03-Juntura NP

UNIVERSIDAD DE ANTOFAGASTA
FACULTAD DE INGENIERÍA
DEPTO. INGENIERÍA ELÉCTRICA
2.1. El Diodo Ideal
La juntura pn con sus respectivos terminales y definitivamente encapsulada

constituye un dispositivo denominado diodo. Su nombre se deriva del hecho que la
juntura NP conduce con facilidad la corriente eléctrica cuando se le aplica
polarización directa y, prácticamente, no conduce cuando la polarización es inversa.
Se puede demostrar que la característica voltaje-corriente del diodo, válida para
cualquiera de los tipos de polarización, está dada por:
 q  Vd 
I  Is   e K T  1
  (2.1)
 
donde, Is : corriente de saturación inversa.

q : carga del electrón = 1,6 x 10-19 [C]
K : constante de Boltzman = 1,38 x 10-23 [J/ºK]
T : temperatura [°K]
Vd : voltaje de polarización (Vd > 0 si polarización
directa y Vd < 0 si polarización inversa).
Observe que, a temperatura ambiente:
K  T 1.38  10 23  300 1.38  3

   10  2  2.59  10  2 [ V ]  26[mV ]
q 1.6  10 19 1.6
La ec. (2.1) indica que la corriente en el diodo es directamente proporcional a

la corriente de saturación, IS. Dado que la corriente de saturación está determinada
por las concentraciones de portadores minoritarios n p0 y pn0. Es posible inferir
entonces que IS depende de ni2 y de la concentración neta de impurezas, N p y Nn, en
las regiones p y n, respectivamente. Como ya sabemos, el dopado de los materiales
semiconductores provoca el fenómeno de supresión de portadores minoritarios, es
decir, a mayor nivel de dopado menores serán los valores de n p0 y pn0. En
consecuencia, menor será el valor de IS. Dado que ni2 depende fuertemente de la
temperatura, también existirá una fuerte dependencia de n p0 y pn0 con la temperatura.
Esto, a su vez, implica que I S también será dependiente de la temperatura (se sabe
que ni2 duplica su valor por cada 10 ºC de incremento de temperatura).
La variación de IS con la temperatura tiene un importante efecto en el

comportamiento de los diodos. Es en definitiva esta propiedad la que determina la
principal limitación de la temperatura con que operen los diodos de juntura. Dado
que IS es mucho menor en dispositivos de silicio, respecto de dispositivos
equivalentes de germanio, tanto los diodos como los transistores de silicio pueden
operar a temperaturas de juntura sustancialmente mayores (del orden de 175 ºC,
comparado con sólo 100 ºC para dispositivos de germanio) y, por tanto, a mayores
J.C.V.S. 28
niveles de potencia. Esta es una de las principales razones que ha llevado a preferir
los dispositivos de silicio.
Como veremos mas adelante, I S depende de cada tipo de diodo en particular

y es un dato que suministra el fabricante. A pesar de ésto, es útil saber que esta
corriente depende también del espesor de las regiones neutras. Veamos, por
ejemplo, la corriente de electrones. Estos portadores son barridos por la RCE y se
difunden alejándose de la juntura (no hay campo eléctrico en las regiones neutras)
para recombinarse en algún punto de la región P. Con el objeto de minimizar la
resistencia de las regiones neutras, se construyen los diodos de modo que las
regiones neutras tengan el menor espesor posible. En estas circunstancias, los
portadores minoritarios inyectados se difunden por todo el ancho de la región neutra,
para alcanzar la recombinación en el contacto metálico.
La ecuación del diodo está basada en una serie de suposiciones y

simplificaciones, con el objeto de obtener una relación relativamente sencilla. En
consecuencia, dicha ecuación no representa realmente la característica voltaje-
corriente de un diodo real. A pesar de ésto, la ecuación dada pretende ser una buena
aproximación del comportamiento del diodo. Por esta razón, suele llamársele
ecuación del diodo ideal.
Surgen entonces dos preguntas obvias respecto de la ecuación del diodo

ideal:
(1) ¿Cuál es la dependencia específica que establece la ecuación (2.1)
para la corriente respecto del voltaje Vd?
(2) ¿Cómo es la verdadera dependencia de la corriente respecto del voltaje
Vd en un diodo real, comparada con la aproximación del diodo ideal?.
La primera pregunta es relativamente simple de responder. Para V d > 4·K·T·/q,

el término exponencial será mucho mayor que 1, por lo que la corriente será
simplemente una función exponencial de Vd. Es decir,
qVd
I  I s  e K T  Vd  4KT/q (2.2)
Por otro lado, para V d < -4·K·T·/q el término exponencial será despreciable
con respecto a 1 y la corriente será constante. Es decir,
I  I s  Vd  -4KT/q (2.3)
La figura 2.1 muestra un gráfico para la ecuación ideal, junto al gráfico para su
aproximación en bajas corrientes.
J.C.V.S. 29
Fig.2.1: La ecuación del diodo en bajas corrientes, a temperatura ambiente.
Dado que se operan los diodos con corrientes positivas mucho mayores que
las mostradas en el gráfico de la figura 2.1, veamos como sería el gráfico para estas
corrientes mayores. Con este objeto, evaluamos la ecuación ideal para algunos
valores específicos de Vd, tal como muestra la siguiente tabla.
Vd
52 104 208 416 520 572 598 624
[mV]
q Vd
e KT e2=7.4 e4=54.6 e8=3x108 e16=8.9x106 e20=4.85x108 e22=3.6x109 e23=9.75x109 e24=26.5x109
Entonces el gráfico de corriente versus voltaje, para el diodo ideal, tendrá la

forma mostrada en la figura 2.2.
Fig.2.2: Gráfico de la ecuación ideal en mayor escala de corriente
Observe en esta figura que el diodo tiene un umbral aparente (del orden de
450 mV) que debe ser superado para que fluya alguna corriente significativa. De
hecho, por supuesto, tal voltaje umbral es ficticio. Es sólo que la corriente es muy
pequeña para voltajes inferiores a este aparente quiebre de la característica.
J.C.V.S. 30
Voltaje Umbral V
La figura 2.3 muestra las características reales para diodos de Ge y Si.

Específicamente, esta figura muestra las características directas, a temperatura
ambiente, para el diodo de Ge 1N270 y para el diodo de Si 1N3605. Observe que
estos diodos tienen rangos de corriente comparables. Tal como se discutió antes, los
diodos muestran un voltaje umbral (o voltaje Cutin), que señala el punto donde la
corriente comienza a ser significativa. Se aprecia del gráfico que V es del orden de
0.2 V para Ge y 0.6 V para Si. Generalmente se asume V=0.3 V para Ge y V=0.7
V para Si.
Observe que el punto de quiebre en las características del diodo de Si está

desplazada en alrededor de 0.4 V con respecto al quiebre en las características del
diodo de Ge. La razón de esta diferencia se debe, en parte, a que la corriente de
saturación inversa en el diodo de Ge es generalmente mayor, en un factor de
aproximadamente 1000, respecto de la corriente de saturación en un diodo de Si de
igual potencia. Valores típicos de Is se encuentran en el rango de los A para diodos
de Ge y de los nA (10-9 A) para los diodos de Si, a temperatura ambiente.
Fig.2.3: Característica V-I directa para diodos de Ge y Si, a 25°C.
Ecuación del voltaje del diodo
Despejando Vd de la ecuación del diodo, tenemos:
 qKVdT  K T  I
I  Is  e  1  Vd   ln1   (2.4)
  q  Is 
Incorporemos ahora el efecto de las caídas de voltaje de las regiones

óhmicas: Rp · I + Rn · I = R · I. Siendo Vd el voltaje externo aplicado a los terminales
del diodo, debemos restarle a este voltaje la caída R · I para obtener el voltaje neto
que afectará al voltaje barrera. Es decir,
J.C.V.S. 31
V = Vd - R·I (2.5)
Este voltaje V corresponde al llamado voltaje de juntura, ya que representa

la fracción del voltaje aplicado que efectivamente altera al voltaje barrera.
Obviamente, este es el voltaje que se debió considerar en la ecuación del

diodo. Así, las ecuaciones (2.1) y (2.4) quedan ahora:
 q V 
I  I s  e K T  1
  (2.6)
K T  I 
V   ln 1   (2.7)
q  Is 
Utilizando las ecuaciones (2.5) y (2.6), se obtiene:
K T  I
Vd  V  R  I  R  I   ln 1   (2.8)
q  Is 
La ecuación (2.6) continúa siendo un modelo teórico sencillo. De forma que

continúa vigente la pregunta. ¿Cuan exacto es este modelo?. La respuesta es que la
exactitud depende del tipo de operación. Es necesario categorizar la operación del
diodo de acuerdo a las siguientes condiciones de voltaje y corriente:
1. Grandes Corrientes Directas.

2. Corrientes Directas Moderadas.
3. Corrientes Directas Pequeñas
4. Voltaje Inverso Moderado.
5. Voltaje Inverso Grande.
La ecuación del diodo ideal modela con bastante exactitud a la segunda

categoría (Corrientes Directas Moderadas). En esta región de corriente hay una
concordancia casi ideal entre el modelo teórico y los resultados experimentales.
La ecuación ideal no representa bien a la primera categoría, por lo que debe

q V
ser corregida cambiando la exponencial por e 2K T y el coeficiente Is debe ser
reemplazado por un número mucho mayor. Para todo efecto práctico, sin embargo, el
comportamiento de la juntuura no es significativo cuando la corriente es grande, ya
que la caída óhmica R·I es ahora el factor dominante.
La tercera categoría – pequeñas corrientes directas – no tiene gran

importancia práctica y tampoco es fácil de encontrar su mejor aproximación. En
J.C.V.S. 32
términos muy generales, y sólo como referencia, diremos que se debe reemplazar la
ecuación ideal por:
 q V

I  Is ' e mK T  1 (2.9)
 
 
donde Is’ y m se determinan empíricamente para hacer que esta nueva aproximación
coincida con datos experimentales en la mejor forma posible, dentro del rango de
corriente seleccionado para la aplicación específica.
En la categoría 4 – voltaje inverso moderado – la ecuación ideal predice con

bastante exactitud el comportamiento de diodos de Ge, pero es completamente
inexacta para diodos de Si. Sin embargo, dado que la corriente inversa en diodos de
Si es tan pequeña, no hace mayor diferencia, para muchas situaciones prácticas,
aceptar la predicción del diodo ideal (del orden de 10 -12 A) en vez del valor exacto
(del orden de 10-9 A).
Finalmente, la categoría 5, grandes voltajes inversos, la corriente inversa, deja

de tener un comportamiento de variación lenta para aumentar considerablemente de
valor. Este aspecto se muestra en la figura 2.4.
Fig.2.4: Característica del diodo, incluyendo la región del llamado voltaje de

ruptura VR.
Se denomina voltaje de ruptura, V R, al voltaje inverso que desata grandes
corrientes inversas. El valor de este voltaje varía para cada tipo de diodo y depende
de los niveles de dopado de impurezas. De esta forma, el voltaje de ruptura puede
ser unos pocos volts o tan alto como varios cientos de volts.
Se reconocen dos mecanismos responsables de este efecto de ruptura:
Ruptura Zener
Debido a la existencia del campo eléctrico en la juntura, los electrones de los

enlaces covalentes podrían ser liberados por efecto de la fuerza que el campo
J.C.V.S. 33
eléctrico les imprime. Estos nuevos pares electrón-hueco aumentan la corriente por
el dispositivo.
La intensidad del campo eléctrico, aumenta en la medida que aumente la

concentración de impurezas, independientemente del voltaje inverso aplicado. Se ha
determinado, que la ruptura Zener ocurre para un campo eléctrico de
aproximadamente 2x107 [V/m]. Se alcanza este valor para voltajes inferiores a 6V en
diodos altamente dopados.
Ruptura Avalancha
Este efecto es causado por los portadores minoritarios que cruzan la RCE. Es
posible que el campo eléctrico los dote de suficiente energía como para, en caso de
colisionar con los iones del cristal, romper un enlace covalente. De esta forma, se
genera un nuevo par electrón-hueco. Estos portadores también pueden adquirir
suficiente energía del campo eléctrico y colisionar con otro ión del cristal para
generar así otro par electrón-hueco. Se denomina Multiplicación Avalancha a este
proceso acumulativo.
Se debe observar que lo importante aquí es que los nuevos pares electrón-
hueco que se generan (denominados portadores secundarios, para distinguirlos de
los originales o portadores primarios) pueden también ser acelerados, colisionar y
generar nuevos pares de portadores secundarios.
2.2. El Diodo Como Elemento de Circuito
La importancia de los diodos radica en su característica no-lineal y en el hecho

de ser dispositivos que conducen corriente con mas facilidad en una dirección que en
la otra. Se ha adoptado un símbolo circuital estándar para el diodo de juntura, que
refleja la propiedad de conducir en un solo sentido. La figura 2.5 muestra este
símbolo circuital, junto a la representación esquemática de la juntura pn.
Fig. 2.5 (a) Símbolo Estándar; (b) Juntura PN

A diferencia de los elementos de circuito lineales, tal como resistores,
capacitores e inductores, el diodo es un dispositivo no-lineal. Esto significa que la
corriente a través del dispositivo no es linealmente proporcional al voltaje aplicado al
dispositivo. Esta no-linealidad impone algunas restricciones a las herramientas
J.C.V.S. 34
utilizadas en análisis de circuitos. Por ejemplo, con elementos no-lineales no es

posible utilizar los teoremas de superposición, Thevenin o Norton.
Por supuesto que la leyes de Kirchhoff mantienen su validez. Sin embargo, las
ecuaciones resultantes del análisis de mallas o nodos contendrán términos no-
lineales que complicarán la solución. Como consecuencia de ésto, generalmente se
prefiere la utilización de métodos iterativos, de métodos gráficos o de modelos
lineales.
Ejemplo 1 : Encuentre la corriente ID del siguiente circuito
Asuma Is = 10-12 A
Solución:
La ecuación de voltajes de Kirchhoff es:
5 V  ID  1K  VD
 q VD 
Sabemos que I  IS   e K T  1 , luego:
 
 
K T I 
VD   ln  D  1 . Entonces:
q  IS 

5 V  1000  ID  0.026  ln 10-12  ID  1 
Esta ecuación contiene sólo una incógnita, I D. Sin embargo, no es posible de
resolver directamente debido al término logarítmico. Probablemente, el método mas
directo de solución sería darse un valor de I D y verificar si es que satisface la
ecuación. Si no es así, se puede probar con otro valor de I D, hasta satisfacer la
ecuación. Si se desea una solución exacta, se pueden utilizar herramientas
computacionales. Veamos ahora el método iterativo propuesto.
Sea F(ID) = -5V+1000·ID+0.026·ln (1012·ID+1) = 0
J.C.V.S. 35
Nuestro propósito será encontrar el valor de I D para el cual F(ID) = 0. El

procedimiento a seguir estará basado en el hecho que F(I D) es positivo cuando I D es
mayor que el valor correcto y negativo cuando ID es menor que el valor correcto.
Hacemos una primera estimación para I D. Si con este valor estimado resulta
F(ID) > 0 sabremos que debemos intentar con un valor menor de I D y vice-versa.
El punto de partida puede ser el máximo valor posible para I D, lo que ocurriría
si la caída en el diodo fuese cero. Es decir, I D = 5/1000 = 5 mA. Entonces,
procedemos el cálculo iterativo, para lo cual nos valemos de la siguiente tabla:
ID [A] 5x10-3 4,3x10-3 4,4x10-3 4,45x10-3 4,42x10-3 4,443x10-3

F (ID) + +0.12 -0.0227 +0.027 -0.003 +0.007
 ID  4.425  10 3 [ A ]
 4.425  10-3 
VD  0.026  ln  12
 1  0.026  ln 4.425  109  0.58[ V ]
 10 
2.3. Método Gráfico
Este método se basa en identificar dos partes del circuito, cuyas

características pueden ser graficadas por separado. Entonces, en el circuito dado
trazamos una línea de trazos para indicar una separación imaginaria de las dos
partes del circuito.
Enseguida graficamos, en un mismo sistema de ejes coordenados, la

característica ID v/s VD de ambos sub-circuitos. La solución se encuentra en la
intersección de ambas curvas.
En el caso del sub-circuito de la derecha de la línea de trazos, la relación

corriente-voltaje se puede obtener de la hoja de datos suministrada por el fabricante
del diodo. Para nuestros efectos, graficaremos la relación aproximada, dada por la
ecuación del diodo ideal. Para ello, confeccionaremos la siguiente tabla.
VD = 0.026·ln (ID·1012 + 1)
J.C.V.S. 36
ID [mA] 1 2 3 4 5
VD [V] 0.54 0.56 0.57 0.575 0.58
Fig.2.6: Determinación gráfica del punto de operación.
Para el subcircuito de la izquierda (circuito visto por los terminales del diodo),
la relación voltaje-corriente está dada por:
VD = 5V - ID·1000 → ID = 5x10-3 – VDx10-3
Obviamente, esta ecuación representa la ecuación de una recta de pendiente

–10-3. Grafiquemos entonces esta recta sobre el mismo sistema de ejes
coordenados. Para ello, observamos los puntos de intersección con los ejes:
ID = 0 → VD = 5V y VD = 0 → ID = 5mA
Esta línea, que es la característica V-I de todo el circuito con excepción del
elemento no-lineal, se conoce como la línea de carga del circuito.
Entonces, el punto que representa la operación del circuito debe,

necesariamente, pertenecer a ambas curvas. Es decir que, para encontrar la
solución, todo lo que necesitamos hacer es sobre-imponer ambas curvas en el
sistema coordenado, siendo el punto de intersección la solución del problema. Se
observa así que los valores que satisfacen ambas partes del circuito son I D = 4.1 mA
y VD = 0.58 V. Este punto de intersección es conocido con el nombre de punto de
operación o punto de polarización. Al dibujar la línea de carga, podemos
encontrarnos con la dificultad que el punto (0, V/R) resulte demasiado grande para la
curva volt-ampere dada por el fabricante. En estas circunstancias, podemos escoger
J.C.V.S. 37
un valor arbitrario de corriente, I D’, que escogeremos en el eje de corriente de la

característica dada por el fabricante. En estas circunstancias, la línea de carga ha de
pasar por el punto P, donde ID = ID’ y VD = 5-1000·ID’.
Las dificultades impuestas por elementos no-lineales en el análisis de

circuitos, aumenta la búsqueda de modelos (idealizaciones) que simplifiquen dicho
análisis. Existen tres modelos comúnmente utilizados en el análisis de circuitos que
contienen diodos. Estos modelos son el modelo del rectificador perfecto, el modelo
de grandes señales y el modelo de pequeña señal.
2.4. Modelo del Rectificador Perfecto
Se pueden utilizar diferentes modelos de diodos para simplificar el análisis de

circuitos. Mientras mayor sea el grado de simplificación de las características reales
del diodo, más fácil será visualizar la operación del diodo en el circuito. Sin embargo,
mientras mayor sea la idealización cuanto menos exacto y, por tanto, menos
aplicable resulta el modelo.
El término rectificador se refiere a un dispositivo capaz de permitir corriente en

un sólo sentido. De acuerdo a ésto, la juntura pn es un tipo de rectificador.
Rectificador perfecto es un dispositivo que sin dificultad conduce corriente en un
sentido. Al decir sin dificultad, nos referimos al hecho de que no habrá caída de
voltaje en el dispositivo. En sentido inverso, sin embargo, el rectificador perfecto no
permite el paso de corriente. En otras palabras, el rectificador perfecto representa un
cortocircuito a las corrientes positivas, mientras se comporta como un circuito abierto
para corrientes negativas.
La característica corriente-voltaje que muestra la figura 2.7(a) se obtiene

combinando las regiones de la característica V-I de resistencia cero y resistencia
infinita.
(a) Característica V-I del (b) Símbolo del rectificador

perfecto. rectificador perfecto.
Fig.2.7: El rectificador perfecto.
J.C.V.S. 38
Con el objeto de distinguir el símbolo del diodo, respecto de su modelo

rectificador perfecto, se utiliza un círculo en torno al símbolo del diodo, como muestra
la figura 2.7(b).
La figura 2.8 permite comparar la característica V-I del rectificador perfecto

con la característica de un diodo de juntura pn típico.
Fig.2.8: Comparación de la característica V-I del diodo con la del Rectificador

Perfecto.
Debe quedar muy en claro que, al utilizar modelos, se pierde de vista algunas
características del dispositivo real. Por lo tanto, es necesario seleccionar
adecuadamente el modelo, de acuerdo a las características de operación del circuito.
J.C.V.S. 39
Ejemplo 2
Resolver el ejemplo 1, por medio del modelo del rectificador perfecto.
Solución:
En este caso, el diodo está directamente polarizado. Entonces, de acuerdo al

modelo del rectificador, el diodo es reemplazado por un corto circuito y la corriente
resultante será:
ID = 5/1000 = 5 mA y VD = 0 V
Ejemplo 3
En el siguiente circuito, v1(t) = 70·Sen t [V]. Determine v2(t).
Solución:
Si v1(t) > 0, entonces v2(t) = v1(t)
Si v1(t) < 0, entonces v2(t) = 0
Los gráficos correspondientes son:
J.C.V.S. 40
Dado que v1(t), durante gran parte del semiciclo positivo, es grande comparado
con el voltaje umbral del diodo, 0.7 V, la respuesta obtenida por medio del modelo
del rectificador perfecto es bastante razonable. Por ejemplo, en el instante en que
v1(t) = 70 V, el voltaje v2(t) según la aproximación será también 70 V. El verdadero
voltaje v2(t) es algo menor (aproximadamente 69.3 V). Este error no es significativo,
debido a la magnitud de v 1(t). Sin embargo, si el voltaje es menor, digamos unas
pocas unidades de volt, el error puede ser significativo. Por ejemplo, si v 1(t) = 2V, el
modelo indica v2(t) = 2V, pero el valor real de v2(t) será 1.3V.
2.5. Modelo de Grandes Señales
Cuando el error introducido por el modelo del rectificador perfecto resulte

inaceptable, puede ser útil el modelo de grandes señales. En el diodo real, la
corriente aumenta tan rápidamente con el voltaje, que la caída de voltaje directo en
diodos de Si varía entre 0.5 y 1,0 V para toda corriente práctica. El modelo de
grandes señales considera esta caída de voltaje, tal como muestra la figura 2.9. Esta
característica aproxima mejor la característica real del diodo y, al mismo tiempo,
mantiene la simplicidad de la característica del rectificador perfecto.
(a) Característica V-I dada por el (b) Modelo Circuital

Modelo de Grandes Señales.
Fig.2.9: Modelo de Grandes Señales para el diodo.
NOTA: La caída directa de 0.7 V es propia del diodo de Si. Para diodos de Ge se
considera 0.3V y para diodos de arseniuro de Ga 1V.
Ejemplo 4
Repita el ejemplo 1, considerando ahora el modelo de grandes señales.
Solución:
Reemplazando el diodo real por su modelo, se tiene:
 5  0.7  1000  ID
 ID  4.3[mA ]
J.C.V.S. 41
Debemos insistir, una vez mas, en que los modelos representan

simplificaciones del dispositivo real. Por ejemplo, el modelo de grandes señales
asume incorrectamente, que la corriente es cero toda vez que el voltaje sea inferior a
0.7 V. Asume también que la caída directa no excederá nunca de 0.7 V, lo que
tampoco es correcto ya que, en verdad, la caída directa puede asumir valores en el
rango comprendido entre 0.5 y 1,0 V, aproximadamente.
El modelo de grandes señales, puede ser perfeccionado aún mas, para

tomar en cuenta la variación del voltaje directo (o voltaje umbral) con la corriente.
PROBLEMAS
1. El siguiente circuito emplea un diodo de silicio, con I s = 10-12 [A] y Vz = -35 [V].
a. Calcule V2 para los siguientes valores de V 1: 0, 5, 10, 20, 30, 35, 36, 40 y 50
volts.
b. Basado en los cálculos anteriores, grafique la característica de transferencia
del circuito (V2 v/s V1).
c. Señale la utilidad del circuito.
d. Determine, por método gráfico, la caída de voltaje en el diodo, si V 1 = 10 [V]
e Is=10-13 [A].
10  60 
V1 10 
2. El siguiente circuito es conocido con el nombre de “duplicador de voltaje”.

Grafique el voltaje de salida en función del tiempo, si los condensadores están
inicialmente descargados. Utilice el modelo del rectificador perfecto. Explique
la acción del circuito.
J.C.V.S. 42
Vi (t)
Vo (t)
3. Utilizando el modelo de grandes señales, encuentre la corriente que circula

por los diodos del siguiente circuito, si (a) R = 10 Kohms; (b) R = 1 Kohm
R
D1 D2
100 V
D1: Diodo de germanio con V = 0,2 V y Rf = 20 Ohm

D2: Diodo de silicio con V = 0,6 V y Rf = 15 Ohm
J.C.V.S. 43
4. El siguiente circuito realiza la función lógica AND. Utilizando el modelo de

grandes señales, con R f = 0, determine la Tabla de Verdad eléctrica de esta
compuerta AND. Asuma que cualquier voltaje en el rango 0 – 1 [V] corresponde
a un 0 lógico y que el rango 4 – 5 [V] corresponde a un 1 lógico.
VA
VB
R VO
-
5V
J.C.V.S. 44

03-Juntura NP

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UNIVERSIDAD DE ANTOFAGASTA

2.1. El Diodo Ideal

La juntura pn con sus respectivos terminales y definitivamente encapsulada

donde, Is : corriente de saturación inversa.

Observe que, a temperatura ambiente:

K  T 1.38  10 23  300 1.38  3

La ec. (2.1) indica que la corriente en el diodo es directamente proporcional a

La variación de IS con la temperatura tiene un importante efecto en el

Como veremos mas adelante, I S depende de cada tipo de diodo en particular

La ecuación del diodo está basada en una serie de suposiciones y

Surgen entonces dos preguntas obvias respecto de la ecuación del diodo

La primera pregunta es relativamente simple de responder. Para V d > 4·K·T·/q,

Fig.2.1: La ecuación del diodo en bajas corrientes, a temperatura ambiente.

e KT e2=7.4 e4=54.6 e8=3x108 e16=8.9x106 e20=4.85x108 e22=3.6x109 e23=9.75x109 e24=26.5x109

Entonces el gráfico de corriente versus voltaje, para el diodo ideal, tendrá la

Fig.2.2: Gráfico de la ecuación ideal en mayor escala de corriente

La figura 2.3 muestra las características reales para diodos de Ge y Si.

Observe que el punto de quiebre en las características del diodo de Si está

Fig.2.3: Característica V-I directa para diodos de Ge y Si, a 25°C.

Ecuación del voltaje del diodo

Despejando Vd de la ecuación del diodo, tenemos:

Incorporemos ahora el efecto de las caídas de voltaje de las regiones

Este voltaje V corresponde al llamado voltaje de juntura, ya que representa

Obviamente, este es el voltaje que se debió considerar en la ecuación del

Utilizando las ecuaciones (2.5) y (2.6), se obtiene:

La ecuación (2.6) continúa siendo un modelo teórico sencillo. De forma que

1. Grandes Corrientes Directas.

La ecuación del diodo ideal modela con bastante exactitud a la segunda

La ecuación ideal no representa bien a la primera categoría, por lo que debe

La tercera categoría – pequeñas corrientes directas – no tiene gran

En la categoría 4 – voltaje inverso moderado – la ecuación ideal predice con

Finalmente, la categoría 5, grandes voltajes inversos, la corriente inversa, deja

Fig.2.4: Característica del diodo, incluyendo la región del llamado voltaje de

Se reconocen dos mecanismos responsables de este efecto de ruptura:

Debido a la existencia del campo eléctrico en la juntura, los electrones de los

La intensidad del campo eléctrico, aumenta en la medida que aumente la

2.2. El Diodo Como Elemento de Circuito

La importancia de los diodos radica en su característica no-lineal y en el hecho

Fig. 2.5 (a) Símbolo Estándar; (b) Juntura PN

utilizadas en análisis de circuitos. Por ejemplo, con elementos no-lineales no es

Ejemplo 1 : Encuentre la corriente ID del siguiente circuito

La ecuación de voltajes de Kirchhoff es:

Sea F(ID) = -5V+1000·ID+0.026·ln (1012·ID+1) = 0

Nuestro propósito será encontrar el valor de I D para el cual F(ID) = 0. El

ID [A] 5x10-3 4,3x10-3 4,4x10-3 4,45x10-3 4,42x10-3 4,443x10-3

2.3. Método Gráfico

Este método se basa en identificar dos partes del circuito, cuyas

Enseguida graficamos, en un mismo sistema de ejes coordenados, la

En el caso del sub-circuito de la derecha de la línea de trazos, la relación

Fig.2.6: Determinación gráfica del punto de operación.

VD = 5V - ID·1000 → ID = 5x10-3 – VDx10-3

Obviamente, esta ecuación representa la ecuación de una recta de pendiente

Entonces, el punto que representa la operación del circuito debe,

un valor arbitrario de corriente, I D’, que escogeremos en el eje de corriente de la

Las dificultades impuestas por elementos no-lineales en el análisis de

2.4. Modelo del Rectificador Perfecto

Se pueden utilizar diferentes modelos de diodos para simplificar el análisis de

El término rectificador se refiere a un dispositivo capaz de permitir corriente en

La característica corriente-voltaje que muestra la figura 2.7(a) se obtiene

(a) Característica V-I del (b) Símbolo del rectificador

Fig.2.7: El rectificador perfecto.

Con el objeto de distinguir el símbolo del diodo, respecto de su modelo

La figura 2.8 permite comparar la característica V-I del rectificador perfecto

Fig.2.8: Comparación de la característica V-I del diodo con la del Rectificador