Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Primero calculamos K
ID ( ON ) 10 mA A
K= 2
= 2
=0.15 x 10−3 2
( VGS ( ON ) −VT ) ( 10−2 ) V
Como, VGS=VDD-IDxRD=15-IDxRD
ID=K (VGS−VT )2
Sustituyendo valores de VGS concluimos:
VGS=VDD−IDxRD=15−4.33e-3∗3000=2.01V
1. Podemos concluir que el mosfet por su gran velocidad de conmutación presenta una gran
versatilidad de trabajo; podemos reemplazar dispositivos como el Jfet.
2. Para que circule corriente en un MOSFET d canal N, una tensión positiva se debe aplicar en
la compuerta. Así los electrones del canal N y el drenaje D son atraídos a la compuerta G y
pasan por P.
3. Gracias ala delgada capa de oxido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay
corriente por la compuerta, esta es contralada por la tensión aplicada a la compuerta.