TRABAJO DE INVESTIGACION FORMATIVA

Wide-bandgap semiconductor
Cristhian Intilima Sanga Caranqui (382)
Cristhian.sanga@espoch.edu.ec

RESUMEN

Los recientes avances en el desarrollo han permitido que la tecnología de semiconductores de silicio (Si) se
acerque a los límites teóricos del material de Si; sin embargo, los requisitos de dispositivos de alimentación
para muchas aplicaciones de electrónica de potencia se encuentran en un punto en que los actuales dispositivos
de alimentación basados en Si no pueden manejar. Los requisitos incluyen voltajes de bloqueo más altos,
frecuencias de conmutación, eficiencia y confiabilidad. Para superar esta limitación, se necesitan nuevos
materiales semiconductores para aplicaciones de dispositivos de potencia. Los semiconductores de banda ancha
como el carburo de silicio (SiC), el nitruro de galio (GaN) y el diamante, con sus propiedades eléctricas
superiores, son candidatos para reemplazar el Si en el futuro cercano para estos requisitos de alta potencia.
Entre estos, SiC es el precursor como el único semiconductor de banda ancha con varios dispositivos de
potencia disponibles comercialmente. Este documento nos hará entender su funcionamiento y comparará todos
los semiconductores de banda ancha mencionados anteriormente con respecto a su aplicabilidad y promesa
para futuras aplicaciones.
.

ABSTRACT

Recent development advances have allowed silicon (Si) semiconductor technology to approach the theoretical
limits of the Si material; however, power device requirements for many utility applications of power electronics
are at a point that the present Si-based power devices cannot handle. The requirements include higher blocking
voltages, switching frequencies, efficiency, and reliability. To overcome this limitation, new semiconductor
materials for power device applications are needed. Wide band gap semiconductors like silicon carbide (SiC),
gallium nitride (GaN) and diamond, with their superior electrical properties are likely candidates to replace Si
soon for these high-power requirements. Among these, SiC is the forerunner as the only wide band gap
semiconductor with several commercially available power devices. This paper compares all the above-
mentioned wide bandgap semiconductors with respect to their applicability and promise for utility applications
and predicts the future applications.

I. INTRODUCCIÓN La investigación y el desarrollo de materiales de banda ancha

Los semiconductores de banda ancha (también conocidos
como semiconductores WBG o WBGS) son materiales
semiconductores que tienen un intervalo de banda
relativamente grande en comparación con los semiconductores
convencionales. Los semiconductores convencionales como el
silicio tienen un intervalo de banda en el rango de 1 a 1.5
electronvoltios (eV), mientras que los materiales de intervalo
ancho de banda tienen intervalos de banda en el rango de 2-4
eV.[1] Generalmente, los semiconductores de banda ancha
tienen propiedades electrónicas que se encuentran entre las de
los semiconductores y aislantes convencionales.[2]
Los semiconductores de banda ancha permiten que los
dispositivos funcionen a voltajes, frecuencias y temperaturas
mucho más altos que los materiales semiconductores
convencionales como el silicio y el arseniuro de galio. Son el
componente clave utilizado para fabricar LED y láseres verdes
y azules, y también se utilizan en ciertas aplicaciones de
radiofrecuencia, especialmente radares militares. Sus
cualidades intrínsecas los hacen adecuados para una amplia
gama de otras aplicaciones, y son uno de los principales
contendientes para dispositivos de próxima generación para
uso general de semiconductores.
van a la zaga de los semiconductores convencionales, que han
recibido una gran inversión desde la década de 1970. Sin
embargo, sus claras ventajas inherentes en muchas aplicaciones,
combinadas con algunas propiedades únicas que no se
encuentran en los semiconductores convencionales, han
generado un interés creciente en su uso en dispositivos
electrónicos cotidianos para reemplazar el silicio. Su capacidad
de manejar densidades de energía más altas es particularmente
atractiva para los intentos de seguir obedeciendo la ley de
Moore, ya que las tecnologías convencionales parecen estar
alcanzando una meseta de densidad.[3]
PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES DE
BANDA ANCHA
Los materiales semiconductores de banda ancha tienen
características eléctricas superiores en comparación con el Si.
Algunas de estas características están tabuladas para los
semiconductores de banda ancha más populares y Si en la
Tabla I.
 TABLA I
Características físicas del Si y la banda ancha principal
semiconductores.

6 4 Usando (1), los voltajes de ruptura de los diodos hechos de

Property S Ga H- H- G Diamo
i As a nd los materiales en la Tabla I se calculan asumiendo la misma
SiC SiC
N densidad de dopaje, y los resultados se representan en la Fig. 1
Bandgap, normalizados al voltaje de ruptura de un diodo de Si. Como se
1 1.4 3. 3. 3. 5.45
Eg ve en esta figura, el voltaje de ruptura teórico de un diodo de
. 3 0 2 4
(eV)
1 3 6 5
diamante es 514 veces mayor que el de un diodo de Si. Este
2 número para 6H-SiC, 4H-SiC y GaN es 56, 46 y 34 veces el de
un diodo de Si, respectivamente. Tenga en cuenta que, con un
Dielectric
constant,  1 13. 9. 1 9 5.5 campo de descomposición eléctrica más alto, se puede aplicar
1
r
1 1 6 0. más dopaje al material, lo que aumentará aún más la brecha
. 6 1 entre los límites de voltaje de ruptura superior de los
9 semiconductores de banda ancha en comparación con el Si.
Electric
Breakdo 3 40 2 2 2 10000
wn 0 0 5 2 0
Field, 0 0 0 0
Ec 0 0 0
(kV/cm)
Electron
Mobility 1 85 50 1 1 2200
0
, n 5 00 0 2
(cm2/Vs 8
0 0 5
) 0
0 0 0
Hole
Mobility, 6 40 1 1 8 850
p (cm2/Vs) 0 0 0 1 5
0 1 5 0
Thermal
1 0.4 4. 4. 1. 22
Conductivi
. 6 9 9 3
ty,
5

(W/cmK) Fig. 1. Voltaje de ruptura máximo de un dispositivo de potencia
Saturated con la misma densidad de dopaje normalizado a Si
Electron 1 1 2 2 2. 2.7
Drift 2 Otro parámetro a destacar en la Tabla I es la conductividad
Velocity,
vsat
térmica. Cuanto mayor es este parámetro, mejor el material
(107 conduce el calor a su entorno, lo que significa que la
cm/s) temperatura del dispositivo aumenta más lentamente. Esta es
una propiedad útil, especialmente para la capacidad de
   r  o where o=8.851012 F/m operación de mayor temperatura de un dispositivo. Diamond
aún lidera los otros materiales cinco veces con los politipos de
SiC como el mejor material siguiente. GaN tiene la peor
Entre todos estos semiconductores, el diamante tiene el conductividad térmica, incluso más baja que Si.
intervalo de banda más amplio; en consecuencia, también
tiene el mayor campo de avería eléctrica. Los politipos de SiC
Para una mejor comparación de los posibles rendimientos
y GaN tienen valores similares de banda prohibida y campo
electrónicos de potencia de estos materiales, algunas figuras de
eléctrico que son significativamente más altos que Si y GaAs.
mérito comúnmente conocidas se enumeran en la Tabla II. En
Los semiconductores con bandas más anchas pueden
esta tabla, los números se han normalizado con respecto al Si, y
funcionar a temperaturas más altas; por lo tanto, los
cuanto mayor sea el número, mejor será el rendimiento del
dispositivos de energía de diamante tienen la capacidad de
material en la categoría correspondiente. La figura de los
operar a temperaturas ambiente más altas que los otros
valores de mérito para el diamante son al menos 40-50 veces
materiales. Además, un campo de ruptura eléctrica más alto
más que cualquier otro semiconductor en la tabla. Los politipos
da como resultados dispositivos de energía con voltajes de
de SiC y GaN tienen cifras similares de mérito, lo que implica
ruptura más altos. Por ejemplo, el voltaje de ruptura de un
rendimientos similares.
diodo se expresa en [1] de la siguiente manera:
TABLA II
Principales cifras de mérito para semiconductores de
banda ancha en comparación con Si
[2]
 S G 6H- 4H- GaN Diam dispositivos de alimentación de Si, la eficiencia del
i a SiC SiC ond accionamiento de tracción en un vehículo eléctrico híbrido
As (HEV) aumenta en 10 puntos porcentuales, y el disipador
JFM 1 1.8 277. 215.1 21 81000 térmico requerido para el accionamiento se reduce a un tercio
. 8 5.1 del tamaño original. En [4], sin embargo, se considera una
0 fuente de alimentación de CC donde, además del aumento de la
BF 1 14. 125. 223.1 18 25106 eficiencia, la disminución de las pérdidas, el tamaño y el
M . 8 3 6.7 volumen del disipador térmico, también se consideran los
0
efectos del aumento de la frecuencia de conmutación. Los
FSF 1 11. 30.5 61.2 65. 3595 resultados han demostrado que a medida que aumenta la
M . 4 0
0
frecuencia de conmutación, los tamaños de los componentes
pasivos, que incluyen el transformador y los componentes del
BSF 1 1.6 13.1 12.9 52. 2402
M . 5
filtro, disminuyen proporcionalmente.
0 GaN
FPF 1 3.6 48.3 56.0 30. 1476 Las aplicaciones de los dispositivos GaN se centran en los usos
M . 4 de optoelectrónica y radiofrecuencia debido a su banda
0
prohibida directa y su rendimiento de alta frecuencia,
FTF 1 40. 1470 3424. 1973 530445 respectivamente. Sin embargo, como se vio en la Sección II,
M . 7 .5 8 .6 9
GaN también tiene potencial para aplicaciones de electrónica
0
de alta potencia. En los últimos años, se han publicado algunos
BPF 1 0.9 57.3 35.4 10. 594
. 7
artículos en la literatura sobre diodos Schottky GaN de alto
M
0 voltaje. La comparación de los diodos Schottky GaN con los
BTF 1 1.4 748. 458.1 56 142671
diodos SiC Schottky y Si pn con voltajes de bloqueo similares
M . 9 0.5 1 muestra una ventaja de rendimiento del diodo GaN Schottky
0 similar al SiC en comparación con el diodo Si pn, como una
corriente de recuperación inversa insignificante y, en
JFM : Johnson’s figure of merit FPFM : FET power consecuencia, una menor pérdida de conmutación que es
is a measure of the ultimate high handling capacity figure independiente de La temperatura de funcionamiento. Se ha
frequency capability of the of merit demostrado que la velocidad de conmutación y las pérdidas de
material.
FTFM : FET un diodo Schottky GaN son ligeramente mejores que las de
BFM : Baliga’s figure of merit is power switching diodos SiC de clasificación similar [5]. Por otro lado, debido a
a measure of the specific on- product su banda ancha más amplia, la caída de voltaje directo del
resistance of the drift region of a
BPFM : Bipolar power diodo Schottky de GaN es mucho mayor que los diodos Si pn y
vertical FET
handling capacity SiC Schottky.
FSFM : FET switching speed figure of merit
figure of merit
BTFM : Bipolar En la literatura, se han demostrado hasta 2000V [6] diodos
BSFM : Bipolar switching power switching
speed figure of merit
GaN Schottky y hasta 6000V [7] diodos GaN pn; sin embargo,
product
también se han demostrado 4,9 kV [4] diodos SiC Schottky y
19,2 kV diodos pn. Estas cifras muestran cuán avanzada es la
SiC tecnología SiC en este punto en comparación con la tecnología
La tecnología SiC es la más madura entre los otros GaN. Además, tiene algunas desventajas en comparación con
semiconductores de banda ancha. Ha avanzado mucho desde SiC. El primero es que no tiene un óxido nativo, que se
1987 con la fundación de CREE Inc., que es el principal requiere para los dispositivos MOS. SiC usa el mismo óxido
proveedor de obleas de SiC. Los problemas de procesamiento que Si, SiO2. Para GaN, se están realizando más estudios para
de materiales pendientes, como micropipetas y dislocaciones encontrar un óxido adecuado; sin él, los dispositivos GaN MOS
de tornillo, limitan el tamaño de la matriz, pero estos no son posibles. El segundo problema importante es que, con la
problemas no han detenido la comercialización de los tecnología actual, las bolas de GaN no se pueden cultivar; por
primeros dispositivos de alimentación de SiC, diodos lo tanto, las obleas GaN puras no están disponibles; en cambio,
Schottky con el doble de voltaje de bloqueo (600 V) que los las obleas GaN se cultivan en zafiro o SiC [8]. Incluso
diodos Si Schottky (300 V). Además de los dispositivos entonces, los sustratos gruesos de GaN no están disponibles
comerciales, se están investigando muchos otros dispositivos comercialmente. Como consecuencia, las obleas GaN son más
de alimentación de SiC en el rango de kV con resistencias de caras que las obleas SiC.
encendido reducidas, como diodos 4H-SiC y 6H-SiC PiN, DIAMANTE
diodos Schottky, IGBT, tiristores, BJT, varios MOSFET,
GTO, MCT y MTOs. Sin embargo, a excepción de algunos de El diamante muestra el mejor rendimiento teórico como se
los diodos, los dispositivos informados son todos dispositivos muestra en la Sección II, con varias mejoras en cada categoría
experimentales con clasificaciones de corriente muy bajas. El en comparación con cualquier otro semiconductor de banda
uso de la electrónica de potencia de SiC en lugar de los ancha. Sin embargo, sus problemas de procesamiento aún no se
dispositivos de Si dará como resultado beneficios a nivel del han resuelto. Después de varios años de investigación, SiC
sistema como pérdidas reducidas, mayor eficiencia y tamaño todavía tiene problemas de procesamiento debido a las altas
y volumen reducidos. Como se muestra en [2-3], cuando los temperaturas requeridas en el proceso; El diamante es un
dispositivos de alimentación de SiC reemplazan a los material más duro y necesita temperaturas aún más altas para el
procesamiento, y todavía no se ha realizado tanta
investigación sobre su procesamiento.
En la literatura, el diamante se usa en sensores y dispositivos
de emisión de campo. No hay dispositivos de energía
disponibles todavía.
Power Electronics, 2nd Edition, John Wiley & Sons
Inc., New York, 1995.
[8] B. Ozpineci, L. M. Tolbert, S. K. Islam, and Md.
Hasanuzzaman, "Effects of Silicon Carbide (SiC)
Power Devices on PWM Inverter Losses," The 27th

II. CONCLUSIONES
Concluyendo podríamos decir que la tecnología de
dispositivos de alimentación SiC es mucho mejor y más
avanzada que la tecnología GaN, además de ser líder en
investigación y comercialización. La ligera mejora que
proporciona GaN sobre SiC podría no ser suficiente para
cambiar de marcha y usar GaN en lugar de SiC. SiC es el
mejor material de transición adecuado para dispositivos de
energía actuales y futuros.
Los semiconductores de banda ancha tienen la oportunidad
de cumplir con los exigentes requisitos de nuevas
tecnologías o diferentes servicios. Si bien el diamante tiene
las mejores propiedades eléctricas, la investigación sobre su
aplicación solo se encuentra en sus etapas preliminares. Sus
problemas de procesamiento son más difíciles de resolver
que cualquiera de los otros materiales; sin embargo,
probablemente será un material importante para dispositivos
de energía en 20 a 50 años. Mientras tanto, debe haber un
material de transición.
Los dispositivos de energía GaN y SiC muestran ventajas
similares sobre los dispositivos de energía Si. Las
propiedades intrínsecas de GaN son ligeramente mejores que
las de SiC; sin embargo, no hay obleas de GaN puras
disponibles y, por lo tanto, GaN necesita cultivarse en obleas
de SiC.

REFERENCIAS

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[1] Yoshikawa, A. (2007). "Desarrollo y aplicaciones de

semiconductores de banda ancha". En Yoshikawa,
A.; Matsunami, H.; Nanishi, Y. (eds.). Semiconductores
de banda ancha. Saltador. pags. 2. ISBN 978-3-540-
47235-3.

[2] Shen, Shyh-Chiang. "Investigación y desarrollo de

dispositivos de banda ancha en SRL" . Laboratorio de
investigación de semiconductores del Instituto de
Tecnología de Georgia . Consultado el 3 de septiembre
de 2014.

[3] Gallagher, Sean (09 de junio de 2016). "Un aplazamiento

para la Ley de Moore: el chip milspec escribe el próximo
capítulo de informática" . Ars Technica.

[4] A. K. Agarwal, s. S. Mani, S. Seshadri, J. B. Cassady,

P. A. Sanger, and C. D. Brandt, N. Saks, “SiC
Power Devices,” Naval Research Reviews, vol. 51,
no. 1, 1999, pp. 14-21.
[5] http://www.eeenet.org/figs_of_merit.asp
[6] K. Shenai, R. S. Scott, and B. J. Baliga, “Optimum
semiconductors for high power electronics,” IEEE
Transactions on Electron Devices, vol. 36, no. 9,
September 1989, pp. 1811-1823.
[7] N. Mohan, T.M. Undeland, and W. P. Robbins,