UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS

DEBERE
S
.INGENIERÍA ELECTROMECÁNICA
LUIS TOAPAXI
MARZO - JULIO 2019
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DEBER NUMERO 4

RESUMENES
BJT
Funciona como una tensión de bloqueo grande en estado pasivo y una gran capacidad de
conducción de corriente en estado activo.
Un transistor de potencia tiene una estructura de orientación vertical de cuatro capas de
dopaje alternamente de tipo p y tipo n
 Pueden ser npn o pnp
 Los transistores npn se usan más que los pnp
 Los niveles de dopaje en cada capa y su espesor tienen un efecto significativo

Características
La ganancia es muy pequeña

Se crean BJTS es conexión darlington

Para que fluya lc debe haber un suministro continuo de lb

Su rango de tensión es de 1400 v e intensidades de unos pocos cientos de amperios
Conexión Darlington

Sección transversal vertical de un transistor npn de emisores múltiple

Regiones de operación
Corte: La IB<<<pequeña que no permite el encendido del transistor “Activa: Actúa
como un amplificador. La IB se amplifica por una ganancia y VCE disminuye con la IB
“Saturación IB >>>alta que el VCE es pequeña”
El VCE tiene un rango 1-2v las pérdidas de potencia en conducción son pequeñas.

DIODOS
El diodo o la unión pn es el ladrillo básico de todos los demás dispositivos
semiconductores. Son los dispositivos semiconductores más sencillos.
Estructura básica
Los diodos de potencia están construidos con una estructura de orientación vertical que
incluye una región de deriva n para soportar grandes tensiones de bloqueo.
La tensión de ruptura es más o menos inversamente proporcional a la densidad de
dopaje de la región de arrastre, y la longitud mínima requerida de la región de deriva es
proporcional a la tensión de ruptura deseada.
Características de conmutación
 Formas de onda de conmutación observadas
 Transitorio de encendido
 Transitorio de apagado
GTO

El GTO es un tiristor con capacidad de externa de bloqueo, la puerta le permite

controlar las dos transiciones: pasa de bloqueo conducción y viceversa.

El mecanismo de disparo es parecido al SCR: Suponiendo que esta polarizado, cuando

se inyecta una corriente a la puerta, circula una corriente entre puerta y cátodo. Si se
mantiene una corriente en el ánodo superior a la corriente de mantenimiento se puede
hacer conducir el GTO sin necesidad de la compuerta, esta corriente es conocida como
corriente anódica. La aplicación de una polarización inversa en la unión puerta-cátodo
puede llevar a la abertura o bloqueo del GTO. Portadores libres presentes en las capas
centrales del dispositivo son atraídas por la puerta, haciendo que sea posible el
restablecimiento de la barrera de potencial en la unión J2.

Las estructuras de compuerta y cátodo están muy interdigitadas

Las áreas del catado suelen formarse mediante el grabado del silicio
Cortocircuito del ánodo: acelera la desconexión del GTO
Desconexión
La operación básica del GTO es la misma que la del tiristor convencional. Pero el
tiristor tiene otra estructura para lograr una capacidad de desconexión del tiristor.

IG es la negativa de la corriente normal de la compuerta

Características de conmutación del GTO
Cuando se apaga el GTO, la velocidad del crecimiento del voltaje de ánodo-cátodo,
dv/dt, se debe limitar a niveles especificados. De lo contrario, puede presentarse un
nuevo disparo del GTO de vuelta al estado activo.
Incluye un amortiguador de desconexión como parte del circuito de conmutación.

DIAC
MOSFET
¿Qué hace un Mosfet?

Hay dos tipos principales de transistores. Los transistores de unión pn o bipolar y los
Transistores Mosfet o Mos. Si quieres saber sobre los primeros sigue el enlace anterior.
Aquí vamos ha explicar los mosfet.

Hemos querido empezar explicando que hace un mosfet, porque es muy sencillo,
aunque luego explicaremos las partes y el funcionamiento interno del transistor mosfet.

Un transistor Mosfet tiene 3 patillas. El mosfet conduce corriente eléctrica entre dos de
sus patillas cuando aplicamos tensión en la otra patilla. Es un interruptor que se activa
por tensión. Así de sencillo. Aquí puedes ver dos tipos de mosfet:
Las otras dos patillas se llaman sumidero (entrada) y drenaje (salida). Aunque luego
explicaremos todo con más detalle fíjate en el esquema siguiente. Se ven las 3 patillas y
como cuando conectamos G hay circulación de corriente entre D y S.

Estructura de un Mosfet

Los mosfet se construyen sobre un semiconductor (tipo N o P) que se llama sustrato.

Sobre este semiconductor se funden el sumidero y el drenaje (entrada y salida) que es
un semiconductor contrario al semiconductor usado para el sustrato. En la primera
imagen de abajo puedes ver el sustrato de tipo P y el drenador y la fuente de tipo N.

Recubriendo este bloque se coloca una capa de óxido metálico aislante que hace de
dieléctrico o aislante entre la fuente y el sumidero. Por encima de este óxido se coloca
una placa de metal conductor. El óxido con el metal forma la tercera patilla o borne de
conexión llamada puerta o gate (en inglés).

Tenemos 4 partes, pero solo 3 patillas, ya que el sustrato está unido siempre a la puerta
(gate), formando una única patilla del transistor.

S y D = semiconductor/es. A un lado está la patilla llamada sumidero o fuente (S). Al

otro lado la patilla llamada Drenaje (D), drenador o salida. Entre estos dos terminales
pasa la corriente cuando activamos G por medio de tensión. La corriente cuando se
activa el transistor entra por S y sale por D, siempre que G tenga una tensión mínima,
llamada tensión Umbral o threshold = Vth.
G = puerta o gate. La parte de arriba es un metal conductor y la de abajo el óxido.

P = capa de semiconductor base o sustrato contrario al semiconductor de S y D. En la

imagen de la izquierda es de tipo N y entonces el sustrato debe ser P. Podría ser al revés,
como puedes ver en la imagen de la derecha.

El canal que queda entre S y D es del material del sustrato y se llama canal. Es la zona
que hace de aislante impidiendo el paso de corriente cuando aplicamos tensión entre S y
D.

Uno se llama mosfet de canal N y el otro mosfet de canal P. Aqui puedes ver los
símbolos para los circuitos:

Esta es la estructura física. Si viéramos un mosfet real sería como el de la siguiente

figura:
 Como ves tiene 3 patillas igual que cualquier transistor.

¿Cómo funciona un Transistor Mosfet?

El Mosfet controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado fuente
sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador (drain), mediante la
aplicación de una tensión (con un valor mínimo llamada tensión umbral) en el terminal
llamado puerta (gate). Es un interruptor controlado por tensión. Al aplicar tensión
conduce y cuando no hay tensión en la puerta no conduce.

El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por

tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente
entre drenador y fuente.

El movimiento de carga se produce exclusivamente por la existencia de campos

eléctricos en el interior del dispositivo.

SCR

Los rectificadores controlados de silicio SCR se emplea como dispositivo de control.

El rectificador controlado de silicio SCR, es un semiconductor que presenta dos estados

estables: en uno conduce, y en otro está en corte (bloqueo directo, bloqueo inverso y
conducción directa).

El objetivo del rectificador controlado de silicio SCR es retardar la entrada en

conducción del mismo, ya que como se sabe, un rectificador controlado de silicio SCR
se hace conductor no sólo cuando la tensión en sus bornes se hace positiva (tensión de
ánodo mayor que tensión de cátodo), sino cuando siendo esta tensión positiva, se envía
un impulso de cebado a puerta.

El parámetro principal de los rectificadores controlados es el ángulo de retardo, a.

Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente sólo
durante los semiciclos positivos de la fuente de ca. El semiciclo positivo es el semiciclo
en que el ánodo del SCR es más positivo que el cátodo. Esto significa que el SCR no
puede estar encendido más de la mitad del tiempo. Durante la otra mitad del ciclo, la
polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridad negativa hace que el SCR tenga
polarizaci6n inversa, evitando el paso de cualquier corriente a la carga.

Rectificador controlado de silicio SCR (silicon controlled rectifier)

Es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la

disposición pnpn Está formado por tres terminales, llamados Ánodo, Cátodo y Puerta.
La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un
elemento unidireccional (sentido de la corriente es único), conmutador casi ideal,
rectificador y amplificador a la vez.

Funcionamiento básico del SCR

El siguiente gráfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su

funcionamiento.

Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen

dos corrientes: IC2 = IB1.

IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de
Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa más
corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1.
Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.

1.Voltaje de conducción en directa es el voltaje sobre el cual el SCR entra a la región de

conducción. El asterisco denota la letra que se debe agregar, la cual depende de la
condición de la terminal de compuerta como sigue:

2. Corriente de mantenimiento IH es el valor de la corriente por debajo de la cual el

SCR cambia del estado de conducción a la región de bloqueo en directa en las
condiciones establecidas.
3. Regiones de bloqueo en directa y en inversa son las regiones correspondientes a la
condición de circuito abierto para el rectificador controlado que bloquean el flujo de
carga (corriente) del ánodo al cátodo.
4. Voltaje de ruptura en inversa es equivalente a la región Zener o de avalancha del
diodo semiconductor fundamental de dos capas.
El transistor IGBT

El transistor IGBT (del inglés, Insulated Gate Bipolar Transistor, Transistor Bipolar de
Puerta Aislada) procede esencialmente de la tecnología MOSFET de potencia; por lo
que su estructura y funcionamiento son similares. Es un transistor híbrido que combina
un MOSFET y un BJT, por eso tiene terminales puerta (del MOSFET), colector y
emisor (de BJT) El material de partida es una oblea tipo P. Su estructura consiste en 4
capas (PNPN), la unión adicional PN creada reduce la resistividad y la caída de tensión
Vce(on) en conducción, esto se conoce como "Modulación de la resistividad" y permite
aumentar la intensidad. Sin embargo, la unión adicional P introduce un transistor
parásito, que en caso de ser activado puede destruir el dispositivo.
Hay dos versiones de IGBT conocidas como IGBT PT (Punch Through, "estructura de
perforación") e IGBT NPT (Non Punch Through, "estructura de no perforación"), la
diferencia radica en que el IGBT NPT no tiene capa de separación n+ y presenta una
caída de tensión en estado on, menor. Un IGBT con estructura de PT presenta
velocidades de conmutación más bajas.

A parte de estas características, un IGBT cuenta con una caída de tensión

significativamente menor en comparación con un MOSFET convencional en
dispositivos con clasificación más alta de tensión de bloqueo, aunque las pérdidas en
conmutación son mayores.
A diferencia de un MOSFET, el IGBT no puede conducir en la dirección inversa. Es
capaz de bloquear tensiones Vce negativas, al contrario que el MOSFET, que no puede
debido a su diodo parásito.

A pesar de todo esto el MOSFET es un producto ya maduro y que ha logrado un

desarrollo constructivo muy importante. Los IGBT son una nueva tecnología que
superará a los MOSFET por encima de los 300 Voltios y los 100 Amperios, pero estos
últimos continúan teniendo un crecimiento muy dinámico en el área de la automoción y
la electrónica de consumo, lo que hará que su decadencia no resulte tan sencilla.

Estructura

Es un dispositivo semiconductor que combina el MOSFET y el BJT. Está formado por

obleas dopadas de tipo N y de Tipo P formando cuatro capas de unión PN que reduce la
resistividad haciendo menor la caída de tensión en la conducción, pero a diferencia del
tiristor este se puede controlar totalmente en el momento del encendido y el apagado. Su
construcción es similar a la de un MOSFET con la diferencia de que el material de
partida es de tipo P y no N.

La P adicional hace que cuando está en corte no haya inyección de huecos entre la unión
PN en la N (esto se produce cuando esta polarizado directamente) por lo que la
capacidad de soportar tensión solo depende de la capa N.
En la imagen podemos observar la diferencia de estructura entre un MOSFET y un BJT
y la combinación de capas NPN y la combinación adicional PNP.

Al utilizar el principio de los FET en el circuito de excitación y una estructura bipolar

en el de potencia se reduce mucho la superficie de silicio necesaria. Esta unión PN
también conforma un tiristor parasito el cual si es activado puede destruir el IGBT.
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EJERCICIOS DE
BARRADO
CONVERSORES
AC/AC
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