4.13. Problemas 177 Por el lado experimental, el grupo de Robert Pohl en Géttingen (Gotinga, Alemania) gast6 una enorme cantidad de esfuerzo en catalogar el comportamiento de los semiconducto- res en presencia de perturbaciones externas tales como campos eléctricos, luz e impurezas. Los efectos de las impurezas fueron patticularmente dificiles puesto que el més pequefio cambio en Jos niveles de impurificacién parecian cambiar por completo las propiedades del material. El efecto de ta luz sobre Ja conductividad de los semiconductores también fue estudiado muy cuidadosamente, Se demostré que los “electrones libres” pueden ser generados por irradiacién del material con luz, Estos electrones libres podfan entonces cambiar la conductividad del material ‘A medida que se desarrollaba el conocimiento sobre los semiconductores, lo haci hecho de que podrian ser utilizados para aplicaciones tecnolégicas. En los treinta el uso prinei- pal de las peliculas semiconductoras era para contadores de destello y recubrimientos antirreflejantes para sistemas 6pticos. Sin embargo, en forma gradual, las propiedades de rec~ tificacién de los semiconductores fueron comprendidas, y condujeron a rpidos desarrollos en dispositivos. Estudiaremos estos desarrollos de dispositivos en capitulos posteriores. Por la década de los sesenta, la fisica de los semiconductores se haba desarrollado hasta una etapa que los fisicos comenzaron a ver a los semiconductores como materiales donde los problemas eran més tecnolégicos que “fundamentales”. Con el advenimiento de la tecnologia de heteroestructuras, donde varios semiconductores pueden combinarse para producir siste- mas cudnticos muy interesantes, se generé de nuevo un gran interés para estudiar sistemas de semiconductores. Se hicieron importantes nuevos descubrimientos, y el mas extraordinario fue el del “Efecto hall cudntico” observado por von Klitzing en las estructuras de Si/SiO,. Este descubrimiento le valié a von Klitzing el premio Nobel. Las heteroestructuras han proporcionado una nueva drea de abajo tanto para fisicos como para ingenieros eléctricos. Nuevos y notables efectos son reportados incluso ahora y muchos de estos efectos tienen promisorias aplicaciones para dispositivos. Asf, 70 afios des- pues del teorema de Bloch y de la teoria cudntica de las bandas, los semiconductores contintan proporcionando gran interés a ingenieros y a fisicos, el 413 PROBLEMAS Seccién 4.2 Problema 4.1 Considere una muestra de GaAs con masa efectiva del electrén de 0.067m,, Si se aplica un campo eléctrico de 1 kV/em, ;cudl es la velocidad de deriva producida si a) b) ° medio de los electrones a temperatura ambiente? Problema 4.2 Suponga que a temperatura ambiente la movilidad del electrén en el Si es de 1300 em*/V-s. Si se aplica un campo eléctrico de 100 V/cm, ,cudl es la energia de exceso de los electrones? ;Cémo se compara con la energia térmica? Si se supone que la movilidad no se modifica, ,c6mo se logra la misma comparacién para un campo de 5 V/em? (La energfa de exceso es = 1/2 m'v}, donde vg es la velocidad de deriva.)178 — Capitulo 4 Transporte y propiedades épticas en semiconductores Problema 4.3 Demuestre que la energia promedio ganada entre colisiones es donde F es el campo eléctrico aplicado. Si las energias del “fondn dptico” en el GaAs y en el Si son 36 meV y 47 meV, y las movilidades son 8 000 cm2/V-s y 1 400 cm?/V-s, respectivamente, {cuales son los campos eléctricos para los que puede comenzar una emisién de fonén éptico’ Problema 4.4 La movilidad del electron en el Si a 300 K es de 1 400 cm’V-s, Calcule la trayectoria libre media y la energfa ganada en una trayectoria libre media en un campo eléctri- co de 1 kV/em. Suponga que la trayectoria libre media = v, - Tay donde v, es Ia velocidad térmica del electrén (vj, ~ 2.0 x 10 cm/s). Problema 4.5 La movilidad de los electrones en el material InAs es de ~ 35 000 cm?/V-s 2 300 K en comparaci6n con una movilidad de 1 400 cm?/V-s para el silicio. Calcule los tiem- pos de dispersién en los dos semiconductores. Utilice et apéndice B para la informacién de ‘masa de portador. Problema 4.6 Aplique las relaciones velocidad-campo para el Si y el GaAs para calcular el tiempo de trénsito de los electrones en una regién de 1.0 jm para un campo de 1 kV/cm y 50 kV/em, Problema 4.7 La velocidad de los electrones en el silicio permanece en ~ 1 x 10? cm-s entre 50 kV/cm y 200 kV/cm. Estime los tiempos de dispersion en estos dos campos eléctricos. Seccion 4.3 Problema 4.8 La salida de potencia de un dispositive depende de un voltaje méximo que el dispositivo pueda tolerar antes que los portadores generados por la ionizacién por impacto Heguen a ser significativos (digamos, un 10% de portadores en exceso). Considere un disposi- tivo de longitud £ sobre el cual un potencial V decae uniformemente. ,Cual es el voltaje maxi- ‘mo que puede ser tolerado por un dispositivo de Si y otro de diamante para L = 2 yim y L = 0.5 Lim? Utilice los valores de los campos eriticos dados en el apéndice B. Problema 4.9 Un electrén en un dispositivo de silicio se inyecta en una regién donde el campo es de 500 kV-cmr!, La longitud de esta regién es de 1.0 rm. Caicule ef mimero de eventos de ionizacién por impacto que ocurren para el electrén incidente. Problema 4.10 Enel problema9, si se inyecta un hueco bajo las mismas condiciones, ;cudntos eventos de ionizacién ocurriran para el hueco incidente? Problema 4.11 En el GaAs la ionizacién por impacto comienza a ser significativa para los electrones si el campo eléctrico es de 350 kV/cm, Calcule la probabilidad de filtracién cudintica (efecto tunel) Zener para este campo. Estime el campo eléctrico donde la probabilidad de filtracién cudmtica Zener se aproxime a 10°,4.13 Problemas 179 Problema 4.12 Aplique los datos del apéndice B, y estime si la ionizacién por impacto o el efecto tine! dominan la ruptura en el Ing s;Gap.7A+ Seccién 4.4 Problema 4.13 En una muestra de silicio a 300 K, la concentracién de electrones decae linealmente desde 10'S cm hasta 10'S cm” sobre una longitud de 2.0 sim. Calcule la densidad de corriente debida a la corriente de dispersion del electrén. Emplee los valores de dispersion constante dados en este capitulo. Problema 4.14 En una muestra de GaAs, se sabe que la concentracién de electrones varia linealmente. Se encuentra que la densidad de la corriente de difusién a 300 K es de 100 A/em? Calcule la pendiente de la concentracién de electrones. Seccién 4.5 Problema 4.15 En una muestra de GaAs los electrones se mueven bajo un campo eléctrico de 5 kV-cm y la concentracién de portadores es uniforme a 10'° cm~, La velocidad del electron es la velocidad saturada de 10” cm/s, Calcule la densidad de corriente de deriva. Si una corriente de difusin debe tener la misma magnitud, calcule el gradiente de concentracién necesario. Suponga un coeficiente de difusién de 100 cm/s, Seccién 4.6 Problema 4.16 Identifique los diversos semiconductores (incluso aleaciones) que pueden utilizarse para emisién Iuminosa a 1.55 jim, Recuerde que la emisién de luz ocurre a una energia cercana a la banda de separacién, Problema 4.17 Por medio de las expresiones dadas en el texto, grafique el coeficiente de absorcién para el GaAs y el InP. Problema 4.18 Calcule el tiempo de recombinacién 1, electrén-hueco para una aleacién de HgCdTe que tiene una banda de separaci6n de 0.1 eV, El elemento de matriz,del momento es el mismo que para el GaAs. Seccién 4.7 Problema 4.19 En una muestra de GaAs a 300 K, se inyectan idénticas concentraciones de electrones y huecos. Si la densidad de portadores es 1 10" cm, calcule los niveles de Fermi del electrén y el hueco mediante las aproximaciones de Boltzmann y de Joyce-Dixon. Problema 4.20 En un GaAs de tipo p adulterado a N, = 10'* cm, se inyectan electrones para producir una concentracién de portador minoritario de 10'° em, ;Cudl es ta tasa de