BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA.

FACULTAD DE CIENCIAS DE LA ELECTRÓNICA.

INGENIERÍA EN MECATRÓNICA.

ASIGNATURA: SISTEMAS ELECTRÓNICOS DE POTENCIA.

TEMA: IGBT.

AUTORES: Cu Arroyo Jamin

Diego González José Juan
Razo Romero Jesús
Sánchez Corona Brenda

PROFESOR: VÍCTOR MANUEL PERUSQUÍA ROMERO.

Cuestionario
1.- ¿Qué es el IGBT?

2.- ¿Cuál es el significado de las siglas IGBT?

3.- ¿Cuáles son las tres terminales de un transistor IGBT?

4.- ¿Cuál es la estructura del IGBT?

5.- ¿Cómo se enciende y se apaga el IGBT?

6.- ¿Cuándo entra en estado de bloqueo el IGBT?

7.- ¿Por qué el IGBT es una combinación del BJT y MOSFET?

8.- ¿Qué características de los MOSFET y los BJT presenta un IGBT?

9.- ¿Qué es el Latch-up en un IGBT?

10.- ¿Qué voltajes y corrientes soportan los IGBT?

Respuestas
1.- ¿Qué es el IGBT?

Es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de
potencia.

2.- ¿Cuál es el significado de las siglas IGBT?

Las siglas IGBT corresponden a las iniciales Insolated-Gate Bipolar Transistor (transistor bipolar de puerta aislada).

3.- ¿Cuáles son las tres terminales de un transistor IGBT?

Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E).

4.- ¿Cuál es la estructura del IGBT?

Es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que son controlados por un metal-óxido-
semiconductor (MOS) y cuenta con un total de tres terminales.

5.- ¿Cómo se enciende y se apaga el IGBT?

Para el encendido el dispositivo se polariza de manera directa y se aplica un voltaje positivo necesario en la compuerta
(Gate), dejando así conducir la corriente entre colector y emisor. Para el apagado, simplemente se remueve el voltaje del
Gate.

6.- ¿Cuándo entra en estado de bloqueo el IGBT?

Cuando se remueve el voltaje del Gate, apagando el dispositivo y pasando de un estado de conducción a un estado de
bloqueo.

7.- ¿Por qué el IGBT es una combinación del BJT y MOSFET?

Esto se debe a que posee una compuerta (Gate) como un MOSFET, pero con las características de conducción de un BJT.

8.- ¿Qué características de los MOSFET y los BJT presenta un IGBT?

MOSFET: Alta impedancia de entrada. Es controlado por voltaje. Facilidad de excitación de compuerta.

BJT: Bajas pérdidas de conducción en estado activo.

9.- ¿Qué es el Latch-up en un IGBT?

Es un error que puede existir dentro del dispositivo; sé crea por una conducción de corriente directa entre fuente y drenaje
si la tensión que se le aplica es lo bastante grande y se crea un tiristor parásito, activando el dispositivo sin necesidad del
Gate.

10.- ¿Qué voltajes y corrientes soportan los IGBT?

Pueden conducir alrededor de los 1200 V y los 400 A, habiendo dispositivos que alcanzan valores mayores, siendo estos de
(2100-3300 V) y corrientes de hasta 600 A.