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Materiales para Ingeniería

Estructura y Defectos
Tipos de estructura
5b
4 5a
1

5c

Pieza Macro-estructura Micro-estructura Nano-estructura


Defectos “visibles al ojo” Microscopio óptico Ordenamiento Atómico
[1 m] [1 mm = 10 – 3 m] [1 μm = 10 – 6 m] [1 nm = 10 – 9 m]
Características 1. Rechupe 4. Granos Átomos (enlace)
2. Porosidad 5. Fases: Celda Unitaria: defectos
3. Grietas a) Masivas a) Dislocaciones
b) Precipitados b) Vacancias
c) Inclusiones c)
Escalas de tamaño
6370 km
r, m

100 = 1 m macroestructura
naranja
65 mm

10-3 = 1 mm

10-6 = 1 mm microestructura
(cristal o grano)

10-9 = 1 nm
estructura cristalina
(átomo) Nanotecnología
Estructura cristalina (metales)
 A nivel nanoscópico, la materia está formada por átomos dispuestos
de alguna manera particular en el espacio.
 Toda materia sólida requiere que sus átomos estén de alguna manera
ligados entre sí (enlace).
 En el caso de los metales, los átomos se unen entre sí compartiendo
una “nube” de electrones.
 La forma cómo los átomos metálicos se disponen en el espacio, da
lugar a un estado mínimo de energía.

Energía de enlace entre átomos,


iones o moléculas
Estructura + Propiedades

Disposición de los átomos, iones o


moléculas
Energía de enlace

Determina distancia interatómica

Determina Temperatura de fusión


El enlace iónico
 No hay ē “libres”
 Enlace fuerte
+  Por lo general, elementos
diferentes
 Elevada dureza
 Buenos aislantes eléctricos
Son conductores en solución
 Translúcidos
 Elevado punto de fusión
 Frágiles; no deforman
plásticamente
 Ej.: NaCl, MgO
El enlace iónico

 Arreglo 3-D aleatorio:  Arreglo 3-D “ordenado”


muy poco probable garantiza neutralidad
eléctrica
El enlace covalente
 Enlace fuerte entre no-metales
 No hay ē “libres”
 Elementos iguales (O2; C) o
+
diferentes (CO2; NH3; SiO2)
 Sólidos: elevada dureza
 Buenos aislantes eléctricos
 Translúcidos
 Elevado punto de fusión
 Frágiles; no deforman
plásticamente
El enlace metálico
 En general, elementos iguales.
Si hay uno (o más) elementos
diferentes  aleación
+  Se genera una “nube” de ē en
torno al átomo
 De aquí que sean buenos
conductores eléctricos
 Id. buenos conductores
térmicos
 Id., son opacos
 Dúctiles; elevada capacidad de
deformar plásticamente
 Modelo de átomo: esfera
rígida
 Ej: Al, Cu, Fe, Ni, Mn, etc…
Estructura del estado sólido
 Ordenamiento repetitivo en
3-D, de largo alcance:
estructura cristalina (ideal)

 Ordenamiento repetitivo en
3-D, de corto alcance, con
severas alteraciones en el
orden: estructura amorfa

 Ambos tipos de ordenamiento


determinan conductas de los
sólidos.
Estructura del estado sólido
Energía de enlace entre átomos,
iones o moléculas
Estructura + Propiedades

Disposición de los átomos, iones o


moléculas

•Los metales (y aleaciones) ordenan sus átomos en geometrías


bien definidas.
•Las formas preferidas son:
•FCC: face-centered cubic (cúbico centrado en las caras)
•BCC: body-centered cubic (cúbico centrado en el cuerpo)
•HCP: hexagonal close-packed (hexagonal compacto)
•La unidad fundamental es la “celda unitaria”, la que contiene
información sobre la “conducta” del metal en cuestión.
Celda FCC
 Junto con la HCP, es la más compacta
 Resulta de apilar planos de átomos en
una disposición triangular
 La secuencia de apilamiento es del
tipo ABCABCABC…..
 Resultado:
Secuencia de apilamiento
FCC…..ABCABCABC…..
Celda unitaria FCC
 Tiene 8 átomos en las esquinas,
compartidos c/u entre 8 celdas
 Tiene 6 átomos en las caras, compartidos
c/u entre 2 celdas
 Total de átomos por celda:
 1/2 átomos en cada cara + 1/8 átomo
en cada vértice
 N°átomos= 6*1/2 + 1/8*8 = 4
 Relación entre vértices diagonales
opuestos de una cara: 4R = a√2
 Factor de empaquetamiento: 0,74
 Ejemplos: Cu, Al, Au, Pb, Ni, Pt, Ag
Celda HCP
 Junto con la FCC, es la más compacta
 Resulta de apilar planos de átomos en
una disposición triangular
 La secuencia de apilamiento es del
tipo ABABABAB…..
 Resultado:
Secuencia de apilamiento HCP
ABABABA……

A
Celda unitaria HCP
Celda unitaria HCP
 Tiene 6 átomos en los vértices de
cada cara basal (hay 2) compartidos
entre 6 celdas contiguas.
 Tiene 1 átomo en cada cara basal,
compartido entre 2 celdas
 Tiene 3 átomos en el interior
 Total de átomos por celda:
 1/6 átomos en cada vértice
basal + 1/2 átomo en cada base
+ 3 átomos centrales
 N°átomos= 12*1/6 + 2*1/2 + 3 = 6
 Factor de empaquetamiento: 0,74
 Ejemplos: Ti, Zr, Cd, Mg, Zn
Direcciones y planos cristalográficos (sólo cúbico)
 Planos: sus índices son las componentes
 Direcciones: dadas por índices que
del vector normal al plano en cuestión.
son las componentes de vectores
unitarios a lo largo de x, y, z.
Celda BCC
 A diferencia de FCC y HCP, no es
compacta
 El plano más compacto es el 110:
 Diagonal sobre (110): 4R = a√3
Celda unitaria BCC
 Tiene 8 átomos en las esquinas,
compartidos c/u entre 8 celdas
 Tiene 1 átomo en el centro del cuerpo
 Total de átomos por celda:
 1 átomo en el interior + 1/8 átomo en
cada vértice
 N°átomos= 1 + *8*(1/8) = 2
 Relación entre vértices diagonales
opuestos de una cara: 4R = a√3
 Factor de empaquetamiento: 0,68
 Ejemplos: Fe(T°<910°C), Cr, Mo, W, V
Direcciones y planos compactos
 Planos compactos: planos que poseen la máxima
densidad superficial de átomos (esferas rígidas)
BCC FCC

(1,1,0)

(1,1,0);(1,0,1);(0,1,1){1,1,0}
{1,1,1}
Planos Familia de planos
Familia de planos
Factor de empaquetamiento
 El factor de empaquetamiento corresponde a la
fracción del volumen de la celda unidad ocupado
por átomos.
 FE = V átomos / V celda
 FE FCC = 0,74
 FE BCC = 0,68
 Implicancia clara: la materia (modelo de esfera
rígida) tiene “vacíos”
 Este hecho incide en “conductas” diferentes entre
FCC y BCC (mecánicas; solubilidad; densidad….)
Densidad volumétrica
 Densidad volumétrica sobre la base de la
estructura cristalina:
n* A
Densidad volumétrica 
Vc * N A

n: N° de átomos asociados a la celda


A: Peso atómico
VC: Volumen celda
NA: Número de Avogadro (6,023x1023 [átomos/mol])
Densidad atómica planar
 Fracción de área del plano cristalográfico ocupada por
átomos.
 El plano debe pasar a través de los centros de los átomos
que se incluyan.
 Plano más denso: (111) en FCC, con rp = …..
 Densidad de (110) en BCC = ………
 Densidad del plano “lateral” en HCP = ……
 Influye sobre la capacidad de deformación plástica de
cada estructura.
Radios atómicos

 Valores de Tabla dados en Å (angstrom): 1 Å = 0,1 nm


 Radio de Cu = 0,128 nm
 Radio de Fe = 0,126 nm
Defectos cristalinos
 Desviaciones respecto de la “perfección” de la red
 Se categorizan por dimensionalidad (0,1,2,3)
 Defectos puntuales (0-D): del tamaño del volumen atómico
 Vacancias: ausencia de un átomo de un punto de la red
 Intersticios: espacios inter-atómicos
 Defectos lineales (1-D): la dislocación (D’s)
 Defectos superficiales: interfaces al interior del cristal:
 Bordes o fronteras de grano
 Superficies internas varias
 Defectos volumétricos:
 Poros, pp’s, inclusiones, etc
Defectos puntuales
Ideal Real

Vacancia
Átomo extraño
intersticial
Átomo extraño
substitucional

Intersticios La presencia de átomos extraños es


la base de la formación de aleaciones
Vacancias
 Existen en todos los materiales, en función de la
temperatura.
 La fracción de vacancias en equilibrio aumenta en la
medida que T aumenta.
 La cantidad de vacancias fuera del equilibrio puede
aumentar por deformación plástica.
 Si esto ocurre, se puede recuperar la cantidad de
vacancias en equilibrio mediante calentamiento.
 Su presencia influye grandemente sobre la conductividad
eléctrica.
 Luego, la deformación plástica tiene gran influencia
sobre esta propiedad.
Ejemplos de formación de aleaciones

Cu

Ni

sustitucional intersticial
Dislocaciones
 La D´s es un defecto lineal que define la zona que ha sido
“deslizada” en un cristal.
 Deslizamiento (de planos) es el término aplicable al
mecanismo fundamental usado para explicar deformación
plástica.
 Generalmente se representa por un mallado simple que se
ve alterado (deformado) por la presencia de un semi-plano
extra.
 El mallado original es “perfecto”.
 Del punto de vista dimensional, se le considera una línea.
La D´s: modelo 2-D

Malla “perfecta” Malla con D’s


Modelo de movimiento de la D’s
Dislocaciones

de borde

de tornillo
Propiedades de la D´s
 Omnipresente en materiales (metálicos) en cuanto sólidos
 El escalón producido al mover la D’s a la derecha, es del orden del
diámetro atómico: se denomina vector de Burgers, b ~ 0,25 – 0,50 nm.
 Para generar en un cristal un escalón visible, del orden de 1 mm, se
debe hacer pasar ND’s ~ 1 mm / 0,25 nm ~ 4 E+06 líneas.
 Esta cantidad se cuantifica por la “densidad de D’s”, r, la que se mide
en [cm/cm3] de línea de D’s.
 Metales en estado recocido, tienen r ~ 104 [cm/cm3]
 Metales severamente deformados, tienen r ~ 1012 [cm/cm3]
 Cada D’s tiene asociada a sí un campo de tensiones
 Cada D’s tiene asociada a sí una energía de deformación, producto de
la distorsión generada en el cristal.
 Si el metal se “deshace” de las D’s en exceso, puede disminuir su
energía  procesos de recocido  recuperación/reXn/CG.
Bordes de Grano (BG)
 Los bordes de grano (BG) son fronteras 2-D que separan
porciones de materia 3-D con diferente orientación
cristalina en el espacio.
 El ente 3-D encerrado por BG’s se denomina “grano”
 Los BG’s son regiones de elevado “desorden” geométrico
 Por ello, se caracterizan por tener mayor energía que el
resto del ensamble de átomos.
 La energía del sistema puede disminuir de 2 formas:
 Impurezas que segregan a BG’s
 Crecimiento de grano (CG)
 Además, los BG’s pueden ser sumideros de D’s
 El grano se caracteriza por un tamaño (TG)
Tamaño de Grano (TG)
 Se mide, necesariamente, sobre una representación 2-D del
conjunto
 El TG se expresa en:
 a) unidades de longitud (p. ej., mm)
 b) número de TG dado por Norma ASTM E 112, “Standard
Test Methods for Determining Average Grain Size”
 La relación usada por ASTM es: N = 2G-1, donde
 N = número de granos/in2, a 100X
 G = número de TG ASTM
 Relevante cuantitativamente para propiedades mecánicas
 Para “conteo” en diversos metales, consultar la Norma
Bordes de
grano (BG)

BG’s
Tamaño de Grano
 Grano: la muestra mide 1 [in] por lado (a 100X)
 Tiene 31 granos (o fracción de ellos)
 Luego, 31 = 2G-1 ;  G ≈ 6

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Otro: método del intercepto


BCC
FCC
BCC vs FCC
BCC vs FCC

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