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INFORME No. 4
CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR
BIPOLAR
Subgrupo: 01
ERNESTO H. ORTIZ PERDOMO
20161144645
YAMILETH FERNÁNDEZ CORTÉS
20161148628
Para hallar IB, utilizamos la ley de Ohm, 𝐼" = 𝑉%& 𝑅" ; para
Resumen—En esta ocasión se busca entender el funcionamiento hallar IC también, 𝐼( = 𝑉%) 𝑅( ; por último 𝐼* = 𝐼" + 𝐼( .
de los transistores de unión bipolar, en este caso se utilizó el Después se halla a = 𝐼, 𝐼* y b = 𝐼( 𝐼" .
2N3904, en configuración en emisor común.
0,004
0,002
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
VCE(V)
10 uA 20 uA 30 uA 40 uA 50 uA
Figura 1. Circuito: Configuración en emisor común. Tomando en cuenta el cálculo de a, este en promedio es de
0.993, sin tener variaciones significativas, que en un diodo ideal
será de 1, según la teoría para un transistor “real” varía entre
Posterior a eso, con el potenciómetro de 5 kW, se gradúa el 0.90 y 0.998.
voltaje VCE, en escalas de 2, 4, 6 y hasta 16 voltios, y se toman En lo concerniente al valor de b, observamos que aumenta
valores de voltaje VRC y VBE. Con los datos antes medidos, se linealmente respecto al VCE, al igual que respecto a IC, sin
calculan los corrientes IB (base), IC (colector), IE (emisor). embargo cuando la corriente de base se encuentra en 10 µA, se
Posteriormente se calculan los parámetros a y b. hallan los valores más bajos de b.
Laboratorio No. 4: Características del transistor bipolar, Grupo: 01 Subgrupo: 01 2
b 4005.25
b= = = 148.34
𝑛 27
IC vs. b
[1] R.L. Boylestad, “Transistores de unión bipolar” en Electrónica: Teoría de
circuitos y dispositivos electrónicos,10ª Ed. México.
[2] M.N. Horestein, “ Dispositivos de tres terminales” en Circuitos y
160,00 dispositivos microelectrónicas, 2ª Ed. México.
150,00
140,00
130,00
0 0,002 0,004 0,006 0,008
Gráfica 4. Comportamiento de beta contra Ic