CAPITULO II

Diodo semiconductor.- Se define como el resultado de la unión de un material

de tipo p con uno de tipo n, ello da lugar a lo que se llama un contacto
rectificante.

Contacto rectificante.- Es definido como el contacto entre 2 materiales y en el

cual la magnitud de la corriente depende del sentido que tenga la misma.
Contrariamente a lo que es un contacto rectificante mencionamos aquí lo que
es un:

Contacto óhmico.- son aquello contactos no rectificantes en los cuales el

potencial de contacto no depende de la magnitud ni de la dirección de la
corriente (y si es pequeña la corriente se puede considerar que todo el
potencial externo cae en la juntura)

FIG. 2.1

Unión p – n polarizada es sentido directo; pues el positivo de la fuente va al

lado p del material, si fuera en sentido inverso seria polarización inversa.
Juntura P-N.-

Al ponerse en contacto un material tipo “P” con otro de tipo “N”,

expontáneamente hay un flujo de huecos y electrones en la unión debido al
desequilibrio de concentraciones, los que originan alrededor de la juntura la
formación de iones (como se muestra en la fig. 2.2) y estos a su vez forman
una barrera de potencial como se explica a continuación.

De la ecuación de Poisson tenemos:

d 2 v −ρ
=
d x2 ε

Aplicando en la zona de transisión, que es el único lugar donde existen –

cargas netas e integrando se tiene:

−dv ρ
=E∫
dx ε

−dv =E d x

v=−∫ E d x

Finalmente:

v=−∫ E d x, donde:

Vext = Es el potencial eléctrico del medio.

ρ = densidad de carga

ε = permitividad eléctrica del medio

E= Campo eléctrico

v= Potencial de contacto o tensión de difusión (barrera de potencial).

 FIG. 2.2

SIMBOLOGÍAS Y CURVAS CARACTERÍSTICAS

SÍMBOLO

FIG. 2.3
DIODO IDEAL

FIG. 2.4

DIODO REAL.- Es regido por.

❑ v

∫ ¿ I 0 (e vt −1)
❑

Donde:

V= tensión externa (entre ánodo y cátodo)

Io= Corriente inversa de saturación

Vt= Voltaje dependiente de la temperatura = KT / e

Definiciones.-

a) Diodo ideal: este diodo es definido como un ente no físico. Satisface la

curva característica ideal y su estudio es el más simple. Para tensiones
directas es un corto circuito y para las inversas es un circuito abierto. No
presenta corriente inversa y esta exento de consideraciones físicas fuera
de su comportamiento ideal en un circuito.
La importancia del estudio de este dispositivo idealizado, es mayormente
pedagógico para introducir el concepto de diodo, y en algunos casos
para simplificar la resolución de circuitos en los que aparecen diodos
cuyas características se aproximen a la ideal.

Por ejemplo consideremos el circuito mostrado en la FIG. 2.6 ¿cuál es

el potencial Vo?, A y B son diodo ideales

FIG. 2.6

Solución

Podemos analizar cada una de las posibilidades donde llamaremos CC al corto

circuito eléctrico y CA al circuito abierto.

Luego tendríamos
 DIODO A DIODO B COMENTARIO CONCLUSION
CC CC Si A y B conducen al punto p No es posible
quedaría simultáneamente a -5Volt
y +5 Volt.
CC CA Si A esta en CC, V= 5 volts y en No es posible
esta posibilidad se dice que B esta
C.A. pero si aceptamos que v= -5
Volt entonces viendo la fig. 2.6.
observamos que hay la posibilidad
que B esta en C.A. luego esta
solución no es posible.
CA CC La corriente I será V/R y con el No es posible
signo positivo y con el único lugar
por donde iría a tierra serie por B
pero esta corriente iría de cátodo a
ánodo lo cual no es posible en
diodo.
CA CA NO HAY RESTRICCIONES ES Si es posible
POSIBLE

Luego la solución será: V0 = 10 Voltios

b. DIODO REAL: es definido como un diodo físicamente realizable su curva

característica de comportamiento difiere de la ideal por presentar pequeñas
corrientes inversas y al presentar caídas de tensión entre – ánodos y cátodos.

Calculo del potencial de contacto

 FIG. 2.7

Al ponerse en contacto un material tipo “tipo p” con uno tipo “n” se genera un potencial
en la zona de transición llamado potencial de contacto.

Como ya mencionamos anteriormente debido al campo eléctrico creado se genera una

corriente de desplazamiento de huecos en la zona p dada por.

Jh= e M h P E

También existe una corriente debida a la difusión dada por:

dp
|J´h|=e M h PE−e D h dx =0 de donde:

dp
Dh e M h PE … …
dx

Recordando que Vt = Dh I M h P E (Relación de Einstein) y sustituyendo en;

2.1. Se tiene:

Vt = dp = P E dx

dy dy
=−E … .. 2.2
dx VT

Pero – E dx = dv
 dp dv
Concluimos con - = … ….. 2.3
p VT

íes un vector unitario en la dirección de x

Integrando la expresión (2.3) desde X1 hasta X2 se tiene

P ( X2 ) V ( X 2)
dP dv
∫ =∫
P V (X ) V T
P ( X1 ) 1

1
¿ P ( X 2 ) +¿ P ( X 2 ) = (v ( X 2 ) −v ( X 1 ) )
vr

La expresión (2.5) también se puede escribir de la siguiente manera:

1
¿ P ( X 1 ) +¿ P ( X 2 ) = (v ( X 2 ) −v ( X 1 ) )
vT

Debemos ahora considerar los límites de (2.4) para restituirlos en la expresión

(2.6):

P ( X 1 ) =P po (Concentración en equilibrio de huecos en la zona p)

P ( X 1 ) =P no (Concentración en equilibrio de electrones en la zona p)

Para observar claramente estos resultados ver la figura (2.9)

V ( X 1 ) =0(Por convención)

V ( X 2 ) =v o (Potencial de contacto)

Estos dos últimos valores se aprecian claramente en la figura 2.8, llevando

estos límites a la expresión dada, se tendrá

1
¿ P po +ln Pno= ( v−0)
vT

Donde

¿( P ¿ ¿ po /Pno )=(v o / v t )¿
De (2.8) se pueden obtener las siguientes expresiones:

P po
V 0=v t Ln
P no

Si hubiéramos utilizado en la deducción la corriente de electrones (que a su

vez también tiene que ser cero) tendríamos como resultado:

Nno
V 0=V T Ln
N po

En donde

N no=¿¿ Concentración de electrones en equilibrio en el material n

N po=¿¿ Concentración de huecos en equilibrio en el material n

Despejando P po en (2.8) se tendrá:

P po=Pno exp vo /VT

Análogamente de (2.10) tendríamos

N no=N poexp vo /VT

A partir del diagrama de Bandas de energía también se puede calcular el

potencial V o (problema 2.1)

Cabe destacar que las ecuaciones obtenidas hasta este momento fueron
calculadas por el caso en que el diodo se encuentre sin polarización (es decir
sin ninguna tensión externa)
 FIG. 2.8

Mediante esta figura se aplica cualitativamente el efecto rectificante de una

juntura P-N

FIG. 2.9

Caso A) El diodo sin polarización

Barrera de potencial igual a Vo

 FIG. 2.10

Caso b: la barrera de potencial crece, hay mas oposición al flujo de

portadores. (La corriente es casi cero)

Caso c: La barrera de potencial decrece, hay menos oposición al flujo de

portadores (La corriente es bastante grande)

En la Fig 2.9 se muestra la distribución de concentraciones para el diodo sin

polarización. Supongamos que ahora se aplica un potencial externo se
modifica en la forma que se aprecia en dicha figura

Debido a la tensión externa (v) parte de los huecos de la zona p pasen a la

zona n dando origen a un incremento en la concentración de huecos P1−Pno
en x=0. Este incremento esta formado por los portadores excedentarios

Una situación exactamente análoga pasa para el caso de electrones pero en

sentido inverso

Luego en la ecuación (2.6) se tendrán los siguientes límites, en este caso (que
corresponde al diodo con polarización)
V ( x )=v 0 v
2

V ( x )=0
1

P( x )=P p 0
1

Si v > 0, debilita el potencial de contacto v 0 si es v < 0, lo refuerza

Ver figura 2.10

FIG. 2.10

Hacemos esa aproximación en la expresión (2.13) porque consideramos que la

cantidad de huecos que han pasado de la zona p a la zona n, son
despreciables comparado con el valor de P po es por esto que el valor de
P(x 1)

P(x 2)=P1 (ver figura 2.11)

Entonces

P( x 2)=P1 exp(¿ V 0−V )/ V T ¿

 vo
P po=P1 (exp −exp v /V )
vT T

Despejando P1 tenemos:

vo v
P1=P po 1 exp exp
vT vt

vo
Nótese que: P1=P po exp =Pno
vT

– vo
Restando de 2.12 el valor de P po exp = pno
VT

Restando de 2.12 el valor de Pno y reordenando se concluye que:

( P1−P no) =∆ p ( 0 )=P no ¿

Un procedimiento exactamente análogo al anterior, nos da el valor de N 1 que

viene dado por la siguiente expresión

V
N 1=N po exp
VT

También

( N 1−N po) =∆ N ( 0 ) =N po ¿

Aclaración: Estos resultados anteriores para N 1 que viene dado por la siguiente
expresión

V
N 1−N po exp
VT

También

( N 1−N no )=∆ N ( 0 ) =N po ¿

Aclaración: Estos resultados anteriores para N 1 y P1 son obtenidos teniendo en

cuenta la aproximación de Inyección en bajo nivel (ver ejemplo 2.2.)
FIG. 2.11
 DEDUCCIÓN DE LAS CARACTERÍSTICAS TENSIÓN – CORRIENTE DEL
DIODO SEMICONDUCTOR

FIG. 2.12

En el gráfico de la Fig 2.12 se muestra la forma cómo varía la concentración de

huecos en la zona n como una función de x´. Estos es P n(x´) y su función
viene dada por:

1
1 −x
Pn ( X )=Pn0 +∆ p ( 0 ) exp( ¿) ¿
Ln

El resultado de la expresión 2.18 puede ser aclarado por el lector observando

el resultado del ejemplo número (1) cap. I teniendo en cuenta que las causas
en este caso son diferentes, pero el efecto (resultado) en el mismo

Siguiendo con la deducción a continuación tenemos que la corriente de difusión

de huecos en el lado n del diodo es:

dPn
I pn ( X 1) =− AC D h
dx
1

−x 1 −I
I pn(x )=− AeD h ∆ P ( 0 ) exp
1 ( )
Lh L h

También

I
I pn(0)= Ae D h ∆ p ( 0 ) exp ( ¿ )¿
Lh

La causa del exceso de huecos (Inyección a bajo nivel) en el material tipo N es

el voltaje V aplicado
Sustituyendo la expresión (2.15) en (2.20) se obtiene

An Dh
I pn(0)= Pno ¿
Lh

La expresión 2.19 es la corriente de difusión de huecos que atraviesa la unión

hacia el lado n

Análogamente puede obtenerse la corriente de difusión de electrones en el

lado p del material ( I ¿¿ np)¿ que viene dado por:

I An Dh ¿
np ( x ´ ´ ) = p no
Lh

Lo que es lo mismo escribiendo

I Ae De V
np ( 0) = N po (exp −1)
Le VT

De acuerdo con la expresión (2.19) y la expresión (2.22) se puede graficar la

distribución de corriente a lo largo del diodo y es como se muestra en la Fig
2.13

FIG. 2.13
I= Corriente total que pasa por el diodo y como no existe ningún lugar por
donde la corriente se pueda ir o llegar a lo largo de x se aprecia que I debe ser
constante

Además en la Fig 2.13

I pp(x ´ ´)= Corriente de huecos en el lado p (corriente de arrastre)

I np(x ´ ´)= Corriente de electrones en el lado p (corriente de difusión)

I pn(x ´ ´)= Corriente de huecos en el lado n (corriente de difusión

A partir de la Fig 2.13 se observa que:

I =I pn(0) + I np(0)

Entonces de la expresión (2.21) y de la expresión (2.23) en 2.24 se obtiene

I =I 0 ¿

Donde

I Ae Dh Pno Ae D e N po
0=¿ + ¿
lN Le

Es la llamada corriente inversa de saturación

En la expresión (2.25) se tendrá que:

V
I ≅ I 0 exp si v>> V r
VT

V
I ≅ I 0 exp si v>> 0
VT

En la expresión (2.26) reemplazando Pno y N po por sus valores

Dh De
I 0= Ae ( + N
Lh N 0 L e N A i
2
)
Como

– v go
N 2i = A 0 T 3 exp
VT
 1
Además: D n y D e en realidad es proporcional a para el caso de un diodo de
T
Germanio

Por otro lado en el caso del silicio, la generación y recombinación de

portadores en la zona de carga espacial es considerable (en la deducción
anterior hemos considerado tácitamente que en la región de transmisión no se
produce ningún fenómeno, es decir que todos los huecos y del silicio difiere de
la deducida

Luego la ecuación general seria:

V
I =I 0 (exp )
nvT −1

Haciendo la siguiente distinción de acuerdo el tipo de material

Para el Germanio:

I 0=K 1 T 2 exp−VGo /VT

n=1

Vr=0.2 volt- tensión umbral

I0 es del orden de los µA

Para el Silicio

−vGO
I 0=K 2 T 1.5 exp
2 VT

n varia de 1a 2

Vr=0.6 v= tensión umbral

I0 es del orden de los nA

Una grafica de I 0 V s v será (curva característica del diodo)

 FIG. 2.14

DEPENDENCIA DE LA CARACTERÍSTICA i VS v CON LA TEMPERATURA

CASO DE LA CORRIENTE DE SATURACIÓN

La corriente de saturación viene dada por:

−Vgo
I 0=K T m exp
nVT

Donde:

K= es una constante

M y n = son constantes que dependen del material

Tomando logaritmo a la expresión (2.27) se tiene:

V GO
Ln I 0= Ln K +mL nT −
nV T

Derivamos la expresión (2.28) respecto a T y se tendrá:

(1)
d
dIo m V GO V T m V GO (−1)
= − = −
I 0 dT T n dT T n KT 2
e

i dIo m V CO
= +
I 0 dT T nV T T
1 dIo V GO I
I 0 dT
= m+ (
nVT T )
En (2.29) sustituimos valores y tenemos:

Para el silicio: m =1.5; n=2; VGO = 0.785 v y T =3000K

Luego
1 dIo 0.08 c−1 para el silicio
= T =
I0 d {
0.11 c−1 para el germanio }
En forma experimental se obtiene el siguiente valor:

1 dIo
( x
I 0 dT )
=0.07 C−1

Este resultado es el que usado en la práctica. Obsérvese que (1.07) 10 x 2 a

partir de esto se concluye que: (Problema 2.25)

I 0 se duplica aproximadamente por cada aumento en 10 oC de la temperatura

La razón de la diferencia entre los valores teóricos y el valor práctico se debe a

la existencia de corrientes de fuga superficiales independientes, que
contribuyen a I 0 (ver ejemplo 2.1)

¿CÓMO VARIA LA TENSIÓN DEL DIODO CON LA TEMPERATURA

MANTENIENDO CONSTANTE LA CORRIENTE?

Es decir, deseamos calcular la siguiente derivada parcial ( dTdv ) I =cte

Partimos de la ecuación características del diodo:

I =I 0 [ exp v/ n v /T −1 ]

Derivamos (2.32) respecto a T

dI dIo d v
=
dT dI
⌈ exp v/n v/T −1 ⌉ I 0 expv /n . v/ T ( )
dt n v T

Donde
d v dv 1 K 1
( )( )
dt nv T
=
dT nvT
−v n x
e n 2 v 2t[( ) ]
d v dv i 1
( )( )
dt nv T
=
dT nvT
−v
n vI T

dIo
0= [ expv /n v /T −1 ] + I 0 exp v/ n v/ T dv 1 v
[( ) ]
dT dT nV T nv T T

Como generalmente en polarización directa v >> V T podríamos decir:

exp v/ n V −1 ≅ exp v/ nV
T T

dv
A partir de (2.33) se puede despejar ( )
dT
I = cte.

dv N I dI
( )
dT
=nV +
[
− = 0
nTV T I 0 dT ]
I=cte

A partir de (2.29) conocemos que:

i dI 0 m V GO
x = +
I 0 dT T nT V T

Sustituyendo en la expresión (2.34) obtenemos finalmente

dv v−( v GO +mmV T )
=
dt T

Una grafica de i vs U será

 FIG. 2.15

En la grafica de la Fig 2.15 nos muestra la variación de V con la temperatura

Donde:

r2 > r 1

Sustituyendo valores numéricos en (2.35)

Con (T=300 oK y V > v)

mv

( dTdv ) I=constante =
{
−2.1
C
−2.3
para elGermanio
mv
C
para el silicio }
En la práctica se usa tanto el Ge como para el Si el siguiente valor:

( dTdv ) I=cte =-2.5 mV/oC

 RESISTENCIA DINÁMICA Y ESTÁTICA DEL DIODO

La ecuación del diodo es: I =I 0 ( expv /n v −1 )

T

Si definimos a:

r= resistencia dinámica o incremental

dv
r= =g−1
dI

Donde

dv
g= =g−1
dI

Donde:

dI
g= =conductancia dinamica
dv

Derivando la expresión de la corriente con respecto a V resulta, entonces la

conductancia

v
exp
v T I + Io
g=I 0 =
n vT nV T

La expresión (29) podemos escribirla como:

 I Q+ I 0
g( IQ. VQ)=
nVT

Como normalmente I Q > Io se puede aproximar

IQ
g=
nVT

APROXIMACIÓN LINEAL DE LA CURVA CARACTERÍSTICAS DE UN

DIODO SEMICONDUCTOR

(Modelo del Diodo) Valores típicos de r: puede variar desde unos cuantos
ohmios hasta algunos cientos de ohmios

La resistencia estática se define en un punto de operación Q llamado punto de

reposo o punto de operación como la relación siguiente
OTROS CIRCUITOS EQUIVALENTES MAS APROXIMADOS DEL DIODO
REAL

Según el tipo de señal (amplitud, etc) con la cual esté trabajando el diodo, se
podrá obtener un circuito equivalente más conveniente para cada caso

Así por ejemplo representamos a continuación tres modelos con sus curvas
características

Si el iodo trabaja con señales muy pequeñas alrededor de un punto Q se

puede aproximar a una resistencia igual a r (que viene a ser la inversa de la
pendiente en ese punto) como en el Modelo I. Si la señal se encuentra dentro
de un rango más amplio tenemos el Modelo 2. Si el diodo trabaja con señales
que se encuentran dentro de todo el rango de variación habría que considerar
un modelo más aproximado aun para evitar cometer mucho error en el análisis.
Por ejemplo podemos usar el modelo n3. En las partes b y c de la Fig 2.19 se
muestran los circuitos equivalentes de los modelos 1 y 2 ( es evidente que el
modelo n3 es mas exacto que el 2 y este a su vez más exacto que el 1)

CAPACIDADES INTERNAS EN EL DIODO SEMICONDUCTOR

DEFINICIÓN: Es aquella cuyo origen es el cambio que se produce en la carga

espacial en la zona de deflexión debido a cambios en el voltaje aplicado al
diodo

Dicha capacidad está definida como: Donde Q es la carga almacenada en la

zona de transmisión (mas a

|dQdV |
C r= propiamente dicho a cada lado de la
Zona de Transición)
PARA LA DEDUCCIÓN MATEMÁTICA DE DICHA CAPACIDAD DE
TRANSICIÓN C T TOMAREMOS COMO EJEMPLO EL CASO DE UN DIODO
DE UNIÓN ABRUPTA

Este tipo de diodo semiconductor tiene regiones de carga espacial como se

muestra en la siguiente figura:

Para el calculo de C T tendriamos primeramente como condiciones

iniciales lo siguiente:

V (x=0)=0 Tomamos como

referencia el punto:
V (x=0)=0
X=0

Luego

eA N D W n=eA N A W P =Q +¿=Q −¿=Q ¿ ¿

y de la ecuación de Poisson tenemos que:

d 2 V −i
= e= Permitividad eléctrica del medio
d x2 E

De donde
 i
V= X 2+ A 1 X + A 2 Donde A1 y A2 son constantes
2E

i
Y E= X −A 1
E

Aplicando las condiciones iníciales sucesivamente, se tiene que la diferencia

de potencial en la región de transmisión será:

eND NA 2
V j=Vo−V ext= W
2 E ( N A+ N D)

La expresión (2.41) derivamos respecto a Q o sea:

dv ext 2 e N D N A dW
0− ¿=
dQ 2 E ( N A + N D ) dQ

Sabemos que:

NA
Q= A e N D W n− A e N D W
N A+ N D

La expresión (2.43) la derivamos con respecto a Q o sea

dQ Ae N A N D dw
= . =1
dQ N A + N D dQ

De donde:

dw NAND
=
dQ Ae N A N D

Sustituyendo en la expresión (2.42) tenemos :

dV ext e N A N D w N A + N D W
dQ
= ( =
( N A + N D ) Ae N A N D E )
De la expresión (2.45) tenemos:

−d V ext W
=
dQ AE

dQ AE
=
d V ext W
 dQ
| DVext |= AEW
Sabemos que:

C T=|dVdQext |
Sustituyendo (2.46) en la expresión (2.47) obtenemos finalmente que

AE
C T=
W

L a expresión (2.48) viene a ser la capacidad de transición para una unión P –

N

Para los casos en que:

eNA 2
N D ≫ N A , V j= .W
2E

eNA 2
N D ≫ N A , V j= .W
2E

Estas expresiones (2.49) y (2.50) las hemos obtenido analizando la ecuación

de V j general, o sea:

eN A N D
V j=V 0−V ext= W2
2( N A + N D )

Donde v ext = tensión externa aplicada al diodo

V ext > o, diodo polarizado directamente

V ext < o, diodo polarizado inversamente

La C T se hace mas importante en los diodos que se polarizan inversamente .

DIODO VARACTOR.- Son los diodos de capacidad variable. Su capacidad

varia con el voltaje aplicado (es en realidad la capacidad de transición)

Son utilizados en circuito donde no se desea el paso de señales con

frecuencias rápidas. Por su bajo valor de capacidad que se puede conseguir
polarizándolo convenientemente, se usan mayormente con polarización
inversa

SIMBOLO

MODULO

REFERENCIAS

V ¿ = 4 Volt (polarización inversa)

C T =20 p.f.d.

V IV = 2MΩ (Resistencia inversa del diodo)

R f = 10Ω (Resistencia directa del diodo)

CURVAS DE VARIACION DE LACAPACIDAD CON EL VOLTAJE

LA CAPACIDAD DIFUSION : (C D

Es la capacidad producida por las cargas excedentarias que se acumulan a los

costado de la zona d transición. Estas cargas son definidas por una tensión
externa aplicada al diodo

CD= |dVdQoext |+|ddQn

V ext |

CDP CDN

DONDE:

Qn y Q p se observarán en la figura 2.23

Fig 2.23
CÁLCULO DELACAPACIDAD DE DIFUSION DE UN DIODOD POLARIZADO
CON UNA TENSION EXTERNA (( V ext )

De la Fig 2.23 tenemos:

oo
( −x¿ )
Q n= A e∫ ( N 1−n po¿ ¿ ) exp dx
0

oo
( −x¿ )
Q p= A e∫ ( P1−Pno ) exp dx
0

Donde .

V ext
N 1=n po exp y
VT

V ext
P1=Pno exp
VT

Integrando las expresiones (2.52) y (2.5) obtenemos:

 V ext
Qn= A e Le N po exp y
VT

V ext
O P = Ao Lh P no exp y
VT

Las expresiones (2.5) y (2.55) las derivamos con respecto a V ext obteniendo

dQn Ae Le Npo V ext

C no= = exp
dV ext VT VT

dQp A L Npo V
C Dp= = e e exp ext
dV ext VT VT

Además

Ae L e Npo V ext
I pn ( Q )=
VT
exp(VT
−1 )
A e D e Npo V ext
I np ( Q )=
Le (
exp
VT
−1 )
Asi:

d Ipn(Q) A e D b Pno V ext

d V ext
=
Lh V T
exp
VT ( )
=g p

d I np(Q) A e D e Npo V ext

d V ext
=
Lh V T
exp
VT ( )
=g p

Observar que en las ecuaciones anteriores se está definiendo tácitamente lo

que significa g p y g n

Las expresiones (2.60) y (2.6) las restituimos en las expresiones (2.56) y (2.57)
y obtenemos
C D =C Dn +C DP=g n+T e + g P . T n

Ae V ext
C d= [ Le n po + L H Pno ] exp
VT VT

Donde:

C Dn=g n T e

C DP =g p T h

A demás hemos usado las definiciones de longitudes de difusión tanto de

electrones como de huecos.

T e De =Le 2

T h D h =Lh 2

ELDIODO COMO CONMUTADOR

TIEMPOS DE CONMUTACIÓN

1.- Caso de Conmutación de OFF – ON ( No conducción e conducción)

Es el intervalo de tiempo donde quela tensión vale el LUZ y cuando la tensión

alcanza a encontrarse en el rango del 10% de su valor final (OFF – ON)

FIG 2.24
Estudiamos esta situación teniendo el siguiente caso:

En la Fig 2.24 se aplica a un

diodo un escalón de corriente. En
el caso ideal, si el escalón es la
suficientemente grande (I) y rápido, la tensión en el diodo es como la
muestra en la FIG 2.25 b

La Fig 2.25 resulta si se aplica un escalón de corriente pequeña

LA RAZON: El sobre pulso que resulta en la Fig 2.25. b se debe al hecho de

que inicialmente el diodo no actúa como un elemento de difusión (p-n) de
portadores minoritarios sino como un elemento de difusión (p-n) de
portadores minoritarios sino como una resistencia de portadores mayoritarios

El sobre pulso se debe a que la caída óhmica es muy grande y a que

inmediatamente después del escalón no existen portadores minoritarios a los
lados de la unión ( en consecuencia no hay corriente de difusión ) pero si
existe corriente de difusión ) pero si existe corriente de difusión) pero si existe
campo eléctrico grande (caída óhmica de crece a medida que se establece la
corriente de difusión.

DEPENDENCIAS :

La amplitud del sobre – impulso y el tiempo de recuperación en directa ( t rd

depende de I F y de T 1 en la Fig 2.26 se aprecia que representan estas 2
últimas variables

Si T 1 → O, la amplitud del sobrepulso es mayor para un T 1 constante

Si I F es mayor , el sobrepulso es mayor

ALGUNOS RESULTADOS DEL TRANSITORIO DE CONMUTACION DE
“OFF” A “ON”

Para el diodo del germanio del tipo 1 N 6 9 5 para distintas corrientes directas
al tiempo de elevación en la entrada es de 0.03 seg.

El r rd , en la mayoría de los circuitos no representa totalmente un problema de

consideración

I F =200 mA :T rd ≅ 80 manosegundos

RAZON DELSOBREPULSO: (OFF – ON) (RESOLUCION EN FORMA

CUANTITATIVA)

Justo en el momento de la conmutación se presenta la siguiente distribución de

concentraciones

FIG2.28
Tenemos que

I =I F =I difusión + I arrastre

En el instante de conmutación:

La I difusión =0

De la ecuación (2.66) nos queda ahora que:

I F =I arrastre A ϑn En

Donde:

ϑ p =M h N A e + Me N po e

ϑn =M e N D e+ Mh Pno e

Vp
Ep=
d1

Vn
En =
d2

Por otro lado, como Npo << N A y Ono << la expresión (2.30) puede
aproximarse a los siguiente:

VP V
I F= A M h N A e = A Me N D e n
d1 d2

La tensión en el diodo en ( t =t1) será V 1=V P +V n

Donde : V 1=V ( t=t 1 )

Apreciamos que I F es proporcional a V P y a V n esto quiere decir que cuando

exista mayor I F existirá mayor V P y mayor V n(en consecuencia mayor V 1)

Después de un tiempo grande (t=CO) ya existirá la corriente de difusión y

cuando esto sucede se ha demostrado que la corriente por el diodo viene dada
por la siguiente expresión

I F =I 0 ( exp v /v −1 )
T

De donde:

If
v=v t x ln ( )
Io
+1

Ahora si vi > v se presenta el sobre impulso y si v 1 > v no se presenta al

EXPLICACION CUALITATIVA DEL SEGUNDO CASO DE CONMUTACION
(ON – OFF)

Tiempo de recuperación en inversión del diodo (Trr): En el tiempo que tarde en

pasar el diodo del estado de conducción al estado de no conducción (ON- OFF)
FIG 2.29

Cuando la unión esta polarizada inversamente.- la corriente que circula I o es

pequeña (por que la generación de minoritarios térmicamente generados es
pequeña) circula una corriente de arrastre fundamentalmente ya que la de
difusión es despreciable. En la Fig 2.29 se observa la distribución de
portadores para el despreciable. En la Fig 2.29 se observa la distribución de
portadores para el diodo polarizado directamente (ON) y en la Fig 2.30 se
observa como es la distribución cuando está polarizado directamente (ON) y en
la Fig 2.30 se observa como es la distribución cuando esta polarizado
inversamente (OFF

Hasta el instante en que la densidad de portadores minoritarios en exceso o

inyectados ( Pn −P no ) 6 ( n p−n po) se haga nula, el diodo continuara conduciendo
fácilmente y la corriente estará limitada por la resistencia externa del circuito
del diodo además mientras.

( Pn −P no ) >o la polaridazacion deldiodo −tension en el diodo es siempre directa

La Fig 2.31 equivalente al modelo del diodo (unión mas resistencia óhmica de
los materiales semiconductores a los costados de la juntura

Durante el tiempo de almacenamiento.- (Ver Fig 2.32 y 2.33) En la Fig 2.32

se muestra el circuito que nos puede hacer observar lan transición de la
conducción a la no conducción del diodo.