UNIVERSIDAD

NACIONAL MAYOR DE
SAN MARCOS

TEMA: EXPERIENCIA-PREVIO 5:
RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN
AMPLIFICADOR DE UNA SOLA
ETAPA
Apellidos y Nombre: Segovia Torres Jhordan Ivan

Escuela: Ing. Eléctrica

Curso: Lab Circuitos Electrónicos II

Docente: Rejis Paredes Peñafiel

Facultad: Facultad de Ingeniería Electrónica y

Eléctrica

2020 – I
INFORME PREVIO:
1. Definir rbb’, rb’e, rb’c, rce, cb’e, cb’c, gm, fβ, fT
rbb´:La resistencia distribuida de la base, se relaciona con el parámetro h,
hie, que es la resistencia con la salida en corto. En el momento hibrido π,
esta se denomina a menudo como rπ si se aplica un corto circuito entre el
emisor y colector, se obtiene:
hi e=rπ=rbb´+rb´e//rb´c
rb´c: Resistencia de retroalimentación, rce ; resistencia de salida del
transistor.
cb´e y cb´c: Son las capacitancias parasitas del transistor. cb´c es la
capacitancia de la unión colector-base a pesar de que es una capacitancia
variable, suele considerarse constante en una región de operación
particular del transistor. La capacitancia cb´e, la cual es capacitor
baseemisor. El valor de este capacitor aparece en las hojas de datos como
Cib´. Esta capacitancia es la suma de la capacitancia de difusión del emisor
y la capacitancia de la unión del emisor. Debido a que el primer capacitor
es el más grande de los dos, cb´e es aproximadamente iguala la
capacitancia de difusión (conocida también como capacitancia de carga de
la base).
fβ y ft : Son frecuencias características, f B es la frecuencia para cuando el
factor de ganancia del transistor empieza a variar. Ft es la frecuencia
máxima de operación del transistor se da cuando la ganancia es igual a
cero.

2. En el circuito de la figura 5.1, de acuerdo al modelo π del

transistor en altas frecuencias, encontrar una expresión para
fβ/fT
El equivalente hibrido seria:

Entonces hacemos:
Ic −hfeIb ´ e
Ai= =
Ib Ib ´ e(1+ jwrb ´ e ( Cb ´ e+Cb ´ c ) )
−hfe
Ai ( jw )=
(1+ jwrb ´ e (Cb ´ e +Cb´ c ) )

La frecuencia de corte seria:

1
Wb=
rb ´ e (Cb´ e +Cb ´ c)

Se sabe que:
1
f ´ β=
2∗pi∗ (Cb ´ e +Cb´ c ) rb ´ e
hfe
Ademas: ft= 2∗pi∗Cb ´ e

Entonces tendríamos como división:

f´β Cb´ e
=
ft ( Cb ´ e+Cb ´ c )∗hfemed

3. Encontrar la frecuencia de corte para Ci, Co, Ce, mostrando

los circuitos equivalentes. Determine el ancho de banda del
amplificador.

Analisis del circuito en alterna

0.1<=Cbc<=50Pf
También 100pF <=Cbe<=1000pF
Debemos usar el teorema e Miller asi que hacemos que la capacitancia Cb
´c se convierta de una entrada y una salida, pero para esto debemos de
hallar la ganancia de voltaje a frecuencias medias. Entonces la ganancia de
voltaje para la frecuencia media en el circuito seria:
−Rc /¿ RL
Av=
ro

Entonces para hallar la ganancia de voltaje hallaremos Icq:

La corriente Icq es:

2.1 v −0.7
Icq= =1.92 mA
9.9 k
+680
200
26 mV
ro= =13.54
Icq
−10 k /¿ 1.5 k
Entonces: Av= =−96.33
13.54

R=0.67k
La frecuencia de corte seria:
−4
1 2.375∗10
FH= 2∗pi∗R∗C =
C
, además como

109.733pF <=C<=5850Pf
1 1 1
≤ ≤
109.733 pF C 5850 pF
0.0405 Mhz ≤ FH ≤ 2.164 Mhz

La capacitancia de entrada se encuentra entre los valores de

0.1 pF <C ≤ 50.5 pF

La resistencia de entrada equivalente es:

R=Rc//RL
R=1.3k
La frecuencia de entrada de corte es:
1 1.22∗10−4
F= =
2∗pi∗R∗C C

Como 0.1 pF ≤C ≤50.5 pF entonces:

1 1 1
≤ ≤
50.5 pF C 0.1 pF
2.415 Mh ≤ F 1210 MHz

Ahora la frecuencia de corte debido a beta

1
f ´ p=
2∗pi∗(Cb ´ e+ Cb´ c ) βre

Tenemos entonces
100.1 pF ≤Cb ´ e+Cb ´ c ≤1050 pF
0.056 MHz ≤ f ´ p ≤0.59 MHz

Entonces tomamos el valor más bajo que seria 0.0405MHz