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Laboratorio N° 04: El Transistor Bipolar - Polarización

Paul Jhefry Huamán Guia


Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería
Lima, Perú
phuamang@uni.pe

I. Objetivo 3.- Por la disipación de Potencia: Transistores de


baja potencia, de mediana potencia y de alta
 Conocer las características técnicas y los potencia
requerimientos de uso del transistor.
 Adquirir destreza en el uso de los equipos y 4.- Por la frecuencia de trabajo: Transistores de
la obtención de las curvas características del baja frecuencia y Transistores de alta frecuencia
transistor Bipolar. POLARIZACIÓN DE LOS TRANSISTORES
 Adquirir destreza en el manejo de los
BIPOLARES
manuales y obtención de los data sheet de
los dispositivos a usar de Internet y los Para que un transistor bipolar funcione
equipos de medición. adecuadamente, es necesario polarizarlo
 Determinar las operaciones de corte y correctamente. Para ellos se debe cumplir que:
saturación de los transistores.
 Identificar las rectas de carga y punto de La juntura BASE - EMISOR este polarizado
operación. directamente, y
 Adquirir destreza en el manejo de los La juntura COLECTOR – BASE este polarizado
equipos y el ensamble de los circuitos. inversamente.
 Afianzar el trabajo en equipo asumiendo
responsabilidades en el desarrollo de la Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener
experiencia. un voltaje positivo con respecto al emisor y el
colector debe tener un voltaje también positivo
II. Teoría pero, mayor que el de la base. En el caso de un
transistor PNP debe ocurrir lo contrario.
INTRODUCCIÓN
CODIFICACIÓN DE LOS TRANSISTORES
El transistor bipolar es un dispositivo que posee
BIPOLARES
tres capas semiconductoras con sus respectivos
contactos llamados; colector (C), base (B) y emisor Los transistores tienen un código de identificación
(E). La palabra bipolar se deriva del hecho que que en algunos casos especifica la función que
internamente existe una doble circulación de cumple y en otros casos indica su fabricación. Pese
corriente: electrones y lagunas o agujeros. a la diversidad de transistores, se distinguen tres
grandes grupos: Europeos, Japoneses y
CLASIFICACIÓN DE LOS TRANSISTORES
Americanos.
BIPOLARES
CODIFICACIÓN EUROPEA
1.- Por la disposición de sus capas: Transistores
PNP y NPN Primera letra:
2.- Por el material semiconductor empleado: A : Germanio
Transistores de Silicio y de Germanio
B : Silicio
Segunda Letra: G : Tiristor tipo NPNP
A : Diodo (excepto los diodos túnel) Cuarto
B : Transistor de baja potencia Número de serie : comienza a partir del número 11
D : Transistor de baja frecuencia y de potencia Quinto
E : Diodo túnel de potencia Indica un transistor mejor que el anterior
F : Transistor de alta frecuencia Ejemplo:
L : Transistor de alta frecuencia y potencia
P : Foto – semiconductor
S : Transistor para conmutación
U : Transistor para conmutación y de potencia
Y : Diodos de potencia Es un transistor PNP de RF con mejores
características técnicas que el 2SA186.
Z : Diodo Zener
CODIFICACIÓN AMERICANA
Número de serie
Anteriormente los transistores americanos
100 – 999 : Para equipos domésticos tales como empezaban su codificación con el prefijo 2N y a
radio, TV, amplificadores, grabadoras, etc. continuación un número que indicaba la serie de
10 – 99 y la letra X, Y o Z : Para aplicaciones fabricación. Ejemplo 2N3055, 2N2924 (manuales
especiales. del laboratorio).

Ejemplo: AD149, es un transistor de potencia, de Actualmente, cada fábrica le antepone su propio


germanio y sus aplicaciones son de baja frecuencia. prefijo, así se tiene por ejemplo : TI1411, ECG128,
etc. que corresponden respectivamente a TEXAS
CODIFICACIÓN JAPONESA INSTRUMENTS Y SYLVANIA.
Primero
III. Desarrollo de la experiencia
0 (cero): Foto transistor o fotodiodo
Materiales:
1: Diodos
 01 transistor NPN 2N2222 ó 2N3904
2: Transistor  01 protoboard
Segundo  01 Resistencia de 100Ω; 2de 1KΩ de 1W
 02 Fuente DC; puntas de prueba
S : Semiconductor  01 protoboard y cables conectores
Tercero  01 multímetro
 Resistencias:10KΩ;15KΩ;56KΩ;22KΩ;18
A : Transistor PNP de RF (radiofrecuencia) 0KΩ; 3.3KΩ;6.2KΩ;10KΩ;47KΩ ,
510KΩ;2KΩ de 1W
B : Transistor PNP de AF (audiofrecuencia)  01 Potenciómetro lineal de 50KΩ y 500 KΩ
C : Transistor NPN de RF 0.5W
 01 Generador de funciones
D : Transistor NPN de AF  02 transistores BJT iguales BC548A
F : Tiristor tipo PNPN  02 Diodos LED
 01 Osciloscopio, puntas de prueba
 01 amperímetro analógico

Procedimiento:

5.1 POLARIZACIÓN- CURVAS DEL Ejemplo:


TRANSISTOR

A) Mida las resistencias y los potenciómetros


con el multímetro y anote los valores.
B) Determine los terminales del transistor con
el multímetro o use los manuales e imprima
EL Data Sheet obtenida en Internet (Nota:
si el multímetro tiene probador de
transistores úselo)
C) Arme el siguiente circuito: Tenga cuidado
de colocar correctamente los terminales del
transistor. 50K DC = 12V 10k E 100K 500k
C B IC IB Figura 1 Nota: En la figura la
resistencia de 100k reemplazar por una
resistencia de 100 Ω
D) Si usa un transistor equivalente busque en el
datasheet sus características y modifique si
es necesario el voltaje de entrada.
E) Verifique las conexiones con el multímetro,
ajuste la fuente a 12 VDC y conéctela al
circuito.
F) La corriente de base ( I B) obtenida en el
informe previo, la puede ajustar con el
potenciómetro de 500 KΩ. La corriente de
base ( I B) la puede medir indirectamente con
la tensión en la resistencia de 10KΩ. La
tensión de colector-emisor (V CE) la puede
ajustar con el potenciómetro de 50KΩ. La
corriente de colector ( I C) la puede medir
indirectamente con la tensión en la
resistencia de 100 Ω si solo cuenta con un
amperímetro.
G) Para determinar las curvas I C vs V CE , ajuste
y mantenga I B en 40µA.
H) Ajuste y mantenga I B en 80µA y llene la
siguiente tabla, para obtener la curva I C vs
I B.
IC
I) Obtener las Curvas I C vs I B : ( β= ) , β
IB
vs I C Mantenga V CE = 5V.
J) Obtener las curvas I B vs V BE . Mantenga
V CE = 5V.
𝑰_𝑪 vs 𝑽_𝑪𝑬
4.05
4
3.95

I_C(mA)
3.9
3.85
3.8
3.75
3.7
0 2 4 6 8 10 12 14 16
V_CE(Voltios)

IV. Respuesta a Preguntas

A. Realice los cálculos para hallar I B , I C 𝑰_𝑪 vs 𝑽_𝑪𝑬


empleando el simulador ORCAD / Pspice o 8.1
similar. 8
7.9

I_C(mA)
7.8
I B (uA)19.9 30.
3 40
49.
7
60.
4
69.
8
79.
8
89.
4
10
2
11
2
12
4
13
1
,
7.7
7.6
I C (mA )1.99 3.03 4 4.97 6.04 6.98 7.98 8.94 10.2 11.2 12.4 13.1
7.5
10 10 10 10 10 10
β 0 100 0 100 100 100 100 100 0 0 0 0 7.4
0 2 4 6 8 10 12 14 16
B. Simule los pasos de la guía de laboratorio y
anote las tensiones y corrientes que se piden V_CE (Voltios)
en el experimento.

0.6 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 1


V CE(v) 0.2 1 1 1 1 1 1 1 7 8 9 0 𝑰_𝑪 vs 𝑰_𝑩
3.8
I C (mA ) 1 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4
14
12
10
I_C(mA)

8
V CE(v 0.6 1.1 2.0 3.0 5. 6.1 7.1 8.0 9.0 1 6
) 0.2 4 2 8 4 4 2 6 2 8 4 0 4
7.6 2
I C (mA ) 2 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 0
0 20 40 60 80 100 120 140
𝑰_𝑩 (uA)
I B (uA)20.2 30.
3 40
49.
7
60.
4
69.
8
79.
8
89.
4 102 112 124 131
V BE ( 0.7 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8
v) 9 0.8 1 2 2 2 3 3 3 4 4 4
C. Con los valores obtenidos con el simulador,
I_B vs V_BE
haga las gráficas de las curvas: I C vs V CE ;
I C vs I B ; I B vs V BE ; y obtenga el gráfico de 1
0.8
respuesta en frecuencia indicando la
V_BE(Voltios)

0.6
ganancia de tensión vs.
0.4
0.2
0
0 20 40 60 80 100 120 140
I_B(uA)
D. Obtenga el Data Sheet del transistor y
determine las características de corte y V. Simulación
saturación, así como el punto de operación
del 2N 2222 y el 2N 3904. Para determinar las curvas I C vs V CE manteniendo
I B=40 uA
Datasheet para el transistor 2N 2222
 I C vs V CE

V CE =0.2 v
I C =3.81 mA

RV1
5k

60%
RV2
500k

46%
R1
100

V1
12V

+3.81
mA
+40.0
µA

Datasheet para el transistor 2N 3904 R2 Q1


NPN +0.20
10k Volts

V CE =0.61 v
I C =4 mA
V CE =2.01 v
I C =4 mA
RV1
5k

55%
RV2 RV1
5k

48%
500k
46%

R1 RV2
100
500k

46%
V1 R1
12V
100

V1
+4.00
mA

12V

+4.00
mA
+40.0
µA

R2 Q1

+40.0
µA
NPN +0.61
10k Volts
R2 Q1
NPN +2.01
10k Volts

V CE =1.01 v V CE =3.01 v
I C =4 mA I C =4 mA

RV1
5k RV1
53%

5k
43%

RV2
500k RV2
46%

500k
46%

R1
100 R1
100
V1
12V V1
12V
+4.00
mA

+4.00
mA
+40.0
µA

+40.0
µA

R2 Q1
NPN +1.01
10k Volts R2 Q1
NPN +3.01
10k Volts
V CE =4.01 v
V CE =6.01 v
I C =4 mA
I C =4 mA

RV1
5k RV1

38%
5k

28%
RV2
500k RV2
46%

500k

46%
R1
100 R1
100
V1
12V V1
12V
+4.00
mA

+4.00
mA
+40.0
µA

+40.0
µA
R2 Q1
NPN +4.01
10k Volts R2 Q1
NPN +6.01
10k Volts

V CE =5.01 v V CE =7 v
I C =4 mA I C =4 mA

RV1
5k
33%

RV1
RV2 5k
23%

500k
46%

R1 RV2
100 500k
46%

V1 R1
12V 100

V1
+4.00
mA

12V
+4.00
mA
+40.0
µA

R2 Q1
+40.0
µA

NPN +5.01
10k Volts
R2 Q1
NPN +7.00
10k Volts
V CE =8 v
I C =4 mA
V CE =10 v
I C =4 mA
RV1
5k
18%

RV2 RV1
5k

8%
500k
46%

R1
100 RV2
500k

46%
V1
12V R1
100
+4.00

V1
mA

12V
+40.0
µA

+4.00
mA
R2 Q1
NPN +8.00 +40.0
10k Volts µA

R2 Q1
NPN +10.0
10k Volts

V CE =9 v
I C =4 mA

RV1 Para determinar las curvas I C vs V CE manteniendo


5k
13%

I B=80uA
RV2
500k
 I C vs V CE
46%

R1
100
V CE =0.2 v
V1
12V I C =7.62 mA
+4.00
mA
+40.0
µA

R2 Q1
NPN +9.00
10k Volts
RV1 RV1
5k 3k

29%

42%
RV2 RV2
480k 480k
73%

73%
R1 R1
100 100

V1 V1
12V 12V
+7.62

+8.00
mA

mA
+80.0

+80.0
µA

µA
R2 Q1 R2 Q1
NPN +0.20 NPN +1.12
10k Volts 10k Volts

V CE =2.01 v
V CE =0.64 v I C =8 mA
I C =8 mA

RV1 RV1
4k 3k
33%

38%

RV2 RV2
480k 480k
73%

73%

R1 R1
100 100

V1 V1
12V 12V
+8.00

+8.00
mA

mA
+80.0

+80.0
µA

µA

R2 Q1 R2 Q1
NPN +0.64 NPN +2.08
10k Volts 10k Volts

V CE =1.01 v V CE =3.01 v
I C =8 mA I C =8 mA
RV1 RV1
3k 3k

34%

25%
RV2 RV2
480k 480k
73%

73%
R1 R1
100 100

V1 V1
12V 12V
+8.00

+8.00
mA

mA
+80.0

+80.0
µA

µA
R2 Q1 R2 Q1
NPN +3.04 NPN +5.20
10k Volts 10k Volts

V CE =4.01 v V CE =6.16 v
I C =8 mA I C =8 mA

RV1 RV1
3k 3k
30%

21%

RV2 RV2
480k 480k
73%

73%

R1 R1
100 100

V1 V1
12V 12V
+8.00

+8.00
mA

mA
+80.0

+80.0
µA

µA

R2 Q1 R2 Q1
NPN +4.00 NPN +6.16
10k Volts 10k Volts

V CE =5.20 v V CE =7.12 v
I C =8 mA I C =8 mA
RV1 RV1
3k 3k

17%

9%
RV2 RV2
480k 480k
73%

73%
R1 R1
100 100

V1 V1
12V 12V
+8.00

+8.00
mA

mA
+80.0

+80.0
µA

µA
R2 Q1 R2 Q1
NPN +7.12 NPN +9.04
10k Volts 10k Volts

V CE =8.08 v V CE =10 v
I C =8 mA I C =8 mA

RV1 RV1
3k 3k
13%

5%

RV2 RV2
480k 480k
73%

73%

R1 R1
100 100

V1 V1
12V 12V
+8.00

+8.00
mA

mA
+80.0

+80.0
µA

µA

R2 Q1 R2 Q1
NPN +8.08 NPN +10.00
10k Volts 10k Volts

V CE =9.04 v
I C =8 mA
 I B vs I C RV1
4.8k

46%
RV2
I B=19.9uA 600k

40%
I C =1.99 mA R1
100

V1
12V

RV1

+3.03
mA
4.8k
71%

RV2

+30.3
µA
600k
8%

R1
100 R2 Q1
NPN +5.02
V1 10k Volts
12V
+1.99
mA

I B=40 uA
+19.9
µA

I C =4 mA
R2 Q1
NPN +5.00
10k Volts
RV1
5k
33%

RV2
500k
46%

I B=30.3uA R1
100
I C =3.03 mA
V1
12V
+4.00
mA
+40.0
µA

R2 Q1
NPN +5.01
10k Volts

I B=49.7 uA
I C =4.97 mA
RV1 RV1
5k 5k

26%

18%
RV2 RV2
500k 500k
57%

70%
R1 R1
100 100

V1 V1
12V 12V
+4.97

+6.98
mA

mA
+49.7

+69.8
µA

µA
R2 Q1 R2 Q1
NPN +5.04 NPN +5.02
10k Volts 10k Volts

I B=60.4 uA I B=79.8uA
I C =6.04 mA I C =7.98 mA

RV1
5k
21%

RV1
5k
15%

RV2
500k
65%

RV2
R1 500k
74%

100
R1
V1 100
12V
V1
12V
+6.04
mA

+7.98
mA
+60.4
µA

+79.8
µA

R2 Q1
NPN +5.05
10k Volts
R2 Q1
NPN +5.22
10k Volts

I B=69.8uA
I C =6.98 mA
I B=89.4 uA
I C =8.94 mA
RV1
5k RV1

13%
5k

10%
RV2
500k RV2
77%

500k

82%
R1
100 R1
100
V1
12V V1
12V
+8.94
mA

+11.2
mA
+89.4
µA

+112
µA
R2 Q1
NPN +5.30 R2 Q1
NPN +5.30
10k Volts
10k Volts

I B=102uA I B=124 uA
I C =10.2 mA I C =12.4 mA

RV1 RV1
5k
11%

5k
9%

RV2 RV2
500k
80%

500k
84%

R1 R1
100 100

V1 V1
12V 12V
+12.4
+10.2

mA
mA

+124
+102

µA
µA

R2 Q1 R2 Q1
+5.40 NPN +5.18
NPN
10k Volts
10k Volts

I B=112uA I B=131uA
I C =11.2 mA I C =13.1 mA
RV1 RV1
5k 5k

67%
8%
RV2 RV2
500k 600k
85%

9%
R1 R1
100 100

V1 V1
12V 12V
+13.1
mA

+20.2
+131
µA

µA
R2 Q1 R2 Q1
NPN +5.44 NPN +5.05
10k Volts 10k Volts

+0.79
Volts

I B=30.3uA
V BE =0.8 v

RV1
5k
44%

 I B vs V BE
RV2
600k
40%

R1
I B=20.2uA 100

V BE =0.79 v V1
12V
+30.3
µA

R2 Q1
NPN +5.04
10k Volts

+0.80
Volts

I B=40 uA
V BE =0.81 v
RV1 RV1
5k 5k

33%

21%
RV2 RV2
500k 500k
46%

65%
R1 R1
100 100

V1 V1
12V 12V
+40.0

+60.4
µA

µA
R2 Q1 R2 Q1
NPN +5.01 NPN +5.05
10k Volts 10k Volts

+0.81 +0.82
Volts Volts

I B=69.8uA
I B=49.7 uA V BE =0.82 v
V BE =0.82 v

RV1
5k
18%

RV1
5k
26%

RV2
500k
70%

RV2
500k R1
57%

100
R1
100 V1
12V
V1
12V
+69.8
µA
+49.7
µA

R2 Q1
NPN +5.02
R2 Q1 10k Volts
NPN +5.04
10k Volts
+0.82
+0.82 Volts

Volts

I B=79.8uA
I B=60.7 uA V BE =0.83 v
V BE =0.82 v
RV1 RV1
5k 5k

15%

11%
RV2 RV2
500k 500k
74%

80%
R1 R1
100 100

V1 V1
12V 12V
+79.8

+102
µA

µA
R2 Q1 R2 Q1
NPN +5.22 NPN +5.40
10k Volts 10k Volts

+0.83 +0.83
Volts Volts

I B=89.4 uA I B=112uA
V BE =0.83 v V BE =0.84 v

RV1 RV1
5k
13%

5k
10%

RV2 RV2
500k
77%

500k
82%

R1 R1
100 100
V1 V1
12V 12V
+89.4

+112
µA

µA

R2 Q1 R2 Q1
NPN +5.30 +5.30
NPN
10k Volts 10k Volts

+0.83 +0.84
Volts Volts

I B=102uA I B=124 uA
V BE =0.83 v V BE =0.84 v
VI. Bibliografia
RV1
5k [1] Virgina Romero "Aula Virtual UNI"

9%
http://univirtual.uni.pe/pluginfile.php/98502/m
RV2 od_resource/content/6/Guia4_EE
500k
84%

%20441_2018.pdf
R1
100

V1
12V
+124
µA

R2 Q1
NPN +5.18
10k Volts

+0.84
Volts

I B=131uA
V BE =0.84 v

RV1
5k
8%

RV2
500k
85%

R1
100

V1
12V
+131
µA

R2 Q1
NPN +5.44
10k Volts

+0.84
Volts