28.1. Circuito limitador de voltaje con capacitor y fuente dependiente (iridngulo). Solucion : Haciendo el anilisis de voltajes negativos hacia voltajes positivos, se tiene: a) »b, c) ¢ e) Cuando Ki < 0V, los diodos D, y D, conducen; B=0. Cuando 0< KW <5V,D; conduce, D, y D, dejan de conducir: Cuando K > 5V,Ds y D, conducen, cargindose el condensador a 5 My K=SV. Al regresar el voltaje 4, en su excursién, se tiene: Cuando 0< <5 V, D,,D,,D3 y D, no conducen; *. Ve=5V_ (ya que el condensador no tiene por dénde descargarse). Cuando V, <0, D, conduce y hace que la fuente de corriente dependiente de corriente funcione, descargando el condensador hasta 0 V en que D, empieza a conducir. 83 |] MODELOS LINEALIES Graficando obtenemos la Fig. E.1.28.2. Figura E.1.28.2. Comportamiento del circuito de la Fig. B.1.28.1 con excursiones de Vj entre -10V

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