EIectronica Presentación

Tecnicatura Universitaria en
Mecatrónica
Electrónica I
Junturas de Semiconductores
Autor: Rubén O. Núñez
Fecha de Actualización:
11‐09‐2020
Unidad 02 –Electrónica I –
Tecnicatura Universitaria en Mecatrónica
Unión PN: Proceso de difusión
Si se unen dos materiales semiconductores extrínsecos, del tipo P y N se

produce una difusión de electrones hacia la zona P y de huecos hacia la
zona N, para recombinarse entre ellos.
El proceso de difusión ocurre hasta el momento en que en la zona P haya

una concentración de cargas negativas y en la zona N de cargas positivas,
que interrumpe la difusión debido a que se establece un campo eléctrico o
barrera de potencial que impide el paso de cargas.
2
Polarización de una unión PN
3
Polarización directa de una unión PN
Si se aplica una diferencia de potencial en el sentido que se muestra en la

figura (a) se logra dar a los electrones la energía necesaria para superar la
barrera de potencial y hacer que estos migren a la zona P.
4
Polarización directa de una unión PN
Por el circuito exterior fluiría una corriente relativamente grande, llamada

generalmente corriente directa (IF), el cual estaría formada por portadores
mayoritarios.
5
Diodo
El diodo es una unión PN conectada a dos terminales y convenientemente

encapsulada para dar al conjunto consistencia mecánica. A diferencia de un
componente eléctrico como la resistencia el diodo posee un comportamiento
v-i no lineal.
Simbología:
 (a) Esquema básico.
 (b) su aspecto exterior más generalizado.
 (c) Símbolo.
6
Curva Característica:
Tensión ‐ Corriente
Zona de conducción
Polarización directa
Zona de tensión umbral
7
Curva Corriente – Tensión del Diodo Polarización

Directa e Inversa
Ejemplo de encapsulados
8
Definiciones
Corriente continua máxima con polarización directa
Es la corriente continua máxima que puede “manejar” un diodo
antes de que se dañe. Su nombre por lo general es Imáx, Ifmáx, IF, ID,
dependiendo del fabricante.
Disipación de potencia
PD  I DVD [W]
Limitación de potencia máxima
Es la máxima potencia que el diodo puede disipar con seguridad

sin acortar su tiempo de vida o degradar sus características de
operación.
PDMáx  I DMáxVDMáx [W]
9
Definiciones
Resistencia interna
Para tensiones mayores que la tensión umbral, la corriente del

diodo crece rápidamente, lo que quiere decir que aumentos
pequeños en la tensión del diodo originarán grandes incrementos
en su corriente.
Luego de superada la barrera de potencial o umbral, lo único que se

opone a la corriente es la resistencia óhmica de las zonas P y N.
RED  RP  RN  1
10
Diodo – Aproximación I:
Circuito equivalente Curva de diodo Aproximación I.

Aproximación I
Análisis…
11
¿El diodo del siguiente circuito está polarizado en directa o en

inversa?
12
¿Cómo están polarizados los diodos del siguiente circuito?
 D1: Polarizado en inversa.
 D2: Polarizado en directa.
13
Ejemplo de Aplicación del Diodo:
Calcular la tensión y la corriente en la carga del siguiente circuito,

considerando al diodo un dispositivo ideal.
VL  10V
10V 1V
IL    10mA
1000 100
Carga
14

considerando la aproximación I (diodo ideal).
Equivalente de Thevenin
VL ? IL ?
15

considerando la aproximación I (diodo ideal).
12V Equivalente de Thevenin

IL   0,004A  4mA
3000
VL   0,004A 1000   4V
16
Diodo – Aproximación II:
Circuito equivalente
Curva de diodo Aproximación II.
Aproximación II
Ejemplo… 17
Calcular la tensión y la corriente en la carga del siguiente circuito

considerando la aproximación II del diodo.
VL ? IL ? IL 
12V  0,7V 
 0,00376A=3,76mA
3000
VL  I L RL   0,00376A 1000   3,76V

18
Diodo – Aproximación III:
Curva de diodo Aproximación III.

Circuito equivalente
Aproximación III VD  0,7V  I D RB
Ignorar RB cuando se cumple: RB  0,01RTH
RTH: Resistencia de Thevenin 19

Calcular la tensión y la corriente en la carga del siguiente circuito

considerando la aproximación III del diodo.
12V 12V
IL 
12V  0,7V   0,011A=11mA
1000  0, 23 
VL  I L RL   0,011A 1000   11V

20
Aproximaciones del diodo
21
Características
Tensión – Corriente
(V-I) del diodo.
Silicio y Germanio.
22
Aplicaciones del Diodo: Rectificadores de Media Onda
La mayoría de los dispositivos electrónicos como las televisiones de

alta definición, los reproductores de DVD/CD y las computadoras
necesitan una tensión continua para funcionar correctamente.
Tensión en Alterna Tensión en Contínua
Fuente de Alimentación
Rectificador
23
Circuitos equivalentes de un diodo ideal sometido

a una tensión de corriente alterna
Semiciclo positivo
Semiciclo negativo
24
25
Transformador de
Tensión
Relación de
Transformación N1 : N 2
V1 N1 I 2
k  
V2 N 2 I1
Circuito Simplificado de un Rectificador de Media Onda
26
Aplicaciones del Diodo: Rectificadores de Onda Completa
Análisis Semiciclo Positivo

27
Análisis Semiciclo Negativo

28
29
Circuito Simplificado de un Rectificadores de Onda Completa en Tipo

Puente de Graetz
30
Análisis para el semiciclo positivo de la tensión que se aplica al puente

rectificador
 D1 y D2: Polarizados en directa.
Circuito Simplificado de un Rectificadores de Onda Completa
31
Análisis para el semiciclo negativo de la tensión que se aplica al puente

rectificador
 D3 y D4: Polarizados en directa.
32
Formas de onda de Tensión de Entrada, VP(in), y Salida, VP(out), del

Circuito Rectificador
33
Imágenes de Encapsulados de Rectificadores en Tipo Puente de Graetz
34
Tabla de Comparación de Características de Rectificadores.
35
¿Cuáles son la tensión de pico y la tensión de continua en la

carga del siguiente rectificador de media onda?
N1 : N 2
36
Aplicaciones del Diodo:
 Demodulación o detección.
La modulación de amplitud (AM) es un método para trasladar una señal de

baja frecuencia a una frecuencia superior para su transmisión a través de un
canal.
37
 Demodulación.
38
 Recortadores o Fijadores
Los circuitos recortadores se utilizan para eliminar parte de una forma de

onda que se encuentre por encima o por debajo de algún nivel de
referencia. También se conocen como limitadores, selectores de amplitud
o rebanadores.
39
Limitador Serie Negativo
40
Limitador Serie Positivo
41
Limitador Paralelo Negativo
42
Limitador Paralelo Polarizado
43
Aplicaciones del Diodo
Circuitos Limitadores o Recortadores típicos

44
Limitador Doble Polarizado
45
Fijadores de Nivel: No modifican la forma de onda de la señal de

entrada, si no que añaden a este un nivel de tensión de continua.
 Fijador Positivo:
46

47

48

 Fijador Positivo Polarizado Negativamente:
49

 Fijador Positivo Polarizado Positivamente:
50

 Fijador Negativo:
51

52

53
Aplicaciones del Diodo
Circuitos Limitadores o recortadores con polarización en serie. 54

Hojas Características de Datos (Datasheets)
Muestra los parámetros y características de operación más

importantes de los dispositivos semiconductores. Entre otros,
procedimientos para la realización de pruebas y las aplicaciones
típicas.
Ejemplo: Diodo 1N4001
55
Tensión de disrupción inversa
La tensión de disrupción (Peak Repetitive Reverse Voltage) de este diodo

es 50 V. Una tensión mayor en el 1N4001, podría destruirlo, se recomienda
un factor de seguridad igual a dos.
Esta disrupción se produce porque el diodo entra en avalancha cuando de

repente una cantidad enorme de portadores aparece en la zona de
deplexión o ruptura.
56
Corriente Directa Máxima
Es la corriente media rectificada en polarización directa (Average Rectified

Forward Current).
Un valor de corriente mayor, en este dispositivo, lo dañaría por disipación

de calor.
Diodo 1N4001 57
Caída de tensión en directa
La caída de tensión en directa (Forward Voltage Drop) típica en este

dispositivo es de 0,93 V cuando la corriente es de 1 A y la temperatura de
la unión es de 25°C.
Si se probarán miles de diodos 1N4001, se comprobaría que unos pocos

presentarían una caída de 1,1 V cuando la corriente fuera de 1 A.
58
Corriente máxima inversa
Es la corriente inversa (reverse current) a la tensión nominal (50 V

para un 1N4001). A 25°C, un 1N4001 típico tiene una corriente
máxima en inversa de 50 nA.
Diodo 1N4001 59
Diodo Zener
Es un dispositivo semiconductor que el fabricante ha optimizado para

trabajar en la región de disrupción, a diferencia de los diodos de propósito
general.
Es un diodo muy utilizado como reguladores de tensión, circuitos que

mantienen prácticamente constante la tensión en la carga a pesar de las
variaciones en la tensión de la red y en la resistencia de carga.
60
Diodo Zener
Curva Tensión-Corriente.
 (a) Símbolo esquemáticos.
 (b) Símbolo Alternativo.
Encapsulados típicos
61
Diodo Zener Curva Tensión-Corriente.
62
 Vz o Vznom: Tensión nominal del Zener.
 Iz(mín): Mínima corriente inversa que ha de atravesar con garantía de asegurar su

correcto funcionamiento, también llamada corriente de mantenimiento.
63
 Iz(Máx): Máxima corriente inversa que puede atravesar con garantía de no destrucción.
 Pz(Máx): Potencia de disipación del componente que no debe ser sobrepasada

64
Diodo Zener – Región de Trabajo “Efectivo”
En esta región debe asegurarse que:
 El diodo sea atravesado como mínimo por una corriente inversa, Iz(mín),
expresada por el fabricante para excluir la región del “codo”.
 No se debe sobrepasar en ningún caso , Iz(max) para asegurar la

supervivencia del componente.
 Estos dos valores de Iz llevan asociados un par de valores de tensión, Vz

aproximadamente, el valor medio de ellos representa la tensión nominal
de Zener Vz(nom). Se suele expresar en las características un porcentaje de
tolerancia sobre la tensión nominal.
65
Diodo Zener – Región de Trabajo “Efectivo”
En esta región debe asegurarse que:
 La potencia disipada en cada momento, Pz , vendrá expresada por el

producto de los valores instantáneos de Vz e Iz.
 No se debe sobrepasar en ningún caso , Iz(max) para asegurar la

supervivencia del componente.
 Los valores de Iz(min) e Iz(max) con sus valores de Vz asociados representan

la región de trabajo.
66
Diodo Zener - Ejemplo de aplicación: Regulador de Tensión
En muchas circunstancias la tensión aplicada a una carga puede sufrir

variaciones indeseables que alteren el funcionamiento normal de la
misma.
Estas variaciones generalmente vienen provocadas por:
 Una variación de la resistencia de carga, que lleva emparejada una

variación de la intensidad de carga.
 Variaciones de la propia fuente de alimentación.
 Por ambas causas.
67
En muchas circunstancias la tensión aplicada a una carga puede sufrir

variaciones indeseables que alteren el funcionamiento normal de la
misma.
Si se elige un diodo Zener de tensión nominal igual a la que es necesaria

aplicar a la carga, es posible utilizar a este dispositivo para hacerlo
funcionar en su región de trabajo, con lo que se lograría mantener un nivel
de tensión sobre la carga con variaciones despreciables.
68
Supongamos que deseamos alimentar una carga que absorbe una corriente
que puede variar entre 10 mA y 40 mA, para una tensión VL = 12 V. Para ello
disponemos de una fuente VA = 18 V.
Condiciones a tener en cuenta en el diseño:
 El circuito se diseña para las peores condiciones IL(Máx)
 El Zener debe ser en todo momento atravesado por una lz(Mín) para
asegurar su efecto regulador; fijémosla en 5 mA.
69
Condiciones a tener en cuenta en el diseño:
 La tensión de la fuente ha de ser en todo momento mayor que la

aplicada a la carga para asegurar lz(Mín) .
 Debemos disponer de una resistencia limitadora en serie que absorba

la diferencia de tensión entre VA y VL será RLim.
70
Circuito de regulación de tensión para carga variable. 71

Para asegurar lz(Mín) :
IT  I Z  Mín   I L Máx   5mA+40mA=45mA
Rlim debe absorber la diferencia de tensión:
VRlim 6V
VR lim   VA  VL  18V  12V=6V R lim     133,3
IT 45mA
VR lim  6V
IT  = =50mA Rlim   120
Rlim 120
72
Para asegurar lz(Mín) :
I Z  Mín   IT  I L Máx   50mA  40mA=10mA
La potencia que disiparía Rlim es:
PRlim  VRlim I L   6V  50mA   0,3W 0,5W
73
La corriente máxima que circula por el Zener:
I Z Máx  IT  I L Mín  50mA  10mA  40mA
La potencia máxima que disiparía el Zener:
PZ Máx  VZ I Z Máx  12V  40mA   480mW
PZ  1W
74
120 
Características de la Resistencia Limitadora RLim  
 0 ,5W 
Características del Diodo Zener
V  12V, 
 Z

Zener   I Z Mín  10mA, 
 
 Z
P  1W 
75
Es necesario alimentar una carga de 500 Ohm con una tensión de 10 V, a

partir de una fuente que suministra una tensión (VA) que puede variar entre
15 y 20 V.
Circuito de regulación de tensión para carga variable. 76

VL VA VRlim IT I Z  mín 
Constante Variable Variable Variable Variable
77
Cálculo de la corriente de carga (IL):
VL 10V
IL    20mA
RL 500
Cálculo de la corriente de total mínima:
IT  lim   I L  I Z  mín   20mA+5mA=25mA
Cálculo de la mínima tensión en la resistencia limitadora:
VRlim   VAlim   VZ  15V  10V=5V

78
Cálculo del valor de la resistencia limitadora:
VR lim  5V
R lim     200 180
IT  min  25mA
Cálculo de la corriente total:
VRlim  5V
IT  min  Re al  
R lim  180
79
Cálculo de la corriente real en el Zener :
5V
I Z  mín  Re al   20mA=7,7mA
180
Cálculo de potencia máxima a disipar en la resistencia limitadora:
VR2 max  10V 

2
PRlim  Re al   =0,555W=555mW 1W
Rlim  180
80
Cálculo de la corriente máxima que circulará por el Zener:
VRlim,max 
I Z  max   IT  max   I L   20mA=0,035A=35,5mA
Rlim 
Cálculo de potencia máxima a disipar en el Zener:
PZ  max   VZ I Z  max   10V  35,5mA   355mW
81
Características de la Resistencia Limitadora
180 
RLim  
1W 
Características del Diodo Zener
V  10V, 
 Z

Zener   I Z Mín  7 ,7mA, 
 
 PZ  1W 
82
Bibliografía
1. Albella J. M., Martinez‐Duart. “Fundamentos de electrónica física y

microelectrónica”, España: Pearson Educación, 1996.
2. Savant. C. J., “Diseño electrónico: Circuitos y Sistemas”, 3er ed., México: S.A.
Alhambra Mexicana, 2000
3. Angulo, C., Muñoz, A. et. al. “Prácticas de Electrónica. 1. Semiconductores
Básicos: diodo y transistor”, España: McGraw‐Hill, 1989.
4. Malvino, Albert y Bates, David J., “Principios de Electrónica”, 7 Ed., España:
McGraw‐Hill, 2007.
83
Electrónica I – Técnico Universitario en Mecatrónica
Fin de la Presentación
Unidad 02 – Junturas de Semiconductores

Autor: Rubén O. Núñez

EIectronica Presentación

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

EIectronica Presentación

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Tecnicatura Universitaria en

Unión PN: Proceso de difusión

Si se unen dos materiales semiconductores extrínsecos, del tipo P y N se

El proceso de difusión ocurre hasta el momento en que en la zona P haya

Polarización de una unión PN

Polarización directa de una unión PN

Si se aplica una diferencia de potencial en el sentido que se muestra en la

Polarización directa de una unión PN

Por el circuito exterior fluiría una corriente relativamente grande, llamada

El diodo es una unión PN conectada a dos terminales y convenientemente

 (b) su aspecto exterior más generalizado.

Curva Corriente – Tensión del Diodo Polarización

Limitación de potencia máxima

Es la máxima potencia que el diodo puede disipar con seguridad

Para tensiones mayores que la tensión umbral, la corriente del

Luego de superada la barrera de potencial o umbral, lo único que se

Circuito equivalente Curva de diodo Aproximación I.

¿El diodo del siguiente circuito está polarizado en directa o en

¿Cómo están polarizados los diodos del siguiente circuito?

 D1: Polarizado en inversa.

 D2: Polarizado en directa.

Ejemplo de Aplicación del Diodo:

Calcular la tensión y la corriente en la carga del siguiente circuito,

Ejemplo de Aplicación del Diodo:

Calcular la tensión y la corriente en la carga del siguiente circuito,

Ejemplo de Aplicación del Diodo:

Calcular la tensión y la corriente en la carga del siguiente circuito,

12V Equivalente de Thevenin

Diodo – Aproximación II:

Ejemplo de Aplicación del Diodo:

Calcular la tensión y la corriente en la carga del siguiente circuito

VL  I L RL   0,00376A 1000   3,76V

Diodo – Aproximación III:

Curva de diodo Aproximación III.

Ignorar RB cuando se cumple: RB  0,01RTH

RTH: Resistencia de Thevenin 19

Ejemplo de Aplicación del Diodo:

Calcular la tensión y la corriente en la carga del siguiente circuito

VL  I L RL   0,011A 1000   11V

Aplicaciones del Diodo: Rectificadores de Media Onda

La mayoría de los dispositivos electrónicos como las televisiones de

Tensión en Alterna Tensión en Contínua

Circuitos equivalentes de un diodo ideal sometido

Aplicaciones del Diodo: Rectificadores de Media Onda

Aplicaciones del Diodo: Rectificadores de Media Onda

Circuito Simplificado de un Rectificador de Media Onda

Aplicaciones del Diodo: Rectificadores de Onda Completa

Análisis Semiciclo Positivo

Aplicaciones del Diodo: Rectificadores de Onda Completa

Análisis Semiciclo Negativo

Aplicaciones del Diodo: Rectificadores de Onda Completa

Aplicaciones del Diodo: Rectificadores de Onda Completa

Circuito Simplificado de un Rectificadores de Onda Completa en Tipo

Aplicaciones del Diodo: Rectificadores de Onda Completa

Análisis para el semiciclo positivo de la tensión que se aplica al puente

 D1 y D2: Polarizados en directa.

Circuito Simplificado de un Rectificadores de Onda Completa

Aplicaciones del Diodo: Rectificadores de Onda Completa

Análisis para el semiciclo negativo de la tensión que se aplica al puente

 D3 y D4: Polarizados en directa.

Circuito Simplificado de un Rectificadores de Onda Completa

Aplicaciones del Diodo: Rectificadores de Onda Completa

Formas de onda de Tensión de Entrada, VP(in), y Salida, VP(out), del