. Verificar las características de operación de los diodos semiconductores
. Observar el funcionamiento de un diodo semiconductor en este caso serán un diodo de
silicio y un diodo de germanio.
. Observar las diferencias entre un diodo semiconductor de germanio y un diodo
semiconductor de silicio.
. Observar las diferencias entre un diodo semiconductor de germanio y un diodo
semiconductor de silicio conectados a un circuito eléctrico.
Materiales
Materiales que se usarían en un trabajo experimental:
- Fuente de poder DC
Fig. 1.1 Fuente de poder de corriente continua
- Multímetro
Fig. 1.2 Multímetro digital
- Miliamperímetro
Fig. 1.3 Miliamperímetro analógico
- Micro amperímetro
Fig. 1.4 Micro amperímetro analógico
- Voltímetro DC
Fig. 1.5 Voltímetro Digital 0 a 199.9V DC
- Diodo semiconductor de silicio
Fig. 1.6 Diodo 1N4148
- Diodo semiconductor de germanio
Fig. 1.7 Diodo 1N60
- Resistencia de 100Ohms
Fig. 1.8 Resistencia de 100Ohms
Informe previo
01. Buscar en los manuales y detallar las características de los diodos a utilizar (uno de Silicio y otro de Germanio)
Características de los diodos de Silicio y Germanio
Los diodos de Silicio tienen valores nominales de VPI y de corrientes más altos e intervalos de temperatura más amplios que los diodos de Germanio.
Cuadro 1.1 Características de los diodos de Silicio y Germanio
Silicio Germanio VPI 1000 V 400 V V umbral 0.7 V 0.3 V Temperatura máxima 200°C 100°C
Características de diodo de Silicio: Entre las características de los diodos de silicio son el voltaje de polarización directa o polarización umbral de 0,7 voltios. Una vez que el diferencial de voltaje entre el ánodo y el cátodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezará a conducir la corriente eléctrica a través de su unión pn. Cuando el diferencial de voltaje cae a menos de 0,7 voltios, la unión pn detendrá la conducción de la corriente eléctrica, y el diodo dejará de funcionar como una vía eléctrica.
Características de diodo de Germanio: Los diodos de germanio también utilizan una
unión pn y se implantan con las mismas impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo, los diodos de germanio tienen un voltaje de polarización umbral de 0,3 voltios, un voltaje de polarización indirecta de 1000V. 02. Explicar los conceptos de Resistencia Dinámica, Corriente de Polarización Directa, Corriente de Polarización Directa y Tensión de Pico Inverso.
Resistencia Dinámica: La resistencia dinámica de un componente es su resistencia a la
deformación cuando está sujeto a una carga variable. Las pruebas de fatiga se usan para determinar el número de ciclos de esfuerzo N máximo y estos datos se muestran gráficamente en forma de una curva de Wöhler.
Corriente de Polarización: Llamada también señal de bías o, simplemente, bías. Se trata
de una señal no audible que induce el magnetismo en la zona lineal de la curva de histéresis. Sin esta señal de bías, el material sobre el que se ha magnetizado contaría con menor remanencia magnética. La remanencia magnética es la capacidad de un material para retener el magnetismo que se le ha sido inducido. Corriente de Polarización Directa: Con la polarización directa, la unión p-n impulsa los huecos desde el material tipo p a la unión y los electrones desde el material tipo n a la unión. En la unión, los electrones y huecos se combinan de modo que se mantiene una corriente continua.
Fig.1.2 Corriente de Polarización Directa
Tensión de Pico Inversa: La tensión de pico inversa es o bien el voltaje máximo
especificado que un diodo rectificador puede bloquear, o, alternativamente, la tensión máxima que un rectificador necesita para bloquear en un circuito dado.
Fig.1.3 Tensión de Pico Inversa
Bibliografía
. Bazán R. (2020) Diodos, Polarización Inversa, Polarización Directa. Extraído de:
