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INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA

UNIDAD CULHUACAN

Profesor:

Ing. Vargas Reyes Orlando

Alumna:

Aguilar Galicia Lizeth

Materia:

Electrónica Analógica

Grupo:

4CV24

Trabajo:

Ensayo sobre Transistores FET Y BJT


TRANSISTORES FET Y BJT.

INTRODUCCION.

Wiliam Bradford Shockley (1910-1989) -junto con John Bardeen (1908-1991)

y Walter Brattain (1902-1987)- fue el padre del transistor, la invención que constituye,

probablemente, la mayor revolución silenciosa del siglo XX , El funcionamiento de la

gran mayoría de los equipos que utilizamos a diario (televisores, teléfonos móviles,

ordenadores…) está basado en las propiedades de los transistores con los que están

construidos. En este ensayo vamos a abordar el estudio de un dispositivo de tres

terminales cuyo rango de aplicabilidad coincide en muchos casos, con el del transistor

BJT, Los transistores de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction

Transistor), son dispositivos semiconductores de estado sólido que permiten controlar

el paso de corriente o disminuir voltaje a través de sus terminales. Los transistores más

conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción

tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos

positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de

aplicaciones, pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su

impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este

inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que

existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama

transistor de efecto campo.


DESARROLLO.

Los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET

(Field Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos:

1-. Transistor de Efecto de Campo de Unión: JFET (Junction Field Effect

Transistor)

Estructura Básica. Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:

*JFET de canal n

*JFET de canal p

D = Drenador: (Del inglés Drain). Es el terminal por al que salen los portadores del

dispositivo (los electrones en el JFET de canal n y los huecos en el de canal p)

S = Fuente: (Del inglés Source). Es el terminal por el que entran los portadores.

G = Puerta: (Del inglés Gate). Es el terminal mediante el que se controla la corriente

de portadores a través del canal.

*Simboles JFET
*Polarización de JFET

positiva y negativa.

*Curvas características ideales de JFET

El efecto que sobre el funcionamiento del dispositivo tienen ambas tensiones (VDS y

VGS). Al representar la corriente de drenador en función de ambas tensiones,

aparecen las denominadas curvas características del transistor JFET.

En las curvas características, podemos distinguir 4 zonas bien diferenciadas:

*Zona de corte o de no conducción.

* Zona óhmica o de no saturación.

*Zona de saturación o de corriente constante.

* Zona de ruptura
2.-Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor:

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

Los transistores MOSFET existen dos tipos:

• MOSFET de acumulación o de enriquecimiento

• MOSFET de deplexión o empobrecimiento

*MOSFET DE ACUMULACION:

Representada la estructura básica para un MOSFET de canal n, partimos de una zona

de material semiconductor tipo p en la que aparecen dos zonas tipo n+ con contactos

metálicos a los terminales de drenador y fuente. La zona roja representada

corresponde a una capa de material aislante, en este caso óxido de silicio. Por tanto, si

nos fijamos en el terminal de puerta, vemos como tenemos una zona metálica

(correspondiente al contacto óhmico) una zona de óxido y una zona de semiconductor.

Es precisamente debido a esta estructura de donde le viene el nombre al dispositivo de

Metal – Óxido – Semiconductor (MOS). Además, este dispositivo tendría un cuarto

terminal, el terminal del Sustrato (SS), aunque habitualmente éste se encuentra

conectado a la fuente. Es preciso que notemos una característica fundamental de este

dispositivo y es que la puerta está aislada eléctricamente del dispositivo, es decir, no

hay conexión eléctrica entre la puerta y el sustrato.

*Estructura básica del MOSFET

de acumulación canal n
* Símbolos

Los habituales utilizados para la representación en circuitos de los MOSFET de

acumulación son los que aparecen representados a continuación:

* Polarización del MOSFET de acumulación

Positiva y negativa.

*Curvas Características ideales de un MOSFET de acumulación canal n.

Se distinguen 4 zonas de funcionamiento del transistor.

* Zona de corte o de no conducción.

*Zona óhmica o de no saturación.

* Zona de saturación o de corriente constante.

*Zona de ruptura.
*MOSFET DE DEPLEXION.

La estructura básica para un MOSFET de deplexión es similar al caso del de deplexión,

con la importante diferencia de que en este caso disponemos de un canal inicial

realizado en el proceso de fabricación del dispositivo.

*Estructura básica.

* Símbolos. Los símbolos más habituales utilizados para la representación en circuitos

de los MOSFET de acumulación son los que aparecen representados:

* Polarización del MOSFET de deplexión

Positiva y negativa.
*Curvas características.

La tensión VGS aplicada es cero,

a la corriente por el dispositivo se le

denomina IDSS.

*TRANSISTORES BJT

Los transistores BJT están formados por dos uniones de tipo “P y N” o bien de dos
diodos semiconductores.

Existen dos tipos transistores BJT, el de tipo NPN y el PNP. Las letras hacen referencia
a las capas de material semiconductor que están construidos.

1-Transistor tipo NPN: Esta formado por dos capas de material tipo “N” y separadas por
una capa tipo “P”.

2-Transistor tipo PNP: Esta formada por dos capas de material tipo “P” y separadas por
una capa tipo “N”.

Estos transistores cuentan con tres terminales, emisor, base y colector. La zona central
se denomina base, y las laterales emisor y colector. Estos pines se representan por la
inicial del nombre de la zona respectiva: E (emisor), B (base) y C (colector).

– La zona de E (emisor), es la más fuertemente dopada, es la zona en cargada de


“emitir” o inyectar portadores mayoritarios hacia la base.

-La B (base), tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se


trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misión es
la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el
colector.

-La zona de C (colector), es encargada de recoger o “colectar” los portadores


inyectados que han sido capaces de atravesar la base por parte del emisor. Es la zona
con un nivel de dopado inferior de las tres.
Para diferenciar los pines y el tipo de transistor NPN o PNP, debes identificar la
terminal del emisor, ya que esta tiene una flecha que cambia de dirección. En las
imágenes 1 y 2 podrás observar el esquemático del transistor tipo NPN – PNP y te
darás cuenta de que lo único que lo diferencia es la orientación de la flecha.

Cuando la flecha del


emisor apunta a la
terminar base es un
transistor tipo PNP.

*Cuando la flecha apunta a

la terminal emisor, es un

transistor tipo NPN

*PARAMETROS PRINCIPALES DE LOS TRANSISTORES BJT

POL: Polaridad PNP- NPN (POLARITY) – Es la condición de voltaje y de corriente que


se establece en un transistor para fijar un punto de operación (Q), para mantener el
transistor en la región activa directa.

VCE: Voltaje Colector Emisor (VOLTAGE COLLECTOR EMITTER).

IC: Corriente de colector, medida en amperios (COLLECTOR CURRENT).

PD: Potencia de disipación, medidas en watts (POWER DISIPATION).

FT: Frecuencia de trabajo, medida en kilohertz (FRECUENCY).

HFE: Ganancia de corriente (CURRENT GAIN O BETA) – Este parámetro de modelo


Hibrido “H” de corriente alterna, el cual se usa para el diseño de circuitos con
transistores, “F” proviene de los términos (FORWARD CURRENT) amplificación con
polarización directa y “E” de (COMMON EMITTER) configuración de emisor común.

REGIÓN DE SATURACIÓN: Las uniones colector-base y base emisor están


polarizadas directamente, el voltaje colector-emisor es pequeño y la corriente es muy
grande.
REGIÓN DE CORTE: En esta región la corriente de colector es cero o casi cero para
cualquier valor de voltaje colector-emisor, las uniones colector-base y base emisor
están inversamente polarizadas.

REGIÓN ACTIVA DIRECTA: En esta región la unión de colector-base esta polarizada


en inversa y la unión base-emisor esta polarizada en directa. Esta región nos permite
utilizar al transistor como amplificador de voltaje, de corriente o de potencia.

FUNCIONAMIENTO COMO INTERRUPTOR

Para que los transistores BJT funcionen como interruptores electrónicos se debe operar
en la zona de corte y saturación para impedir o permitir el paso de corriente en un
circuito.

Si se polariza en la región de corte se impide el paso de corriente, cuando se polariza


en la región de saturación se permite el paso de la corriente, de esta manera los
transistores BJT funcionan como interruptores electrónicos donde solo hay dos estados
lógicos 0 y 1.

FUNCIONAMIENTO COMO AMPLIFICADOR

Para que los transistores BJT funcionen como amplificadores de corriente se debe
aplicar una pequeña señal de corriente en la terminal base para controlar una corriente
de salida mayor en las terminales colector y emisor. Para el uso de los transistores BJT
como amplificadores, debes tener en cuenta que hay distintos tipos de transistores BJT
los cuales tienen diferentes características técnicas, cada uno de ellos tiene una
ganancia de corriente conocida como beta del transistor, dependiendo del tipo de
amplificación que requieras verificar la beta del transistor para obtener la amplificación
de corriente deseada.

Para este tipo de transistores bipolares, la amplificación concierne de la corriente. La


corriente del colector “Ic” es proporcional a la corriente en la base multiplicada por la
«beta» del transistor.

Ic = (hFE)*(Ib)
Donde:

• Ic = Corriente de colector
• hFE = Beta del transistor
• Ib = Corriente en la base
Este factor de ganancia depende de la corriente del colector y en ocasiones puede
variar, es por eso que no es recomendable el uso de transistores como amplificadores
electrónicos, te recomiendo el uso de amplificadores operacionales.
Línea del tiempo de los transistores

• En 1897 se da el primer tubo electrónico de rayos catódicos.

• En 1904 el físico inglés Jhon Ambros Fleming inventa el diodo de vacío


llamado “válvula de vacío” que reemplaza a los relés electromecánicos y
como dispositivo bi-estables.

• En 1906 se obtienen diodos de silicio (semiconductores). Se construye el


tríodo que es similar a un transistor, pero en válvula de vacío.

• En 1929 se desarrolla el tiratrón, comienzo de la electrónica de potencia.

• En 1947 Walter Brattain, Jhon Barden y W. Shockly inventan en los


laboratorios Bella el transistor, que sustituyó a la válvula de vacío por su
mayor fiabilidad, menor tamaño y menor costo.

• En 1950 aparece el transistor bipolar.

• En 1953 Shockly propone el transistor de efecto de campo “FET”.

DIFERENCIAS Y SIMILITUDES DE TRANSISTORES FET Y BJT.

*Los transistores FET son dispositivos controlados por tensión.

*Transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente

*Transistores BJT son bipolares, es decir, en la corriente intervienen los dos tipos de

portadores (electrones y huecos)

*Los transistores FET son unipolares, en los que el nivel de conducción dependerá

únicamente de un único tipo de portadores: de los electrones en los de canal n y de los

huecos en los de canal p.

*La corriente del circuito de salida es controlada por un parámetro del circuito de

entrada, en un caso el nivel de corriente y en el otro el nivel de tensión aplicada de


forma análoga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los

transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de canal n y de canal p.

*Los transistores FETs es su alta impedancia de entrada con niveles que pueden varias

desde uno hasta varios cientos de megaóhmios, esto proporciona a los FET una

posición de ventaja a la hora de ser utilizados en circuitos amplificadores.

*El transistor BJT presenta mayor sensibilidad a los cambios en la señal aplicada, es

decir, la variación de la corriente de salida es mayor en los BJT que en los FET
*SIMULACION DE CIRCUITOS.

CIRCUITO FET COMO AMPLIFICADOR

CIRCUITO BJT COMO AMPLIFICADOR.


CIRCUITO BJT COMO SWICHT

CIRCUITO FET COMO SWICHT


CIRCUITO FET COMO MEMORIA

Bibliografía

(s.f.). Obtenido de https://ocw.ehu.eus/file.php/110/electro_gen/teoria/tema-7-teoria.pdf

AYALA, F. (10 de 11 de 20109). TIENDA DE COMPONENTES ELECTRÓNICOS.

Obtenido de CDMX ELECTRONICA:

https://www.cdmxelectronica.com/transistores-bjt/