Universidad de Guadalajara.

Centro Universitario de Ciencias Exactas e Ingenierías

División ingenierías

Electrónica Industrial
MOSFET

Presenta
214761454 Erik Roberto Sanabria Salazar

Mtro. Luis Francisco Ramírez Morales

Guadalajara, Jalisco 23/10/2020

Transistor MOSFET
El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P, En el
MOSFET de canal N la parte "N" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En
el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain):
Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensión en la
compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source).
El transistor de efecto de campo metal óxido-semiconductor o MOSFET es un transistor
utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en
la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor
de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los
microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

Simbología
Figura 1

Simbología MOSFET
Figura 2

Componentes del MOSFET

Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador

(D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente está conectado internamente a
la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres
terminales similares a otros transistores de efecto de campo. Estructura del MOSFET en
donde se muestran las terminales de compuerta (G), sustrato (B), surtidor (S) y drenador
(D). La compuerta está separada del cuerpo por medio de una capa de aislante (blanco).
También puede llamarse "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta
aislada. Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versión NPN y otra PNP. El
NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P. Una
delgada capa de material aislante formada de dióxido de silicio es colocada del lado del
semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta. En el MOSFET
de canal N la parte "N" está conectado a la fuente y al drenaje En el MOSFET de canal P la
parte "P" está conectado a la fuente y al drenaje.
En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la
corriente que circula por la base. Sin embargo, en el caso de los transistores FET, la
corriente de salida es controlada por una tensión de entrada (un campo eléctrico). En este
caso no existe corriente de entrada. Los transistores MOSFET se pueden dañar con
facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de óxido es muy
delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensión o hay electricidad estática.
Aplicaciones La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de
tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las
aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son: • Resistencia controlada por tensión.
Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc). Mezcladores de
frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
Ventajas con respecto a transistores bipolares La principal aplicación de los MOSFET está
en los circuitos integrados PMOS, NMOS y CMOS, debido a las siguientes ventajas de los
transistores de efecto de campo con respecto a los transistores bipolares: Consumo en modo
estático muy bajo. Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de
media micra). Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia
de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nano
amperios. Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, con el
ahorro de superficie que conlleva. La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del
orden de los nanosegundos. Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los
convertidores de alta frecuencias y baja potencia.