ICECREM

Al abrir el simulador obtenemos una pantalla como la que se muestra en

la Figura:

Vemos que aparecen dos ventanas grandes:

Una en la parte superior (Ventana de
proceso) :
Substrato Grid

En ella aparecerán registrados los Depositar Grabado (etch)

procesos que vayamos realizando
(oxidación, implantación iónica, etc.) Oxidar Epitaxia

Implantar
En ella aparece el menú rápido  que
muestra diferentes iconos para posibilitar Plot Parametros
del Plot
tanto la definición del material como la
Salvar
simulación de los diferentes procesos, Imprimir
exposición de resultados en pantalla, etc. Menú rapido

Cada proceso que realicemos: definición de mallado, de substrato,

epitaxia, representación de resultados, etc. se mostrará en una línea
diferente, posibilitando de nuevo su posible edición y modificación.

Una en la parte inferior (Ventana de documento)

En esta ventana, una vez ejecutada la simulación, aparecerá la
información detallada de cada uno de los procesos realizados.

Existe la posibilidad de guardar este documento con extensión de

documento de texto.

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1. Tenemos un menú típico de Windows en la parte superior. Podemos

expandir estos menus y observamos:

File (típico de Windows)

Edit (contenido típico de Windows)

Process Comands: Contiene los procesos más importantes del programa

ICECREM:

Dentro del primer bloque están los 5

primeros pasos que se deben realizar para
comenzar cualquier simulación:

New Process: En primer lugar, una vez

abierto un nuevo fichero, debemos
introducir un nombre al proceso. De este
modo se añadirá una línea a la ventana

El parámetro de este comando es : TITLE

Numerical Grid: Siempre es necesario

definir un “mallado” de la estructura que se
vaya a simular definiendo tanto el grosor de
la malla unidimensional como el tamaño
máximo del dispositivo (en micras)

Los parámetros de este comando son :

DXSI: 0.01 µm (por ejemplo),XMAX: 1 µm (por ejemplo)

(DXSI debe ser 5e-2 veces menor que el valor de XMAX)

También se puede acceder a este comando: mediante el menú

rápido:

Comment: Si queremos añadir algún comentario a nuestro fichero

El parámetro de este comando es : COMMENT

Substrate definition: Siempre es necesario definir el substrato. Permite

detallar diferentes parámetros del material de Silicio de partida:

1. La orientación del substrato. Parámetro: ORNT que nos permitirá

elegir si realizamos la simulación en una oblea de Si tipo [1000] o
[111].

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2. El dopaje de la oblea. Parámetro: ELEM: nos permite partir en
nuestra simulación de un lingote dopado de diferentes elementos:
Al, Sb, As, B, Ga, P
3. En el caso en que realicemos un dopaje, nos permite definir la
densidad de impurezas. Parámetro: CONC (cm-3)
4. Es posible también introducir este mismo dato a partir de la
resistividad de la muestra. Parámetro: RESIST (Ohm cm). Si
modificamos la resistividad se cambiará automáticamente CONC
y viceversa.

(A mayor concentración, menor resistividad)

5. El grosor de la oblea. Parámetro: WAFTHI (µm)

A medida que vamos introduciendo estos datos, aparece un resumen de la

ejecución de la simulación en la Ventana de documento

Dentro del segundo bloque están

los 5 PROCESOS DE
FABRICACION FUNDAMENTALES:

1. Ion Implantation:

Aparece el siguiente menú:

Basicamente es
posible elegir:
• El elemento a implantar: Boro, Al, Sb, As, Ga, P, etc.
• La energía de implantación (en keV)
• La dosis de implantación (en cm-2)

Al introducir la energía y la dosis, el rango proyectado y las desviaciones

estándar se ajustan automáticamente (se puede ver una vez realizada la
simulación)

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2. Oxidation/Diffusion: (el proceso de creación de un óxido nativo y del

difusión se realizan mediante este comando y también el de recocido):

Aparece el siguiente
menú

A. Parametros típicos
básicos que requiere el
proceso:
Temperatura
Tiempo

Si solo se le dan estos dos parámetros, el programa calcula

por si mismo el grosor del material oxidado para cualquier
Modo

B. En caso contrario, podemos introducir el parámetro

Final oxide thickness : de este modo fijamos el grosor de
la capa de oxidación, por lo que no va a
tener en cuente el tiempo que este puesto
en el parámetro TIME

C. Parámetro de Modo: permite realizar

diferentes tipos de oxidaciones:

Ambiente inerte: en este caso no se produce oxidación sino

una pre-deposición:

IMPORTANTE: Por tanto, dependiendo del tiempo y de la Tª la

difusión va a modificarse como la funcion Error : erf (dopaje ilimitado
en el límite)

Es posible realizar posteriormente una fase de drive-in: o recocido

para que nuestro (la función toma forma de Gaussiana).

Hay que tener en cuenta los procesos posteriores de alta Tª que se

van a realizar

Oxidación seca ,Oxidación húmeda ,Modelo general de

oxidación, Implantación de alta temperatura

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3. Oxide deposition: Este programa únicamente permite realizar la deposición

de una capa de óxido (no es posible
realizar deposiciones de otros aislantes
o de conductores)
Los parámetros de la deposición
son:
• Grosor de óxido total

• Elementos depositados
en el óxido:Es posible
añadir al óxido diferentes
dopantes: Al, Sb, As, B,
Ga, P

• Concentration: los dopantes se pueden añadir en la

concentración deseada

3. Etching:
Este comando sirve para eliminar
parte de semiconductor (Silicio) o
del óxido (SiO2) que han sido
crecidos o depositados
previamente.

Los parámetros del grabado

son:
• Grosor del óxido que permanece (en µm)

• Grosor de la capa de silicio atacado: (en µm)

Con el grabado o etching, cambian las impurezas del substrato que se

difunden en el óxido: no conocemos la Tª a la que se realiza

Epitaxy: Este comando

sirve para realizar un
crecimiento epitaxial de
una capa de
semiconductor
Los principales
parámetros del
crecimiento epitaxial
son:
• Elemento : sólo
permite dopar la capa crecida con : Boro, Fósforo y Arsénico

• Temperatura: (ºC) ,Tiempo: (en min), Initial dopan concentration

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Dentro del tercer bloque

están los 3 MODELOS DE
DIFUSION (se puede
modificar el coeficiente de
difusión, su energía de
activación), de DEFECTOS
PUNTUALES (da información
sobre vacantes e
intersticiales), DE
PARAMETROS DE MODELO
DE OXIDACION (Deal Grove,
etc.)

Dentro del cuarto bloque

tenemos los comandos para
realizar la exposición gráfica de
resultados, impresión, etc.

Plot Parameters: Este comando sirve

para definir los parámetros principales de
los gráficos en los que se van a mostrar
los resultados de la simulación
Los principales parámetros del Plot
Parameters son:

• Longitud total del eje x y Longitud

total del eje y : longitudes de los ejes
de las gráficas

• Número de
décadas en el eje
y: la concentración
la dibuja en escala
exponencial (por
eso nos pide el
número de décadas
completas que
podemos visualizar),
ejemplo. Desde 1011
cm-3- 1020 cm-3: son
9 décadas

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• Número máximo de perfiles y Highest concentration of dopants:

podemos limitar el número máximo de perfiles y la mayor
concentración de dopantes

• Plot : permite elegir, las concentraciones individuales, las totales, etc.

Plot: Este comando sirve para definir ciertos parámetros generales de la

gráfica (no confundir con el plot parameter)
Los principales parámetros del
Plot son:

• Left boundary
• Right boundary : ambos limitan
el tamaño de oblea que va a
dibujar en la gráfica  de esta
manera es posible hacer un zoom
de una región determinada

NOTA: siempre va a existir una

capa de óxido de grosor = 25 nm
de crecimiento térmico seco al
final de todo proceso (en x=0)

Halt/Resume Execution

Este comando de Windows para la ejecución del programa o la activa en

el momento deseado

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Ejemplo 1

A. Realizar una unión p-n, una posibilidad sería realizar sobre el substrato un
crecimiento epitaxial.

TITLE TITLE="Dopaje Unión P-N"

COMMENT COMMENT="Substrato es tipo N, crecemos capa epitaxial tipo P"
GRID DXSI=0.04um XMAX=1um
SUBSTR ORNT=100 ELEM=Phosphorus RESIST=10ohm.cm WAFTHI=1525um
EPITAXY ELEM=Boron TEMP=1050oC TIME=10min GROWTHR=0.3um/min DOTPRES=1e-010bar
PLOT

ICECREM for WINDOWS, Version 4.3

Fraunhofer-Institut fuer Integrierte Schaltungen,
Bereich Bauelementetechnologie
Schottkystrasse 10, D-91058 Erlangen

16 17:35:15 2-MAI-:2
10 PHOSPHORUS
BORON

15
10

14
10

13
10

12
10
0.00 0.50 1.00 1.50 2.00 2.50 3.00 3.50
DEPTH IN UM

B. Otra posibilidad sería realizar la difusión de la región p sobre el substrato 

realizarlo.

C. Realizar una unión p-n partiendo de un substrato tipo p

Ejemplo 2

Estudiar los coeficientes de

segregación de diferentes impurezas
en la superficie Si/SiO2 como resultado
de una oxidación térmica:

(a), (b) Si m<1: el óxido al crecer absorbe

las impurezas del Si (Boro).: tenemos los
casos de difusión lenta en ambiente seco
(a) y rápida en ambiente húmedo (b)

(c), (d). Si m>1: el óxido al crecer rechaza

la difusión de impurezas. Casos del
fósforo (su difusión es lenta en SiO2:
Casos del P (su difusión es lenta en SiO2:
(c), y del Ga (su difusión es rápida en SiO2
(d)

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 ICECREM

Estudio ICECREM del coeficiente de segregación de impurezas

1. Crecer una capa de semiconductor (dopada con diferentes impurezas:

comenzando con el Boro, Ga, observar las diferencias entre oxidación seca
y húmeda)

TITLE TITLE="Estudio coef. segregacion"

SUBSTR ORNT=111 ELEM=Boron RESIST=10ohm.cm
EPITAXY ELEM=Boron TEMP=1050oC TIME=20min GROWTHR=0.2um/min DOTPRES=2e-010bar
OXIDIZE TEMP=1100oC TIME=35min MODE="Dry oxidation"
PARAMS NDEC=5 TOTAL=TRUE
PLOT W-RIGHT=0.5um NEW=TRUE

ICECREM for WINDOWS, Version 4.3

Fraunhofer-Institut fuer Integrierte Schaltungen,
Bereich Bauelementetechnologie
Schottkystrasse 10, D-91058 Erlangen

17 SiO2 21:57:14 8-MAI-:2

10 oxthi = 0.0759 BORON

16
10

15
10

14
10

13
10

12
10
0.00 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50
DEPTH IN UM

Ejercicio 3

Realizar el dopaje de un transistor bipolar

n+pn por difusiones sucesivas:

1. Definir una oblea dopada con un dopaje

bajo = 2 1015 cm-3 con una impureza
aceptadora (tipo p):

2. Realizar el crecimiento epitaxial del

colector: dopaje tipo n, igual a 3 1016 cm-3
y un grosor de 4 µm. Elegir una impureza
cuyo coeficiente de difusión haga que sea
difícil que sufra excesiva difusión posterior
debido a los siguientes procesos

3. Realizar una primera difusión de la base

con una impureza aceptadora (tipo p)

Formación del transistor bipolar

mediante difusiones sucesivas

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4. Realizar una segunda difusión para el emisor (más dopado que la base) con
un valor máximo de 1020 cm-3

Ejemplo de resultado ICECREM de un transistor bipolar n+pn (difusiones

sucesivas)
ICECREM for WINDOWS, Version 4.3
Fraunhofer-Institut fuer Integrierte Schaltungen,
Bereich Bauelementetechnologie
Schottkystrasse 10, D-91058 Erlangen

21 22:05:57 8-MAI-:2
10 TOTAL
BORON
20 ARSENIC
10
GALLIUM
PHOSPHORUS
19
10

18
10

17
10

16
10

15
10

14
10

13
10

12
10
0.00 1.00 2.00 3.00 4.00 5.00 6.00
DEPTH IN UM

Ejercicio 4

Realizar el dopaje de un
transistor bipolar n+pn por difusiones
sucesivas, pero con capa enterrada en
el colector

Perfiles de dopaje “ideales” y

“actuales” de un transistor bipolar
con capa enterrada

Proceso de fabricación real del transistor

bipolar con capa enterrada

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