Tema 8 PDF

Tema 8:
Transistores BJT
1 – Descripción básica
2 – Regiones de funcionamiento
3 – Configuración en base común
4 – Configuración en emisor común
5 – Configuración en colector común
6 – Características técnicas
7 – Análisis en CC
8 – Aplicaciones básicas
9 – Polarización y estabilidad
10 – Modelos de aproximación en pequeña señal
11 – Códigos de designación
1 – Descripción básica
Índice / Objetivos:
1.1 – Concepto de transistor

1.2 – Efecto transistor
A una doble unión P-N se le denomina transistor de
unión bipolar o transistor BJT
Transistor PNP Transistor NPN

Su nombre es la abreviatura de “transfe-
resistor”
NO es un dispositivo “simétrico”
Cada una de las zonas se denominan
Emisor: región muy dopada (n+). Cuanto más
dopaje, mayor cantidad de portadores podrá
aportar a la corriente
Base: ha de ser muy estrecha y poco dopada,
para que tenga lugar poca recombinación y la
mayor parte de la corriente que proviene de
emisor pase a colector. Como más adelante se
verá, si la base no es estrecha, el dispositivo
puede no comportarse como un transistor, y
trabajar ”como si de dos diodos en
oposición se tratase”.
Colector: ha de ser una zona menos dopada que
el emisor, y la más grande.
La característica eléctrica esencial es la
conducción de corriente de emisor a colector,
controlando desde la base el paso de esta
intensidad
Polarizamos un transistor NPN
Unión B-E polarizada en directa: VBE>0 “Conduce”
Unión B-C polarizada en inversa: VBC<0 “No conduce”
El Emisor fuertemente dopado “genera” portadores
mayoritarios que entran en la Base
Estos portadores se verán atraídos por el mayor potencial del
colector respecto de la base (Efecto transistor)
Además la Base está débilmente dopada y es muy estrecha
mayor dificultad de circulación de intensidad
I C = α ⋅ I E + I CBo
α ≈ [0.9 a 0.99]
I B = (1 − α ) ⋅ I E − I CBo
I E = IC + I B

Unión B-E polarizada en directa
Pequeños cambios en la tensión aplicada provocan
grandes cambios en la intensidad que circula (IE)
α ≈ 1
Si se considera 
 I CBo ≈ 0
I C = α ⋅ I E + I CBo ≈ I E
Por tanto, se está controlando

la “gran” corriente que circula
por el transistor, con pequeños
incrementos de tensión en la
unión Base-Emisor Amplificación
En caso de un transistor PNP se pueden hacer las mismas observaciones que
antes, interpretando ahora mejor el funcionamiento al considerar el sentido
convencional de las corrientes (huecos)
Polarizamos un transistor PNP
Unión B-E polarizada en directa: VEB>0 “Conduce”
Unión B-C polarizada en inversa: VCB<0 “No conduce”
El Emisor fuertemente dopado “genera” portadores mayoritarios que entran en
la Base
Estos portadores se verán atraídos por el mayor potencial del colector respecto
de la base (Efecto transistor)
Además la Base está débilmente dopada y es muy estrecha mayor dificultad
de circulación de intensidad
α ≈ [0.9 a 0.99]
I B = (1 − α ) ⋅ I E − I CBo
I E = IC + I B
2 – Regiones de funcionamiento
2.1 – Activa
2.2 – Saturación
2.3 – Corte
2.4 – Activa inversa
Introducción
En función de las tensiones que se apliquen a cada
uno de los tres terminales del transistor bipolar
podemos conseguir que éste entre en una región u
otra de funcionamiento.
Por regiones de funcionamiento entendemos valores de
corrientes y tensiones en el transistor, que cumplen unas
relaciones determinadas
Anteriormente hemos visto como se produce el
efecto transistor en estas condiciones
Unión B-C polarizada en inversa
Pero existen otras posibilidades de polarización,
que es el objeto de este apartado
Introducción
A continuación se resumen estas posibilidades
Transistor NPN Transistor PNP
2.1 – Activa
Esta es la configuración ya estudiada y se consigue si
polarizamos el transistor
Esto se traduce en un transistor NPN
Y en un transistor PNP:
2.1 – Activa
Tal y como se describió, el comportamiento en esta
zona es el de una “fuente de intensidad controlada”
Amplificación
Las principales ecuaciones que rigen su
funcionamiento son:
α ≈ [0.9 a 0.99]
I B = (1 − α ) ⋅ I E − I CBo
I E = IC + I B
VBE ≈ Vγ
2.2 – Saturación
Se consigue si polarizamos el transistor
Unión B-C polarizada en directa
Unión B-C polarizada en directa: VBC>0 “Conduce”
Unión B-C polarizada en directa: VCB>0 “Conduce”
2.2 – Saturación
La tensión entre Colector y Emisor es muy pequeña
y se puede asemejar a un interruptor cerrado
Conmutación
funcionamiento son:
VBE ≈ Vγ 
VCE ≈ [0.1 ; 0.2 V ]
VBC ≈ Vγ 
I E = IC + I B
2.3 – Corte
Unión B-E polarizada en inversa
Unión B-E polarizada en inversa: VBE<0 “No conduce”
Unión B-E polarizada en inversa: VEB<0 “No conduce”
2.3 – Corte
Únicamente circulan las corrientes inversas de
saturación de la uniones y se puede asemejar a un
interruptor abierto Conmutación
funcionamiento son:
I E = IC + I B = 0
I C = − I B = I CBo
2.4 – Activa inversa
Unión B-C polarizada en directa
Unión B-E polarizada en inversa: VBE<0
“No conduce”
Unión B-C polarizada en directa: VBC>0
“Conduce”
Unión B-E polarizada en inversa: VEB<0
“No conduce”
Unión B-C polarizada en directa: VCB>0
“Conduce”
El coeficiente α se reduce mucho, debido
al carácter asimétrico del transistor
Carece de utilidad práctica
3 – Configuración en base común

3.1 – Descripción
3.2 – Curva característica de entrada
3.3 – Curva característica de salida
Introducción
En sus aplicaciones el transistor debe proporcionar
una señal de salida a una excitación en la entrada,
esto es, debe configurarse como un cuadripolo
Por tanto, uno de los terminales debe ser el mismo,

tanto para la señal de entrada como la de salida.
Así obtenemos tres configuraciones diferentes,

cada una con unas características propias:
Base Común
Emisor Común
Colector Común
Introducción
Las curvas características son la
representación gráfica de diversas
variables (tensiones o corrientes) de un
transistor bipolar
A continuación se estudiarán estas
configuraciones, basándose
fundamentalmente en las curvas
Característica de entrada: da la relación
tensión/corriente entre los terminales de
entrada, tomando como parámetro la
tensión o la intensidad de salida
Característica de salida: da la relación
tensión/corriente a la salida, tomando
como parámetro la tensión o la intensidad
de entrada
A partir de estas curvas es posible
determinar el punto de trabajo del
transistor, es decir, las tensiones y
corrientes del mismo, una vez polarizado.
Esta configuración se consigue con el siguiente
montaje
Este montaje permite adaptar una fuente de baja

impedancia que ataca a una carga de alta
impedancia
Impedancia de entrada pequeña, impedancia de salida
muy grande. Ganancia en intensidad menor que la unidad,
ganancia en tensión elevada.

En esta curva se representan las variables de
entrada (IE frente a VBE) manteniendo la VCB
constante (parámetro de salida)
Parámetros
V1: 0 a 1.2 V
V2: 0 a 40 V (∆ 10 V)
Circuito simulado
El comportamiento es el mismo que un diodo
polarizado en directa
Conforme aumenta la VCB, se consigue una IE
mayor para la misma VBE

En esta curva se representan las variables de salida
(IC frente a VCB) manteniendo la IE constante
(parámetro de entrada)
Parámetros
V2: -1.2 a 10 V
I1: 0 a 40 mA (∆ 10 mA)
Circuito simulado
I E = I C + I B = 0
La región de corte 
I = − I = I
¿Como quedan las tensiones?
 C B CBo
La región de saturación VCB < -Vɣ (IC ↓↓↓)

IE = 40 mA
VBE ≈ Vγ 
VCE ≈ 0,1 V
VBC ≈ Vγ  IE = 30 mA
I E = IC + I B
IE = 20 mA
IE = 10 mA
IE = 0 mA

La región activa Resto de la gráfica
Conforme aumenta la VCB, se mantiene constante la IC
(para la misma IE)
I = 40 mA
I E ≈ IC E
IE = 30 mA
α ≈ [0.9 a 0.99]
I B = (1 − α ) ⋅ I E − I CBo
IE = 20 mA
IE = 10 mA
IE = 0 mA
4 – Configuración en emisor común
4.3 – Impedancia de entrada
4.5 – Ganancia de corriente
4.6 – Efecto Early
4.7 – Impedancia de salida
montaje
Este montaje se aproxima al amplificador ideal

Impedancia de entrada media, impedancia de salida
pequeña. Ganancias en intensidad y tensión elevadas
entrada (IB frente a VBE) manteniendo la VCE
Parámetros
I1: 0 a 5 mA
V2: 5 V
Circuito simulado

Parámetros
I1: 0 a 5 mA
V2: 0 a 5 V (∆ 0.1 V)
Circuito simulado
Parámetros
V1: 0 a 2 V
V2: 0 a 5 V (∆ 0.5 V) VCE = 0
Circuito simulado

El comportamiento es el mismo que un diodo
polarizado en directa
Los cambios en la VCE, provocan variaciones
despreciables La IB es “independiente” de VCE
4.3 – Impedancia de entrada
∆VBE
Se define la impedancia de entrada como: Re =
∆I B
Como el comportamiento es el mismo que un diodo

polarizado en directa, este concepto ya se vio en el
capítulo de diodos
La pendiente de la curva define la impedancia de entrada
Ésta disminuye al aumentar los valores de VBE que se
tomen (respuesta no lineal)

(IC frente a VCE) manteniendo la IB constante
Parámetros
V2: 0 a 20 V
I1: 0 a 750 µA
(∆ 150 µA)
Circuito
simulado
I E = I C + I B = 0
La región de corte 
I = − I = I
¿Como quedan las tensiones?
 C B CBo
La región de saturación VCE < ≈ 0.1/0.2 V (IC ↓↓↓)

VBE ≈ Vγ 
VCE ≈ 0,1 V
VBC ≈ Vγ 
I E = IC + I B

La región activa Resto de la gráfica
Conforme aumenta la VCE, se incrementa la IC (para la
misma IB)
I E ≈ IC
I C = α ⋅ I E + I CBo IB = 750 µA
α ≈ [0.9 a 0.99] IB = 600 µA
I B = (1 − α ) ⋅ I E − I CBo IB = 450 µA
IB = 300 µA
IB = 150 µA
IB = 0 µA
En la región activa se definió I C = α ⋅ I E + I CBo
I C = α ⋅ ( I B + I C ) + I CBo
Reordenando términos I C = α ⋅ I B + α ⋅ I C + I CBo
α ⋅ I B I CBo
IC = +
1−α 1−α
A partir de esta expresión se α

β=
define el parámetro β o hFE, como 1−α
la ganancia en corriente
α ⋅ I B I CBo 
IC = +
1 − α 1 − α 
Relaciona la IC con IB  I C = β ⋅ I B + ( β + 1) ⋅ I CBo
α 
directamente β= 
1−α

Ejemplos de cálculo de la ganancia en corriente
contínua (β ó hFE)
IB = 750 µA
IB = 600 µA
IC 60mA
β = hFE = = = 133.3 IB = 450 µA
I B 450 µA IB = 300 µA
IB = 150 µA
I 87 mA
β = hFE = C = = 116
I B 750 µA
IB = 0 µA
β (hFE) depende de la IC que circule así como de la

tensión VCE aplicada.
Ejemplos de cálculo de la ganancia en corriente en
pequeña señal (hfe)
IB = 750 µA
IB = 600 µA
∆I C (87 − 60) mA
h fe = = = 56,66 IB = 450 µA
∆I B (750 − 450) µA
IB = 300 µA
IB = 150 µA
IB = 0 µA
4.6 – Efecto Early

En la región activa se observa que al aumentar la VCE, se
incrementa la IC (IB = cte) Estas variaciones son
consecuencia de la modulación de la anchura de la base,
también conocida como Efecto Early
El incremento en la VCB origina un incremento en la anchura de
la zona "Z“
Este aumento provoca una disminución de la anchura efectiva de
la base, más acusada en la base que en colector al estar menos
dopada.
Debido a esto, la corriente de colector aumenta, pues existe
menos camino para la recombinación en base y ocasiona la
pendiente positiva de las curvas
Por tanto, al aumentar VCE se incrementa β.
¿Por qué este efecto no es apreciable en las gráficas
obtenidas en la configuración anterior (Base común)?
∆VCE
Se define la impedancia de salida como: RS =
∆I C
∆VCE (19 − 6)V
Ejemplo 1 RS ( I B = 450 µA) = = = 1300Ω
∆I C (70 − 60)mA
IB = 750 µA
IB = 600 µA
IB = 450 µA
IB = 300 µA
IB = 150 µA
IB = 0 µA

∆VCE (19 − 6)V
Ejemplo 2 RS ( I B = 750 µA) = = = 866Ω
∆I C (102 − 87)mA
RS no es constante Disminuye al aumentar la IB
IB = 750 µA
IB = 600 µA
IB = 450 µA
IB = 300 µA
IB = 150 µA
IB = 0 µA
5 – Configuración en colector común
montaje
Este montaje adapta una fuente de alta impedancia

de salida a una carga de baja impedancia
Impedancia de entrada alta, impedancia de salida
pequeña. Ganancia en intensidad elevada, ganancia en
tensión inferior a la unidad

entrada (IB frente a VBC) manteniendo la VEC
Como puede intuirse, son muy similares a las
curvas que ya hemos visto en puntos precedentes

(IE frente a VEC) manteniendo la IB constante
Al igual que en el punto anterior, las curvas
resultantes son muy similares a las que ya hemos
visto en apartados precedentes
6.1 – Temperatura máxima

6.2 – SOA (Safe Operating Area)
6.3 – Efecto capacitivo
6.4 – Tiempos de conmutación
6.1 – Temperatura máxima

Cuando se alcanza el equilibrio térmico entre el transistor y el
medio, la temperatura alcanzada por el componente no debe
sobrepasar una determinada especificada por el fabricante: Tjmáx
Ge: 75 ~ 100 ºC
Si: 150 ~ 200 ºC
Recordar que
La temperatura máxima
establece la potencia máxima
disipable
La temperatura ambiente limita
la potencia máxima disipable,
según la curva de disipación
Si Tn Pn
Gráfica transistor 2N3904
Por motivos análogos a los ya descritos en el capítulo
de diodos, en los transistores se encuentran unos
valores límites, que si se superan pueden provocar un
deterioro permanente al dispositivo
Tensiones máximas (ruptura)
Intensidades máximas
Potencia máxima
PQ = VBE ⋅ I E + VCB ⋅ I C ≈ VCE ⋅ I C

Si conjugamos todos estos factores en un solo
gráfico, obtenemos el denominado “Safe Operating
Area” o Área de Operación Segura
Pmáx VCE IC
500 mW 5V 100 mA
500 mW 10 V 50 mA
500 mW 15 V 33 mA
500 mW 20 V 25 mA
Si analizamos una curva “SOA” de un
dispositivo comercial, se observan
cuatro regiones distintivas
A bajas Vce, limita la máxima corriente
de salida
A medida que la Vce aumenta, la
potencia que tiene que disipar el
transistor se incrementa hasta el punto
de la Tmáx Vce x Ic = constante
Posteriores incrementos llevan a otra
región donde se produce la llamada
"ruptura secundaria" y es causada por
la tendencia de los BJT a producir
"puntos calientes” (“hot spots”), o
puntos donde se concentra la
circulación de corriente, donde se
puede producir un exceso térmico
El límite final es la tensión de ruptura
del transistor
6.3 – Efecto capacitivo

Como ya se ha descrito en capítulos
precedentes, la carga en la zona
espacial (zona Z) es similar a la
carga almacenada en un
condensador de placas paralelas.
A medida que la tensión de
polarización inversa aumenta, la
zona Z también aumenta, por lo que
aumenta la distancia entre “placas” y
la capacidad disminuye
Se observa en la gráfica esta
característica en un transistor
2N3904
6.4 – Tiempos de conmutación
Tal y como se dijo en
capítulos precedentes, la
transición de conducción a
no conducción en una unión
P-N, no se produce de forma
inmediata, pues los cambios
en la “zona Z” tardan un
tiempo en producirse
Este concepto, en
transistores BJT, adquiere
especial significado en
conmutación, es por ello que
abordaremos este concepto
en el apartado 8.2, donde se
describe éste régimen de
funcionamiento
Finalmente se muestra una visión general con un

resumen de una hoja de datos de un transistor
Transistor NPN de silicio
Y dos hojas de datos completas

2N3904: Transistor NPN de propósito general
2N2905: Transistor PNP para conmutación
7 – Análisis en CC
7.1 – Modelo para gran señal

7.2 – Determinar la región de funcionamiento
7.3 – Método analítico
7.4 – Método gráfico. Recta de carga

Con objeto de simplificar los cálculos, se crean modelos que
verifiquen en mayor o menor grado el comportamiento del
transistor, partiendo de las ecuaciones que deben de
verificarse en cada zona de funcionamiento.
Se pueden crear varios modelos, y ellos dependen

exclusivamente del grado de exactitud que se desee aplicar
al posterior análisis.
Como la configuración más usual es la de emisor común, y

ésta la podemos usar siempre e independientemente de la
configuración del circuito, en todo este apartado utilizaremos
únicamente el modelo de Emisor Común.
En Activa:
I C = β ⋅ I B + ( β + 1) ⋅ I CBo


Las principales ecuaciones que Si : 0.6 ; 0.7 V 

VBE ≈ Vγ ≈  
rigen su funcionamiento son: Ge : 0.2 ; 0.3 V 
Por tanto, el comportamiento en esta zona es el de una
“fuente de intensidad controlada” Amplificación
Finalmente se llega a:

En Corte:
I =I +I =0

Las principales ecuaciones que E C B
rigen su funcionamiento son: I C = − I B = I CBo

Únicamente circulan las corrientes inversas de saturación
de la uniones y se puede asemejar a un interruptor abierto
Conmutación
En Corte:
Si queremos un modelo un tanto más exacto, o bien, por la
magnitud de la IC0, ésta no es despreciable, se pude usar este
otro modelo

En Saturación:
Se consigue si polarizamos el transistor Si : 0.6 ; 0.7 V 
VBE ≈ Vγ ≈ 
Ge : 0.2 ; 0.3 V 
Unión B-C polarizada en directa 
Las principales ecuaciones que VBE ≈ Vγ 
VCE ≈ [0.1 ; 0.2 V ]

rigen su funcionamiento son: VBC ≈ Vγ 

La tensión entre Colector y Emisor es muy pequeña y se
puede asemejar a un interruptor cerrado Conmutación
7.2 – Determinar la región de funcionamiento
Ya se ha visto como al aplicar determinadas tensiones entre los
terminales del transistor, se producen unas corrientes concretas,
función de que región de funcionamiento se encuentre.
Al aplicar la 1ª Ley de Kirchhoff se obtiene:

IE + IB + IC = 0 IE = IB + IC
Y al aplicar la 2ª Ley de Kirchhoff:

VEB + VBC + VCE = 0
Por tanto, determinar la región de funcionamiento, consistirá en

determinar cada una de las 6 variables anteriores.
Como se dispone de 2 ecuaciones y 6 incógnitas, se deberán
conocer algunas variables y/o deducir alguna ecuación más
(características del transistor en cada región)

Para resolver un ejercicio de polarización con BJT
1 - Si es necesario, cambiar la "morfología" del circuito
(redibujar, Thevenin...)
2 - Realizar por simple inspección, una suposición sobre la
región de funcionamiento (activa, corte o saturación)
3 - Se aplican las ecuaciones/condiciones que rigen el
funcionamiento en esa zona
4 - Se resuelve el circuito aplicando Kirchhoff con los datos
anteriores
5 - Se verifica que está en la región prevista. Se pueden
presentar dos casos:
5.1 - Se comprueba que las corrientes y tensiones resultantes
son "imposibles” por lo que la suposición de partida es
incorrecta: se elegirá otra región y se vuelve al paso 2.
5.2 - Se comprueba que el transistor está en la región prevista
6 - Fin de los cálculos

EJEMPLO: Resolver el
siguiente circuito, sabiendo
que el transistor es de Silicio
con β = 165 e ICBo
despreciable.
Se realizará siguiendo los
pasos descritos antes.
1 - Si es necesario, cambiar
la "morfología" del circuito
(redibujar, Thevenin...)
Se puede plantear un sistema
de ecuaciones para resolver las
6 incógnitas buscadas. En
nuestro caso no se prefiere,
pues nos obliga a desarrollar
bastante cálculo matemático.

Es preferible realizar el
equivalente Thevenin
R1 ⋅ R2
Rth = = 193.9 KΩ
R1 + R2
R2
Vth = V1 ⋅ = 5.88V
R1 + R2
2 - Realizar por simple inspección, una suposición
sobre la región de funcionamiento (activa, corte o
saturación)
Se supone en la región de ACTIVA
3 - Se aplican las ecuaciones/condiciones que rigen
el funcionamiento en esa zona
I C = β ⋅ I B + ( β + 1) ⋅ I CBo
VBE ≈ Vγ ≈ 0.6 V

4 - Se resuelve el circuito aplicando Kirchhoff con los
datos anteriores
Vth − VBE 5.88 − 0.6

Vth = I B ⋅ Rth + VBE → I B = = = 27.29 µA
Rth 193500
I C = β ⋅ I B + ( β + 1) ⋅ I CBo = 165 ⋅ 27.29 ⋅10 −6 + 0 = 4.5mA
I E = ( β + 1) ⋅ I B + ( β + 1) ⋅ I CBo = I B + I C = 4.527 mA
VBE = 0.6V
V 1 = I C ⋅ RC + VCE → VCE = V 1 − I C ⋅ RC = 5.5V
VBE + VEC + VCB = 0 → VCB = −VBE + VCE = 4.9V
5 - Se verifica que está en la región prevista
VBE = 0.6V > 0
Unión B - E polarizada en directa (NPN)
V 1 = I C ⋅ RC + VCE → VCE = V 1 − I C ⋅ RC = 5.5V > 0.2V

Tensión tí pica de la región Activa
VBE + VEC + VCB = 0 → VCB = −VBE + VCE = 4.9V > 0

Unión B - C polarizada en inversa (NPN)
6 - Se confirma que se encuentra en la región

ACTIVA. Fin de los cálculos

Resolver el siguiente
circuito, sabiendo que el
transistor es de Silicio con
β = 165 e ICBo
despreciable.
Se realiza con el programa

de simulación (PSpice)
Para resolver gráficamente un circuito con transistores, se
representan las gráficas de las ecuaciones
Ec.1 → Caract. de salida del transistor

Ec. 2 (Kirchhoff) → V 1 = I C ⋅ RC + VCE
 V1
VCE = 0 → I C =
Recta de carga  RC
I = 0 → V 1 = V
 C CE
Solución: En la intersección de ambas

se encuentra el punto de trabajo “Q”

Así, para el circuito resuelto en el apartado anterior sería:
Aunque lo normal sería tener una colección de curvas, y que la IB
buscada, no estuviera dibujada, por lo que habría que interpolar
8 – Aplicaciones básicas
8.1 – El transistor como amplificador

8.2 – El transistor en conmutación
8.2.1 – Tiempos de conmutación
En el circuito en emisor común analizado
anteriormente, se coloca una señal de entrada
de valor Vb tal y como se ve en la figura
Ésta provoca pequeñas variaciones en la VBE

y por tanto de la IB

Según se ve en la característica de salida, la
IC varía (pues IC ≈ β • IB)
Finalmente esto provoca variaciones de la VCE

(señal de salida) amplificadas con respecto a
la tensión de entrada
Se muestra todo el proceso en un único
gráfico

Como se ha podido observar antes, si el punto de
trabajo Q no está “centrado”, pueden producirse
distorsiones (por corte o saturación)
Se considera que el transistor trabaja en
conmutación cuando el paso de saturación a corte se
considera inmediato, es decir, “sin permanecer” en la
zona activa
Estos circuitos se diseñan para funcionar en las regiones de
saturación y corte, no se emplea ningún punto Q que esté
situado en la región activa

Si Vth = 0
IB ≈ 0 IC ≈ 0 VRC ≈ 0 VCE
≈ V1
El transistor está en CORTE (Q1
anterior)
Es un interruptor abierto
Si Vth = V1
IB e IC serán elevadas VCE ≈
0,2 V VRC ≈ V1
El transistor está en
SATURACIÓN (Q2 anterior)
Es un interruptor cerrado
8.2.1 – Tiempos de conmutación
Los cambios de corte a
saturación (o viceversa)
tardan un tiempo en
establecerse
Tiempo de cierre o
encendido
tON = td + tr
td: tiempo de retardo
tr: tiempo de subida
Tiempo de apertura o
apagado
tOFF = ts + tf
ts: tiempo de almacenamiento
tf: tiempo de caída
9 – Polarización y estabilidad
9.1 – Introducción
9.2 – Variación del punto de trabajo
9.3 – Circuitos de polarización
9.3.1 – Polarización por resistencia de base
9.3.2 – Polarización por divisor de tensión en la
base
El transistor bipolar se emplea en numerosas aplicaciones, y
en infinidad de circuitos diferentes. Cada uno de ellos
necesitará, según su funcionamiento, que el transistor éste en
una (o varias) zona de trabajo concreta: activa, corte o
saturación.
Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las

corrientes y tensiones continuas que aparecen en el mismo
queden fijadas a unos
valores determinados,
de modo que se establezca
su funcionamiento en la
zona activa, saturación o en
corte. Para ello se cambiarán
las tensiones y componentes
del circuito.
Una vez establecido el punto de trabajo o de reposo (Q), otro
objetivo fundamental en los circuitos de polarización es
«insensibilizar» el citado punto de trabajo, tanto de
variaciones del circuito (cambio en temperatura, tensiones,
resistenciase) como de variaciones en el propio transistor (β,
Icoe), es decir, conseguir estabilidad en el citado punto de
trabajo.
En las figuras se observa como cambia el punto de trabajo si cambia Rc
o la temperatura del componente
9.2 – Variación del punto de trabajo
Aunque hayamos fijado con el circuito de polarización el punto de
trabajo (Q) del transistor, éste puede verse alterado
fundamentalmente por la influencia de:
1º- Tolerancias de fabricación de los componentes electrónicos
En particular los transistores BJT presentan una considerable
variación de sus parámetros (particularmente beta) para idénticas
unidades de la misma serie.
2º - Dependencia de las características del transistor con la
temperatura
Corriente inversa de saturación (Ico): duplica su valor cada 10 ºC
Implica un aumento de IC T −T 0
I C 0 (T ) = I C 0 (T0 ) ⋅ 2 10
La tensión VBE: disminuye aproximadamente 2.5 mV por ºC Implica

un aumento de IB y por tanto de IC
∆VBE
≈ −2.5 mV /º C ↔ VBE (T ) = VBE (T0 ) − (2,5 ⋅10 −3 ) ⋅ (T − T0 )
∆T
β aumenta con la temperatura Implica un aumento de IC
Luego un aumento de temperatura genera un incremento de IC, por la
variación de cada uno de los parámetros anteriores, que provoca un
aumento de la temperatura del dispositivo, que generae
9.3 – Circuitos de polarización

Existen multitud de
circuitos de polarización
cada uno con sus
características. La
elección de uno u otro
dependerá de la
aplicación y del grado de
estabilidad que se desea
del punto de polarización.
En el presente apartado
se verán los circuitos de
polarización mas usuales,
indicando sus principales
características.
El circuito más simple para polarizar el transistor en la
zona activa se muestra en la figura (denominado
polarización por resistencia de base)
VBE = 0.7 V
VCC − VBE
VCC = VBE + Rb ⋅ I B ⇒ I B =
Rb
VCE = VCC > VCESAT ≈ 0.1 V
Este primer circuito tiene como inconvenientes

El transistor nunca se podría alcanzar la zona de saturación,
pues no se puede conseguir que VCE = 0,2V siendo VBE = 0,7V
Se produce una excesiva disipación de potencia
Es muy sensible a variaciones (se demostrará posteriormente)

Una variante del circuito anterior se muestra en la
figura. Con éste se consigue polarizar el transistor en
las tres regiones de funcionamiento.
VCC − VBE
VCC = VBE + Rb ⋅ I B ⇒ I B =
Rb
VCC = VCE + Rc ⋅ I C ⇒ VCE ≅ VCC − β ⋅ I B ⋅ Rc
Para ello se emplean las ecuaciones anteriores aplicando las

condiciones de cada región.
Aunque este circuito corrige los principales
inconvenientes del anterior, la estabilidad del punto de
polarización sigue dependiendo de las variaciones de β.
IC VCC − VBE
VCC = VBE + Rb ⋅ ⇒ Rb = ⋅β
β IC
VCC − VCE
VCC = VCE + Rc ⋅ I C ⇒ RC =
IC
Dependencia con β:
Cambios en la β del transistor al sustituirlo por otro igual (debido
a tolerancias de fabricación) o por cambios en la temperatura,
provoca un cambio en el punto de trabajo.
VCC − VBE 
IB =  VCC − VBE
Rb I C = ⋅β
 Rb
IC ≅ β ⋅ I B 
Así un ∆β ∆IC Circuito de
polarización no estable
Influencia de VCC
Los cambios en la alimentación
provocan un desplazamiento del

punto de trabajo Q
Algo similar ocurre al variar Rc
o Rb
9.3.2 – Polarización por divisor de tensión en la base
Cuando se pretende que la polarización sea estable (es

decir, que no varíe con factores externos), se usan redes de
polarización más complejas, que fijan la tensión en base,
como por ejemplo la que aparece en la figura, que es uno de
los circuitos más empleados
Con los valores de R1 y R2 se determina
la ubicación del punto Q
La mejora que se obtiene en la
estabilidad del punto de polarización es
debida a RE, tal y como se justificará más
adelante
Con el fin de analizar este circuito, se
simplifica el circuito de base empleando
el teorema de Thévenin (ver 7.3)
La polarización con doble fuente no se
suele utilizar por ser más costoso y
complicado de utilizar.
Efecto de Re:
El problema del desplazamiento del punto Q con las
variaciones de β, se puede compensar añadiendo una
resistencia en el terminal de emisor
I E = I B + IC  β +1
I E ≈ ⋅ IC ⇒ I E ≈ IC
IC ≈ β ⋅ I B  β
Si β ↑→ I C ↑→ I E ↑→ Re ⋅ I E = VRe ↑
 I B ↓ 
y como  ⇒ Rb ⋅ I B = VRb ↓→ I B ↓→  IC ↓
  I ≈ β ⋅ I 
VCC = VBE + Rb ⋅ I B + Re ⋅ I E = Cte 
C B
Otra forma de justificarlo es

VCC − VBE
VCC = VBE + Rb ⋅ I B + Re ⋅ I E = VBE + Rb ⋅ I B + Re ⋅ ( β + 1) ⋅ I B → I B =
Rb + Re ⋅ ( β + 1)
I ↓ 
Si β ↑→ Denominador " R b + R e ⋅ (β + 1)" ↑ → I B ↓→  B I C ↓
I C ≈ β ⋅ I B 

Efecto de Re:
El valor de Re para hacer el circuito «insensible» a las
variaciones de β (es decir que Ic no cambie con éstas) se
puede establecer así
VCC = VBE + Rb ⋅ I B + Re ⋅ I E 
 VCC − VBE
IC ≈ β ⋅ I B  ⇒ IC ≈
 R
Si β >> 1 → I C ≈ I E Re + b
 β
VCC − VBE 
IC ≈
R 
Re + b  V −V
β  ⇒ I C ≈ CC BE
Re
Rb 
Si Re >> 
β 
Finalmente se observa como IC es independiente de β, y
se le denomina circuito de polarización estable
10 – Modelos de aproximación en
pequeña señal
10.1 – Modelo de parámetros híbridos para baja

frecuencia (h)
10.2 – Análisis de un amplificador en Emisor
Común
10.2.1 – Obtención del circuito equivalente
10.2.2 – Análisis del circuito equivalente
10.2.3 – Amplificador EC con RE sin desacoplar
10.3 – Modelo de parámetros híbridos para alta
frecuencia (π)
10.1 – Modelo parámetros híbridos para BF (h)

Al BJT se le puede aplicar la teoría
de los cuadripolos lineales. En
concreto se suele trabajar con los
parámetros híbridos “h”.
Teniendo esto en cuenta y vBE = f1 (iB , vCE )

considerando al transistor
configurado en Emisor Común en la iC = f 2 (iB , vCE )
zona Activa y trabajando en baja
frecuencia, se cumple que
Si hacemos un desarrollo en series

de Taylor en el entorno del punto Q
(VCE, IC) y despreciamos los
términos de orden superior,
obtenemos
Si aplicamos la teoría de los cuadripolos, las
derivadas parciales son números reales y
definen los parámetros “h” (en este caso en
emisor común)
hie: Impedancia de entrada
hre: Ganancia inversa de tensión
hfe: Ganancia de corriente
hoe: Admitancia de salida
Estos parámetros “h” pueden obtenerse
experimentalmente, o bien de las ecuaciones
características del transistor
Sustituyendo estos parámetros “h” en el

desarrollo de Taylor anterior, se llega a
estas ecuaciones, que definen el modelo
buscado
Ecuaciones que responden al siguiente circuito
Los parámetros hre y hoe suelen ser muy pequeños (del

orden de 10-4 o 10-5), por lo que suelen considerarse
despreciables, obteniendo así
10.2 – Análisis de un amplificador en EC
La figura muestra un típico amplificador de tensión en EC.
Podemos distinguir:
Vs y Rs: Fuente de tensión de entrada
R1, R2, Rc y Re: red de polarización
C1: Condensador de acoplo. Sirve para acoplar la señal alterna de entrada
al amplificador, bloqueando la componente de continua (evita la
modificación del punto de polarización Q)
C2: Similar al anterior, acopla la señal alterna amplificada a la carga
bloqueando la componente de continua sobre la carga (RL)
C3: Condensador de desacoplo. En el apartado anterior se vió como Re
proporcionaba estabilidad al punto de polarización (Q), sin embargo (se
demostrará posteriormente) provoca una disminución de la ganancia en
tensión. Este condensador proporciona un camino de baja impedancia
para la señal de alterna, corrigiendo este inconveniente.
RL: Simula la carga sobre la que se aplica la señal alterna amplificada.
10.2 – Análisis de un amplificador en EC
Se analizarán amplificadores en emisor común

(utilizando el modelo simplificado) con objeto de
comprobar las principales características:
Ganancia de tensión (AV)
Ganancia de corriente (AI)
La impedancia de entrada (Zi)
La impedancia de salida (Zo)
Se verán distintos circuitos amplificadores con el fin

de comparar los valores obtenidos en cada uno de
ellos.
10.2.1 – Obtención del circuito equivalente
Para el análisis de circuitos con transistores aplicaremos el teorema de
superposición, de modo que por un lado se calcularán las tensiones e
intensidades del circuito de continua y por otro las de alterna, de modo que el
resultado final sea la suma de ambas.
Para hallar el equivalente de corriente continua
Suponemos │Xc │ = ∞
Para hallar el equivalente de corriente alterna
Suponemos │Xc │ = 0
Fuentes de cc = cortocircuito
= +
10.2.2 – Análisis del circuito equivalente

Sobre el circuito equivalente obtenido anteriormente, precedemos a sustituir
el símbolo del transistor por su modelo simplificado en pequeña señal de
parámetros híbridos (h:)
Y resolviendo este circuito se obtiene
La impedancia de salida (Zo) = ∞

10.2.3 – Amplificador EC con Re sin desacoplar
Se analizará ahora un amplificador en emisor común con la resistencia de
emisor sin desacoplar (sin C3). Así esta resistencia aparecerá en el circuito
de pequeña señal disminuyendo la ganancia del amplificador
Los pasos son los mismos descritos antes
Para hallar el equivalente de corriente continua

Suponemos │Xc │ = ∞
Para hallar el equivalente de corriente alterna
Suponemos │Xc │ = 0
Fuentes de cc = cortocircuito
= +

Sobre el circuito equivalente obtenido anteriormente, precedemos a sustituir
el símbolo del transistor por su modelo simplificado en pequeña señal de
parámetros híbridos (h:)
Y resolviendo este circuito se obtiene
La impedancia de salida (Zo) = ∞

Tal y como se adelantó previamente queda demostrado como la
ganancia disminuye al colocar la RE sin el condensador de desacoplo
Ganancia de tensión (AV) con RE con el condensador de desacoplo

− ( RL R C ) ⋅ h fe
AV =
hie
Ganancia de tensión (AV) con RE sin el condensador de desacoplo
− ( RL R C ) ⋅ h fe 
AV = 
hie + RE (h fe + 1) 
 − ( RL R C )
h fe + 1 >> hie  AV =
 RE
h fe + 1 ≈ h fe 


Además se puede observar que la nueva ganancia «casi» no
depende de las características del transistor, se fija con elementos
externos.
10.3 – Modelo parámetros híbridos para AF (π)

Al aumentar la frecuencia el comportamiento del transistor
cambia debido a que las capacidades parásitas ya no pueden
considerarse despreciables. En estos casos suele utilizarse el
modelo de parámetros híbridos en π, mostrado en la figura 1.
Figura 1
Figura 2
El modelo simplificado en baja frecuencia es el que se muestra

en la figura 2.
11 – Códigos de designación
11.1 – Códigos de marcado

11.2 – Símbolos
11.3 – Cápsulas

Principalmente la codificación se basa en estándares
desarrollados por los siguientes organismos:
JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council):

Código: Digito, Letra, Número, sufijo (opcional)
Ejemplo: 2N3904, 2N2222...
Digito: El numero designa el tipo de dispositivo
1: Diodo
2: Transistor Bipolar
3: Transistor de efecto de campo FET
4: Optoacoplador
5: Optoacoplador
Letra: Se usa siempre la N, indica unión semiconductora
Número: se sitúa entre el 100 y el 9999
JISC (Japanese Industrial Standard committee)
Código: Digito, Dos letras, Número, sufijo (opcional)
Ejemplo: 2SA1187, 2SB646
Digito: El numero designa el tipo de dispositivo
1: Diodo
2: Transistor Bipolar
3: Transistor de efecto de campo FET
2 letras: Las letras especifican el área de aplicación
SA: PNP HF transistor
SB: PNP AF transistor
SC: transistor NPN HF
SD: transistor NPN AF
SE: Diodos
SF: Tiristores
SG: Dispositivos de disparo
SH: UJT
SJ: FET/MOSFET canal P
SK: FET/MOSFET canal N
SM: Triac
SQ: LED
SR: Rectificador
SS: diodo de señal
ST: diodo de avalancha
SZ: diodo zener
Número: varia entre 10 y 9999.

PRO ELECTRON (europea)
Código: Dos letras, Letra (opcional), Número
Ejemplo: BC108A, BAW68, BF239
Primera letra: especifica el material semiconductor empleado
A: Germanio
B: Silicio
C: Arseniuro de galio
R: Materiales compuestos
Segunda letra: especifica el tipo de dispositivo
A: Diodo de bajo potencia o baja señal
B: Diodo de capacitancia variable (varicap)
C: transistor, de audio frecuencia (AF), pequeña señal
D: transistor, AF, potencia
E: Diodo túnel
F: transistor, alta frecuencia (HF), pequeña señal
K: Dispositivo de efecto Hall
L: Transistor, HF, potencia
N: Optoacoplador
P: Fotorreceptor
Q: Emisor de luz
R: Dispositivo de conmutación, baja potencia, ej: tiristor, diac, UJT etc
S: Transistor, conmutación de baja potencia
T: Dispositivo de conmutación, potencia, ej: tiristor, triac, etc.
U: Transistor de potencia, conmutación
W Dispositivo de onda acústica de superficie (SAW)
Y: Diodo rectificador
Z: Diodo zener
Tercera letra (opcional): La tercera letra indica que el dispositivo está pensado para aplicaciones industriales o
profesionales, más que para uso comercial. Suele ser una W, X, Y o Z.
Número: varia entre 100 y 9999
11.2 – Símbolos
Se recuerdan, aunque ya han sido descritos en otros
apartados
Transistor PNP Transistor NPN
11.3 – Cápsulas
Cápsulas más usuales (hay muchísimas más)
TO-92 TO-18
TO-39 TO-126
TO-3 TO-220
TO-251 SMDe

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1.1 – Concepto de transistor

Transistor PNP Transistor NPN

1.1 – Concepto de transistor

1.2 – Efecto transistor

Por tanto, se está controlando

3 – Configuración en base común

Por tanto, uno de los terminales debe ser el mismo,

Así obtenemos tres configuraciones diferentes,

Este montaje permite adaptar una fuente de baja

3.2 – Curva característica de entrada

3.3 – Curva característica de salida

La región de saturación VCB < -Vɣ (IC ↓↓↓)

3.3 – Curva característica de salida

Este montaje se aproxima al amplificador ideal

4.2 – Curva característica de entrada

4.2 – Curva característica de entrada

Como el comportamiento es el mismo que un diodo

4.4 – Curva característica de salida

La región de saturación VCE < ≈ 0.1/0.2 V (IC ↓↓↓)

4.4 – Curva característica de salida

α ≈ [0.9 a 0.99] IB = 600 µA

A partir de esta expresión se α

4.5 – Ganancia de corriente

β (hFE) depende de la IC que circule así como de la

4.6 – Efecto Early

4.7 – Impedancia de salida

RS no es constante Disminuye al aumentar la IB

Este montaje adapta una fuente de alta impedancia

En esta curva se representan las variables de

5.3 – Curva característica de salida

En esta curva se representan las variables de salida

6.1 – Temperatura máxima

6.1 – Temperatura máxima

Tensiones máximas (ruptura)

6.2 – SOA (Safe Operating Area)

6.3 – Efecto capacitivo

Finalmente se muestra una visión general con un

Y dos hojas de datos completas

7.1 – Modelo para gran señal

7.1 – Modelo para gran señal

Se pueden crear varios modelos, y ellos dependen

Como la configuración más usual es la de emisor común, y

Unión B-C polarizada en inversa

7.1 – Modelo para gran señal

Las principales ecuaciones que E C B

rigen su funcionamiento son: I C = − I B = I CBo

7.1 – Modelo para gran señal

rigen su funcionamiento son: VBC ≈ Vγ 

Al aplicar la 1ª Ley de Kirchhoff se obtiene:

Y al aplicar la 2ª Ley de Kirchhoff:

Por tanto, determinar la región de funcionamiento, consistirá en

7.3 – Método analítico

6 - Fin de los cálculos

7.3 – Método analítico

7.3 – Método analítico

Vth − VBE 5.88 − 0.6

V 1 = I C ⋅ RC + VCE → VCE = V 1 − I C ⋅ RC = 5.5V > 0.2V

VBE + VEC + VCB = 0 → VCB = −VBE + VCE = 4.9V > 0

6 - Se confirma que se encuentra en la región

7.3 – Método analítico

Se realiza con el programa

Ec.1 → Caract. de salida del transistor