3.7.

NIVELES Y BANDAS DE ENERGÍA

3.7.1. Bandas de Energía en un Semiconductor tipo p

Analizaremos a desde un punto de vista energético. Hablar de Radios y de Energías es lo mismo,

esto es, cuanto mayor sea el radio mayor será también la energía.

Existen diversas maneras de darle energía a un electrón.

1. Energía Térmica.
2. Energía Luminosa (fotón E = h x f).
3. Campo Eléctrico.

3.7.2. Bandas de Energía en un Semiconductor Intrínseco.

 son aquellos que no tienen impurezas, esto es, todos son átomos de Sí.
 Hasta ahora se ha analizado al átomo aislado, pero en un cristal se tiene que aplicar el
"Principio de Exclusión de Pauli", el cual establece lo que: En un sistema electrónico no
puede haber 2 electrones con los mismos números cuánticos además 2 electrones con la
misma energía, ya que no pueden tener ambos la misma posición y la misma velocidad.

3.7.3. Bandas de Energía en un Semiconductor tipo n

En éste tipo de semiconductor se tienen muy pocos átomos de impurezas (+5) en comparación con
los átomos normales de Silicio (+4). Como se dopa muy poco, los átomos de +5 están muy alejados
y no se influyen entre sí, pudiendo tener electrones de átomos diferentes la misma energía y por
lo tanto están todos al mismo nivel. Esa energía se llama "Energía del átomo Donador" (ED).

3.8. LA BARRERA DE ENERGÍA

3.8.1. Polarización Inversa

Para la formación de la barrera de potencial de 0.7 V en el diodo de silicio, se toman en cuenta 5

puntos

1. • Antes de la difusión
2. • Empieza la difusión y la recombinación
3. • Equilibrio
4. • Polarización Directa
5. • Polarización Inversa