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2.

2 DIELÉCTRICOS

En la sección anterior, hemos visto que la propagación de la luz en los medios puede describirse por el índice de
refracción complejo. Sin embargo, el índice de refracción complejo en sí mismo se determina a partir de la
polarización dieléctrica generada en un medio. La polarización dieléctrica representa el fenómeno de que los
campos eléctricos externos separan las cargas eléctricas en un medio espacialmente. En general, los medios que
muestran una gran polarización dieléctrica se denominan dieléctricos. Por otro lado, los metales muestran una
polarización dieléctrica bastante débil porque los campos eléctricos aplicados a los metales conducen a flujos de
corriente. En esta sección, revisaremos los fenómenos de polarización en dieléctricos y discutiremos los procesos de
propagación de la luz con más detalle. Además, esta sección relacionará el índice de refracción complejo con la
constante dieléctrica.

2.2.1 POLARIZACIÓN DIELÉCTRICA

Cuando se aplica un campo eléctrico a un medio, las cargas positivas y negativas en el medio reciben fuerzas
eléctricas en la dirección opuesta. Sin embargo, en dieléctricos, las cargas eléctricas no pueden moverse libremente
ya que los átomos, por ejemplo, están unidos por fuertes enlaces químicos. Sin embargo, en presencia del campo
eléctrico, las distribuciones espaciales de las cargas positivas y negativas se modifican ligeramente y se separan en
regiones que son más positivas y negativas eléctricamente. Este fenómeno se conoce como polarización dieléctrica.
Como se muestra en la figura 2.7, existen varios tipos de polarización dieléctrica. La polarización más importante
para la caracterización de semiconductores es la polarización eléctrica que se muestra en la figura 2.7 (a). En la
visión clásica, los electrones cargados negativamente en un átomo están fuertemente unidos a un núcleo atómico
cargado positivamente con resortes. La polarización eléctrica ocurre cuando los campos eléctricos distorsionan las
posiciones de los electrones y el núcleo en direcciones opuestas. Por otro lado, los cristales iónicos que incluyen
NaCl consisten en iones eléctricamente positivos y negativos. En consecuencia, la distorsión de carga se produce en
los cristales iónicos por campos eléctricos externos, similar a la polarización eléctrica. Esto se llama polarización
atómica o polarización iónica [Fig. 2.7 (b)]. Como se muestra en la Fig. 2.7 (e). Los átomos de hidrógeno y oxígeno
en las moléculas de H, O se cargan debido a la diferencia en la electronegatividad. Cuando se aplica un campo
eléctrico a dicha molécula, la orientación

de la molécula está alineada a lo largo de la dirección del campo eléctrico. La polarización dieléctrica generada por
este efecto se conoce como polarización orientativa. Cuando H se incorpora a un sólido como Si-H, no se produce
polarización orientativa y solo se produce polarización atómica, ya que el átomo de Si no puede moverse libremente.
Un par de cargas eléctricas generadas por polarización dieléctrica se conoce como el dipolo eléctrico. Como se
muestra en la figura 2.7 (d), sea q y and la carga eléctrica de un dipolo eléctrico y la distancia entre el par cargado,
respectivamente. En este caso, el momento dipolar viene dado por

A partir de la suma del momento dipolar por unidad de volumen, la polarización dieléctrica P se escribe como

El campo eléctrico E está definido por un vector cuya dirección es de una carga positiva a una carga negativa. En
contraste, la polarización dieléctrica P está definida por un vector cuya dirección es de la carga negativa a la carga
positiva, como se muestra en la figura 2.7 (d).

2.2.2 CONSTANTE DIELÉCTRICA La magnitud de la polarización generada dentro de un dieléctrico se expresa por la
permitividad o constante dieléctrica. Para definir físicamente la permitividad. considere un condensador de placa
paralela que se muestra en la figura 2.8. En esta figura, un dieléctrico

En medio entre los dos electrodos del condensador y se aplica un campo eléctrico de CA al condensador. Cuando el
medio entre los electrodos es el vacío, el campo eléctrico E en el condensador viene dado por

La ecuación anterior representa la ley de Gauss para condensadores. En la ecuación (2.40), ɛ 0, es la permitividad de
espacio libre que se muestra en la Tabla 2.1 y D es la densidad de carga superficial del condensador. En
electromagnetismo, D se llama desplazamiento eléctrico (D tiene la misma unidad de C / m²). Eq. (2.40) muestra
que E es proporcional a D en el electrodo.

Cuando hay un dieléctrico entre los electrodos, el campo eléctrico externo induce polarización dieléctrica dentro del
dieléctrico por inducción electrostática. En este caso, el campo eléctrico E dentro del condensador se expresa por

donde ɛp, es la permitividad del medio dieléctrico. Mediante la inserción del dieléctrico, el campo eléctrico dentro
del condensador se reduce ya que generalmente ɛ p> ɛ0. Por ejemplo, la permitividad del vidrio es ɛ, ~ 2ɛ 0. Por lo
tanto, cuando el vidrio se introduce en el condensador, la densidad del campo eléctrico se reduce a la mitad, en
comparación con el caso del vacío, como se muestra en la figura 2.8. Como se confirma en la figura 2.8, las cargas
superficiales en los electrodos contribuyen a generar E o P. Por consiguiente, si usamos la polarización dieléctrica P,
el campo eléctrico dentro del dieléctrico puede escribirse como

En general, se utiliza la permitividad relativa o la constante dieléctrica relativa expresada por la siguiente ecuación:

En los campos ópticos, sin embargo, ɛ simplemente se llama constante dieléctrica y también lo seguiremos en este
libro. De las ecuaciones. (2.41) - (2.43), la constante dieléctrica ɛ viene dada por

donde x se conoce como la susceptibilidad dieléctrica .Se puede ver en la ecuación. (2.44)
que ɛ aumenta a medida que aumenta la polarización dieléctrica y la susceptibilidad.

Como se muestra en la figura 2.8, cuando el campo eléctrico de ac se aplica al condensador,


la polaridad de las cargas superficiales en los electrodos varía con el tiempo. Por lo tanto, los dipolos eléctricos
inducidos dentro del dieléctrico también varían con el tiempo y el campo externo variable en el tiempo acelera las
cargas de los dipolos eléctricos continuamente. Cuando las cargas de los dipolos eléctricos se aceleran, los dipolos
eléctricos irradian ondas electromagnéticas. Este fenómeno es idéntico al principio de la radiación sincrotrón, en el
cual las ondas electromagnéticas se producen acelerando las partículas cargadas [1]. En particular, la radiación de
ondas electromagnéticas de los dipolos eléctricos se conoce como radiación dipolo eléctrica. La figura 2.9 muestra el
proceso de radiación de una onda electromagnética por radiación dipolo eléctrica. Ahora suponga que el campo
eléctrico de CA que se muestra en la figura 2.9 (a) se aplica externamente al condensador. Como se muestra en las
Figs. 2.9 (b) y (c). las cargas positivas y negativas se atraen en direcciones opuestas y se generan campos eléctricos
entre estas cargas. Como se muestra en la figura 2.9 (e), el dipolo eléctrico desaparece cuando el campo eléctrico
externo es cero y los campos eléctricos creados por el dipolo eléctrico se convierten en círculos cerrados. En
consecuencia, la aceleración continua del dipolo eléctrico conduce a la radiación de la onda electromagnética que se
muestra en la Fig. 2.9(g). Se puede ver en la Fig. 2.9 que la frecuencia de la onda electromagnética irradiada desde el
dipolo eléctrico es idéntica a la del campo de CA externo

Como discutimos en la figura 2.4, el campo eléctrico de las ondas de luz (ondas electromagnéticas) es un campo
eléctrico de corriente alterna con forma sinusoidal. Por lo tanto, cuando la luz avanza hacia un medio, se produce la
misma radiación dipolo eléctrica. La figura 2.10 (a) ilustra el proceso de propagación de la luz cuando se tiene en
cuenta la radiación de luz del dipolo eléctrico. La radiación dipolo eléctrica en esta figura corresponde a la
observada cuando miramos hacia abajo la Fig. 2.9 (g) desde la parte superior. Como se muestra en la figura 2.10 (a),
el campo eléctrico de la luz acelera los dipolos eléctricos del medio y las ondas de luz que tienen la misma frecuencia
que la luz incidente se irradian desde los dipolos eléctricos. Como las longitudes de onda de la luz son bastante
grandes, en comparación con el espaciado atómico, siempre podemos encontrar el mismo átomo a una distancia
igual a A desde la superficie. Por lo tanto, las ondas de luz emitidas desde cada átomo se superponen de manera
constructiva y se propagan en el medio como la onda de transmisión única. Esto es consistente con el conocido
principio de Huygens en el que una onda de propagación se expresa mediante la superposición de ondas esféricas
irradiadas desde la superficie que actúan como fuente de luz puntual [Fig. 2.10 (b) I. En la figura 2.10 (a). las ondas
de luz radiadas están representadas por semicírculos, similares a
Figura 2.9 Radiación dipolo eléctrica en un dieléctrico: (a) un campo eléctrico de CA externo aplicado al dieléctrico y
(b)–(f) el comportamiento de un dipolo eléctrico cuando se aplica el campo eléctrico externo de 1–5 in (a) .

Figura 2.10 a) Proceso de propagación de la luz en un dieléctrico y b) propagación de la luz de acuerdo con el
principio de Huygens. En (a), los átomos se muestran con el intervalo de la longitud de onda de luz y otros átomos no
se ilustran. En (b), st muestra una distancia a la que la luz viaja con una velocidad s durante una t de tiempo.

El principio de Huygens, ya que las ondas radiadas también se propagan hacia atrás si son completamente esféricas.
Como hemos discutido en la sección anterior, la velocidad de propagación de la luz disminuye en un medio que tiene
un alto índice de refracción. Podemos entender este efecto más fácilmente si consideramos el fenómeno de que la
radiación de luz secuencial del dipolo eléctrico disminuye la velocidad de propagación de la luz (ver Sección 5.2.2

Esto implica que la velocidad de propagación se vuelve más lenta en dieléctricos con valores altos de ɛ ya que los
dipolos eléctricos se crean más fácilmente en estos dieléctricos. En consecuencia, existe una estrecha relación entre
la constante dieléctrica y el índice de refracción. De las ecuaciones de Maxwell para conductores (ver Apéndice 3).

El índice de refracción complejo se define como

En la ec. (2.45) ɛ es un número complejo y la constante dieléctrica compleja está definida por

Para la definición de N = n + ik. la constante dieléctrica compleja se define por (ver Apéndice 2).
De las ecuaciones. (2.45) y (2.46). obtenemos

Se puede ver en la ecuación. (2.47) que y ɛ2, = 0 cuando no hay absorción de luz (k = 0). En este caso,
ɛ1, los valores se hacen más grandes al aumentar n. Por otro lado, si usamos la constante dieléctrica compleja, el
índice de refracción complejo viene dado por From k en la ecuación. (2.48b), el coeficiente de absorción a también
se puede obtener usando la ecuación. (2.36)

A partir de k en Eq. (2.48b), el coeficiente de absorción α también se puede obtener utilizando Eq. (2.36).

2.2.3 FUNCIÓN DIELÉCTRICA

Hasta ahora, hemos tratado ɛ como un número complejo único. Sin embargo, ɛ observado en mediciones reales
varía significativamente de acuerdo con la frecuencia angular w de la luz incidente. La figura 2.1 muestra la parte
real ɛ1, y la parte imaginaria ɛ 2, de la constante dieléctrica compleja, representada en función de la frecuencia
angular de la luz (log ω ). Cuando la frecuencia angular es bastante baja, el valor de ɛ 1 está representado por la
constante dieléctrica estática ɛs. Este ɛs incluye las contribuciones de las polarizaciones atómica y eléctrica. Como se
muestra en la Fig. 2.7, en el modelo clásico. La polarización dieléctrica es descrita por oseilación de resortes. Así.
cuando la frecuencia angular del incidente
Figura 2.11 Parte real ɛ1 e imaginaria parte ɛ2 de la compleja constante dieléctrica, trazada en función de la
frecuencia angular del registro de luz (log ω).

de luz coincide con una frecuencia oscilatoria del resorte, se produce una oscilación resonante y la luz es absorbida
por el medio. Es obvio por la ecuación. (2.47b) que es proporcional a k, que representa la absorción de luz. En
consecuencia, los picos ɛ, en la figura 2.11 muestran que la luz se absorbe en regiones específicas correspondientes a
las frecuencias resonantes de los resortes. La oscilación resonante para la polarización atómica se observa
generalmente en la región infrarroja. mientras que la oscilación resonante para la polarización eléctrica ocurre en la
región UV / visible. Por otra parte. La polarización orientativa absorbe las ondas electromagnéticas en la región de
microondas. En hornos de microondas, la absorción de microondas de las moléculas de H2O se utiliza como sistema
de calentamiento.

A frecuencias angulares más altas que la región infrarroja, la oscilación del resorte de la polarización atómica no
puede seguir la oscilación de la luz entrante, y la polarización atómica desaparece. En consecuencia, el valor ɛ 1, se
reduce al valor de la constante dieléctrica de alta frecuencia ɛ. Cuando la frecuencia angular se incrementa aún más.
la polarización eléctrica tampoco puede seguir la oscilación de la luz. y finalmente & alcanza el valor en el vacío (ɛ, =
1). En consecuencia. La constante dieléctrica compleja de los medios varía según la respuesta de frecuencia de la
polarización dieléctrica. Esta respuesta dieléctrica para frecuencia angular o energía de fotones es

referido como la función dieléctrica o dispersión dieléctrica. En la figura 2.11, la función dieléctrica cerca de la
frecuencia de resonancia se ha mostrado usando el modelo de Lorentz (ver Sección 5.2.1). Sin embargo, las
funciones dieléctricas observadas en los experimentos generalmente exhiben estructuras bastante complicadas en
las que se superponen varios osciladores resonantes (ver Fig. 5.11). En los cristales de Si y Ge que no tienen
ionicidad, observamos ɛs = ɛ∞ ya que no hay polarización atómica. En tales casos, solo se usa el valor de ɛ.
Cuando hay electrones y agujeros libres en un medio, estos portadores libres absorben la luz. En metales o
semiconductores que tienen una alta concentración de portadores, observamos la función dieléctrica indicada por
las líneas punteadas en la figura 2.11. La absorción del portador libre aumenta a frecuencias angulares más bajas y
los valores de ɛ se vuelven negativos a frecuencias más bajas que la frecuencia angular de plasma ω p ,. Discutiremos
la absorción del portador libre con mayor detalle en la Sección 5.2.5.

La figura 2.12 muestra y se representa gráficamente en función de la banda prohibida Eg, de cristales
semiconductores [4]. Como se muestra en esta figura, ɛ se reduce casi linealmente al aumentar la banda prohibida.
Además, ɛ, también muestra una tendencia similar [4]. Clásicamente, la tendencia observada se puede explicar de la
siguiente manera. En general, la banda prohibida de los materiales se hace más grande cuando los átomos
constituyentes tienen menos electrones y, por lo tanto, tienen energías de enlace más altas. En los semiconductores
compuestos III-V, por ejemplo, el intervalo de banda aumenta en el orden GaSb <GaAs <GaP. Sin embargo, la
polarización eléctrica se vuelve más pequeña en un medio que tiene menos electrones, ya que la polarización
eléctrica es esencialmente inducida por la distorsión de los electrones en los átomos. A partir de estos efectos,
podemos entender la reducción en ɛ con el aumento de banda prohibida cualitativamente.