 Introducción

El transistor bipolar es un elemento electrónico de estado sólido muy usado para armar
circuitos electrónicos, su uso es muy amplio ya que nos permite controlar el paso de la
corriente, también es muy usado a la hora de amplificar señales ya que al conectarlo de
diferentes maneras nos da la posibilidad de amplificar la tensión y/o corriente de salida.
 Marco teórico
1. Transistores en general
El transistor es un dispositivo electrónico en estado sólido, cuyo principio de
funcionamiento se basa en la física de los semiconductores. Este cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares: el
emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que
está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A
diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del
que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les
considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, condensadores e
inductores que son elementos pasivos.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,
MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el terminal
de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el
terminal de puerta y gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y
Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por
efecto de la tensión aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico
presente en el canal el responsable de impulsar los electrones desde la fuente al
drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) será
función amplificada de la tensión presente entre la compuerta y la fuente, de manera
análoga al funcionamiento del triodo. En el presente informe se estudiará el transistor
bipolar NPN.
 Transistor BJT:
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones
semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del
colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP; y
tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductor está
conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según
corresponda.
 Fig. X curva característica del BJT
En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la
unión base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de
carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a
la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son
impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del
ánodo compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada
en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor
NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-
emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo
eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo a los
electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos
electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración
cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector. Estos
electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base
está dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores
mayoritarios en la base.

Fig. X símbolo de un transistor BJT NPN y PNP respectivamente

 Puntos de operación:
 a) Activa directa: El transistor solo amplifica en esta zona, y se comporta como
una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base. Este
parámetro lo suele proporcionar el fabricante dándonos un máximo y un
mínimo para una corriente de colector dada I C; además de esto, suele
presentar una variación acusada con la temperatura y con la corriente de
colector, por lo que principio no podemos conocer su valor. Algunos
polímetros son capaces de medir este parámetro, pero esta medida hay que
tomarla solamente como una indicación, ya que el polímetro mide este
parámetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circulará
por el BJT una vez en el circuito.
b) Saturación: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de
conmutación (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar
como un cortocircuito entre el colector y el emisor.
c) Corte: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia,
circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan
prácticamente nulas (y en especial I C).
d) Activa inversa: Esta zona se puede considerar como carente de interés.

Fig. X zonas de polarizacion de un transistor BJT

2. Circuitos polarización:
Hay 3 configuraciones básicas de los transistores, con base común, emisor común o
colector común, de los cuales el de base común es el mas utilizado:
a) Emisor común: La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector.
El emisor se conecta al punto de tierra (masa) que será común, tanto de la señal
de entrada como para la de salida. En esta configuración, existe ganancia tanto de
tensión como de corriente.
 Fig. X configuración de un transistor en emisor comun
b) Base común: La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector.
La base se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En
esta configuración se tiene ganancia solo de tensión. La impedancia de entrada es
baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la
corriente de emisor sale por la base.

Fig. X configuración de un transistor en base comun

c) Colector común: a señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor.
El colector se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida.
En esta configuración se tiene ganancia de corriente, pero no de tensión que es
ligeramente inferior a la unidad. La impedancia de entrada es alta,
aproximadamente β+1 veces la impedancia de carga. Además, la impedancia de
salida es baja, aproximadamente β veces menor que la de la fuente de señal.
 Fig. X configuración de un transistor en colector comun

 Aplicaciones:
Los transistores BJT son usualmente usados para la construcción de compuertas
lógicas(TTL) debido a sus puntos de operación de saturación y de corte que los hacen
comportarse como switches.

Fig. X Compuerta Nand de tecnología TTL

Debido a su característica de amplificación, el transistor BJT es usado en la cosntruccion de
amplificadores de audio analógicos, ya que nos ofrece una ganancia de tensión a la salida.

Fig. X Esquema de un amplificador de audio

 Bibliografia:
http://fourier.eng.hmc.edu/e84/lectures/ch4/node3.html
https://www.electrical4u.com/bipolar-junction-transistor-or-bjt-n-p-n-or-p-n-p-transistor/
https://www.elprocus.com/bipolar-junction-transistors-working-principle-and-
applications/