GESTIÓN DE FORMACIÓN PROFESIONAL INTEGRAL

PROCEDIMIENTO DESARROLLO CURRICULAR
GUÍA DE APRENDIZAJE

APELLIDOS Y NOMBRES FIRMA
Walter gualaco
Jesica cortes
Daniel lopez

Equipo de Trabajo

3. FORMULACIÓN DE LAS ACTIVIDADES DE APRENDIZAJE

Descripción de la(s) Actividad(es)
A  partir  de  los  transistores  BJT  Y MOSFET  disponibles,  Identificar  al  menos 5  tipos  (referencias
Caracterís Referencia 1 Referencia 2 Referencia 3 Referencia 4 Referencia 5
tica

Símbolo y 2n2222 PN2907A 2n3904 2n7000 IRF530

terminales

Tipo NPN PNP NPN Mosfet    canal Canal N

NPN,PNP N

Encapsula
do

Corrientes IC=1.0A IC=600 mA IC=200mA ID= 200mA ID=250uA

diferentes) de transistores, completando la siguiente tabla:
 GFPI-F-019 V3

voltaje VCE= VCB= base VCE     =     40V VDS    =    60V VDS=100V

Colector- colector= 60 VBC     =     60V VGS     =     3V VGS=40V
Emisor V VCE= VBE      =      6V
Voltaje= 40 V colector-
VCB= emisor= 60
Colector-Base V VEB=
Voltaje = 75 V base
emisor= 5 V
VEB= Emisor-
Base Voltaje=
6.0 V

Β (Hfe) IC  =  0.1 mAdc, IC = -0.1 mA hFE1 40 - - -

VCE  = 10 Vdc) VCE = -10 V IC=0.1mA,
=35 hfe = 75 hfe VCE=1V

(IC       =       1.0 IC = -1 mA hFE2 70 - - -

mAdc, VCE = VCE = -10 V IC=1mA,
10 Vdc=50 hfe = 100 hfe VCE=1V

)    (IC    =    10 IC = -10 mA hFE3 100 - 300

mAdc, VCE = VCE = -10 V -        IC=10mA,
10    Vdc)    =75 = 100 hfe VCE=1V
hfe
IC = -150 hFE4 60 - - -
(IC = 10 mAdc, mA VCE = - IC=50mA,
VCE  =  10  Vdc, 10 V = 100 VCE=1V
TA = −55°C) = hfe
35 hfe hFE5 30 - - -
IC = -500 IC=100mA,
(IC       =       150 mA VCE = - VCE=1V
mAdc, VCE = 10 V = 50hfe
10 Vdc) (Note
1)=    100    hfe
max 300

(IC      =      150
mAdc, VCE =
1.0 Vdc) (Note
1) = 50 hfe

(IC      =      500
mAdc, VCE =
SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA
Procedimiento de Desarrollo Curricular
GUÍA DE APRENDIZAJE
SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA
Procedimiento de Desarrollo Curricular
GUÍA DE APRENDIZAJE

10 Vdc) (Note
 1)= 40 hfe

TRANSISTORES BJT

Los transistores de unión BJT por sus siglas en inglés (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR), son
dispositivos semiconductores de estado sólido cuya función es amplificar señales en corriente y/o
voltaje, también sirve como interruptor y oscilador, tiene dos principales características, la primera
es que se activa por corriente, y la segunda es que  tiene un factor  de amplificación, denominado
normalmente  como  beta  o  Hfe  ,  esto  es  lo  que  quiere  decir  es que  de  acuerdo  a  la  corriente  de
entrada, se presentara una amplificación en la corriente de salida.

Estructura:

Consta de dos uniones PNP Y NPN

En el transistor NPN el emisor es un semiconductor tipo N, la base es tipo P y el colector es tipo N

la estructura física del transistor PNP es dual a la anterior cambiando las regiones P por regiones
N, y las regiones N por regiones P.

. TIENE TRES TERMINALES

Con ayuda del multímetro en la función de medición de junturas, identifique diferentes tipos de
transistores BJT y FET:
. Terminales
. Polaridad

. Estado (bueno o dañado)
SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA
Procedimiento de Desarrollo Curricular
GUÍA DE APRENDIZAJE

las siglas NPN y PNP identifican la polaridad de un transistor. Un NPN y un PNP pueden cumplir
las mimas funciones, pero uno llevará polaridad positiva en la base (NPN), mientras que el otro a
negativo (PNP).

Los transistores tienen 3 terminales, los cuales se identifican por Colector, Base y Emisor. Es
importante identificar cada uno para poder medir un transistor con el tester. Y eso es lo primero
que vamos a hacer.
Para identificar los terminales de un transistor, primero tenemos que colocar nuestro multímetro
en la opción para medir diodos. Tocaremos entonces todos los terminales con ambas puntas. El
terminal que tenga continuidad con las otras dos, pero no a la inversa, será la base del transistor.
A su vez, el color de terminal que esté conectado a la base, indicara que tipo de transistor es. Por
ejemplo, si la punta roja está en la Base, será un Transistor NPN, pero si es la negra, será un
PNP.
Una vez que identificamos la Base, tenemos que encontrar cual es el emisor y cual el colector.
Esto es muy simple. El colector es que menor valor da, mientras que el emisor es el mayor.
Una vez que tenemos identificado todos los terminales, es hora de medir la ganancia de un
transistor. Para ello tenemos que configurar bien el multímetro, colocándolo en la opción
llamada  “hFE”. Miramos que la mitad es para transistores PNP y la otra para NPN. En la
adecuada, tenemos que meter los terminales en los orificios que corresponden a la base, emisor
y colector que ya averiguamos.
El valor que te arroje el multímetro será la ganancia del transistor. Dicho valor, nos da una idea
de la capacidad que tiene el componente para amplificar corriente.
TRANSISTORES FET

Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son particularmente utilizados
en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de unión o  (JFET)
y transistor  de  efecto  de campo metal-óxido semiconductor (MOSFET). A diferencia de los BJT
estos son controlados por Voltaje.

MOSFET es utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Hay dos tipos de MOSFET

 MOSFET DECREMENTAL: se forman sobre un substrato de silicio tipo p, con dos regiones
de  silicio  n-  muy dopado, para formar conexiones de baja  resistencia. La  compuerta está
aislada del canal por una capa muy delgada de óxido. En función de si la VGS es positiva o
negativa, el canal se ensanchará o estrechará permitiendo el paso o no de corriente.

 MOSFET INCREMENTAL: no tienen canal físico. SI VGS es positiva, un voltaje inducido
atrae  a  los electrones  del  substrato  p  y  los acumula  en  la  superficie.  Si  VGS  es  mayor  o
igual a un  valor llamado  voltaje umbral, se acumula  una  cantidad suficiente de electrones
para formar un canal N virtual, y la corriente circula del drenaje a la fuente.

Ya que éstos permanecen apagados con voltaje igual a cero, se utilizan en la
conmutación.
SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA
Procedimiento de Desarrollo Curricular
GUÍA DE APRENDIZAJE

La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el
terminal de puerta (G) está formado por una estructura de
tipo Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta es
prácticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para
tratar señales de muy baja potencia.
ESTRUCTURA DEL FET
Tiene una versión  NPN y otra PNP.
El NPN es llamado canal N En el MOSFET de canal N la parte "N" está conectado a la
fuente (source) y al drenaje (drain)
El PNP es llamado canal P, En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la
fuente (source) y al drenaje (Drain).
 TIENE TRES TERMINALES
Denominadas Fuente (S, source), Drenador ( D, Drain), Puerta (G, Gate),
CARACTERISTICAS
- La impedancia es mucho más alta que la de los transistores bipolares expresados en
decenas de mega-ohm(MΩ)
- Z in (Alta)
- La ganancia AV es mayor en los transistores bipolares que en los FET.
- Físicamente hablando, es de menor tamaño.
- Los transistores FET son mas estables a la temperatura que los BJT.

PARAMETROS DE LOS JFET

Voltaje
VDS Voltaje drenador fuente.
VDG Voltaje drenador compuerta
VGSR voltaje inverso compuerta fuente.

CORRIENTE
IG corriente de compuerta
SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA
Procedimiento de Desarrollo Curricular
GUÍA DE APRENDIZAJE

ID corriente de drenador
IDS corriente de drenador fuente

POTENCIA
PD disipación de potencia (VDS. ID)

REGIONES DE OPERACIÓN
  ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia
variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el fabricante es la
resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.
 ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta
como una fuente de corriente gobernada por VGS

ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

. Para el circuito de polarización por divisor de voltaje, para el BJT y MOSFET se requiere

 Calcular IB, IC y VCE, IG, VD y VS (punto de polarización) y Zona de operación
 Simular y comparar los resultados
 Hacer el montaje, medir y comparar los resultados con los calculados y simulados

Circuito de polarización por divisor de voltaje para BJT

Rb1 =62k
Rb2=9.1k
SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA
Procedimiento de Desarrollo Curricular
GUÍA DE APRENDIZAJE

RC=3,9k
RE=0,68k
RTH= R1 / R2 = R1. R2/R1+R2= 62k.9.1k/62k+9.1k=7,9K
VTH= VR2 =R2.VCC/R1+R2= 9.1K.16V/62K+9.1K=2.05V

Malla Base Emisor=

-VTH+VRTH+VBE+VRE=0V
-VTH+IB+RTH+VBE+IE.RE=0V

HALLAR LA CORRIENTE IE
IE= (B +1).IB
Sustituir la IE por la ecuación anterior
-VTH+IB.RTH+VBE+(B+1) IB.RE=0V
-VTH+VBE+IB(RTH+(B+1)RE)=0V
IB= VTH-VBE/RTH+(B+1).RE= 2,05V-O,7V/7,9K+(80+1).0,68K=1,3V/62,98K=21,4Ua
Ve=VRe=Ie.Re=(B+1).IB.RE= 81.21.43Ua.0,68k=1.18V
Voltaje Resistor de base = Vb=Ib .Rth =21.43uA. 7.9K=0,17v

MALLA COLECTOR EMISOR
-VCC+VRC+VCE+VRE=0V
-VCC+IC*RC+VCE+IE.RE=0V

IC=B.IB
IC=80*21.43uA=1,7mA
-VCC+IC.RC+VCE+IE.RE=0V
-VCC+IC.RC+VCE+IC.RE=0V
-VCC+VCE+IC(RC+RE)=0V
VCE=VCC-IC(RC+RE)
VCE=16V-1,7Ma(3,9k+0,68k)
Vce=16v-1,7mA(4.58k)16v-7.79v=8.21v
Voltaje resistor del colector VCR=IC.RC=1.7mA.3,9k=6.63V
VCE=VC-VE
VC=VBE+VE=8,21V+1.18V=9.39V
VB=VBE+VE=0,7V+1.18V=1.88V
VBC=VB-VC=1,88V-9,39V=7.51V

Simular y comparar los resultados
SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA
Procedimiento de Desarrollo Curricular
GUÍA DE APRENDIZAJE

Circuito de polarización por divisor de voltaje para MOSFET

R1=570K
R2=100K
R3=470K
R4=690K
 SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA
Procedimiento de Desarrollo Curricular
GUÍA DE APRENDIZAJE

Simular y
comparar los resultados
SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA
Procedimiento de Desarrollo Curricular
GUÍA DE APRENDIZAJE
 3.Hacer el montaje, medir y comparar los resultados con
los calculados y simulados

ZONA DE CORTE
SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA
Procedimiento de Desarrollo Curricular
GUÍA DE APRENDIZAJE

Valores medidos Zona corte Zona activa Zona de saturación

Corriente de entrada 00 0.05mA 18.4Ua

Corriente de salida 00 4.99mA 1.84mA

Voltaje de entrada 10V 10V 10V

Voltaje de salida 10V 5.01V 8,16V
 Parámetro Circuito 1 Circuito 2 Circuito 3

IB (IG) IB=34,4uA IB =7,22uA IG=0

Calculado IB=4.53uA IG=00uA
Simulado 43.4uA
Medido

IC (ID) IC=B*IB = IC=0.72mA ID=9Ma

Calculado IC=0.98mA ID=9mA
Simulado 95*34.4Ua=3.26mA
Medido
IC= 4.86mA
VCE (VDS) VCE= 3.48V VCE=7.84V VDS=8V
Calculado VCE=3,72V VCE= 7.06V VDS=0V
Simulado
Medido
Zona de operación

ZONA ACTIVA
ZONA DE SATURACION 4
SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA
Procedimiento de Desarrollo Curricular
GUÍA DE APRENDIZAJE

Para cada uno de los circuitos trabajados en clase,
Completa la tabla resumen:
1. Analice, Calcule, simule, monte y mida voltajes y
corrientes para el circuito controlador de relés como el mostrado a continuación:
SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA
Procedimiento de Desarrollo Curricular
GUÍA DE APRENDIZAJE

RETOS:
Diseñ ar, simular e implementar un amplificador de 2W, a partir de una señ al de micró fono

2. Ambiente Requerido 309

3. Materiales: Transistores de diferentes tipos (2n2222, 2n3906, 2n3904, B536, c1935, 2n3055);
IRF540(5 de c/u por cada 4 personas) alambre para protoboard, resistencias de ¼ W de 1000
Ohmios, 220
Ohmios, 330 Ohmios, 1K y 10K (10 de c/u por cada dos personas), relés, bombillos de 12 voltios

Evidencias de Aprendizaje Criterios de Evaluación Técnicas e Instrumentos de

Evaluación

Evidencias de Conocimiento: Elabora el diagrama de Presentació n del trabajo bajo

acuerdo con los lineamientos lineamientos establecidos.
establecidos.

4. ACTIVIDADES DE EVALUACIÓN
Tome como referencia las fichas técnica e instrumentos de evaluació n citados en la guía de Desarrollo
Curricular
SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA
Procedimiento de Desarrollo Curricular
GUÍA DE APRENDIZAJE

Trabajo escrito sobre
identificació n y
funcionamiento del BJT.
Evidencias de Desempeño:
Verificació n de las actividades
prácticas realizadas en clase.
Realiza las actividades de las
prácticas utilizando los
aparatos de medició n y de
acuerdo con las características
de los mismos. Trabaja en
orden y elabora de manera Presenta y sustenta los Montajes
organizada los circuitos. propuestos en funcionamiento,

Evidencias de Producto:
Montaje y medició n de
circuitos de polarizació n del
BJT
Elabora y pone en
funcionamiento los montajes
de circuitos electró nicos de
acuerdo con los lineamientos
establecidos.

5. GLOSARIO DE TERMINOS

Transistor: dispositivo semiconductora que tiene la capacidad de amplificar voltajes y/o corrientes

BJT: Biplolar Junction Transistor

6. REFERENTES BILBIOGRAFICOS

Electrónica y teoría de circuitos de R0bert L. Boylestat.

construya o cite documentos de apoyo para el desarrollo de la guía, segú n lo establecido en la guía de
desarrollo curricular

7. CONTROL DEL DOCUMENTO

Nombre Cargo Dependencia Fecha

Autor (es) Luis Antonio Rodríguez Instructor CEET 01/08/2017

8. CONTROL DE CAMBIOS (diligenciar ú nicamente si realiza ajustes a la guía)
SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA
Procedimiento de Desarrollo Curricular
 GUÍA DE APRENDIZAJE

Nombre Cargo Dependencia Fecha Razón del

Cambio

Autor (es)

GESTIÓN DE FORMACIÓN PROFESIONAL INTEGRAL
PROCEDIMIENTO DESARROLLO CURRICULAR
GUÍA DE APRENDIZAJE
GFPI-F-019 V3