DISPOSITIVOS DE RADIOFRECUENCIA

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO
FACULTAD DE INGENIERÍA

DIVISIÓN DE INGENIERÍA ELÉCTRICA ELECTRÓNICA

INGENIERÍA EN TELECOMUNICACIONES

Dispositivos de radiofrecuencia

DIODOS: LASER, SCHOTTKY, GUNN, FOTOVOLTAICO, TÚNEL, ZENER

INTEGRANTES: CABALLERO BARTOLO MARCO ANTONIO CRUZ HUERTA MIGUEL ANGEL DE LA CRUZ TORRES DANIEL GONZÁLEZ GALEANA GRACIELA ADRIANA ANAYA SAYAVEDRA JOSÉ LUIS

20/04/10
1 DIODOS ESPECIALES: LASER, SCHOTTKY, GUNN, FOTOVOLTAICOS, TÚNEL, ZENER

Un diodo laser es diferente en este aspecto. . A causa de esta resonancia. Para que el numero de fotones estimulados sea mayor que el de los emitidos de forma espontánea. es necesario por un lado tener una fuerte inversión de portadores. FOTOVOLTAICOS. ZENER   ¡   DIOSOS LASER 2 . produciendo longitudes de onda con fases entre 0 y 360 grados. La luz que tiene muchas fases diferentes se llama luz no coherente. cuando un fotón induce a un electrón que se encuentra en un estado excitado a pasar al estado de reposo. para que se compensen las perdidas. la que se logra con una polarización directa de la unión. lo que significa que todas las ondas luminosas están en fase entre si. y por el otro una cavidad resonante. es decir. TÚNEL. un diodo laser produce un haz de luz estrecho que es muy intenso. este proceso esta acompañado con la emisión de un fotón. DIODOS ESPECIALES: LASER. con la misma frecuencia y fase del fotón estimulante. G NN. La idea básica de un diodo laser consiste en usar una cámara resonante con espejos que refuerza la emisión de ondas luminosas a la misma frecuencia y fase. la cual posibilita tener una trayectoria de retroalimentación positiva facilitando que se emitan mas fotones de forma estimulada y se seleccione ciertas longitudes de onda haciendo mas angosto al espectro emitido. un LED produce luz no coherente. por consiguiente.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA En un LED 1os electrones libres radian luz cuando caen de niveles de energía superior a niveles inferiores y lo hacen de forma aleatoria y continuamente. ya que produce luz coherente. enfocado y puro. SC OTTKY. y para que se incremente la pureza espectral.

ZENER ¢ £ ¢ 3 . TÚNEL. dispositivos teledirigidos. y tipos de gas. aunque este "cono" se puede enfocar usando lentes convexos. except0 que las trenzas son fibras de vidrio o plástico delgadas y flexibles que transmiten un haz de luz en lugar de 1os electrones libres. y varios miliamperios. Sin embargo. Rayo de ángulo ancho: Un diodo del láser produce un "cono" más bien qu e un "lápiz" de luz visible o IR. Baja corriente.neón (He-Ne). y y y y Tamaño y peso pequeños: Un diodo típico del láser mide menos de un milímetro a través y pesa una fracción de un gramo. voltaje. Un cable de fibra óptica es análogo a un par trenzado. FOTOVOLTAICOS. verde o azul) y luz invisible (infrarroja).DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA El diodo laser también se conoce como laser semiconductor. su salida coherente resulta en eficacia alta y facilidad de modulación para las comunicaciones y los usos del control. y requisitos de energía: La mayoría de los diodos de láser requieren solamente algunos milivatios de energía en 3 a 12 voltios de C. Se usan en productos de consumo y comunicaciones de banda ancha. trayendo abajo satélites. tales como el helio . La ventaja consiste en que se puede enviar mucha mas infomaci6n a través de un cable de fibra óptica que a través de un cable de cobre. haciéndolo ideal para el uso en el equipo electrónico portable. En comunicaciones de banda ancha se usan con cables de fibra óptica para incrementar la velocidad en Internet. o cegando pilotos de avión. Estos diodos pueden producir luz visible (roja.C." DIODOS ESPECIALES: LASER. de varias maneras. Los diodos láser diferencian de los láseres convencionales. Intensidad reducida: Un diodo de láser no se puede utilizar para los propósitos espectaculares como quemar agujeros en metal. G NN. y sistemas de la detección de intrusión. pueden funcionar con pequeñas fuentes de energía de batería. SC OTTKY. Por lo tanto. rubí. Entre los primeros encontramos diodos laser en reproductores de discos compactos e impresoras laser.

005 -25mW. El diodo láser es capaz de proporcionar potencia óptica entre 0. En cambio. G NN. SC OTTKY. es necesario diseñar un sistema de control que mantenga el punto de operación del sistema fijo. mayor tiempo de vida *Emisión coherente de luz *Emisión incoherente *Construcción es más compleja *Mas económico *Actúan como fuente s adecuadas en Se acoplan a fibras ópticas en distancias sistemas de telecomunicaciones cortas de transmisión *Modulación a altas velocidades. Sin embargo para utilizar un diodo láser com o fuente lumínica. existen fotones con mayores dispersiones en cuanto a las longitudes de onda. LED *Mayor estabilidad térmica *Menor potencia de salida. Características: La emisión de luz es dirigida en una sola dirección en comparación con un diodo LED que emite luz en todas direcciones Diferencias del diodo láser con un diodo LED. suficiente para transmitir señales a varios kilómetros de distancia y cubren un intervalo de longitud de onda entre 920 y 1650 nm. debido a que un corrimiento de este punto puede sacar al diodo fuera de operación o incluso dañarlo. FOTOVOLTAICOS. en la luz emitida por diodos LED. 4 DIODOS ESPECIALES: LASER. ZENER ¤ ¥ ¤ . *Velocidad de modulación hasta 200MHz hasta GHz LASER *Más rápido *Potencia de salida mayor y La emisión de luz láser es monocromática: Los fotones emitidos por un láser poseen longitudes de onda muy cercanas entre sí.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA APLICACIÒN BÀSICA La aplicación básica que se le ha dado al diodo LASER es como fuente de alimentación lumínica para sistemas de telecomunicaciones vía fibra óptica. TÚNEL.

DISPOSITIVOS DE RADIOFRECUENCIA DIODO SCHOTKKY.25 V de barrera de potencial frente a los 0.7 V de un diodo normal. claro. solamente los portadores tipo (electrones móviles) desempe arán un papel significativo en la operación del diodo y no se realizará la recombinación aleatoria y lenta de portadores tipo y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales. pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutación puede llegar a ser muy alto. poniendo en peligro el dispositivo. TÚNEL. o sea. si el cuerpo semiconductor está dopado con impurezas tipo . dejando de lado la región Zener. El diodo Schottky con polarización directa tiene 0. El di d Sc o y o diodo de barrera Sc o y llamado así e ho or del físico alemán Walter H Schottky es un dispositivo semiconductor que proporcionaconmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dipositivos peque os de 5 mm de diámetro y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo aunque en inglés se refieren a ella como "knee". A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la polarización cambia de directa a inversa. SCHOTTKY. DIODOS ESPECIALES: LASER. que es cuando más bien e iste una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente -éste opere de igual forma como lo haría regularmente. de rodilla) La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como conductor en lugar de circuito abierto. ZENER      ©¨¨ §      ©¨¨ § ¦ ¦     5 . GUNN. esto. con lo que la operación del dispositivo será mucho más rápida. El diodo Schottky es la solución ya que puede conmutar más rápido que un diodo normal. FOTOVOLTAICOS. Puede rectificar con facilidad a frecuencias superiores a 300 MHz. Esto significa que. Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor " ortador p mayoritario".

el contacto tiene. TÚNEL. DIODOS ESPECIALES: LASER. por esto. Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos materiales) están en tránsito. ZENER    6 . G NN. Un diodo Schottky. La Región N tiene un dopaje relativamente alto.3V). la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. típicamente. Su conmutación es mucho más rápida que la de los diodos bipolares. debido a la movilidad más grande de los portadores en este tipo de material. En una deposición de aluminio Al (3 electrones en la capa de valencia). el cátodo. una vez que no existan cargas en la región tipo N. la tensión máxima soportable para este tipo de diodo está alrededor de los 100V. FOTOVOLTAICOS. a fin de reducir la pérdida de conducción. se forma colocando una película metálica en contacto directo con un semiconductor El metal se deposita generalmente en un tipo de material N. La parte metálica será el ánodo y el semiconductor. un comportamiento óhmico cualquiera. los electrones del semiconductor tipo N migran hacía el metal. comenzando también a tener un efecto de rectificación. creando una región de transición en la ensambladura. las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo. siendo necesaria rehacer la barrera de potencial (típicamente de m0. Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metálica y un material semiconductor. SC OTTKY.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA Funcionamiento. Cuando este contacto se hace entre un metal y una región semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja.

TÚNEL. FOTOVOLTAICOS.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA Características y usos. La limitación más evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutación y mediante su poca caída de voltaje en directo permite poco gasto de energía. por ejemplo. El tipo ALS permite mayor potencia y menor velocidad que la LS. A diferencia de los diodos convencionales de silicio. El diodo Schottky en lugar de construirse a partir de dos cristales semiconductores de unión tipo p-n. La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.7 V. G NN. SC OTTKY. utiliza un metal como el aluminio (Al) o el platino (Pt) en contacto con un cristal semiconductor de silicio (Si) menos dopado que el empleado en la fabricación de un diodo 7 DIODOS ESPECIALES: LASER. que tienen una tensión umbral valor de la tensión en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0.2 V a 0. los diodos Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0. ZENER   . El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de logica TTL.4 V empleándose. otra utilización del diodo Scho ttky es en variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades. como protección de descarga de células solares con baterías de plomo ácido. mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottly TTL con la misma potencia. Por ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutación entre los transistores sean mucho menores puesto que son más superficiales y de menor tamaño por lo que se da una mejora en la relación velocidad/potencia.

Este diodo presenta una zona de resistencia negativa bajo la condición de que el voltaje sea mayor a los 3. FOTOVOLTAICOS. tampoco depende de los valores de voltaje y corriente y no es afectado por campos magnéticos. TÚNEL. razón por lo que impropiamente se le conoce como diodo. así como en mezcladores de frecuencias entre 10 MHz y 1000 GHz instalados en equipos de telecomunicaciones. Gunn observó esta de las microondas característica en el Arseniuro de Galio (GaAs) y el Fósforo de Indio (InP). así como suprimir valores altos de sobrecorriente en circuitos que trabajan con gran intensidad de corriente. Esta característica no permite que sea utilizado como diodo rectificador. lo que posibilita que pueda rectificar señales de muy altas frecuencias. G NN. DESVENTAJAS Las dos principales desventajas del diodo Schottky son: 1. John Battiscombe Gunn en 1963. ni de los contactos. Los diodos Schottky se emplean ampliamente en la protección de las descargas de las celdas solares en instalaciones provistas de baterías de plomo-ácido. El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de la unión misma. Esta unión le proporciona características de conmutación muy rápida durante los cambios de estados que ocurren en tre la polarización directa y la inversa. ZENER ! " ! . SC OTTKY.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA normal.3 voltios / cm. Este efecto nos permite la generación de oscilaciones en el rango en los materiales semiconductores. 2. DIODO G NN Efecto fue descubierto por un científico británico. 8 DIODOS ESPECIALES: LASER. Tiene poca capacidad de conducción de corriente en directo (en sentido de la flecha). El diodo gunn generador de microondas formado por un semiconductor de dos terminales solamente tiene regiones del tipo N. No acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR).

Así. circulan y producen corriente. por ende.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA se puede utilizar como oscilador Oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones necesitan para atravesar una plaquita de material tipo N cuando se aplica el voltaje en continua. una elevación de la tensión en este elemento causa una disminución de la corriente. DIODOS ESPECIALES: LASER. La energía que los electrones deben ganar para pasar de un valle a otro es aproximadamente de 0.36eV. Funcionamiento en resistencia positiva: Cuando se aplica una tensión a una placa (tipo N) de Arseniuro de Galio (GaAs). los electrones. disminuyen su velocidad y. G NN. FOTOVOLTAICOS. que el material tiene en exceso. pero en lugar de moverse más rápido. Presentan varios valles en la banda de conducción. lo que a su ves provoca que la masa efectiva de los electrones sea mayor en los niveles energéticos superiores. la diferencia fundamental es que el Klystron es similar a las antiguas válvulas y el diodo Gunn es de estado solido y a la hora de generar el diodo lo hace en forma instantánea en cambio el Klystron demora ya que debe tomar determinada temperatura. Si se aumenta la tensión. y por tanto corrientes de oscilación de las microondas. La diferencia que tiene con el klystrón es que los dos utilizados en la generación de radiofrecuencia en la gama de las microondas. como por ejemplo al aumentar la energía también aumenta la movilidad de los electrones. SC OTTKY. entre 15 y 30 minutos. ZENER # $ # 9 . al mínimo más fuerte de la banda (el valle de mayor energía). Cuando la tensión es fuerte en el compuesto. la corriente aumenta. se les comunica a los electrones una mayor energía. los electrones saltan a una banda de energía más elevada. que normalmente esta vacía. Funcionamiento en resistencia negativa: A la placa anterior se le sigue aumentando la tensión. esto les permite moverse de un valle a otro y generar así dominios Gunn. se produce la transferencia de electrones hacia la banda de conducción. la corriente. TÚNEL. Existe una serie de detalles en cada uno de estos valles.

entrada y salida de aparcamientos y las maniobras de estacionamiento.25 a 1. El gran ángulo de abertura que se obtiene con el empleo de varios sensores (cuatro en la parte trasera y de cuatro a seis en la parte delantera) permite determinar con ayuda de la "triangulación" la distancia y el ángulo en relación con un obstáculo. ZENER % & % . requerida para el empleo en vehículos.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA Usados para construir osciladores en el rango de frecuencias comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias aún más altas (hasta Terahertz). 0. 3. que sirven al mismo tiempo para la recepción de las señales reflejadas (figura inferior).8 mm) hace posible una construcción compacta. SC OTTKY.5° en el vertical. CELDAS FOTOVOLTAICAS Las celdas fotovoltaicas son elementos que producen electricidad al incidir la luz sobre su superficie. Un oscilador Gunn (diodo Gunn dentro de una caja ecoica) alimenta en paralelo tres antenas patch dispuestas en yuxtaposición. Una lente de plástico colocada delante (lente de Fresnel) concentra el haz de rayos de emisión dentro de una ventana angular de ±5° en el plano horizontal y de ±1. TÚNEL. El alcance de detección de un sistema de tal clase cubre una distanci a de aprox. 900 µs no es posible ninguna recepción). Frecuencia de trabajo de 76 GHz (longitud de onda de aprox. están integrados en los parachoques de vehículos por ejemplo para facilitar. Otra aplicación para estos diodos se da en sensores ultrasónicos se utilizan para averiguar las distancias a que se encuentran posibles obstáculos y para vigilar un espacio. La fuente de luz utilizada generalmente es el sol. FOTOVOLTAICOS. G NN. emitiéndose entonces ondas ultrasónicas: la onda sonora reflejada por el obstáculo hace vibrar a su vez la membrana. El sensor ultrasónico funciona según el principio "impulso -eco" en combinación con la "triangulación". que entretanto se había estabilizado (durante el período de extinción de aprox. referida al eje del vehículo.5 m. 300 µs. considerando su costo 10 DIODOS ESPECIALES: LASER. el circuito electrónico excita la membrana de aluminio mediante impulsos rectangulares dentro de la frecuencia de resonancia para generar vibraciones típicas de aprox. Cuando recibe de la unidad de control un impulso digital de emisión.

A partir de ese descu brimiento. Smith observó una variación de la capacidad de conducción del selenio por efecto de la luz. En 1887. 3 . en el año 1900 Planck desarrolló la teoría cuántica. lo que sugirió que las superficies iluminadas emitían más electrones. Dado que cada elemento puede generar una cantidad reducida de electricidad. 2 . los que éstos salen de la superficie del metal.La luz recibida se debe considerar como una lluvia de partículas cuánticas (fotones) que transmiten su energía a los electrones del metal irradiado. En 1888 Hallwachs analizó est e efecto en profundidad y además descubrió que si radiaba un electrodo negativo no se observaba ninguna variación. investigando la descarga eléctrica entre dos electrodos usada como fuente de ondas electromagnéticas. Hertz descubrió el efecto fotoeléctrico externo o fotoemisión. que contribuyó a la divulgación del nuevo fenómeno.La carga eléctrica de la placa metálica expuesta a la radiación luminosa puede facilitar la salida de los electrones con carga negativa. n 1876. ZENER ' ( ' . fotopilas o generadores helio voltaicos. denominado efecto fotoconductivo. La intensidad de la luz determina sólo la cantidad de electrones que se pueden liberar si los fotones suministran la energía mínima necesaria para la salida de los electrones. dando lugar al efecto fotovoltaico. se liberan electrones de la estructura atómica. FOTOVOLTAICOS. G NN. 11 DIODOS ESPECIALES: LASER. Si la energía que suministran es suficientemente grande como para que los electrones adquieran una energía superior a la energía de ligazón de la red cristalina. Su desarrollo empezó en el año 1839 cuando Becquerel descubrió que si se ilumina uno de dos electrodos sumergidos en un electrolito. Siemens construyó un fotómetro. que le permitió a Einstein explicar la fotoemisión en 1905. o dificultar su salida con carga positiva. formando paneles solares para aumentar la potencia generada. SC OTTKY. De manera simplificada. W. Por su parte. Por otra parte. mientras Adams y Day se hallaban experimentando con la conductividad de unas varillas de selenio amorfo embebidas en hierro. descubrieron que se creaba una diferencia de potencial cuando sus aparatos eran iluminados. esta explicación indica: 1 . Cabe señalar en aquel entonces se utilizaban superficies metálicas pulidas de selenio policristalino de alto grado de pureza y doce años desp ués Hallwachs observó el mismo fenómeno en un semiconductor compuesto por cobre y óxido cuproso. Generalmente se las agrupa en disposiciones serie-paralelo.La energía cuántica depende directamente de la frecuencia de las ondas luminosas (a través de la constante de Planck). observando que la intensidad de la descarga aumentaba si radiaba el electrodo positivo con luz ultravioleta. en el año 1873.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA marginal nulo. TÚNEL. aparece entre ambos una diferencia de potencial. Estas celdas también son conocidas como baterías solares.

Para lograr un buen rendimiento energético. una parte de l a luz se refleja (energía perdida) y la otra penetra en el semiconductor. SC OTTKY. similar a la utilizada en los diodos de estado sólido. Al incidir la luz sobre la juntura. las celdas fotovoltaicas pueden compararse con los diodos de silicio normales.3 mm ). FOTOVOLTAICOS.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA La carga positiva aumenta la atracción entre los electrones y por lo tanto se necesita una mayor energía para romper la estructura atómica. queda atraído por el campo eléctrico de esa capa y penetra en la región en que son mayoritarios los portadores de igual signo. TÚNEL. el campo de la capa límite retiene los portadores mayoritarios en la región en que han sido liberados. pero cuando la unión P -N se emplea como generador fotovoltaico. ZENER ) 0 ) 12 . Desde el punto de vista eléctrico. La barrera de potencial impide que el proceso se revierta. por el exterior de la célula. mientras que la carga negativa produce el efecto contrario.5 V entre los electrodos a circuito abierto. Los fotones que ingresan con energía suficiente liberan cada uno un par electrón-hueco. En circuito cerrado la corriente pasa por la carga del borne P al N. pero si un portador minoritario (electrón en la zona P. el efecto fotovoltaico produce un desplazamiento de portadores que da lugar a una diferencia de potencial aprovechable de alrededor de 0. Las celdas fotovoltaicas modernas están formadas generalmente por una juntura semiconductora P-N de silicio de gran superficie y reducido espesor (típico: 0. hueco en la zona N) alcanza la capa límite de la barrera de potencial. La celda se completa mediante los contactos óhmicos (no rectificadores) en las capas P y N. DIODOS ESPECIALES: LASER. el sentido del flujo de los electrones es opuesto al que se observa cuando se lo usa como rectificador. aunque puede existir una pequeña corriente de fuga.Por otro lado. de reducida resistencia eléctrica para no provocar caídas de tensión adicionales. G NN. Los portadores de carga liberados se propagan por el cristal mediante difusión o bajo la influencia de un campo eléctrico. cualquiera que sea la región en que que da absorbido el fotón y liberados los portadores de carga. De este modo. En la transición entre las capas P y N (capas con dopaje positivo y negativo respectivamente) se forma por difusión una capa límite en la que se establece una barrera de potencial. Los electrones pueden recombinarse durante su recorrido. la capa límite deberá encontrarse lo mas cerca posible de la superficie expuesta a la luz.

que en el primer cuadrante (1). correspondiente al diodo con polarización directa. las celdas fotovoltaicas trabajan con dificultad fuera del cuarto cuadrante (4). sólo podrá generar una corriente limitada. la celda funciona como generador de energía. En el tercer cuadrante (3). En una celda determinada.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA Así la curva tensión-corriente trazada en la oscuridad (O) resulta igual a la de un diodo ordinario. la tensión inversa que pueden soportar es pequeña. Si una de las celdas conectadas en serie queda oscurecida. Aquí la celda funciona como fotodiodo. Si la carga aplicada al panel solar es tal que 13 DIODOS ESPECIALES: LASER. lo que obliga a la instalación de un diodo de protección en serie para prevenir daños. siendo la región de trabajo normal de las celdas fotovoltaicas. mientras que la curva (E) da la variación de esa corriente con la iluminación. G NN. En la práctica. sobre todo. En estas condiciones. la curva (O) indica la corriente inversa de fuga en la oscuridad en función de la tensión inversa. proporcional a la energía luminosa recibida. pues a corriente nula la tensión en bornes no es cero (Vco). de forma que sólo recibe una parte de la energía solar que llega a las que la rodean. Analizando la curva (E) se ve. el rendimiento energético es función del reparto espectral de los fotones. Finalmente. lo que equival e a decir que. fijados en función de la resistencia óptima de carga (Rm = Vm / Im ). la característica no sale del origen. la potencia que entrega pasa por un máximo (Pm) para determinados valores de tensión (Vm) y corriente (Im). SC OTTKY. FOTOVOLTAICOS. ZENER 1 2 1 . con radiaciones de determinadas longitudes de onda (colores) proporciona más energía eléctrica que con otras. aunque sea parcialmente. mientras que la curva correspondiente a la incidencia sobre la celda de una determinada iluminación (E). TÚNEL. resulta de la traslación de la curva anterior. en el cuarto cuadrante (4).

un transmisor y un sistema basado en una fuente de alimentación fotovoltaica. Estas estaciones típicamente consisten de un receptor. si una de las celdas conectadas en paralelo queda oscurecida. resulta evidente que es muy importante que los paneles no reciban sombras de obstáculos cercanos. de forma que sólo recibe una parte de la energía solar que llega a las que la rodean. lo que provoca su c alentamiento y acarrea un riesgo de ruptura. SC OTTKY. Sin embargo el costo de energía eléctrica de hacer funcionar estos sistemas y el alto coste de mantenimiento de los sistemas convencionales han limitado su uso. Análogamente. situados habitualmente en la caja de conexiones. Existen miles de estos sistemas instalados alrededor del mundo y tienen una excelente reputación por su confiabilidad y costos relativamente bajos de operación y mantenimiento. Los sistemas de monitoreo remotos se pueden utilizar para recolectar datos del tiempo u otra información sobre el medio ambiente y transmitirla automáticamente vía radio a una central. para proteger a las celdas del sobrecalentamiento debido a sombras parciales en la superficie del panel. G NN. sólo podrá generar una tensión limitada. Para solucionar este inconveniente. FOTOVOLTAICOS. aunque sea parcialmente. DIODOS ESPECIALES: LASER. ni hacerse sombra mutuamente en cualquier horario y época del año.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA demanda una corriente superior a dicha corriente limitada. lo que también provoca su calentamiento y acarrea un riesgo de ruptura. menor a las restantes en paralelo. se añaden diodos anti-retorno. los teléfonos de emergencia y los sistemas de monitoreo. TÚNEL. Los sistemas fotovoltaicos han proporcionado una solución rentable a este problema con el desarrollo de estaciones repetidoras de telecomunicaciones en área remotas. para proteger a las celdas del sobrecalentamiento debido a sombras parciales en la superficie del panel. Por todo lo anterior. ZENER 3 4 3 DIODO TUNEL 14 . se limita la tensión inversa máxima que puede producirse añadiendo diodos en paralelo. situados habitualmente en la caja de conexiones. Aplicación Las buenas comunicaciones son esenciales para mejorar la calidad de vida en áreas alejadas. Para solucionar este inconveniente. la celda afectada funcionará en sentido inverso. Principios similares se aplican a radios y televisiones accionadas por energía solar. Entonces la celda afectada funcionará como receptor si la tensión de funcionamiento se hace superior a la suya a circuito abierto.

este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que están relativamente libres de los efectos de la radiación. si se sigue aumentando la tensión aplicada. llamado corriente de valle.DISPOSITIVOS DE RADIOFRECUENCIA En 1958. desde el cual de nuevo aumenta. el físico japonés Esaki. DIODOS ESPECIALES: LASER. Apli ion s Los diodos túnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rápidamente. ZENER 8 676 5 15 . Este comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo que los físicos denominan efecto túnel. la parte mas interesante de su curva característica es la comprendida entre la cresta y el valle. pero luego se hace cada vez más rápido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. TÚNEL. la corriente disminuye al aumentar el voltaje. la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mínimo. Esencialmente. En esta parte de lacurva a un aumento de la tensión aplicada corresponde una disminución de la corriente. descubrió que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de contaminación del material básico mucho más elevado que lo habitual e hiben una característica tensión-corriente muy particular. SCHOTTKY. FOTOVOLTAICOS. el diodo túnel puede funcionar como amplificador. la corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensión aplicada hasta alcanzar un valor máximo. cambiando de estado de conducción al de no conducción incluso más rápido que los diodos Schottky. Para las aplicaciones prácticas del diodo túnel. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento. la relación entre un incremento de la tensión y el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces que esta parte de la curva re presenta una resistencia incremental negativa . denominado corriente de cresta. GUNN. Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una resistencia positiva. en otros términos. Cuando la resistencia es negativa. como oscilador o como biestable. En consecuencia. A partir de este punto.

Así estos diodos sólo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitososciladores de alta frecuencia. pues.25 a 50 [Watz]. la flecha flecha del símbolo esta en contra de la dirección de conducción. DIODOS ZENER. La fabricacion de los Zener es desde los 3. DIODOS ESPECIALES: LASER. la intensidad inversa del diodo sufre un aumento brusco. que produzca un aumento en el numero de impurezas.8 [V] hasta 200 [V]. Para conseguir esto se aprovecha la propiedad que tiene la unión P cuando se polariza inversamente al llegar a la tensión de ruptura (tensión de Zener).DISPOSITIVOS DE RADIOFRECUENCIA Desgraciadamente. con rangos de potencia desde 0. Para evitar la destrucción del diodo por la avalancha producida por el aumento de la intensidad se le pone en serie una resistencia que limita dicha corriente. este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente de fuga muy grande cuando están polarizados en reversa. Los diodos Zener se encuentran disponibles conpotenciales Zener desde 1. disminuirá el potencial Zener. Algunas características a resaltar del diodo Zener: y Su dirección de conducción es inversa a la de un diodo rectificador. TÚNEL. Se emplean para producir entre sus extremos una tensión constante e independiente de la corriente que las atraviesa según sus especificaciones. Un incremento en el dopado. GUNN. FOTOVOLTAICOS. ZENER 9 16 .3v y con una potencia mínima de 250mW. y y La localización de la región Zener puede controlarse variando los niveles de dopado. SCHOTTKY. esto quiere decir que la representación gráfica es V(-) -> V(+) .

SCHOTTKY. dentro de unos limites requeridos en el dise o. a pesar de los cambios que se puedan producir en la fuente de tensión VAA. FOTOVOLTAICOS. Este circuito se dise a de tal forma que el diodo zener opere en la región de ruptura. La figura de abajo muest el circuito de un diodo usado como ra regulador. Consideremos primero la operación del circuito cuando la fuente de tensión proporciona un valor VAA constante pero la corriente de carga varia. GUNN. ZENER E D C B B @A@ F 17 . Las corrientes IL = VZ/RL e IZ están ligadas a través de la ecuación: DIODOS ESPECIALES: LASER. Analicemos a continuación el funcionamiento del circuito. aproximándose así a una fuen e idea de tensión. y en la corriente de carga IL. El diodo zener está en paralelo con una resistencia de carga RL y se ncarga de mantener constante la tensión entre los extremos de la resistencia de carga (Vout=VZ). TÚNEL.DISPOSITIVOS DE RADIOFRECUENCIA Apli ion s d l diodo Zener: Una de las aplicaciones más usuales de los diodos zener es su utilización como reguladores de tensión.

e I ZM representa la corriente maxima para la unidad de 20%. y lo contrario si se produjera una disminución de VAA. un aumento de ésta produce un aumento de IT y por tanto de IZ pues IL permanece constante. si VAA y VZ permanecen constantes. SC OTTKY. ZENER G H 18 . Si ahora lo que permanece constante es la corriente de carga y la fuente de tensión VAA varía. Esto lleva a la conclusión de que si IL aumenta. VR debe de serlo también (VR = IT R). I ZM es la corriente de prueba definida por la potencia de 0. IZ disminuye y viceversa (debido a la ecuación (1)). GUNN. Tendríamos lo mismo que antes. En consecuencia VZ no permanecerá absolutamente constante. La máxima impedancia del punto de inflexión ocurre en la corriente del punto de inflexión I K . TÚNEL. las pequeñas variaciones se producirían por las variaciones de IZ para compensar las variaciones de VAA. y y y y y y Vz es un valor típico promedio.DISPOSITIVOS DE RADIOFRECUENCIA IT = IL + IZ (1) y para las tensiones: VAA=IT R + VZ =VR + VZ (2) Por lo tanto. DIODOS ESPECIALES: LASER. El 20% nos indica que se puede esperar que el potencial Zener varie de 10V ± 20% (Entre 8 y 12 V). una tensión de salida prácticamente constante. Características de prueba principales de un diodo Zener: Para un diodo Zener (Fairchild 1N961) de 500m -W y 20%.25. variará muy poco debido a los cambios de IZ que se producen para compensar los cambios de IL. FOTOVOLTAICOS. De esta forma la corriente total IT queda fijada a pesar de las variaciones de lacorriente de carga. Z ZT es la impedancia dinámica en este nivel de corriente.

GUNN. SCHOTTKY. TÚNEL.DISPOSITIVOS DE RADIOFRECUENCIA 19 DIODOS ESPECIALES: LASER. FOTOVOLTAICOS. ZENER .

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful