Modulo IGBT:

Un módulo del transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) está construido de uno o más
dispositivos IGBT. Los IGBT son apreciados por su eficacia en los sistemas electrónicos y
frecuencias de alta de conmutación. A menudo, estos módulos se pueden diseñar para manejar
cientos de amperios y tensiones que pueden superar los 1000 V, que es una capacidad
extremadamente alta de potencia. Alcanzar esta potencia alta requiere más de un transistor y los
módulos son una combinación de esto y otro circuito.

Los dispositivos IGBT son un tipo de unión entre las dos principales tecnologías de transistores:
transistores de efecto de campo y transistores de unión bipolar. Están construidos con una
compuerta aislada como se vería en un FET, pero la estructura del transistor restante se asemeja
más a un transistor bipolar, con un emisor y colector para el flujo principal de corriente a través
del dispositivo. Esto le permite exhibir las ventajas disponibles a ambas tecnologías,
específicamente una alta capacidad de amperaje como un BJT y una alta impedancia de entrada y
otras características de compuerta positiva.

Debido a que se utilizan como dispositivos de conmutación, son de uso frecuente en

amplificadores que utilizan modulación de ancho de pulso y filtros que eliminan las frecuencias
altas. Esto incluye amplificadores estéreo de alta potencia y suministros de energía en general.

Modulo Diodo:

Los módulos de diodos desacoplan fuentes de alimentación conectadas en paralelo. De esta

forma, un cortocircuito ya no afecta a la carga. Ya sea en la salida de una de las unidades de red o
en la línea de alimentación de la unidad de red al diodo: los módulos de diodos proporcionan
seguridad de alimentación absoluta en la fuente de alimentación.
Modulo Tiristor Diodo:

Los módulos de potencia aislados con tiristores y diodos son el formato más utilizado en la
industria de los semiconductores de potencia gracias a su facilidad de montaje, elevado
aislamiento y rápida sustitución en caso de avería.

Modulo Tiristor:

Los módulos de tiristor son dispositivos que suelen disponer de uno o más tiristores y también
pueden incluir otros dispositivos semiconductores, como diodos. Disponen de una placa base
eléctricamente aislada que permite el montaje con otros componentes en un disipador común.
Esto simplifica la instalación del sistema, el embalaje y la refrigeración.

Los módulos de tiristor funcionan como interruptores y se activan cuando una corriente constante
alcanza un nivel establecido. Siguen conduciendo (permanecen encendidos) hasta que se invierte
la tensión en el dispositivo. Estos módulos están compuestos por capas alternas de
semiconductores de tipo p y n (positivo y negativo) formados en cuatro capas de material
semiconductor. Se han diseñado para aplicaciones de control de potencia de corriente media y
alta y son sinónimo de dispositivos controlados con silicio. Los módulos de tiristor pueden alternar
en secuencia repetitiva grandes cantidades de potencia, con valores altos de tensión y corriente.

Modulo DIP-CIB:

Diseñado para control de motor de baja potencia (0.4kW – 3.7kW) a un voltaje de línea de 400V
AC

• Paquete de molde de transferencia doble en línea compacto sin plomo

• Cambio de nivel integrado usando 1200V HVIC

• Funciones de protección: control de alimentación bajo bloqueo de voltaje (UV), protección

contra cortocircuitos (SC)

• Lógica de entrada altamente activa compatible con la interfaz 3-15V de un DSP / MCU

• Adecuado hasta 15kHz de frecuencia PWM

• Tensión de aislamiento 2500Vrms.

• Topología de emisor abierto para un fácil control vectorial

• Corrientes nominales que van desde 5 A a 25 A con un voltaje nominal de 1200 V

• Como una herramienta de evaluación fácil y rápida para 1200V DIP-IPM, hay disponible una
placa de evaluación personalizada (EVBPS22056). Esta placa de evaluación también es compatible
con la placa de demostración para la gama Mini DIP IPM 600V

Modulo Tiristor Antiparalelo:

Son un tiristor controlador de CA para frecuencia de línea. El diseño del tiristor proporciona el
aislamiento eléctrico entre la placa base del módulo y las piezas sujetas a la construcción de
módulos multicapa convencionales de voltaje mediante la técnica DCB (Direct Copper Bonding).
Los contactos de la base del módulo están disponibles en volumen con dos enchufes dobles
estandarizados para los terminales de control de la puerta y el cátodo auxiliar.

Cobre directo unido a Al2O3-cerámico

Excelente estabilidad a largo plazo de corrientes de bloqueo y tensiones de bloqueo

Chip pasivado planar