Puente de Wheatstone y Sensores Resistivos

Gonzales Saenz Gaus, Trujillo Salazar Jordan

Facultad de Ciencias
Universidad nacional de ingenierı́a
Lima - Perú

Resumen 2. Procedimiento y Cálculos

En este documento se presenta datos de experi-

mentos hechos en los software ”Multisim ”Proteus
2
Design Suite”para el uso del termistores y fotoresis-
tores en un circuito utilizando el puente de Wheats-
tone
Paso 1
Dentro del software ”Multisim”se realizó el dia-
grama esquematico en el cual se visualiza un puente
de Wheatstone con 3 resistores, un potenciometro y
un multı́metro, como instrumento de medición, en
los bornes A y B.

1. Introducción
Puente de Wheatstone: El puente de Wheatsto-
ne es el circuito más sensitivo que existe para
medir con precisión el valor de una resistencia.
Se puede utilizar para medir el valor de otra
resistencias dentro de un circuito.

Termistor: El termistor es un dispositivo semicon-

ductor de dos terminales cuya resistencia, como
su nombre sugiere, es sensible a la temperatu-
ra. Una caracterı́stica representativa de ello se
muestra en la figura XY con el sı́mbolo gráfico
utilizado.
Paso 2
Fotoresistor: El fotoresistor es un dispositivo se-
Demostración de la relación Vbc /V
miconductor de dos terminales cuya resistencia
terminal está determinada por la intensidad de
la luz incidente sobre su superficie expusta.
Conforme la iluminación aplicada aumenta en
intensidad, el estado de energı́a de los electro-
nes y átomos superficiales también aumenta,
con lo cual el número de ”portadores libres”se
eleva y se produce la correspondiente caı́da en
la resistencia.

R3
Vb = V R3 +R1
R4
Vc = V R1 +R2

Vb − Vc = V ( R3R+R
3
1
− R4
R1 +R2
)
R3 R4
Vbc /V = R3 +R1
− R1 +R2

1
Paso 3
Se varió la resitencia del potenciometro R4 para Para (R1 = 100kΩ)
obtener los siguientes datos en los bornes A y B.
R1 23°C 30°C
Vresistencia (V) 4.361 5.900
Vtermistor (V) 5.570 4.901
De los valores de la tabla 2.1 se obtuvo la gráfica RT (kΩ) 129.305 69.492
Vab V SR4 , en la cual se observa una curva inversa- % ∆R
R
3.032 % 2.647 %
mente proporcional y no recta
Para el calculo de RT , se utilizó la siguiente
fórmula:

Vf uente × R1
RT = − R1 (1)
Vab

La cual deriva de la ley Ohm

TERMISTOR
Comparando los datos del paso 5 con el paso 4
Paso 4 se observa que cuando se incrementa el valor de R1
el error de 23°C es mayor pero a 30° es menor.
Dentro de la simulación en el software ”Proteus
Design Suite”, se realizó una medida directa de la re-
sistencia del termistor conectando un ohmimetro con
un termistor a una temperatura ambiente de ”23°C 2 Paso 6
a una temperatura de 30°C
De estas mediciones se obtiene la tabla: Se realizó el diagrama de flujo con un puente de
Wheatstone, 3 resistencias y un termistor.
Temperatura 23°C 30°C
Rt (kΩ) 125.5 67.7
En el cual se observa que a mayor temperatura
la resistencia decrece, por lo que se concluye que es
un termistor NTC.

Paso 5
Se realizó el diagrama esquemático para realizar
la medida indirecta de la resistencia del termistor.
Se realizó mediciones con el multimetro para
temperatura ambiente (23°C) y una temperatura de
contacto de (30°C)
De estas mediciones se obtiene la tabla:

R1 23°C 30°C
R1 = 100kΩ Tambiente = 23°C Tcontacto = 30°C
Se realizó las mediciones a temperatura ambiente R4 (kΩ) 123.08 62.20
(23°C) y a una temperatura de contacto (30°C) RT (kΩ) 123.129 62.20
De estas mediciones se obtiene las tablas: Vab (V ) 0.001 0.000
% ∆RR
1.889 % 8.124 %
Para (R1 = 50kΩ)
En donde para el calculo de RT se utilizó la si-
R1 23°C 30°C guiente fórmula
Vresistencia (V) 2.870 4.175
Vtermistor (V) 7.160 5.830
RT (kΩ) 124.216 69.760 Vab RT R4
% ∆R 1.023 % 3.043 % = − (2)
R VF uente R1 + RT R4 + R2

2
FOTORESISTENCIA
Para el calculó de RF se utilizó la fórmula (1)
Paso 7
Se realizó la medida directa de la resistencia de Paso 9
la fotoresistencia con un multı́metro.
Se realizó el diagrama de flujo con un puente de
Wheatstone, 3 resistencias y un fotoresistor.

De estas mediciones se obtiene la tabla:

Luzambiente Luzlinterna
RF (kΩ) 19.90 4.268
Se realizó mediciones con el multimetro para una ilu-
minación con luz ambiente y con luz de linterna.
Paso 8 R1 = 10kΩ Luzbaja Luzintensa
Se realizó el diagrama de flujo para realizar la R4 (kΩ) 107.90 0.910
medida indirecta de la resistencia del fotoresistor con RF (kΩ) 108.193 0.9102
una iluminación con luz ambiente y con luz de lin- Vab (V ) 0.0021 0.0002
terna. Para el calculó de RF se utilizó la fórmula (2)

3. Conclusiones
3.1.- Los termistores varı́an su resistencia al cam-
biar su temperatura, en este caso se utilizó un ter-
mistor NTC en el cual se observa que a mayor
temperatura su resistencia disminuye.

3.2.- Los fotoresistores varı́an su resistencia al variar

De estas mediciones se obtiene las siguientes ta- la intensidad de luz que reciben.
blas:
P araR1 = 5kΩ 3.3.- El puente de wheatstone nos ayuda a calcular
la resistencia de un componente electrónico desco-
R1 = 5kΩ Luzambiente Luzinterna nocido.
VR1 (V ) 2.087 5.327
RF (V ) 7.980 4.610
RF (kΩ) 18.958 4.386
% ∆R
R
4.734 % 2.764 % Referencias
P araR1 = 10kΩ [1] Wolf-Smith, Guı́a para mediciones eléctricas,
Prentice Hall, (1992)
R1 = 10kΩ Luzambiente Luzinterna
VR1 (V ) 3.372 6.940 [2] Wiliam Copper, Instrumentación electrónica y
RF (V ) 6.610 3.060 moderna y técnicas de medición, Prentice Hall,
(1990)
RF (kΩ) 19.656 4.409
% ∆R
R
1.226 % 3.304 % [3] Autor, Tı́tulo, Revista/Editor, (año)