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Laboratorio No.

4: Características del transistor bipolar, Grupo: 01 Subgrupo: 01 1

INFORME No. 4
CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR
BIPOLAR
Subgrupo: 01
ERNESTO H. ORTIZ PERDOMO
20161144645
YAMILETH FERNÁNDEZ CORTÉS
20161148628

Para hallar IB, utilizamos la ley de Ohm, 𝐼" = 𝑉%& 𝑅" ; para
Resumen—En esta ocasión se busca entender el funcionamiento hallar IC también, 𝐼( = 𝑉%) 𝑅( ; por último 𝐼* = 𝐼" + 𝐼( .
de los transistores de unión bipolar, en este caso se utilizó el Después se halla a = 𝐼, 𝐼* y b = 𝐼( 𝐼" .
2N3904, en configuración en emisor común.

Palabras claves—transistor de unión bipolar, colector, base,


emisor, ganancia, II. ANÁLISIS DE RESULTADOS

Con los datos obtenidos con las mediciones y los cálculos, se


I. DESARROLLO PRÁCTICO dispone la Gráfica 1, donde se observa la característica del
circuito de VRB contra IC, para cada una de las corrientes IB.
En primer lugar se mide el hFE (b) del transistor 2N3904 con
el multímetro se anota dicho valor, luego se implementa el
Característica del transistor en configuración en
circuito mostrado en la Figura 1, se energiza y con el
0,008
emisor común
potenciómetro de 1 MW disponemos a graduar el voltaje VRB
hasta alcanzar 3.3, 6.6, 9.9, 13.2 y 16.5 voltios respectivamente,
para así conseguir una IB de 10, 20, 30, 40 y 50 micro Amperios. 0,006
IC(A)

0,004

0,002

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
VCE(V)
10 uA 20 uA 30 uA 40 uA 50 uA

Gráfica 1 Característica del emisor común.

Figura 1. Circuito: Configuración en emisor común. Tomando en cuenta el cálculo de a, este en promedio es de
0.993, sin tener variaciones significativas, que en un diodo ideal
será de 1, según la teoría para un transistor “real” varía entre
Posterior a eso, con el potenciómetro de 5 kW, se gradúa el 0.90 y 0.998.
voltaje VCE, en escalas de 2, 4, 6 y hasta 16 voltios, y se toman En lo concerniente al valor de b, observamos que aumenta
valores de voltaje VRC y VBE. Con los datos antes medidos, se linealmente respecto al VCE, al igual que respecto a IC, sin
calculan los corrientes IB (base), IC (colector), IE (emisor). embargo cuando la corriente de base se encuentra en 10 µA, se
Posteriormente se calculan los parámetros a y b. hallan los valores más bajos de b.
Laboratorio No. 4: Características del transistor bipolar, Grupo: 01 Subgrupo: 01 2

El valor bmin=132, corresponde al punto VCE=2 V e IC= 1.35 III. CUESTIONARIO


mA; por otro lado el valor más alto es bmáx.=162 que 1. Calcule el valor promedio de b, usando los datos del cuadro.
corresponde a las coordenadas VCE=14 V e IC= 3.24 mA. Ver En que parte de la características se encuentra típicamente el
Gráfico 2. valor del b promedio. ¿Es razonable usar el b promedio para
la mayoría de aplicaciones?

b 4005.25
b= = = 148.34
𝑛 27

El valor de b medido con el multímetro fue de 135, esto


implica que la corriente del colector es 135 veces más grande
que el de la base, al obtener un valor de 148.34 implica un
exceso de 8%, con lo cual se puede tomar como un error
calculado para obtener datos confiables.

2. Calcule el valor promedio de VBE, usando los datos del


cuadro. ¿Es razonable usar el valor de 0.7 V para VBE en el
análisis de redes con transistores de silicio si su valor real es
desconocido?

Gráfica 2. Ubicación de los puntos bmin y bmáx.


𝑉(* 18.15 𝑉
𝑉(* = = = 0.672 𝑉
En las Gráficas 3 y 4, observamos el comportamiento de b 𝑛 27
respecto a VCE y a IC respectivamente. Tal y como se ve la
variación del parámetro b es más afectado por pequeños Dada la similitud, entre 0.672V y 0.7 se puede asumir que se
cambios de corriente en el colector que por VCE. puede usar este último como valor estándar cuando se
desconozca el valor verdadero.

VCE vs. b IV. CONCLUSIONES


• Se pudo contrastar el conocimiento teórico contra el
experimental, respecto al comportamiento del transistor BJT,
en configuración en emisor común.
• Comprobamos el comportamiento del transistor BJT en
corriente directa, también así como determinar sus
parámetros de funcionamiento y vislumbrar su composición
básica como NPN.
• Quedo demostrada la capacidad que tienen los transistores
de controlar una cantidad de corriente (IC), amplificarla por
0 2 4 6 8 10 12 14 16 su emisor (IE) por medio de corrientes muy pequeñas en su
base (IB).
Gráfica 3. Comportamiento de beta contra VCE
REFERENCIAS

IC vs. b
[1] R.L. Boylestad, “Transistores de unión bipolar” en Electrónica: Teoría de
circuitos y dispositivos electrónicos,10ª Ed. México.
[2] M.N. Horestein, “ Dispositivos de tres terminales” en Circuitos y
160,00 dispositivos microelectrónicas, 2ª Ed. México.

150,00

140,00

130,00
0 0,002 0,004 0,006 0,008
Gráfica 4. Comportamiento de beta contra Ic

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