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Universidad de Sevilla
Asignatura: Diseño de Circuitos y Sistemas Electrónicos
Amplificadores Operacionales y
Transconductores
Antonio Torralba
INDICE
Contenido
Problema 1. ....................................................................................................................... 3
Problema 2. ....................................................................................................................... 7
Problema 3 ...................................................................................................................... 16
Problema 4 ...................................................................................................................... 23
Problema 5 ...................................................................................................................... 26
Problema 6 ...................................................................................................................... 29
Problema
1.
En el amplificador en fuente común de la figura, el transistor M2 trabaja en zona
óhmica. Se pide:
1) Aplicando el método de las constantes de tiempo de Gray, determinar la
frecuencia de -3dB.
2) Determinar una expresión aproximada para la frecuencia del primer polo
parásito admitiendo que, en las cercanías del mismo, la admitancia de la
capacidad de salida es prácticamente infinita, y aplicando de nuevo el
método de las constantes de tiempo de Gray sobre el circuito resultante.
DATOS: Transistores
gm (mA/V) 1
IBIAS M1 100
CBIAS rds (KOhm)
vO M2 1
M1 15
Cgs (fF)
M2 8
vIN rin M1 1
Cgd (fF)
M2 8
M1 Csb (fF) 40
Cdb (fF) 25
CL
CL (pF) 5
rin (KOhm) 180
M2 CBIAS (fF) 20
TIEMPO : 60 minutos
gm1 (va-vb)
vb
gds2
c) Para la capacidad C2
vo
gds1
- gm1 vb
vb
gds2
τ ≈ gm1 rin rds1 Cgd1 + rin Cgs1 + rds2 C2 + rds1 ( 1 + gm1 rds2) (C1 + CL) =
18 * 10 -9 + 2700 * 10-12 + 73 * 10-12 + 1090 * 10-9 ≈ 1111 * 10-9 s
vi rin va
Cgd1
gds1
τ ≈ rin Cgd1 + [ 1+ rin (gds1 + gds2) ] / (gm1 + gds1 + gds2) Cgs1 + 1 / (gm1 +
gds1 + gds2) C2 ≈ rin Cgd1 + rin gds2 / (gm1 + gds2) Cgs1 + 1 / (gm1 + gds2) C2 =
180 * 10 -12 + 1350 * 10-12 + 36.5 * 10-12 = 1567* 10-12 s
Problema
2.
El diagrama de Bode de la figura se corresponde con un amplificador operacional en
bucle abierto que presenta las siguientes características: Ganancia DC = 10000.
Primer polo p1 = 5 kHz. Segundo polo p2 = 1 MHz. Capacidad de compensación Cc =
0.5 pF. No tiene ningún cero ni ningún polo parásito adicional.
Figura 1
Figura 2.
Figura 3.
Apartado 2
Cc(pF) = p1 (MHz) =
p2 (MHz) = fta (MHz) =
Apartado 3
MF (grados) = ft (MHz) =
Apartado 4
¿Qué le pasa al Bode del sistema realimentado en lazo cerrado en
altas frecuencias?
SOLUCIÓN
Pintar las CURVAS 1 y 2 identificando las mismas.
CURVA 1
CURVA 2
CURVA 1
CURVA 2
Figura 2
CURVA 4
CURVA 3
CURVA 4
CURVA 3
Figura 3.
Apartado 4
¿Qué le pasa al Bode del sistema realimentado en lazo cerrado en
altas frecuencias?
para frecuencias altas (Aβ << 1) tiende a A (nótese que A, en este
caso, es el amplificador con las compensaciones (capacidad y
resistencia) determinadas en los apartados 2 y 3. Por eso, en
magnitud, las curvas 3 y 4 son idénticas para frecuencias elevadas,
excepto por el factor β que multiplica a la curva 3).
EXPLICACIÓN:
u y
A
x
donde
10 4
A= (1)
⎛ s ⎞ ⎛ s ⎞
⎜ 3
+ 1⎟ ⎜ 6
+ 1⎟
⎝ 2π ⋅ 5 ⋅ 10 ⎠ ⎝ 2π ⋅ 10 ⎠
y β = 1/10. La ganancia del sistema realimentado en bucle abierto viene dada por
A β, y tiene el mismo Bode que A con 20 dB menos de magnitud. Por tanto,
Figura 2. Diagrama de Bode del sistema realimentado en lazo abierto (CURVA 1).
⎛ ω ⎞ ⎛ ω ⎞
− arct ⎜ 3 ⎟
− arct ⎜ 6 ⎟
= −135o (2)
⎝ 2π ⋅ 5 ⋅ 10 ⎠ ⎝ 2π ⋅ 10 ⎠
No obstante, dada la separación entre polos, es fácil ver que el desfase es de 135º
en el segundo polo, es decir, para ω = 2 π 106 rad/s.
10 4 !10 "1
A! = = 3.53 (3)
2 2
# 2" !10 6 & # 2" !10 6 &
1+ % 3(
1+ % 6(
$ 2" ! 5!10 ' $ 2" !10 '
Por tanto, hay que poner una capacidad de compensación de 3.53 * 0.5 = 1.77 pF.
para que la frecuencia de ganancia unidad pase a ser ωta = 2 π 106 rad/s ( fta = 1
MHz).
El nuevo Bode es una copia del anterior retrasando el primer polo desde 5 a 5/3.53
kHz (figura 3).
Figura 3. Diagrama de Bode del sistema compensado con MF de 45º (CURVA 2).
⎛ s ⎞
10 4 ⋅ 10 −1 ⋅ ⎜ 6
+ 1⎟
Aβ = ⎝ 1.2 ⋅ 2π ⋅ 10 ⎠ (4)
⎛ ⎞
⎜ ⎟
⎜ s ⎛ s ⎞
3
+ 1⎟ ⎜ 6
+ 1⎟
⎜ 5 ⋅ 10 ⎟ ⎝ 2π ⋅ 10 ⎠
⎜ 2π ⋅ ⎟
⎝ 3.53 ⎠
⎛ ⎞
⎜ ⎟
2π ⋅ f t ⎟ − arct ⎛⎜ 2π ⋅ f t ⎞⎟ + arct ⎛⎜ 2π ⋅ f t ⎞⎟ = 84.81o (5)
MF = 180 − arct ⎜
⎜ 5 ⋅ 10 3 ⎟ ⎝ 2π ⋅ 10 ⎠
6 6
⎝ 1.2 ⋅ 2π ⋅ 10 ⎠
⎜ 2π ⋅ ⎟
⎝ 3.53 ⎠
Figura 4. Diagrama de Bode del sistema en lazo abierto compensado más cero (CURVA 3).
Para trazar su diagrama de Bode (figura 5), basta con observar que, para
frecuencias muy bajas (donde Aβ >> 1) tiende a 1/β = 10 (es decir, 20dB y 0o de
desfase), mientras que para frecuencias altas (Aβ << 1) tiende a A (nótese que A,
en este caso, es el amplificador compensado con la capacidad de compensación
determinada en el apartado 3. Por eso, en magnitud, las curvas 3 y 4 son idénticas
para frecuencias elevadas, excepto por el factor β que multiplica a la curva 3).
Problema
3
1) Dibujar
un
par
diferencial
con
carga
activa,
un
par
diferencial
con
carga
activa
cascodo,
un
par
diferencial
con
carga
activa
cascodo
con
aumento
de
ganancia
(gain-‐boosting)
y
un
amplificador
de
dos
etapas
(donde
cada
etapa
tiene
una
carga
activa
simple).
2) Para
los
circuitos
anteriores,
se
pide:
ganancia
de
pequeña
señal
(Av)
y
resistencia
de
salida
(rout)
en
función
de
la
transconductancia
(gmi)
y
resistencia
de
salida
(roi)
de
los
transistores
(Mi)
en
baja
frecuencia.
3) Suponiendo
que
la
carga
es
capacitiva
(con
valor
CL),
dibujar
en
la
misma
figura
el
diagrama
de
Bode
de
los
diferentes
amplificadores
(magnitud
y
fase),
poniendo
de
relieve
los
posibles
problemas
de
estabilidad
que
pueden
aparecer
cuando
el
amplificador
correspondiente
se
realimenta
con
ganancia
unitaria,
y
sugiriendo
una
solución
al
problema
(si
es
que
tal
problema
existe).
4) Para
el
amplificador
realimentado
de
la
figura,
donde
el
amplificador
AMP
tiene
una
ganancia
Aa
y
una
resistencia
de
salida
roa,
determinar
la
ganancia
en
bucle
abierto
(AOL)
del
amplificador
realimentado
y
su
factor
de
realimentación
(β).
Teniendo
en
cuenta
el
tipo
de
realimentación
resultante,
determinar
la
ganancia
y
resistencia
de
salida
del
amplificador
realimentado.
Si
las
resistencias
R1
y
R2
son
de
10
kΩ
cada
una,
teniendo
en
cuenta
valores
típicos
de
transconductancia
(1mA/V)
y
resistencia
de
salida
(10
kΩ)
de
transistores
MOS
en
tecnologías
modernas,
¿cuál
de
las
topologías
escogería
para
el
amplificador
AMP,
y
por
qué?.
Hacer
todos
los
cálculos
para
baja
frecuencia.
Si
fuera
necesario,
suponer
una
ganancia
de
10
para
el
amplificador
de
aumento
de
ganancia
del
cascodo.
Para
dibujar
las
figuras
suponer
que
todos
los
transistores
tienen
similares
valores
de
transconductancia
(gmi)
y
resistencia
de
salida
(roi).
SOLUCIÓN
1) Las
figuras
1
a
4
muestran
los
esquemáticos
VBP M3 M4 VBP M3 M4
IB IB
a) b)
Fig. 1. a) Par diferencial simple con carga activa. b) Par diferencial simple con carga activa
(versión unipolar).
VBP M3 M4 VBP
VBP M9 M10 VBP
VCP VCP
M7 M8
vOUT+ vOUT-
VCP VCP
VCN M5 M6 VCN M5 M6
vOUT+ vOUT-
vIN+ vIN- vIN+ vIN-
M1 M2 M1 M2 M7 M8
VCN VCN
VBN M3 M4 VBN
IB IB
a) b)
Fig. 2. a) Par diferencial cascodo telescópico. b) Par diferencial cascodo plegado.
Fig. 3. a) Par diferencial cascodo con aumento de ganancia (gain-boosting). b) Par diferencial cascodo
plegado con aumento de ganancia (gain-boosting)
VBP VBP
M5 M3 M4 M6
vOUT+ vOUT-
CC CC
vIN+ M1 M2 vIN-
VBN VBN
M7 M8
IB
a)
Fig. 4. Amplificador diferencial de dos etapas
Nótese que, en el amplificador de dos etapas, la primera etapa es un par diferencial simple con
carga activa. La segunda etapa podría ser otro par diferencial, pero como en la segunda etapa no
hace falta eliminar el modo común porque lo ha eliminado ya la primera etapa, se prefiere
poner como segunda etapa un amplificador en fuente común.
Nótese que la ganancia del amplificador de dos etapas es el producto de las ganancias de cada
una de las etapas..
pd = par diferencial
Desplazamiento polo pc = par diferencial cascodo
de = amplificador dos etapas
dec = 2 etapas compensado
Apc BC = bucle cerrado
Ade
Apd
Adec
ApdBC=1/Beta
f
Apc Apd MFpd=90
º
MFpc=90
-90º º
f
Adec Ade
-90º
MFdec=45º
MFde=0º
-180º
suponer
que
tienen
un
único
polo
situado
en
la
salida.
En
todos
los
casos
la
pulsación
de
ese
polo
tiene
el
valor
p1
=
1/(rout
CL),
donde
sustituiremos
rout
por
la
resistencia
de
salida
correspondiente
al
amplificador
deseado.
Bajo
esta
suposición
es
interesante
observar
que
el
producto
ganancia-‐ancho
de
banda
(GBW
=
Av
*
p1
=
gm2
/
CL)
de
los
tres
amplificadores
diferenciales
es
el
mismo.
En
efecto,
al
pasar
de
par
diferencial
simple
a
par
diferencial
cascodo,
y
luego
a
cascodo
con
aumento
de
ganancia,
la
ganancia
dc
del
amplificador
va
aumentando
exactamente
en
el
mismo
factor
en
el
que
la
posición
del
polo
dominante
va
disminuyendo,
por
lo
que
el
producto
GBW
permanece
constante.
Sin embargo, el caso es distinto para el amplificador de 2 etapas, que tiene dos polos
relativamente próximos: uno de ellos se encuentra en el nodo de salida, cuya pulsación es p2 =
1/((ro6||ro8) CL), y el otro se encuentra en el nodo intermedio, cuya pulsación viene dada por p3
= 1/((ro2||ro4) CPI), donde CPI es la capacidad parásita del nodo intermedio. En la práctica (salvo
para capacidades de carga muy elevadas) los dos polos están próximos y es necesario colocar
una capacidad de compensación CC rodeando a la segunda etapa que haga dominante el polo
intermedio aprovechando la multiplicación de capacidad que resulta del efecto Miller.
En la figura 5 se muestran superpuestos los diagrama de Bode del par diferencial (pd), par
diferencial cascodo (pc), amplificador de dos etapas (de) y amplificador de dos etapas
compensado (dec), en bucle abierto. También se muestra la ganancia en bucle cerrado de los
pares diferenciales con una red de alimentación β. En las gráficas inferiores se muestra el
margen de fase para una realimentación unitaria, que es el peor caso.
Aplicando ecuaciones:
!!" − !! !!"# − !!
+ =0
!! !!
−!! !! − !!"# !! − !!"#
+ =0
!"! !!
despejando:
!! !! − !"! !! !!
!!"# = −!!" − !
!"! + !! !! + !! !! !"#
donde:
!! !! !!"! !! !
! = −!!" , ! = !!"# , !!" = !"! !!! !! !!!
y ! = !! (1)
!
Dos consideraciones:
1. Hay
una
forma
muy
fácil
de
calcular
el
factor
de
realimentación
β
para
un
amplificador
realimentado.
Si
la
ganancia
en
lazo
abierto
del
amplificador
es
infinita,
ACL
=
1/β.
Si
el
amplificador
operacional
del
enunciado
fuera
ideal
ACL
=
R2/R1.
Por
tanto,
de
forma
inmediata
β=R1/R2)
2. La
ganancia
del
amplificador
sin
realimentar
ASR
no
es
igual
a
Aa.
3. Si
hubiéramos
procedido
de
una
manera
aproximada
asumiendo
que
es
un
amplificador
serie
(tensión)
–
paralelo
(tensión)
hubiéramos
obtenido
el
amplificador
sin
realimentar
equivalente,
incluyendo
la
carga
de
la
red
de
realimentación
en
el
circuito
de
entrada
y
de
salida.
El
circuito
de
entrada
se
obtiene
suponiendo
que
la
impedancia
de
salida
del
amplificador
es
cero
y
el
circuito
de
salida
suponiendo
que
la
impedancia
de
entrada
del
amplificador
es
infinito.
Esto
nos
hubiera
dado
el
circuito
equivalente
de
la
figura,
cuya
ganancia
en
lazo
abierto
se
aproxima
a
ASR
sólo
cuando
roa
<<
R1
,
R2
,
recordándonos
que
el
circuito
sin
realimentar
equivalente
obtenido
de
esta
manera
es
sólo
una
aproximación.
vin R vout
1 roa
R2 vx R1+R2
Aavx
Si queremos ahora comparar los amplificadores, nos basta con sustituir los valores de ganancia
(nuevamente en valor absoluto, ya que Aa se ha supuesto positiva) y de resistencia de salida de
cada amplificador para conocer la ganancia y resistencia en bucle cerrado para cada uno de las
topologías de amplificador. Haciendo los cálculos correspondientes:
Cascodo
Amplificador Simple Cascodo Aumento Dos Etapas
Ganancia
roa (kΩ) 5 50 500 5
Aa (= -Av) 5 50 500 25
ASR 1.5 3.75 4.4118 8.1667
ACL 0.6 0.7895 0.8152 0.8909
routCL (kΩ) 2 10.5263 92.3907 0.5454
Problema
4
Una forma clásica de compensar un amplificador operacional de dos etapas se basa
en la capacidad Miller entre las salidas de la primera y segunda etapa. Sin embargo,
este método introduce un cero en el semiplano real positivo, que debe eliminarse (o
desplazarse) mediante una resistencia serie. Otro método de compensación, debido a
Ahuja [1], introduce un buffer unidireccional alimentando a la capacidad de
compensación, de esta manera se elimina el camino directo de alta frecuencia entre
las salidas de la primera y segunda etapa, origen del cero anterior. El esquema del
circuito de compensación se muestra en la figura 1.
I2 I3
I1
vo
vin- vin+ 2
M1 M2 M5 CC
VBIAS
1 CL
M3 M4 M6
I2
Buffer Unidireccional
de corriente
Figura 1. Esquema de compensación de un opamp de dos etapas de Ahuja [1]
Suponer todas las fuentes ideales, despreciar el efecto sustrato y las capacidades
parásitas puerta-drenador de los transistores. Llamar R1 a la resistencia equivalente en
el nodo 1 y C1 a la suma de todas las capacidades parásitas en ese nodo. Llamar Ro a
la resistencia equivalente en el nodo de salida y Co a la suma de todas las
capacidades parásitas en ese nodo (sin incluir CL ni CC). Se pide:
I2
1 2
2
M5 iC
iC
VBIAS
I2
Nota: Este método tiene la ventaja adicional de proporcionar mejor PSRR en alta
frecuencia que la compensación Miller. Como desventaja, requiere más transistores y
mayor consumo. No obstante, si la carga de la primera etapa es cascodo, este método
de compensación puede realizarse sin añadir elementos adicionales (figura 3)
I1 I3
vin- vin+
M1 M2
Mc1 Mc2
CC
VCASC vo
M3 M4 M6 CL
[1] B.K. Ahuja, “An improved frequency compensation technique for CMOS operational
amplifiers,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 18, no. 6, Dec. 1983, pp. 629-633.
Solución
1. Modelo equivalente de pequeña señal ignorando las capacidades parásitas
puerta-drenador y sustituyendo el buffer de corriente por el modelo de la figura
2.
v1 vo
gm1 vid ic
R1 C1 ic R2 C2+CL CC
gm1 va
Suponiendo todas las fuentes ideales, e ignorando las capacidades parásitas del
buffer de corriente
R1 = ro2 || ro4 C1 = Cdb2+Cdb4+Cgs6
R2 = ro6 C2 = Cdb6
Problema
5
El circuito de la figura es un OTA con espejos de corriente. Se pide (90 minutos):
1. Determinar la expresión de la ganancia de tensión Av = vo / (vin1-vin2) en función
de los parámetros de pequeña señal (transconductancia y resistencia de
salida) de los transistores del circuito y, a partir de la misma, obtener Av en
función de B , IB, y las constantes tecnológicas y de los parámetros de los
transistores (W y L) teniendo en cuenta que:
! 2!! !"
!" = 2!
!! = ! !" =
! !!"" !!
Siendo k (kp, kn) y EE (Ep, En) constantes de la tecnología (diferentes para los
transistores p y n) e IQ la corriente de polarización del transistor
correspondiente.
2. Asumiendo que el polo dominante se encuentra en el nodo de salida (como
cabe esperar), determinar el producto ganancia-ancho de banda GBW en
función de B, IB, las constantes tecnológicas, los parámetros de los transistores
(W y L) y las capacidades de ese nodo.
3. El circuito tiene dos nodos parásitos. El primero en el nodo 4 (y 5) y el segundo
en el nodo 6. Como el nodo 6 sólo afecta a la mitad de la señal, es fácil
comprobar que, además del correspondiente polo parásito, introduce un cero al
doble de la frecuencia del polo (lo que se llama un doblete). Se pide determinar
una expresión aproximada para el Margen de Fase del amplificador en función
de B, IB, las constantes tecnológicas, los parámetros de los transistores (W y L)
y las capacidades de cada uno de los nodos. Suponer que los nodos y ceros
parásitos se encuentran a una frecuencia muy superior a GBW.
4. Admitiendo que el Slew Rate (SR) del amplificador está limitado por el nodo de
salida, determinar una expresión aproximada para el SR en función de B, IB, las
constantes tecnológicas, los parámetros de los transistores (W y L) y las
capacidades de ese nodo.
5. Recordando que la densidad espectral de ruido de un transistor MOS (referida
a su puerta) es, aproximadamente 8 kB T / (3 gm), siendo kB la constante de
Boltzman y T la temperatura absoluta, obtener la expresión del ruido
equivalente a la entrada del OTA en función de B, IB, las constantes
tecnológicas y los parámetros de los transistores (W y L).
B : 1 B : 1
4 5
M5 M3 M4 M6
7
vIo
6 vIN1 M1 M2 vIN2
1 3 2 CL
IB
M7 M8
1 : 1
SOLUCION
1. Ganancia de pequeña señal.
siendo Cp7 la capacidad parásita del nodo de salida, Cp7 ≈ Cdb6 + Cdb8
! ! ! ! ! !!
!!
!!!!""! !!!
= !!!!!
, siendo Cp4 la capacidad parásita del nodo 4, Cp4 ≈ Cdb1 + Cdb3
+ Cgs3 + Cgs5 + Cgd5 Av46 , donde Av46 es la ganancia de tensión entre los nodos 4 y 6.
Como se anunciaba en el enunciado, hay un cero parásito asociado a ese nodo que se
encuentra a doble frecuencia zp6 = 2 fp6.
Como los nodos y ceros parásitos se encuentran a frecuencias elevadas con respecto a
GBW, podemos suponer que la frecuencia de ganancia unidad es, aproximadamente,
GBW. Entonces, el margen de fase vendrá dado por:
!"# !"# !"#
!" = 90º − !"#$!% + !"#$!% − !"#$!% = 90º −
!!! !!! !!!
!! ! ! ! !!! ! ! ! !!! 1 ! ! ! !!!
!"#$!% ! + !"#$!% ! − !"#$!% !
!! ! ! ! ! + !!!
! ! ! !
! ! + ! !! 2 ! ! ! ! + !!!
!
4. Slew Rate
La máxima corriente de salida es BIB, por lo que el Slew-Rate viene dado por la
expresión:
B IB
SR =
CL + C p7
Dado que las fuentes de ruido son blancas e incorreladas, la densidad espectral
equivalente a la entrada del ruido total vendrá dada por:
2 2 2
⎧⎪ ⎛ gm ⎞ 2 1 ⎡⎛ gm ⎞ 2 ⎛ gm 7 ⎞ 2 ⎤ ⎫⎪
v = 2 ⎨v n21 + ⎜⎜ 4
2
ni
⎟⎟ v n 4 + 2 ⎢⎜⎜ 6 ⎟⎟ v n 6 + ⎜⎜ ⎟⎟ v n 7 ⎥ ⎬ =
⎪⎩ ⎝ gm1 ⎠ B ⎢⎝ gm1
⎣ ⎠ ⎝ gm1 ⎠ ⎥⎦ ⎪⎭
⎧⎪ ⎛ gm ⎞ 1 ⎡⎛ gm 6 ⎞ ⎛ gm 7 ⎞⎤ ⎫⎪ 2
2 ⎨1 + ⎜⎜ 4 ⎟⎟ + 2 ⎢⎜⎜ ⎟⎟ + ⎜⎜ ⎟⎟⎥ ⎬ v n1 = y ⋅ v n21
⎪⎩ ⎝ gm1 ⎠ B ⎣⎝ gm1 ⎠ ⎝ gm1 ⎠⎦ ⎪⎭
donde el factor y recibe el nombre de exceso de ruido y representa el factor por el que
hay que multiplicar la densidad espectral de ruido de uno de los transistores del par
diferencial de entrada para obtener la densidad espectral equivalente a la entrada del
ruido total.
Problema
6
1. El circuito de la figura 1 es un transconductor formado por un par diferencial
degenerado. Se pide determinar los valores del nivel de continua VIN y de la amplitud
MAX
máxima vin de la señal de entrada que permiten maximizar el rango disponible de
señal. (Para este apartado se puede suponer que el circuito es muy lineal, de manera
+
que la corriente iDM1 = IB/2 – Gm vin ). (Ver el apartado “Convenio de Símbolos al final
de esta hoja”). Tiempo: 30 minutos.
2. Cruzando las salidas dos transconductores simples (E y F) como el de la figura 1 se
construye un transconductor compuesto muy lineal (figura 2). Si se escogen los dos
transconductores con el mismo nivel de degeneración de fuente (es decir, nE = nF) y
una relación de 1.5 entre la tensiones efectivas de puerta de los transistores del par
diferencial de cada transconductor (es decir, VEFF,E / VEFF, F = 1.5), determinar la
relación entre las corrientes de polarización IE/IF que minimiza los factores de distorsión
armónica HD2 y HD3. Determinar también, para esa relación de corrientes de
polarización, la relación entre la transconductancia de gran señal (Gm) del transistor
compuesto y la transconductancia de gran señal del transconductor simple E (GmE); es
decir, determinar el cociente Gm / GmE. Suponer que se cumplen las condiciones de
polarización necesarias para el correcto funcionamiento de ambos transconductores
simples y que la entrada es un senoide diferencial y balanceada. Tiempo: 30 minutos
Nota: Ambos apartados son independientes entre sí
Tiempo total: 60 minutos (El resultado se entregará escrito sobre la hoja formulario).
Datos:
Tensión umbral de los transistores: VT = 0.4 V
Datos del circuito (figura 1):
- VDD = 1.8 V, R = 5 KΩ, IB = 200 µA,
- Para los transistores M1 y M2, la tensión efectiva de puerta en polarización
VEFF,M1 = VEFF,M2 = 0.25 V. (Nota: VEFF = VGS – VT).
SAT
- Para los transistores que implementan las fuentes de corriente, VDS =0.2V.
SAT
(Nota: VDS es el valor mínimo de su tensión drenador-fuente que los
mantiene en saturación. A nuestros efectos es la mínima tensión que debe
caer en una fuente de corriente para que funcione correctamente).
Expresiones útiles:
- Generales de un transistor MOS:
2
µ C' W
2I
(vGS − VT )2 = I D ⎜⎜ vGS − VT
⎛ ⎞
gm = D ; i D = n ox ⎟⎟
VEFF 2 L ⎝ VEFF ⎠
- Para el circuito de la figura 1.
2
i −i gm 1 ⎛ 2 v MAX ⎞
n = 1 + gm M 1 R ; Gm = O+1 O−2 = − M 1 ; HD3 = ⎜⎜ in ⎟⎟
v IN − v IN n 32 ⎝ n VEFF ⎠
- Para el circuito de la figura 2.
i+ − i−
Gm = +O O−
v IN − v IN
Convenio de símbolos:
Como viene siendo habitual en toda la asignatura:
- Los valores constantes (de continua o polarización) se representan por una letra en
mayúsculas con subíndice en mayúsculas. Por ejemplo, el valor de continua de la señal
de entrada es VIN.
- Las variaciones respecto al punto de continua (también llamados valores de pequeña
señal, aunque a veces no lo sean) se representan por una letra en minúsculas con
subíndice en minúsculas. Por ejemplo, vin.
- Los valores instantáneos (también llamados de gran señal) se representan por una letra
en minúsculas con subíndice mayúsculas. Por ejemplo, vIN.
Así, en nuestro caso en que la entrada de pequeña señal es una senoide pura de
MAX
amplitud vin
+ + MAX - - MAX
vIN = VIN + vin = VIN + vin sen ωt, y vIN = VIN + vin = VIN - vin sen ωt.
IB/2 IB/2
iO1 iO2
M1 M2
vIN+ vIN-
R vZ R
IB
(IE+IF)/2 (IE+IF)/2
iO- iO+
vIN-
vIN+ M1E M2E M1F M2F
RE RE RF RF vIN+
IE IF
APARTADO 1
MAX
a. Expresar vZ en funciòn de VIN, vin y de las constantes del transistor y del circuito.
Ecuaciones de partida (son las igualdades anteriores, particularizadas cada una en su caso
más restrictivo):
Desarrollo:
MAX
vin = VIN =
APARTADO 2
Desarrollo
Componente
Fundamental
(Amperios)
Segundo armónico
(Amperios)
Tercer armónico
(Amperios)
Desarrollo:
IE / IF =
Gm / GmE =
APARTADO 1
MAX
a. Expresar vZ en funciòn de VIN, vin y de las constantes del transistor y del circuito.
⎛ i ⎞
v Z = v IN
+
− vGSM 1 − i DM 1 R = v IN
+
− ⎜VT + V EFF , M 1 DM 1 ⎟ − i DM 1 R
⎜ I DM 1 ⎟
⎝ ⎠
⎛ IB ⎞
⎜ − Gm v in+ ⎟ I
=v +
− ⎜VT + V EFF , M 1 2 ⎟ − ⎛⎜ B 2 − Gm vin+ ⎞⎟ R
IN
⎜ I DM 1 ⎟ ⎝ ⎠
⎝ ⎠
⎛ IB ⎞
⎜ − Gm v inMAX senωt ⎟ I
(
= V IN MAX
)
+ v in senωt − ⎜VT + V EFF , M 1 2 ⎟ − ⎛⎜ B 2 − Gm v inMAX senωt ⎞⎟ R
⎜ IB ⎟ ⎝ ⎠
⎝ 2 ⎠
Donde
gmM1 = 2 (IB /2) / VEFF,M1 = 0.8 mA/V , n = 1+gmM1 R = 5 y Gm = - gmM1/n = - 160 mA/V
Ecuaciones de partida (son las igualdades anteriores, particularizadas cada una en su caso
más restrictivo):
⎛ I B + Gm v MAX ⎞
⎜ ⎟ ⎛ I
(V −v MAX
)− ⎜VT + V EFFM 1 2 in
⎟ − ⎜ B 2 + Gm vinMAX ⎞ R = V SAT
IN in ⎟ DS
⎜ IB ⎟ ⎝ ⎠
⎝ 2 ⎠
V IN + vinMAX SAT
= V DD − V DS
Nótese que la condición más restrictiva se alcanza, en el primer caso, para el valor mínimo
+
de vin , mientras que en el segundo caso se alcanza para su valor máximo.
MAX
De las expresiones anteriores se obtiene una ecuación de segundo grado en vin cuya
solución es: (0.50714, 0.25675) V. De las dos soluciones la segunda es la única válida, por
lo que
MAX
vin = 0.25675 V VIN = 1.34325 V
APARTADO 2
Componente gm M 1, E gm M 1, F gm M 1, E − gm M 1, F
Fundamental 2 vinMAX − 2vinMAX = 2 vinMAX
(Amperios) nE nF n
0
Segundo armónico
(Amperios)
El segundo armónico es nulo por ser un circuito diferencial y
balanceado.
2 2
Tercer armónico 1 ⎛⎜ 2 vinMAX ⎞ gm M 1, E MAX 1 ⎛⎜ 2 vinMAX ⎞ gm M 1, F MAX
(Amperios)
⎟ 2 vin − ⎜ ⎟ 2vin
32 ⎜⎝ n E VEFF , E ⎟
⎠ nE 32 ⎝ n F VEFF , F ⎟
⎠ nF
2
El tercer armónico se anula para gmM1,E = gmM1,F (VEFF,E/VEFF,F) , de donde,
3
I E gm M 1, E VEFF , E ⎛ VEFF , E ⎞
= = ⎜ ⎟ = 3.375
I F gm M 1, F VEFF , F ⎜⎝ VEFF , F ⎟
⎠