En la siguiente Tabla se encuentra un parámetro de frecuencia de conmutación (operación)

de cada dispositivo y su función características de cada unos de ellos, dependiendo del

diseño de circuito de electrónica de potencia.

Características DISPOSITIVOS
Diodo Tiristor GTO BJT MOSFET ICBT
Característica de disparo ---------- En corriente En corriente En corriente En voltaje En voltaje
Potencia del circuito de
---------- Media - Alta Alta Media - Alta Muy Baja Muy Baja
mando
Complejidad del circuito de
---------- Baja Alta Alta Muy Baja Muy Baja
mando
Frecuencia de
[0 a <10Mhz] [0 a < 500hz] [0 a < 500hz] [0 a < 25Khz] [0 a < 1Mhz] [0 a < 75hz]
conmutación (rango)
Media (potencia)
Densidad de corriente Alta Media -Alta Media Alta – Baja Alta
- Alta
Máxima tensión inversa Media Alta Alta Baja - Media Media - Baja Media - Alta
Baja (potencia)
Perdida de conmutación Alta Alta Media -Alta Muy Baja Media - Alta
-Media