ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA
UNIDAD CULHUACAN
Profesor:
Ing. Vargas Reyes Orlando
Alumna:
Aguilar Galicia Lizeth
Materia:
Electrónica Analógica
Grupo:
4CV24
Trabajo:
Ensayo sobre Transistores FET Y BJT
TRANSISTORES FET Y BJT.
INTRODUCCION.
Wiliam Bradford Shockley (1910-1989) -junto con John Bardeen (1908-1991)
y Walter Brattain (1902-1987)- fue el padre del transistor, la invención que constituye,
probablemente, la mayor revolución silenciosa del siglo XX , El funcionamiento de la
gran mayoría de los equipos que utilizamos a diario (televisores, teléfonos móviles,
ordenadores…) está basado en las propiedades de los transistores con los que están
construidos. En este ensayo vamos a abordar el estudio de un dispositivo de tres
terminales cuyo rango de aplicabilidad coincide en muchos casos, con el del transistor
BJT, Los transistores de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction
Transistor), son dispositivos semiconductores de estado sólido que permiten controlar
el paso de corriente o disminuir voltaje a través de sus terminales. Los transistores más
conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción
tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de
aplicaciones, pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su
impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este
inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que
existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama
transistor de efecto campo.
DESARROLLO.
Los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET
(Field Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos:
1-. Transistor de Efecto de Campo de Unión: JFET (Junction Field Effect
Transistor)
Estructura Básica. Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:
*JFET de canal n
*JFET de canal p
D = Drenador: (Del inglés Drain). Es el terminal por al que salen los portadores del
dispositivo (los electrones en el JFET de canal n y los huecos en el de canal p)
S = Fuente: (Del inglés Source). Es el terminal por el que entran los portadores.
G = Puerta: (Del inglés Gate). Es el terminal mediante el que se controla la corriente
de portadores a través del canal.
*Simboles JFET *Polarización de JFET
positiva y negativa.
*Curvas características ideales de JFET
El efecto que sobre el funcionamiento del dispositivo tienen ambas tensiones (VDS y
VGS). Al representar la corriente de drenador en función de ambas tensiones,
aparecen las denominadas curvas características del transistor JFET.
En las curvas características, podemos distinguir 4 zonas bien diferenciadas:
*Zona de corte o de no conducción.
* Zona óhmica o de no saturación.
*Zona de saturación o de corriente constante.
* Zona de ruptura 2.-Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor:
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
Los transistores MOSFET existen dos tipos:
• MOSFET de acumulación o de enriquecimiento
• MOSFET de deplexión o empobrecimiento
*MOSFET DE ACUMULACION:
Representada la estructura básica para un MOSFET de canal n, partimos de una zona
de material semiconductor tipo p en la que aparecen dos zonas tipo n+ con contactos
metálicos a los terminales de drenador y fuente. La zona roja representada
corresponde a una capa de material aislante, en este caso óxido de silicio. Por tanto, si
nos fijamos en el terminal de puerta, vemos como tenemos una zona metálica
(correspondiente al contacto óhmico) una zona de óxido y una zona de semiconductor.
Es precisamente debido a esta estructura de donde le viene el nombre al dispositivo de
Metal – Óxido – Semiconductor (MOS). Además, este dispositivo tendría un cuarto
terminal, el terminal del Sustrato (SS), aunque habitualmente éste se encuentra
conectado a la fuente. Es preciso que notemos una característica fundamental de este
dispositivo y es que la puerta está aislada eléctricamente del dispositivo, es decir, no
hay conexión eléctrica entre la puerta y el sustrato.
*Estructura básica del MOSFET
de acumulación canal n * Símbolos
Los habituales utilizados para la representación en circuitos de los MOSFET de
acumulación son los que aparecen representados a continuación:
* Polarización del MOSFET de acumulación
Positiva y negativa.
*Curvas Características ideales de un MOSFET de acumulación canal n.
Se distinguen 4 zonas de funcionamiento del transistor.
* Zona de corte o de no conducción.
*Zona óhmica o de no saturación.
* Zona de saturación o de corriente constante.
*Zona de ruptura. *MOSFET DE DEPLEXION.
La estructura básica para un MOSFET de deplexión es similar al caso del de deplexión,
con la importante diferencia de que en este caso disponemos de un canal inicial
realizado en el proceso de fabricación del dispositivo.
*Estructura básica.
* Símbolos. Los símbolos más habituales utilizados para la representación en circuitos
de los MOSFET de acumulación son los que aparecen representados:
* Polarización del MOSFET de deplexión
Positiva y negativa. *Curvas características.
La tensión VGS aplicada es cero,
a la corriente por el dispositivo se le
denomina IDSS.
*TRANSISTORES BJT
Los transistores BJT están formados por dos uniones de tipo “P y N” o bien de dos diodos semiconductores.
Existen dos tipos transistores BJT, el de tipo NPN y el PNP. Las letras hacen referencia a las capas de material semiconductor que están construidos.
1-Transistor tipo NPN: Esta formado por dos capas de material tipo “N” y separadas por una capa tipo “P”.
2-Transistor tipo PNP: Esta formada por dos capas de material tipo “P” y separadas por una capa tipo “N”.
Estos transistores cuentan con tres terminales, emisor, base y colector. La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Estos pines se representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emisor), B (base) y C (colector).
– La zona de E (emisor), es la más fuertemente dopada, es la zona en cargada de
“emitir” o inyectar portadores mayoritarios hacia la base.
-La B (base), tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se
trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misión es la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el colector.
-La zona de C (colector), es encargada de recoger o “colectar” los portadores
inyectados que han sido capaces de atravesar la base por parte del emisor. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres. Para diferenciar los pines y el tipo de transistor NPN o PNP, debes identificar la terminal del emisor, ya que esta tiene una flecha que cambia de dirección. En las imágenes 1 y 2 podrás observar el esquemático del transistor tipo NPN – PNP y te darás cuenta de que lo único que lo diferencia es la orientación de la flecha.
Cuando la flecha del
emisor apunta a la terminar base es un transistor tipo PNP.
*Cuando la flecha apunta a
la terminal emisor, es un
transistor tipo NPN
*PARAMETROS PRINCIPALES DE LOS TRANSISTORES BJT
POL: Polaridad PNP- NPN (POLARITY) – Es la condición de voltaje y de corriente que
se establece en un transistor para fijar un punto de operación (Q), para mantener el transistor en la región activa directa.
IC: Corriente de colector, medida en amperios (COLLECTOR CURRENT).
PD: Potencia de disipación, medidas en watts (POWER DISIPATION).
FT: Frecuencia de trabajo, medida en kilohertz (FRECUENCY).
HFE: Ganancia de corriente (CURRENT GAIN O BETA) – Este parámetro de modelo
Hibrido “H” de corriente alterna, el cual se usa para el diseño de circuitos con transistores, “F” proviene de los términos (FORWARD CURRENT) amplificación con polarización directa y “E” de (COMMON EMITTER) configuración de emisor común.
REGIÓN DE SATURACIÓN: Las uniones colector-base y base emisor están
polarizadas directamente, el voltaje colector-emisor es pequeño y la corriente es muy grande. REGIÓN DE CORTE: En esta región la corriente de colector es cero o casi cero para cualquier valor de voltaje colector-emisor, las uniones colector-base y base emisor están inversamente polarizadas.
REGIÓN ACTIVA DIRECTA: En esta región la unión de colector-base esta polarizada
en inversa y la unión base-emisor esta polarizada en directa. Esta región nos permite utilizar al transistor como amplificador de voltaje, de corriente o de potencia.
FUNCIONAMIENTO COMO INTERRUPTOR
Para que los transistores BJT funcionen como interruptores electrónicos se debe operar en la zona de corte y saturación para impedir o permitir el paso de corriente en un circuito.
Si se polariza en la región de corte se impide el paso de corriente, cuando se polariza
en la región de saturación se permite el paso de la corriente, de esta manera los transistores BJT funcionan como interruptores electrónicos donde solo hay dos estados lógicos 0 y 1.
FUNCIONAMIENTO COMO AMPLIFICADOR
Para que los transistores BJT funcionen como amplificadores de corriente se debe aplicar una pequeña señal de corriente en la terminal base para controlar una corriente de salida mayor en las terminales colector y emisor. Para el uso de los transistores BJT como amplificadores, debes tener en cuenta que hay distintos tipos de transistores BJT los cuales tienen diferentes características técnicas, cada uno de ellos tiene una ganancia de corriente conocida como beta del transistor, dependiendo del tipo de amplificación que requieras verificar la beta del transistor para obtener la amplificación de corriente deseada.
Para este tipo de transistores bipolares, la amplificación concierne de la corriente. La
corriente del colector “Ic” es proporcional a la corriente en la base multiplicada por la «beta» del transistor.
Ic = (hFE)*(Ib) Donde:
• Ic = Corriente de colector • hFE = Beta del transistor • Ib = Corriente en la base Este factor de ganancia depende de la corriente del colector y en ocasiones puede variar, es por eso que no es recomendable el uso de transistores como amplificadores electrónicos, te recomiendo el uso de amplificadores operacionales. Línea del tiempo de los transistores
• En 1897 se da el primer tubo electrónico de rayos catódicos.
• En 1904 el físico inglés Jhon Ambros Fleming inventa el diodo de vacío
llamado “válvula de vacío” que reemplaza a los relés electromecánicos y como dispositivo bi-estables.
• En 1906 se obtienen diodos de silicio (semiconductores). Se construye el
tríodo que es similar a un transistor, pero en válvula de vacío.
• En 1929 se desarrolla el tiratrón, comienzo de la electrónica de potencia.
• En 1947 Walter Brattain, Jhon Barden y W. Shockly inventan en los
laboratorios Bella el transistor, que sustituyó a la válvula de vacío por su mayor fiabilidad, menor tamaño y menor costo.
• En 1950 aparece el transistor bipolar.
• En 1953 Shockly propone el transistor de efecto de campo “FET”.
DIFERENCIAS Y SIMILITUDES DE TRANSISTORES FET Y BJT.
*Los transistores FET son dispositivos controlados por tensión.
*Transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente
*Transistores BJT son bipolares, es decir, en la corriente intervienen los dos tipos de
portadores (electrones y huecos)
*Los transistores FET son unipolares, en los que el nivel de conducción dependerá
únicamente de un único tipo de portadores: de los electrones en los de canal n y de los
huecos en los de canal p.
*La corriente del circuito de salida es controlada por un parámetro del circuito de
entrada, en un caso el nivel de corriente y en el otro el nivel de tensión aplicada de
forma análoga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los
transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de canal n y de canal p.
*Los transistores FETs es su alta impedancia de entrada con niveles que pueden varias
desde uno hasta varios cientos de megaóhmios, esto proporciona a los FET una
posición de ventaja a la hora de ser utilizados en circuitos amplificadores.
*El transistor BJT presenta mayor sensibilidad a los cambios en la señal aplicada, es
decir, la variación de la corriente de salida es mayor en los BJT que en los FET *SIMULACION DE CIRCUITOS.
CIRCUITO FET COMO AMPLIFICADOR
CIRCUITO BJT COMO AMPLIFICADOR.
CIRCUITO BJT COMO SWICHT
CIRCUITO FET COMO SWICHT
CIRCUITO FET COMO MEMORIA
Bibliografía
(s.f.). Obtenido de https://ocw.ehu.eus/file.php/110/electro_gen/teoria/tema-7-teoria.pdf
AYALA, F. (10 de 11 de 20109). TIENDA DE COMPONENTES ELECTRÓNICOS.
