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Diferencia de conductores y semiconductores

Los materiales conductores poseen una conductividad elevada mientras que los semiconductores poseen
una conductividad baja. Lo mismo pero al revés puede decirse sobre la resistividad. Con el aumento de la
temperatura, para los conductores disminuye su conductividad mientras que para los semiconductores
aumenta.
Tambien los semiconductores aumentan su conductividad cuando se los exita con luz. Los
semiconductores no necesitan necesariamente estar dopados (poseer impurezas) para conducir la
electricidad. La ley de ohm la cumplen tanto los semiconductores como los conductores! Pero tiené en
cuenta que estas clasificaciones (cond, semicond) derivan del análisis de la estructura de bandas.

En que se diferencian los huecos de los electrones


El hueco es una ausencia de electrón que se mueve por el semiconductor en sentido inverso a los
electrones. En consecuencia el hueco se comporta a todos los efectos como un electrón con carga positiva

Semiconductores extrínsecos
Un semiconductor extrínseco es aquel en el que se han introducido pequeñas cantidades de una impureza
con el objeto de aumentar la conductividad eléctrica del material a la temperatura ambiente. A este
proceso se le conoce como dopado. Así, por ejemplo, el número de portadores negativos (electrones)
puede aumentar si se dopa el material con átomos de un elemento que tenga más electrones de valencia
que el que compone dicho material semiconductor. El nivel de dopado no debe de ser muy alto (1 átomo
por cada 109 átomos del material de partida) para que sea efectivo. Si se introducen átomos de arsénico
([Ar]4s24p3) en un cristal de silicio ([Ne]3s 23p2), se habrá añadido un electrón extra por cada átomo de
arsénico que sustituye al de silicio. El efecto del dopado es sustitucional, en el sentido de que el átomo de
As sustituye al de silicio en la red cristalina. Los átomos donadores de arsénico, muy alejados unos de
otros por la baja concentración de dopado, formarán una banda muy estrecha que se encuentra próxima en
energía a la banda de conducción del silicio (Figura 11a). A la temperatura ambiente, algunos de los
electrones de la banda del arsénico serán promocionados a la banda de conducción. En otras palabras, los
electrones del arsénico se transferirán a los orbitales vacíos del silicio. A este proceso se le conoce como
semiconductividad de tipo n, indicando la letra n que los portadores de cargas son los electrones (carga
negativa).

Figura 11. Semiconductor de tipo n (a) y semiconductor de tipo p (b).


Un proceso de dopaje alternativo consiste en sustituir átomos de silicio por átomos de un elemento que
tenga menos electrones en su capa de valencia, como el Ga ([Ar]4s 24p1). La sustitución de un átomo de
silicio por uno de galio introduce un hueco en el sólido. Los átomos de Ga forman una banda aceptora
que se encuentra muy cerca de la banda de valencia del silicio (Figura 11b). A la temperatura ambiente
los electrones de la banda de valencia del Si se promocionan a la banda aceptora del galio; ésto ocasiona
la formación de huecos en la banda de valencia del Si que permiten la movilidad de los electrones de
dicha banda. Los responsables de la conductividad eléctrica son los huecos positivos de forma que a este
semiconductor se le denomina de tipo p.
Polarización directa

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso
de la corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la
electricidad.
Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batería al ánodo
del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas condiciones podemos observar que:
 El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones
se dirigen hacia la unión p-n.
 El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a
decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
 Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia de
potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energía suficiente
para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n.
 Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez
ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batería.
De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de
la zona p, aparece a través del diodo una corriente eléctrica constante hasta el final.

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