Steet Salvador Martinez Garcia Juan Andrés.Gualda Gil Electronica ew eras rier) Componentes, topologias Ve Ly asPARANINFO ELECTRONICA DE POTENCIA. COMPONETES, TOPOLOGIAS Y EQUIPOS SALVADOR MARTINEZ GARCIA Y JUAN GUALDA GIL Gorente Editorial Area Universitari Isabel Capella Hierro Editora de Produccién Clara M# de la Fuente Rojo Consuelo Garcia Asensio (Olga ME Vicente Crespo COPYRIGHT © 2008 International ‘Thomeon Ediciones Paraninlo, S.A, Magallanes 25; 28015 Madi, ESPANA Teléfono: 202'995 240, Fax: 914 456 218 clentes@paraninto.es wore paraninio.es Impreso en Espafia Printed in Spain ISBN: 84-9732-997-1 Depésio legal: M-5.640-2006 (012778153) Reservades foe derechos para todos los paises de lengua espa- fiola. De conformidad con lo die puesto en el artculo 270 del Cod ‘90 Penal vigente, podran ser cast- ‘gados con penas de mula y priva- ‘6n de libertad quienes reprodu- jeren 0 plagiaren, en todo 0 en parte, una obra Keraria, artistica 0 entifica fjada en cuaiquier tipo {de soporte sin la preceptiva auto- Fieaoen, Ninguna parte de esta publicaciin, incuido el disefio de fa cubierta, puede ser reproduc da, almacenada 0 ransmiida de hinguna forma, ni por ningun me: dio, sea éste electrénica, quimico, mecinico, electro-éptco, graba- in, folocopia 0 cualquier otro, ‘sn la previa autorizacion eserta Por parte de la Editorial Pre impresion: Copibook Impresién: Closas Orcoyen,S.L. Poli lgarsa Naves 21, 22, 23, y 24 Paracuellos de jarama (Madtid).A los diseiiadores industriales de Electrénica de Potencia que impulsan a diario esta disciplina, las més de las veces en el anonimato de sus despachos, laboratorios y talleresALBORES DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA Valvula reetificadora de vapor de mercurio trifisica de 150 A y 150 V. Fabricada por Electric Construction Company LTD., Wolverhampton, Inglaterra, hacia 1940. Cortesfa del Laboratorio Benito Mahedero de la Escuela de Ingenierias Industrales de BadajozContenido fnpice GENERAL ALBORI A ELECTRONICA DE POTENCIA fwpice GENERAL SOBRE LOS AUTORES PROLOGO: RECONOCIMIENTOS PARTE I. INTRODUCCION Capitulo 1 INTRODUCCION A LA ELECTRONICA DE POTENCIA Ll GENERALIDADES 1.2 CARACTER MULTIDISCIPLINAR DE SUS RECURSOS 1,3. FUNCIONES BASICAS Y CAMPO DE APLICACION ....- 14 METObo DE ANALISIS DE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS DE FOTENCIA 1.5 INTEGRACION DE LAS ECUACIONES DIFERENCIALES. 1.5.1 Aplicacién del método temporal a las ecuaciones de primer orden 15.2 Aplicacién del método temporal a las ecuaciones de segundo orden 1.5.3 Aplicacién del céleulo operacional 1.5.4 Integracién numérica 1.6 REPASO SOBRE LAS FORMAS DE ONDA PERIGDICAS. 16.1 Valores caracteristicos de wna onda .......- 1.6.2 El desarrollo en serie de Fourier 16.3 Potencia 1.7 BREVES APUNTES HISTORICOS 1.8 TABLA ABREVIADA DE DERIVADAS E INTEGRALES. 1.9 TABLA ABREVIADA DE TRANSFORMADAS DE LAPLACE 1.10 PROBLEMAS LLL REFERENCIAS . PARTE II. COMPONENTES Capitulo 2. Diovos pe PorENctA 2.1 PRECEDENTES DEL 2.2 DIODO DE UNION BIPOLAR, CONSTRUCCION DE LA PASTILLA 2.3 CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL DIODO DE UNION 45 46 47 50 © rKs-Paraninfor viiContenido 23.1 Diodo en estado de bloqueo 232 Diodo en estado de conduecién 2.4 CARACTERISTICAS DINAMICAS DEL DIODO DE UNION 24.1 Recuperacién inversa y directa 242 Diodos lentos y répidos 243 Sobrecargas transitorias : 244 Diodos de avalancha controlada 2.5. DioDos SCHOTTKY DE POTENCIA 2.6 DioD0s ZENER DE POTENCIA : cocsieesenee 2.7 GAMA, CARACTERISTICAS ¥ CAPSULAS DE LOS DIODOS DE POTENCIA, 2.8 HOJAS DE CARACTERISTICAS DE DIODOS DE POTENCIA TiPICOs 2.9 PROBLEMAS 2.10 REFERENCIAS Capitulo 3 ‘TRANSISTORES DE POTENCIA .... 3.1 PRECEDENTES ¥ PANORAMICA ACTUAL DE LOS TRANSISTORES DE POTENCIA . 3.2 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR DE POTENCIA. CONSTRUCCION DE LA PASTILLA 3.2.1 Transistor de u 3.2.2 Caracteristicas dindmicas del transistor de unién 3.23 Avalancha secundaria. Area de operacién segura (SOAR) 3.24 Proteceién del transistor en la conmutacién . 3.2.5 Exeitaeién del transistor de unién bipolar de poteneia 3.3. FET DE POTENCIA. CONSTRUCCION DE LA PASTILLA 33.1 EI FET en corte y en saturacién 3.3.2 Caracteristicas dindmicas del FET 3,33 Excitacién del FET de potencia 3.4 EL IGBT, CONSTRUCCION DE LA PASTILLA 3.4.1 ELIGBT en corte y en saturacién 3.42 Caracterfsticas dinémicas del IGBT . 3.43 Exeitaeién del IGBT de potencia . : 3.5 OTROS TRANSISTORES DE, POTENCIA. TENDENCIAS 3.5.1 Otras teenologias en transistores de potencia : 3.52 Médulos transistores de potenciainteligentes (Smart power) - 3.53 Tendencias en el desarrollo de transistores de potencia 3.6 GAMA DE CARACTERISTICAS ¥ CAPSULAS DE LOS TRANSISTORES DE POTENCIA, 3.7 HOJAS DE CARACTERISTICAS DE TRANSISTORES DE POTENCIA TiPICOS 3.8 PROBLEMAS 3.9 REFERENCIAS jn en corte y en saturacién . Capitulo 4 Tiristor UNIDIRECCIONAL. ESTADOS DE BLOQUEO Y CONDUCCION .. 4.1 GENERALIDADES. CONSTRUCCION . 4.1.1 Estructura de la pastilla semiconductora . 4.1.2. Eneapsulado 4.2 ESTADO DE BLOQUEO DEL TIRISTOR . 4.2.1 Fenémenos internos en bloqueo directo 4.2.2 Fenémenos internos en bloqueo inverso 4.23 Caracterfsticas eléetrieas en bloqueo. Pérdidas 4.3. ESTADO DE CONDUCCION DEL TIRISTOR 4.3.1 Fenémenos internos en conduceién 432 Caracteristicas eléetricas, Parimetros de intensidad 4.33 Pérdidas en conduecién 44 PROBLEMAS 45 REFERENCIAS viii © 17ES-Paraninfo 100 101 101 102 103 103 105, 106 107 110 119 121 123, 124 125, 125 137 128 129 130 131 131 132 133, 135, 137Capitulo 5 Tintstor UNIDIRECCIONAL. DisPARO Y BLOQUEO 1 Ba 33 34 3B 56 BT 38 59 Capitulo 6 OTROS COMPONENTES ACTIVOS DE POTENCIA 61 62 63 64 65 66 67 68 FORMAS DE D PARO 5.1.1 Disparo por tensién excesiva 5.1.2 Disparo por derivada de tensién ... 5.1.3 Disparo por impulso de puerta ... TIEMPOS DE DISPARO 5.2.1 Disparo de un tiristor en 522 Disparo de un tiristor en CARACTERISTICAS DE PUERTA ‘Mop0S INTERNOS DE BLOQUEO DEL TIRISTOR 5A.1 Bloqueo estatico 5.4.2 Bloqueo dinémico PROCEDIMIENTOS EXTERIORES DE BLOQUEO DEL TIRISTOR 5.5.1 Bloqueo por fuente inversa de tensién (FIT) 5.52 Bloqueo por fuente inversa de intensidad (FII) (GAMA DE CARACTERISTICAS ¥ CAPSULAS DE LOS TIRISTORES UNIDIRECCIONALES, HOJAS DE CARACTERISTICAS DE TIKISTORES UNIDIRECCIONALES TIFICOS PROBLEMAS REFERENCIAS ito resistive to inductive EL TIRISTOR ASIMETRICO (ASCR) EL TIRISTOR BLOQUEADO POR PUERTA (GTO) 62.1 Estructura interma del GTO .... 62.2 Excitacién y bloqueo del GTO 6.2.3. Gama de caracteristicas y edpsulas de los GTO EL TIRISTOR BIDIRECCIONAL: TRIAC ¥ ALTERNISTOR . 65.1 Modos de conduceién y de disparo del tric y alternistor 892 Pala emicomdctor gun de neler ype de as allio. (Ornos TIRISTORES. TENDENCIAS : 64.1 El ttistorfotosensible de pequeéia y gran potencia 6.42 Otros tiristores pequefios (SCS) 6.43 Tendencias en el desarrollo de tristores ... 64.4 Mapa de aplicacién de los semiconductores activos de potencia LAS VALVULAS DE VACIO Y DE GAS EN LA ELECTRONICA DE POTENCIA 65.1 Vélvulas recti 6.52 Valvulas de gas controladas. Tiratrén e ignitrén HojAs DE CARACTERISTICAS DE COMPONENTES TiPICOS PROBLEMAS REFERENCIAS cadoras no controladas Capitulo 7 PROTECCION, ASOCIACION Y REFRIGERACION DE SEMICONDUCTORES 7a DE POTENCIA PROTECCION DE SEMICONDUCTORES ....-..-- coe 7.11 Protecci6n pasiva contra sobretensiones. Redes RC y supresores 7.12 Proteccién activa contra sobretensiones 7.13 Proteccién contra derivadas de tensién cose 7.14 Proteceién pasiva contra sobreintensidades, Fusibles ultrarrépidos 7.15 Proteccién en equipos multimodulares mediante fusibles ultrarrépidos 7.1.6 Proteccién activa magnética y electrSnica contra sobreintensidades Contenido 139 40. 40 MI 43 4 M5 M45 46 14s 48 1s 150 150 152 154 155 161 163 165, 166, 167 167 168, im a7 172 173 174 174 178 179 181 182 182 184 187 189 191 193 194 194 200 201 202 207 210 © M15 PeroninfoContenido 7.1.7 Proteceién contra derivadas de intensidad 7.2 ASOCIACION DE SEMICONDUCTORES 7.2.1 Diodos en serie y en paralelo 722 Transistores en serie y en paralelo. Excitacion 7.23 Tiristores en serie y en paralelo, Excitacién 7.3 REFRIGERACION DE SEMICONDUCTORES 7.1 Prineipios de refrigeracién 7.32 Régimen estacionario en la refrigeracién 7.33. Régimen transitorio en la reftigeracién 734 Relrigeracién natural y forzada 74 HOJAS DE CARACTERISTICAS DE PROTEC 7.5 PROBLEMAS 7.6 REFERENCIAS Capitulo 8 COMPONENTES PasIVos DE POTENCIA 8.1 RESISTENCIAS 8.1.1 Resistencias de pelicula 8.1.2 Resistencias devanadas cone 8.1.3. Resistencias para cargas de pruebas ... 8.2 CONDENSADORES 8.2.1 Tipos de condensadores y aproxin 8.2.2 Condensadores no polarizados de baja frecuencia y de conmutacién 8.23 Condensadores polarizados 8.24 Factor de calidad y vida de los condensadores 8.3 BATERiAS 83.1 Conceptos bisicos sobre baterias « 832 Tipos de baterfas 84 BoniNas 84.1 Bobinas eon mticleo mag 842 Bobinas con nticleo de aire 8.5 TRANSFORMADORES : 8.5.1 Transformadores de alslamiento monofisicos n a las baterias tico 8.5.2 Transformadores de aislamiento trifisicas ..... 8.53 Autotransformadores 8.6 PROBLEMAS 8.7 REFERENCIAS RTE II], FUNCIONES BASICAS Y TOPOLOGIA: Capitulo 9 INTeRRUPTORES EstArIcos 9.1 CLASIFICACION BASICA DE TOPOLOGIAS DE INTERRUPTORES Es 9.2 INTERRUPTORES ESTATICOS. CARACTERISTICAS GENERALES 9.3. INTERRUPTORES ESTATICOS DECC. CON TIRISTORES 9.3.1 Bloqueo por condensador en paralelo . 9.3.2 Bloqueo con bobina en serie con la carga 9.44 INTERRUPTORES ESTATICOS DE C.C, CON TRANSISTORES ‘5 INTERRUPTORES ESTATICOS DE CA. CON TIRISTORES 9.5.1 Interruptores monofisicos de bloqueo natural . 9.5.2 Interruptores trifisicos de bloqueo natural . x © MrES-Pareninfo au 215 215 219 224 297 228, 232 233, 237 250 256 259 263 264 264 265 270 271 27 273 276 278 279 279 286 201 292 297 298, 209 307 309 312 315 321 322 323 324 325 327 330 330 331 333Contenido 9.58 Interruptores de ea. de bloquee forzado ... cesesereseeeee cece 336 9.6 INTERRUPTORES ESTATICOS DE CA. CON TRANSISTORES ... 339 9.6.1 Intermuptores de c.a, monofisicos 339 9.62 Interruptores de c.a. trifisicos 340 9.7 MICRORRELES ESTATICOS CON TRANSISTORES 34 9.8 CIRCUITOS DE CONTROL PARA INTERRUPTORES ESTATICOS ...... 341 9.9 HojAs DE CARACTERISTICAS DE MICROINTERRUPTORES ESTATICOS COMERCIALIZADOS .. 343, 9.10 PROBLEMAS ceo eeeesneeenneeeenee cetieteeteeteineeeeeeeees SAM 9.11 REFERENCIAS 345 Capitulo 10 REGULADORES DE C.C. .....ccccecscsceseceeeseesteteesesteneneessetenes BAT, 10. CLASIFICACION BASICA DE TOPOLOGIAS DE REGULADORES DE CC. . 348 10.2 REGULADORES DE C.. DISIPATIVOS (FUENTES DE CC. DISIPATIVAS) ... cee 39 10.3 RECULADORES DE CC. SIN FILTRO ¥ CON CARGA RESISTIVA 00-00. 2 350 10.4 REGULADORES DE CC. SIN FILTRO ¥ CON CARGA INDUCTIVA ..... veces 851 10.5. REGULADORES DE CC. REDUCTORES CON TIKISTORES voces + 358 105.1 Circuito de frecuencia variable. Autobloqueo por LC 353 1052 Cirenito de Morgan .....+..0- 2 855; 105.3 Cireuitos con tiempo de conducci6n variable. Bloquco por condensador en paralelo ... 350 105.4 Circuito de Jones viene 860 1055 Troceador de cc. bloqueado por fuente inversa do intensidad (F11) 361 10.6 RECULADORES DE CC. REDUCTORES CON TRANSISTORES (BUCK) 362 10.7 REGULADORES DE CC. ELEVADORES (BOOST) «.....00-++.00000000 cence 863 10.8 REGULADORES DECC. CON AISLAMIENTO ....00cccccsscssceeeesteeeeseneeeseseeeneeeee 864 10.8.1 Regulador reductor-clevador con aislamiento (forward) «22.0... + 365, 10.8.2 Regulador elevador con aislamiento (flyback) 368 10.9 C1nCUITOS DE CONTROL PARA REGULADORES DEC a7 10.9.1 Circuito de control genérico. Esquema de blogues «.......e-++-+e se OTL 10.9.2 Ejemplo de control para troceador de c.c. con tiristores « a7 10.10 PROBLEMAS ceo ieeeesteessnieetenteessinesinessinenesieeees 873 10.11 REFERENCIAS... vesceeeeeveeeeeeneeeneee 2 875 Capitulo 11 REGULADORES DE C.A. 377 11.1 CLASIFICACION BASICA DE PROCEDIMIENTOS DE RECULACION DIRECTA DE CA. 378 112 REGULADORES DE C.A. DISIPATIVOS 379 113. REGULADOR DE C.A. POR BOBINA SATURABLE FOLARIZADA. + 381 114. ESTABILIZADOR DE GA, FOR FERRORRESONANCIA DEL TRANSFORMADOR (ESTABILIZADOR FERRORRESONANTE) 0.0.05. ceteeseeeeee coe 8883 11.5 REGULADORES DE CA. FOR TROCEO (TROCEADORES DE CA) « 385 11.5.1 Troceadores de ¢.8. matrieiales 387 1152 Estabilizador de ea. por troceo diferencial con conmutacién seminatural 390 11.6 REGULADORES DE C.A, DE TIRISTORES CON BLOQUEO NATURAL, CONTROL INTEGRAL Y CONTROL DE FASE 307 11.6.1 Clasifcacién y ondas. Regulador de ea, integral. 307 11.6.2 Regulador total monofisico con control de fase y carga inductiva ss... 309) 11.6.5. Reguladores totales trifésicos con control de fase y carga resistiva 401 11.7 REGULADORES DE CA. FOR CAMBIO DE TOMAS EN EL TRANSFORMADOR (ESTABILIZADORES POR CAMBIO DE TOMAS EN CARGA) o.....ccssssecvseeesecesiessseeeses 402 11.7.1 Antecedentes meesinicos de los estabilizadores de tomas ..ecsscceesvceeeeeeee 408) © res oraninfo xiContenido 11.7.2 Topologias directa y con transformador compensador en los estabilizadores de tomas . coesieteeesssresseseensenee 11.73. Procedimientos de conmutacién en los estabilizadores de tomas 118 PROBLEMAS 11.9 REFERENCI Capitulo 12 RECTIFICADORES NO CONTROLADOS . 12.1 GENERALIDADES. MONTAJES DE RECTIFICADORES NO CONTROLADOS 12.2 MONTAJES DE MEDIA ONDA NO CONTROLADOS 12.2.1 Tensiones en media onda 12.2.2 Intensidades 12.2.3 Cafdas de tensién en media onda 12.2.4 Rendimiento en media onda .. coe 12.3 MONTAJES DE ONDA COMPLETA CON SECUNDARIO EN ESTRELLA 12.3.1 Tensiones en estrella y onda completa 12.3.2 Intensidades en estrella y onda completa 12.3.3 Cafdas de tensién en estrella y onda completa 12.3.4 Rendimiento en estrella y onda completa 12.4 MONTAJES DE ONDA COMPLETA CON SECUNDARIO EN FOLIGONO 12.4.1 Tensiones en poligono 12.4.2 Intensidades en poligono 12.4.3 Cafdas de tensién en poligono 12.5 ASOCIACION DE RECTIFICADORES 12.5.1 Asociacién de rectificadores en serie 12.5.2 Asociacién de reetifieadores en paralelo ... 12.6 FILTROS PARA RECTIFICADORES NO CONTROLADOS 12.7 TABLA COMPARATIVA DE RECTIFICADORES NO CONTROLADOS 12.8 PROBLEMAS 12.9 REFERENCIAS media onda Capitulo 13 RECTIFICADORES CONTROLADOS CON TIRISTORES 13.1 GENERALIDADES, MONTAJES DE RECTIFICADORES CONTROLADOS 13.2. MONTAJES DE. MEDIA ONDA CONTROLADOS 13.2.1 Tensiones en montajes de media onda controlados 132.2 Intensidades en montajes de media onda controlados 13.23 Cafdas de tensién en montajes de media onda controlados 13.3. MONTAES DE ONDA COMPLETA CON SECUNDARIO EN ESTRELLA CONTROLADOS 133.1 Montajes de onda completa en estrella totalmente controlados 1332 Montajes de onda com 13.4 MONTAJES DE ONDA COMPLETA CON SECUNDARIO EN POLIGONO CONTROLADOS 13.4.1 Montajes de onda completa en poligono totalmente controlados 13.42 Montajes de onda completa en poligono semicontrolados 13.5 FILTROS PARA RECTIFICADORES CONTROLADOS 13.6 PROBLEMAS 18.7 REFERENCIAS eta en estrella semicontrolados Capitulo 14 Cicvoconvertiwones 14.1 CoNcEPTO ¥ ALCANCE DE 108 cICLOCONvERTIDORES 14.2 EL.CONVERTIDOR DE CUATRO CLADRANTES 142.1 Funcionamiento sin intensidad cireulatoria 1422 Funcionamiento con intensidad circulatoria i © ITE5-Poraninfo 403. 413 423 424 a7 28, 430 432 434 436 438 438, 440 440 441 443 443 443 445 47 448, 448, 449 452 453 453 459 461 462 462 464 465 465 466 467 468, 470 470 an a7 473, 475 a7 478 478, 481 48214.3. EL CICLONVERTIDOR 143.1 Fimeionamiento sin intensidad cireulatoria 143.2. Funcionamiento con intensidad circulatoria, 144 CincurTos PRACTICOS Mad 144.2 Cirenitos en V 1443 Cirenitos en A 145° PROBLEMAS 14.6 REFERENCIAS reuitos simétricos Capitulo 15 INvERsoRES. ToroLocias 15.1 IyTRODUCCION A Los INVERSORES : 15.2 CONFIGURACION DEL CIRCUITO DE POTENCIA DE LOS INVERSORES 152.1 Configuracién inversora con transformador de toma media 152.2 Configuracién inversora con bateria de toma media. 152.3 Configuraeién inversora en puente monofisico 152.4 Configuracién inversora en puente trifisico 15.3 EL INVERSOR COMO FUENTE DE INTENSIDAD 15.4 REGULACION DE LA TENSION DE SALIDA DE UN INVERSOR 154.1 Regulacién de salida de un inversor por variacién de la tensién de entrada 154.2 Regulacién de salida de un inversor por control de ancho de impulso 15.4.3 Regulacién de salida cle un inversor por modulacién de impulsos de alta frecuencia 15.5 FILTRADO DE LA TENSION DE SALIDA DE UN INVERSOR 3S:L Fito monoisic con oda rectangular aera de fecencia fy ancho variable ala 1552 Fillo trifisico con onda rectangular alterna de frecuencia fija y ancho variable. 15.6 EL INVERSOR CON MODULADOR ¥ FILTRO INTEGRADO 15.7 PROBLEMAS 15.8 REFERENCIAS . Capitulo 16 INVERSORES CON TRANSISTORES 16.1 INTRODUCCION A LOS INVERSORES CON TRANSISTORES 16.2 INVERSORES CON TRANSISTORES AUTOFXCITADOS 16.3 INVERSORES CON TRANSISTORES ¥ EXCITACION INDEPENDIENTE. 163.1 Inversor con transistores en puente 1632 Inversor con transistores y dos transformadores de toma media, 1633 Inversor con transistores, un transformador de toma media y transistor 163.4 Inversor con transistores, dos transformadores de toma media y transistor 163.5. Inversor con tra bidireceional ‘ores, dos transformadores de toma media y onda, 16.36 Inversor con transistores en puente e 163.7 Inversor con transistores, transformador de toma media y transistor en serie conmutado en alta frecuencia... cee 163.8 Amplificador de potencia en clase B como inversor 16.3.9 Inversor ferrorresonante 163.10 Tabla comparativa de inversores con transistores 16.4 PROBLEMAS 16.5 REFERENCIAS 484 485 486 486 487 489 489 490 491 493, 494 494 494 496 497 498, 500 500 501 502 505, 506 508, sil 513. 315 518. 532 532 533 534 536 538 © 1185-Paraning ContenidoContenido Capitulo 17 INVERSORES CON TIRISTORES It 172 173, 174 Ins 176 177 INTRODUCCION A LOS INVERSORES CON TIRISTORES INVERSORES CON TIRISTORES DE BLOQUEO NATURAL. CIRCUITO DE MAPHAM INVERSORES CON TIRISTORES DE BLOQUEO FORZADO EN FUENTE INVERSA DE TENSION 173.1 El inversor con tiristores en FIT de Wagner 17.3.2 El inversor con tiristores en FIT de Thorborg INVERSORES CON TIRISTORES DE BLOQUEO FORZADO EN FUENTE INVERSA DE INTENSIDAD we . . 17.4.1 Inversor con tiristores en FII de MeMurray 17.4.2 Vatiantes topolégicas del inversor en FIL de MeMurray . TABLA DE CLASIFICACION DE INVERSORES CON TIRISTORES DE BLOQUEO FORZADO PROBLEMAS REFERENCIAS PARTE IV. CIRCUITOS DE CONTROL Capitulo 18 Cixcurros DE CONTROL PARA ELECTRONICA DE POTENCIA 18.1 182 183 184 185 186 18.7 18.8 189 18.10 18.11 © rres-Porninfo SIMBIOSIS POTENCIA-CONTROL DEVENIR DE LOS CIRCUITOS DE CONTROL. EVOLUCION DE SUS FUNCIONES CIRCUFTOS EXCITADORES. COMPONENTES ESPECIFICOS 183.1 Transistores monounién 1832 El diac 183.3 Optoacopladores . 183.4 Transformadores de impulsos . 18.3.5 Cirenitos integrados y médulos espectficos para exctaciGn y control CONTROL. EN CADENA ABIERTA Y EN CADENA CERRADA ‘MODOS DE CAMBIO DE LA VARIABLE DE SALIDA 18.5.1 Control todo-nada 18.5.2 Cambio de estados diserotos 185.3 Regulacién continua TIP0S DE SOPORTE ELECTRONICO DEL CONTROL. NIVELES DE INTEGRACION 18.6.1 Control con componentes diseretos 186.2 Control con circuitos integrados genéricos de bajo nivel ce 18.63 Control con dispositivos programables (microprocesadores, microcontroladores, DSP, PLD, FPGA) 186.4 Niveles de integracién del soporte potenci MEDIDA DE VARIABLES 18.7.1 Sensores 18.72 Acondicionamiento de sefial ALGUNAS FUNCIONES AVANZADAS DE LOS CIRCUITOS DE CONTROL, 1888.1 Proteccién global jerarquizada 18.52 Autoajustes 188.3 Autodiagndstico coceeeseneneeeee 18.8.4 Control, supervisién y mantenimiento remotos HoJAS DE CARACTERISTICAS DE COMPONENTES PARA CONTROL PROBLEMAS REFERENCIAS control . 539 540 Bal Bad 548 350 550 555, 357 562 569) 370 570 572 572 374 8u7 581 585, 588, 588, 588, 590 593 594 504 595, 601 602 602 609 610 610 612 ez eu 617 27 630PARTE V. FIABILIDAD Y RUIDO Capitulo 19 Fraptuapap y Rui 19.1 Fiannuupap 19.1.1 Teoria de la fiabilidad . 19.1.2 Tablas de datos de fiabilidad de componentes. 19.1.3 Ejemplos de fiabilidad 19.2 Ruibo eLécrnico 19.2.1 Ri 19.2.2. Normas antiruido com 19.3 PRomLeMas 194 REFERENCIAS - do eléetrico conducido y radiado PARTE VI. APLICACIONES Capitulo 20 APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA 20.1 INTERRUPTORES ESTATICOS 20.2 CONTROL DE TEMPERATURA 20.3 SOLDADURA POR RESISTENCIA 20.4 ESTABILIZADORES DE CORRIENTE ALTERNA 204.1 Cambiadores de tomas en carga (CTEC u OLTC) 204.2 Estabilizadores de regulacién continua : 20.5 FUENTES DE ALIMENTACION DE CORRIENTE CONTINUA ... 205.1. Regulador reductor-elevador con aislamiento (forward) y devanado recuperador separadlo 205.2 Reguladores cc/e.c. compuestos de inversor y rectificador Regulador c.c,/.c. con inversor con transformaclor de toma media (push-pull) . Regulador c.c,/e.e. con inversor de medio puente . Regulador e.c,/e.e. con inversor en puente completo 20.53 Aspectos pricticos de las fuentes de corriente contimia, Salidas miltiples. 205.4 Tabla general de regulacores y convertidores para fuentes de c. 205.5 Fuentes de alimentacién de e.c. con intensidad de red eorregida 20.6 EQUIPOS CARGADORES DE BATERIAS . 20.6.1 Limitacién por resistencia 20.6.2 Limitacién por bobina en baja y en alta frecuencia 20.7 RECTIFICADORES PARA GALVANOPLASTIA 20.8 RECTIFICADORES PARA ELECTROFILTROS 20,9 RECTIFICADORES PARA FROTECCION CATODICA 20,10 TRANSMISION DE CORRIENTE CONTINUA EN ALTA TENSION (TCCAT 0 HVDC) - 20.11 CONTROL, DE ILUMINACION 20.12 CALDEO POR INDUCCION 20.13 REGULADORES DE VELOCIDAD DE MOTORES 20.13.1 Reguladores de motores de corriente continua . : 20.132 Reguladores de motores de corriente allemna asincronos ... 20.1.3 Arraneadores estiticos de motores de corriente alterna 20.134 Reguladores de micromotores integrados 20.14 SISTEMAS DE ALIMENTACION ININTERRUMPIDA (SAI O UPS) 20.15 ACONDICIONADORES DE LINEA ¥ FILTROS ACTIVOS, 20.16 ELECTRONICA DE POTENCIA EN EL FERROCARRIL. Contenido 635 636 636 640 640 644 644 646 650 654 659 660 661 662 664 664 668, 669 670 670 672 673 674 675 678. 681 682 652 685 686 686 687 685, 689 691 601 602 693 694 695 698, 702 © mes-turaninfoContenido 20.17 ELECTRONICA DE POTENCIA EN EL AUTOMOVIL 20.18 CONVERTIDORES PARA ENERGIA SOLAR FOTOVOLTAICA .. 20.19 HoyAs DE CARACTERI 20.20 PROBLEMAS 20.21 REFERENCIAS Anexo A NORMAS RELACIONADAS CON EL AMBITO DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA Anexo B NOMENCLATURA Y NOTACION PARA ELECTRONICA DE POTENCIA Amex C_UNIDADES FiSICAS, EQUIVALENCIAS, CONSTANTES Indice de autores Indice analitico © rres-Porninfo 706 707 710 ng 715 27 731 TAL maT 751SOBRE LOS AUTORES Salvador Martinez Gareia Dr. Ingeniero Industrial por la ETSI de la UPM (1969) y Dr. en Filosofia por la UCM. (2004). Ha sido Jefe de Disefio Electrénico en Isodel-Sprecher, CDE Electrénica y Cons- trucciones Aeronduticas S.A. Investiga desde 1966 en convertidores estiticos y temas afines. Es autor 0 coautor de més de veinte libros, cuarenta articulos, treinta y cinco ponencias de congresos y veinticinco patentes. Es revisor en diversas revistas y organismos técnicos. Ha dirigido o participado en més de treinta proyectos de colaboracién Universidad-Empresa 0 entre Universidades. Ha sido miembro del Comité de Convertidores Estiticos del Grupo Enropeo del IEEE-IAS desde su fundacién en 1994 hasta el 2000. Es Catedritico de Tecno- logia Electronica de la UNED. Juan Andrés Gualda Gil Dr. Ingeniero Industrial por la ETSI de la UPM (1981) y Diplomado en Planificacién dde Empresas por la UPM (1978). Bs autor de numerosos articulos y coautor de varios ibros y patentes sobre Electréniea de Potencia y otros temas téenicos. Obtuvo sendos aeeésit en los Premios Mundo Electrénico al "Mejor articulo de Electrénica Profesional” en 1976 y 1978. Ha dedicado en la empresa privada once aiios a la investigacién y disefio de equipos electrénicos, de aviénica y espaciales, habiendo sido Ingeniero de Disefio Electrénico en Isodel-Sprecher y en CDE Eleetrénica, y Jefe de Disefio Blectr6nieo en Construcciones Acronduttieas S.A. Es Profesor Tutor de la UNED y Jefe del Servicio de Energia y Medio Ambiente de la Diputacién de Albacete. © res rerninfo xviiPROLOGO Los libros generales de la disciplina hoy conocida como Electrénica de Potencia comen- zaron a editarse hacia finales de los atios setenta y primeros ochenta. Hasta entonces los ingenieros dedicados a esta disciplina aprendfan de las notas técnicas de las firmas pioneras sobre desarrollo de componentes, de los catilogos de estos, de los manuales de aplicacién y de las escasas monografias que algunos fabricantes de componentes y de equipos, y pocos centros de desarrollo, editaban. Algunos de sus temas, como la rectifiacién de potencia, eran conocidos desde la invencién de los primeros diodos rectificadores de vacio y de gas, de los rectficadores de selenio y de las primeras vélvulas de potencia controladas, ls tira- trones e ignitrones. Si bien estas invenciones, que transcurren entre 1904 y 1940 aproxima- damente, permiten ya separar la Electrénica de Potencia de la Electronica de Sefial y de la Electroteenia, no seré hasta la aparicién de los semiconductores de poteneia cvrando la nueva disciplina tome verdadero cuerpo, debido, entre otros motivos, ala difieultad de realizacién prictica y eficiente de muchos circuitos tedricamente conocidos, causada por la gran cafda de tensién que las vélvulas presentan en conduccién (puede citarse como ejemplo el inversor con transformador de toma media, ideado y probado inicialmente con tiratrones y abandona- do luego hasta la llegada del SCR en 1957). Son los tristores los primeros semiconductores de potencia desarrollados de forma am- plia y, de entre ellos, el rectificador controlado de silicio, o SCR, es el que induce la prolife- racién de multitud de cireuitos y equipos pricticos tales como rectificadores controlados, interruptores estiticos, inversores, ete. Puede decirse que en la década de los setenta ya es- tin consolidados la mayor parte de los cireuitos de la Electrénica de Potencia en cuanto a st topologia general mediante diodos y tiristores, v ya se han publicado numerosas ediciones de ranuales de aplieacién de los mismos. Sin embargo la madurez de la diseiplina viene de la ‘mano del transistor de potencia y, més especificamente, del desarrollo de los [GBT de miles, de voltios y amperios ocurrida en la década de los noventa, Este componente se acerea m cho a un interruptor ideal, pues presenta baja caida de tensién en conduecién, poca corre te de fugas en corte, alta velocidad de conmutacién y exige poca energia para ser controlado y pasar desde el estado de corte al de conduccién y viceversa. Su Hegada permite simplifiear muchos circuitos realizados antes con SCR (como los inversores, que quedan liberados de los circuitos espectficos de bloqueo de este componente SCR) y abordar topologias para fn- cionar a frecuencias elevadas con gran economia en los componentes reactivos. Entre los revos equipos posibilitados estén los reetficadores sineronos sin distorsidn de corriente so- licitada y los filtros activos de alta frecuencia para mejorar la calidad de la red eléctrica, que se han ineluido en la obra. © rns ceraninfo xixxx © MES Paraninfo Aunque el IGBT ha reducido el empleo de tiristores en la prictica, la obra da también cabida a cireuitos elésicos con tiristores por su inherente robustez y el papel didéetico que algunos de ellos aportan en la operacién de bloqueo forzado. No se olvide que el problema de eliminar répidamente wna corriente elevada en una rama de un circuito, controlando las sobretensiones y otras perturbaciones que puedan producirse, es un problema central de la Electrénica de Potencia con independencia de que se lleve a cabo con tiristores o con tran- sistores, y son los equipos eon tiristores de bloqueo forzado los que primero y més amplia- ‘mente han prestado ateneién al mismo. Es seguro que el desarrollo de los semiconductores de potencia continuari y se aleanza- rin mejores aproximaciones al interruptor ideal, sobre todo en cuanto a la elevacién de la tensign soportada en bloqueo y a la temperatura de trabajo, lo que facilitara previsiblemente la construceién de los convertidores de gran potencia para media y alta tensién. Sin embar- 0, no es esperable que ello promueva una innovacién en las topologias tan amplia como la habida con el paso de las vilvulas a los semiconductores. Ello es debido a que, con las earac- terfsticas de rapidez. de conmutacién y bajas pérdidas de operacién aleanzadas en los semi- conductores de hoy (10 kHz en los IGBT), los limites téenicos de muchos equipos los mar- ccan més los componentes parisitos asociados a la aplicacién que los propios interruptores. [Asi ocurrirfa, por ejemplo, en los cambiadores de tomas répidos con IGBT en aplicacio- nes de mis de 1 MVA, pues las inductancias parésitas asociadas al cableado habrian de limi- tar el tiempo de conmutacién. Por otra parte, la emisin electromagnética impone vn limite natural al intento de elevar la frecuencia de la conmutacién en altas potencias, pues tales cequipos electrénicos se van aproximando inevitablemente a tna emisora de ruido radiado no deseada. De lo anterior se colige que, en el estado de desarrollo actual de la Electrénica de Poten- cia, merece la pena prestar atenciGn no s6lo a la deseripcién de los numerosos equipos, sino también a la sistematizacién de las topologias y a la comparacién de sus ventajas e ineonve- nientes. Es algo que los autores se han propnesto, entre otras cosas, en esta obra, sin preten- der, ni mucho menos, aleanzar una exposicién definitiva, La cuestién es importante no solo desde un punto de vista didéetico de la diseiplina sino como preludio para intentar la optimi- zacién sistemitica de los disefios. Los equipos electrénicos de potencia suelen ser caros y voluminosos, debido al tamafio de los componentes reactivos empleados (bobinas y conden- sadores) y a los propios interruptores electrénicos, circuitos de proteccién y de maniobra. Un desarrollo cuidado de un nuevo disefio debe estar acompatiado de un elevado grado de seguridad de que la eleccién adoptada es adecuada y dificilmente mejorable econér mente para las prestaciones especificadas, Una topologia apropiada del cireuito de potencia suele ser la clave del éxito y su eleceidn requiere inevitablemente un conocimiento sistemé- tico de las alternativas. Los cirenitos de proteceién y de control forman parte de un equipo de potencia no ya solamente en cuanto a la consecucién de unas determinadas caracteristicas, sino también en cuanto a la propia seguridad del funcionamiento bésico. El empleo cada vez mayor de los transistores de potencia en sus diversas variantes da més peso a esta aseveracién, pues un transistor puede ser ficilmente destruido por un pico de potencia generada en su pastilla si no se asegura adecuadamente la eliminacién de tal posibilidad (dicen los especialistas que no hay transistor seguro sin apropiada exeitacién, vigilancia y proteccién). Los tiistores, contra- riamente, son interruptores més robustos en este sentido pues su modo de conduceién auto- rregenerativo tiende a impedir que coexistan en su pasilla tensiones y corrientes elevadas. E| libro presta atencién a lo espeeifico de la excitacién de cada familia de componentes en sus capitulos correspondientes y, en el Capitulo 18, offece una visién general de los sistemas de control y de sus soportes. La Parte IIL y central, dedicada a las funciones basicas y topologias de los convertidores de potencia, asi como la Parte VI, dedicada a sus aplicaciones, se han extendido hasta lo razonable en tina obra de carécter general. Aunque se ha aleanzado wna variedad por encima de lo usual en los libros de este género, ha sido inevitable limitar algunos campos y trata- mientos.Se ha intentado dar a la obra un tinte te6rico-prictico, y no solo didctico, salpicéndola de ejemplos que se han derivado muchas veces, con las debidas precauciones de modifca- cién para no conculear derechos ajenos, de equipos reales cuyo desarrollo en la industria ha servido en algunos casos a los autores para Findamentar la teorfa, No debe olvidarse que es la ordenacién del uso —en un principio cadtico— y la mencién de sus reglas, acordadas con el conocimiento previo, lo que produce la teorfa. Se recomienda al lector visitar la pégina web de la editorial www.thomsonparaninfo.com para consultar nuevos materiales asociados a la obra. Damos las gracias a las firmas que han cedido material grifico, catilogos y disefios, las cuales han sido oportunamente citadas. Aunque también hemos citado expresamente a los is importantes, damos asimismo las gracias a todos los colegas que nos han inspirado en la seleceién de algunas partes de la obra, en la eleccién de su enfoque, en la consecucién de informaeién complementaria y en sn revisin Los avtones rigs © rns ceraninfo xxiRECONOCIMIENTOS No es posible recordar todas las personas y organizaciones que de alguna manera han contribuido a la elaboracién de esta obra. Hemos tratado de resaltar las ayndas més significa- tivas en el gar del libro donde se han eristalizado, Incluyendo aguf de nuevo a sus autores, queremos expresar nuestro agradecimiento a las siguientes personas y entidades, ordenadas alfabéticamente: Alfredo Alvarez Garcia ~ EI de Badajoz, Universidad de Extremadura Jordi Joan Argemi Payré — Rectifieadores Guasch, $.A., Barcelona José Luis Aparicio Marzo ~ ETSII, Universidad Politéenica de Madrid Juan Antonio Barba Gareia ~ ETSII de la UNED Eduardo Baqueano Tarragona ~ Electrolumen S.A.L., Burlada, Navarra Manuel Barbero Heredia — ADIF (Administrador de Infraestructuras Ferroviarias) Fermfn Barrero Gonzélez. - EI de Badajoz, Universidad de Extremadura Susana Borromeo Lépez ~ ESCET, Universidad Rey Juan Carlos de Madrid Carlos Cagigal Olay ~ Doctorando de la ETSI de la UNED José Cambronero Garcia - TORYTRANS S.L., Almagro, Ciudad Real Juan Carlos Campo Rodriguez ~ EPS de Gijon, Universidad de Oviedo José Luis Caramés Casal — FCM, Universidad Complutense de Madrid Manuel Castro Gil - ETSII de la UNED. Enrique Juan Dede Gareia-Santamaria ~ GH Electrotermia S.A., San Antonio de Bena- agéber, Valencia Luis Donaire Pacheco ~ TESAL, Moraleja de Enmedio, Madrid Juan Escolar Aranda ~ DIODE Espaiia S.A., Madrid Manuel Ferreira Gordillo ~ ET de Badajoz, Universidad de Extremadura José Marfa Ferrero Corral ~ ETSII y LIB, Universidad Politécnica de Valencia José Fullea Garcia ~ Instituto Eduardo Torroja, C.S.1.C., Madrid Julio Garefa Mayordomo ~ ETSII, Universidad Politéenica de Madrid ‘Oscar Garcia Suérez. ~ ETSI, Universidad Politécnica de Madrid José Luis Guerrero Lopez — Departamento de Infraestructuras, Teatro Real de Madrid ‘Araceli Herndndez Bayo ~ ETSII, Universidad Politécnica de Madrid Tomas Hemnindez Gomez ~ Luis Molina Acedo S.A., Madrid Francese Hervera Torres — Saliertt S.A., Santa M.* de Palautordera, Barcelona Nicolés Herretos Baroja — SEPSA, Pinto, Madri Alfonso Ibarzibal Segura ~ INCOESA, Vedia, Vizeaya Manuel Ladrén de Cegama Sénchez ~ ENERTRON S.L.U., Coslada, Madrid © 118$-Paraninfo xxiiiReconocimientos xxiv © TES Paraninfo Antonio Lézaro Blanco ~ ETSI y T de la Universidad Carlos IIT de Madrid Cristobal Losana Ruiz ~ CUADRELEC S.A. Antonio Lumbreras Azanza ~ ETSI y T, Universidad Pablica de Navarra Antonio Luque Lépez ~ Instituto de Energia Solar, Universidad Politéenica de Madrid Pedro Maria Martinez Cid ~ Direccién de Innovacién, Calidad y Medio Ambiente de IBERDROLA S.A. Pedro Manuel Martinez Martinez — ETSII, Universidad Politéeniea de Madrid Francisco Marzo Guillem — Grupo CENER, Madrid José Luis Molina Casla ~ Sistemas Electrénicos de Potencia $.A., Pinto, Madrid Cristobal Molleja Melgar - Montajes Delsaz, Paracuellos del Jarama, Madrid Santiago Monteso Fernéndez ~ Sistemas Electrénicos de Potencia S.A. Pinto, Madrid Miguel Angel Muriel Fernindez ~ ETSIT, Universidad Politéenica de Madrid Salvador Ollero Velasco ~ Chloride Espaia, $.A.U Daniel Payeras Traba ~ Valdepinto S.L., Pinto, Madrid Juan Peire Arroba ~ ETSII de la UNED Juan Manuel Pérez Ventura — Grupo CENER, Madrid Engenio Rey Veiga ~ Mundo Electrénico, Cetisa Editores S.A., Barcelona Mamuel Rico Secades ~ EPS de Gijén, Universidad de Oviedo Isabel Rodriguez. Larumbe - DIODE Espaiia S.A., Madrid Miguel Angel Rodriguez Pando ~ RECMAK S.A., Fuenlabrada, Madrid Carlos Rodriguez Siinchez ~ Metro de Madrid S.A. Javier Sebastiin Ziihiga - EPS de Gijén, Universidad de Oviedo Eloy Segovia Bermejo - ADIF (Administrador de Infraestructuras Ferroviarias) Vicente Torralbo Luque ~ Sirtroniec 2000 S.L., Alealé de Henares, Madrid José Luis Val Porroche ~ Sociedad Espafcla del Acumulador Tudor (grupo EXIDE- Technologies), La Cartuja Baja, Zaragoza Antonio Valladolid Alonso - L.C.O.E., Universidad Politéenica de Madrid Joaquin Vaquero Lopez. ~ Sistemas ElectrSnicos de Potencia S.A., Pinto, Madrid Juan Carlos Viera Pérez ~ EPS de Gijén, Universidad de Oviedo Carlos Viesea Espinosa de los Monteros ~ Ingenieria Viesea $.L. Manuel Visiers Guisot - ENERTRON S.L.U., Coslada, Madrid Femando Yeves Gutiérrez ~ ETSII de la UNED Ramén Zamorano Menefas — ETSII de la UNED José Ramén Zirate Arnal - Bobinados ZAREL S.A., Vitoria, Guunar Zetterberg ~ ADtranz, Electrical Division, Visteris, Suecia Agradecemos a nuestro profesor Pedro Manuel Martinez Martinez sus muy tempranos y ordenados textos sobre Electrénica Industral, que han sido guia de eseritura pulera y clegante ‘Agradecemos a Copibook S. L. el extremo cnidado puesto en la maqueta de edicién y en Ia ejecucién del libro. ‘Agradecemos a los editores Andrés Otero Reguera e Isabel Capella Hierro su posicién hacia nuestras sugerencias. Finalmente agradecemos a nuestras familias su comprensin y paciencia por el tiempo dedicado a esta obra. nena disParTE I. INTRODUCCIONINTRODUCCION A LA ELECTRONICA DE POTENCIA La Bleetréniea de Potencia trata del manejo de la energia eléetrica, mediante compo: nentes controladores de la corriente, buscando algtin tipo de transformacin en suv modo de presentacién, y siempre que la principal limitaci6n al proceso sea la de un rendimiento cenergético adeenado. Se dist lela Bleetrinica de Sefal,en la que, contrariamente, se busca antes la fidelidad informativa que las sefales eléctrcas evan asociadas, ya sea en codificaciones analégicas o digitales. Esta distineién, como enalquier otra, es difsa, y se ve puesta en tela de juicio por ls aplicaciones que ponen parecido empeio en la fidelidad de las formas y en el rendimiento. La Electrénica de Potencia aplicada a la calidad de la red eléetrica es un buen ejemplo, En esta moderna diseiplina tanto importa reducir pérdidas (por el ahorro en la explotacién que comporta) como obtener ondas de corriente y tensin limpias, fieles al patron senoidal que se espera en una red cuidada, En ella son frecuentes equipos atentos a esta hibridacién de eriterios de rendimiento y de fidelidad, y, entre los Captelo ph meemnisives esa bs fir eros des ox cma de as forensn los inversores para ordenadores. El rango de potencia que llega & manejar este arte ingenieril ha erecido notablemente desde sus inicios con las valvulas de vacio (1904) y de gas (1914) y los primeros semicon- dductores de potencia (aos einenenta). Reenérlese que lo que distingue la ingenieriaelec- trénica de la eléetrica, en cuanto a sus medios, es que aquella utiliza dispositivos amplifica- dores basados en el control de la corriente actiando sobre un flujo de electrones, mientras aque la segunda emplea generadores, motores, transformadores, bobinas actuadoras (contac tores, relés) y otros componentes electromagnéticos. Pues bien, sien los afios ochenta se disponia ya de tristores capaces de manejar miles cle votios y de amperios, en los primeros, 0s del siglo XXL se ha dispuesto de transtores IGBT (con mayor eapacidad de control Aue los tiristores) de 3.600 A y 6.500 V, lo que ha abierto a potencias elevadas la posibilidad de la hibridacién antedicha rendimiento-Adelidad, No debe terminarse esta introduccign sin apuntar el avance habido desde los ochenta fen téenieas de investigacién dentro de la ingenieriaelectrénica de potencia relativas a clasi- ficacién de topologias, a los métodos de su exploracién mediante andliss y sintesis cuida- dos, asi como a los procedimientos de simulacién. Ambos campos, la exploraci6n reglada y ta simulacién fable, allanan enormemente el desarrollo de esta disciplina en la que, por ‘manejarse componentes grandes y costosos y requerir a veces instalaciones de prieba mi- wridad y rapide de las fases de investigaciGn y prueba pro- poreiona formidables beneficios econémicos. CONTENIDO 1.1 GENERALIDADES 4 1.2 CARACTER MULTIDISCIPLINAR DE SUS RECURSOS ....... Govsteneiesenssensenes 5 1.3 FUNCIONES BASICAS Y CAMPO DE APLICACION 6 14 METODO DE ANALISIS DE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS DE POTENCIA : 9 1.3. INTEGRACION DE LAS ECUACIONES DIFERENCIALES. 10 1.5.1 Aplicacién del método temporal a las ecuaciones de primer orden seve HL 1.5.2 Aplicacién del método temporal a las ecuaeiones de segundo orden 12 1.5.3 Aplicacién del eélenlo operacional — ; . u 1.54 Integracién numérica ...... Sitesi IT 1.6 REPASO SOBRE LAS FORMAS DE ONDA PERIODICAS. 19 1.6.1 Valores caracteristicos de una onda 19 1.6.2 El desarrollo en serie de Fourier 19 1.6.3 Poteneia ... = coecesenenees : fecteee 88. 1.7 BREVES APUNTES HISTORICOS 27 1.8 TABLA ABREVIADA DE DERIVADAS E INTEGRALES ....... Cieieeeres 88 1.9 TABLA ABREVIADA DE TRANSFORMADAS DE LAPLACE 35 1.10 PROBLEMAS ... . : : : 2 40 1.10. REFERENCIAS a © ss werninfo 3Parte 1, Intrduccién 4 © rres-raronnfo 1.1 GENERALIDADES La Electrénica de Potencia es una técnica relativamente neva que se ha desarrollado a partir de la Electrotecnia y de la Electronica gracias al avance tecnolégico en la fabricacién de los semiconductores de potencia, principalmente. Puede definirse como la técnica de las modificaciones de la presentacién de la energia eléctrica conducida, mediante controladores de la corriente actuantes sobre un flujo de electrones, que busca en primer lugar rendimiento elevado y en segundo lugar fidelidad a las formas de onda buscadas. Cada vez son més nic merosos los equipos y sistemas en este campo que afiaden a las especificaciones tradiciona- les, relatvas al rendimiento energético, otras dedicadas a limitar la distorsin de las ondas generadas (caso de los estabilizadores, filtro activos, inversores, y otras familias destinadas a Ta calidad de la alimentacién en corriente alterna). Distintamente a lo que ocurre en la Electronica de Sefial, en la que se da prioridad a la fidelidad y a la ganancia, la caracterfstica més importante en la Electrénica de Potencia es habitualmente el rendimiento. Si en aquella, cuando se dedica a sefiales analégicas, se mo- ula la cafda de tensién en los dispositivos amplificadores (que trabajan en la zona activa) para modificar o ampliar la sefal de entrada, en la que nos ocupa dichos dispositivos trabajan casi siempre en conmntaeién, es decir, alternando los estados de corte y de saturacién a fin de minimizar las pérdidas (lo mismo ocurre en la Electrénica de Sefial digital). Ast pues, cuando el semiconductor esta cortado (bloqueado el paso de corriente) y sometido a una ten- sin alta, es preciso que la corriente de fugas sea despreciable, y cuando conduce (permi- tiendo el paso de corriente) ha de ser despreciable su cafda de tensién, ha de estar saturado. Desde un punto de vista funcional, el dispositivo amplificador debe comportarse lo més pa- recidamente posible a un interruptor mecénico. ‘Notese que en la definicién propuesta para la Electronica de Potencia, asi como en la descripeién de la Electrénica de Sefial, no se ha hecho mencién al valor cuantitativo de las potencias manejadas, tratando deliberadamente de distanciarlas de aquellas definiciones que las deseribian, respectivamente, como electrénica de las corrientes fuertes y electrénica de las corrientes débiles. Las aplicaciones actuales de ambas abarcan tal mnltitud de campos y nive- les de potencias imbricados que resulta mas adecuado para definirlas recurrir, como se ha hecho, a aspectos funcionales generales mis que cuantitativos y de finalidad concreta. Para justificar esta decisién, compartida por muchos expertos", no hay més que considerar, por ejemplo, que debido al consumo cada vez menor de los ordenadores (piénsese en los portiti- les de sobremesa y de bolsillo) sus fuentes de alimentacién —algo que siempre sera consi- derado como Blectrénica de Potencia— manejan cada vez menores potencias, ya algunas veces por debajo del vatio. ¥ por el lado opuesto considérese que por muy grande que sea la potencia de una emisora de radio 0 TV, la etapa amplificadora final, que puede sobrepasar cientos de kilovatios, ser siempre considerada como Eleetrénica de Sefal, pues su prioridad es la fidelidad, evidentemente acompaiiada de una enorme fuente de alimentacién que sf puede ser Electrénica de Potencia. Conviene tomar perspectiva aqui sobre el hecho de que cualquier manifestacion mésica © energética puede tener para el ser humano un doble aspecto. Por un lado el de eantidad 5 Aagadecemos el eambio de impresons al respect con el profesor J Sehatén de Ia Universidad de Ovid.Capitulo 1, Intrducién a la Electrinica de Potencia fisica y por otro el de signifieado mental. Asf, un kilo de polvo-tinta para impresoras liser, 0 ‘ner, puede considerarse como simple masa que podria componer parte del laste (algo ea- 10, por cierto) de un globo aerostitico, pero convenientemente distribuida en hojas de papel sirve para imprimir varios ejemplares del Quijote. De la misma forma, un kilovatio: hora de energia eléctrica puede servir para cocinar un guiiso, pero inteligentemente dosificado y co- dificado puede servir para enviar por a red telefénica multitud de mensajes. Pues bien, pu de interpretarse que la Electrénica de Potencia se dedica a manejar con més ahinco el carde- ter cuantitativo de la energia eléetrica que el cualitativo, aunque este fimo, como ya se ha visto antes, cada vez le es menos ajeno. La Electronica de Sefial, por el contrario, atiende is al caricter signifcativo de la energia eléctrica sin menospreciar, obviamente, el cuanti- tati Un equipo eleetrénico de potencia consta fundamentalmente (Figura 1-1) de 4) Un circuito de potencia, compuesto por semiconductores de poteneia y elementos pasivos (transformadores, bobinas, condensadores, resistencias, ete), que relaciona la {fuente de energia con la carga. b) Un eircuito de control, que elabora informacién para comandar adecuadamente al primero a partir de consignas propias v de seitales recibidas de la fuente, del propio circuito de poteneia y de la carga, proporcionando finalmente unas serales de excita- ién que determinan la secuencia de conduceién y corte de los semiconductores con- trolados (tiristores, transistores; cada vez. menos se emplean vilvulas de vacio o de As). Dada la gran amplifieacin de estos (cociente entre la poteneia manejada por el componente y la poteneia necesaria para si excitacién), la poteneia consumida por el cirouito de control es despreciable normalmente frente a las pérdidas en el ci de potencia. El circuito de control esté asociado a veces eon un sistema de com: caciones que permite la supervision remota del equipo con fines de mantenimiento y de gestién (véase el Apartado 18.8.4) Fuerte enirade ‘se CIRCUITO DE FOTENCIA carga energie Sofiales do exctecon EXSTADORES (DRIVERS) [ADAPTADOAES DE SENAL [rwnasin [ae /— ORCUTO DE CONTROL — brctscsn CONTROL, Triomesisn Infomasién | PROPIAMENTE DICHO | nada/Sada Ficuns 1-1 Disgrama de blues de un equipo eleténico de potencia. Adapt de 'S. Montes y J. L. Molina, “‘Desarello de proyectos en Elecrinica de Potenci, I-25) 1.2 CARACTER MULTIDISCIPLINAR DE SUS RECURSOS La Electrénica de Potencia es un arte comprometido, en el que los fllos son earos y piiblicos, por lo que muchas veces suele ser evitada. Cuando en el curso de un desarrollo se estropean decenas de semiconductores que pueden costar cientos de euros cada uno la noticia llega a la dineceién del ente investigador. Y si se produce 1a explosién como consecuiencia © ss werninfo 5Parte 1, Intrduccién 6 © rres-paronnfo del cortocirenito de un condensador de poteneia, por ejemplo, el fllo resulta notorio para todo el personal presente en la nave de ensayo. Es comprensible que muchos ingenieros prefieran el anonimato que proporeiona lidiar en el retiro de su pupitre con un circuito elec- trdnico de sefial donde los componentes tienen un coste despreciable frente a las horas de desarrollo, o bien con programas informéticos aplicados a la ingenieria, en los que los errores ccultos suelen trascender con mucho retraso. Adems, los fallos en los equipos de potencia pueden causar accidentes si no se toman las precautefones necesarias, y no son pocos los que abandonan el campo al primer susto. La Electronica de Potencia es una profesién esforzada en la que todo debe estar planificado [1-26] y realizado con cuidado: las especificaciones de uun nuevo equipo, su disefo, la evaluacién del coste, sus prucbas en fibrica y en campo, st homologacién final, su puesta en produccién y sus ajustes y verificaciones. ‘Ademés del atractivo que este reto metodol6gico de la Electrénica de Potencia comporta, no es menor el del carécter multidiseiplinar de sus recursos. En un equipo eleetrénico de potencia complejo se dan cita, ademas de! principal problema de la adecuada eleccién y di- sefio eléetrico del circuito de potencia, su refrigeracién, la limitacién de su emisién electro- magnética al propio contro, la limitacién del ruido eléctrico generado conducido y emitido, Ia limitacién del ruido aevistico, el disefio de un cirenito de control a veces muy complejo (que puede a su vez comportar cireuitos analégicos y digitales), el desarrollo de programas asociados al circuito de control de complejidad nada desdefiable y la reduccién de la sus- ceptibilidad al ruido emitido 0 conducido. Ademds, es necesario recordar que el disefio de los transformadores y bobinas especiales que muchos de estos equipos disponen exige un ‘buen conocimiento de las miquinas eléetricas. Asimismo, el conocimiento de la teenolo- gia de construccién de otros componentes pasivos de potencia (grandes condensadores y resistencias, contactores, etc.) es decisivo para realizar elecciones que no comprometan la fiabilidad. Esta seguridad de fncionamiento, finalmente, es otro aspecto esencial en casi todo equi- po electrénico de potencia, pues como suelen estar destinados a eumplir funciones de filtra- do y alimentacién de instalaciones muchas veces eriticas (piénsese en wn sistema de alimen- tacién ininterrumpida que proporcione energfa eléctrica al servicio de control de vuelos 0 al de reserva de billetes de un aeropnerto), la seguridad de operacién debe estudiarse y prede- cirse con todos los recursos que aporta hoy la ciencia de la fiabilidad, En definitiva, como contrapartida a sus exigencias para su correcto desarrollo, la Electré- niea de Potencia ofrece a sus fieles la posibilidad de conocer y conjugar un niimeto de disci- plinas notable, que solo es sobrepasado por pocos campos ingenieriles (como la robética). ‘Ademés de las posibilidades que ofrece al ingeniero para obtener un desarrollo profesional amplio y satisfactorio, hay que sefalar la facilidad de cambio de actividad que esa amplitud proporciona, algo nada desdeiable hoy dia No asf al contrario, pues es raro el caso de inge- nietos de sefial y programas que se aventuren en la potencia. ‘La amplitud de este atractivo caricter multidisciplinar de la Electrénica de Potencia queda corroborada en la prictica por el hecho de que la mayoria de los profesionales con muchos aiios de experiencia mantienen un cierto grado de especializacién en alguno de los aspectos del disefio (topologia de la potencia, circuitos de control, programas para estos, compatibilidad electromagnética, ete), siendo pocos los individuos que dominan plenamente todos ellos. Aun asi, la necesidad de conocer minimamente todos los aspectos del equipo, asegura en cierto grado la trascendencia al cultivador del antedicho earicter multidiseiplinar de este cultivo. 1.3. FUNCIONES BASICAS Y CAMPO DE APLICACION Entre todas las formas de energia, la eléetrica se ha impuesto en un sinfin de aplicacio- nes. Pocos de los grandes campos del uso de la energfa, como la traccién en carretera y la calefaccién en sus diversas variantes, escapan a sus ventajas, entre las que cabe citar la limpieza de su uso, la seneillez y seguridad de su transporte, la failidad de su gestion y laCapitulo 1, Intrducién a la Electrinica de Potencia versatilidad a la hora de ser transformada en otras formas de energfa (mecénica mediante motores y electroimanes, caldrica mediante resistencias, luminosa mediante limparas de diver- 0s tipos, quifmica mediante bafios electroliticos y otros dispositivos, ete.) y de ser modificada para ejercer de vehfculo significativo en los instramentos electrénicos, y en los equipos de comunicaciones e informéticos que invaden nuestra vida, Sélo el almacenamiento en grandes cantidades y durante largo tiempo constituye una desventaja evidente para la energia eléctrica Appesar de los avances en las décadas de los ochenta y noventa, los acumuladores eléetricos (Gupercondensadores y mievas baterias) distan todavia de ser aceptables para dicha aplicacién. La energia eléctrica se utiliza en dos formas principales: como corriente continua (c.c.), con sentido de cireulacién constante en los elementos del circuito, y como corriente alterna (ca.), eon sentido cambiante con una periodicidad normalmente mantenida. En los inicios de su generacién masiva mediante méquinas rotativas en grandes centrales y distribueién me- diante lineas a los usuarios, ambas formas se disputaron la supremacfa, pues las dos presen- tan ventajas e inconvenientes. Hoy se emplea casi exchusivamente la generacién, transporte y distribucién en c.a. de frecuencia y tensién constantes, esta dlkima con niveles distintos adecuados a la potencia manejada, La cee. es més dificil de generar, pues necesita de dinamos con colectores de delgas y escobillas que rectifiquen las ondas alternas que de un modo espontineo tienden a originar las maquinas rotativas. Estos dispositivos tienen desgaste y necesitan un mantenimiento im- portante. Ademas la distribucién y consumo en c.c. tienen los inconvenientes de que los interruptores deben forzarse para que su intensidad se extinga y de que la transformacién del nivel de tensién al mis adecuado a cada uso especifico no es sencilla. Sin embargo la cc. tiene las ventajas, en Iineas de transporte de gran longitud, de que la inductancia asociada a estas no ocasiona caida de tensién que limite la potencia transmisible y de que los cables y aisladores aprovechan mejor sus propiedades conductoras y dieléctricas La ca. se produce directamente mediante generadores rotativos sincronos sin escobilla El transporte y la distribucién en ca. tienen la ventaja de que los interruptores actian més, ficilmente que en c.c. debido a los pasos por cero espontineos de la corriente cada medio cielo de su onda. Ademés, se cuenta con los sencillos y robustos transformadores para ade- cuar el nivel de la tensién a la poteneia en cada tramo de la red eléctrica (tipicamente, 20 kV en la generacién, 400 kV en las lineas de transporte de alta tensién, 34,5 kV en lineas de media tensin y 400 V en las lineas de distribucién locales y en las instalaciones ordinarias de consumo; en estas tiltimas la tensién fase-neutro es 230 V) de forma que las corrientes resultantes sean manejables, y para elegir la tensin de trabajo dentro de los aparatos y equ pos finales, Ademés, los transformadores de ea. proporcionan la ventaja afiadida del aisla- miento entre primario y secundario facilitando el empleo seguro y la proteccién de las Iineas y de los equipos. Sin embargo, en las lineas de transporte de e.a. muy largas (por encima de 1,000 km en las aéreas y de 60 km en las submarinas) la inductancia asoeiada limita la poten- cia transmitida debido a la caida de tensién que origina, prefiriéndose en dichos casos la transmision en e.. en alta tensién (véase la Seccién 20.10). ‘Aunque, como se ha visto, la generacién, transporte y distribucién local de la energia eléctrica se realiza casi siempre en c.a. y la mayorfa de las aplicaciones la utilizan directa- mente, muchas requieren tensin continua (ferrocartl eléctrieo en c., baios electroiticos, motores de ec. para diversas aplicaciones, focos luminosos de gran potencia mediante elee- trodos, equipos de soldadura eléctrica en c.c., alimentacién de instrumentos electrénicos y de equipos de comunicaciones e informiticos, etc.) que suele generarse mediante rectifica- dores a partir de la c.a. de la red. Visto el panorama antes dibujado de generacién, distribueién y uso de la energia eléctri- ca, se impone de forma natural que la Electrénica de Potencia, al servicio del control y la regulacién de aquella, tiene como finciones bésicas las que se derivan de interrumpir la energia en los cireuitos de c.c. y de ca, la de regularla y modificarla sin cambiar su forma fundamental, c.. y c.a., y la de transformarla de una a otra de estas formas. Por tanto, los circuitos fundamentals son los siguientes: © 11E$-Paraninfo 7Parte 1, Intrduccién 8 © riescereninf 4) Interruptores estaticos de ce. y de c.a., que permiten abrir y cerrar circuitos con tiempos de operacién y sobretensiones controlados. 1b) Reguladores de tensién continua, que permiten varia la potencia entregada a la ear- fa por una fuente de c.c. En los easos extremos en que esa potencia sea la maxima 0 nla, el regulador se comporta como un interruptor estatico de c.c. Entre ellos se encuentran los: — Reguladores de c.c. disipativos, cuando la regulacién se basa en transistores con caida de tensién variable. — Reguladores de c.c. no disipativos, cuando la regulacién se basa en dispositivos activos trabajando en corte y en saturacin, con posterior filtrado o sin 6) Reguladores de tensién alterna sin cambio de frecuencia, de funcién idéntica a la an- terior, pero en c.a, Ademés de los reguladores disipativos y no disipativos, semejan- tes a los anteriores, la naturaleza alterante de la tensién permite la existencia de Circuitos no disipativos basados en: — Transformadores con cambiadores de tomas en carga. — Reguladores de c.a. por inductancia variable polarizada. — Transformadores establizados por ferrorresonancia. 4d) Reguladores de tensién alterna y de frecuencia, o cicloconvertidores. 6). Rectificadores o convertidores c.a.jo.., que pueden ser — No controlados cuando estén formados exclusivamente por diodos. La relacién entre la tensién de ca, entrante y la de cc, saliente es eonstante — Gontrolados evando hay tiristores o transistores de potencia. La relacion entre la tension de ca. y de ccc. es variable. El montaje es reversible, es decir, puede tomar potencia de la salida de c.c para entregarla ala fuente de energfa en e.a, de la entrada. Se dice entonees que fimeiona como inversor no auténomo. Ff) Inversores, 0 convertidores c.c.fe.a, auténomos, que a expensas de una fuente de continua proporcionan una alterna de frecuencia fija o variable. La relacién entre la tensién de c.. y la de ca. puede ser variable. Por combinacién de algunos de estos montajes fundamentales pueden conseguirse algu- nas de las funciones anteriores con caracteristicas adicionales, si bien el rendimiento dismi- rnuye pues la potencia es tratada mas de una vez. Por ejemplo, a conversion c.a/e.a. de dis- tinta frecuencia puede lograrse mediante um reetificador seguido de un inversor anténomo, y la conversién e.c,/ec. puede consegnirse mediante un inversor auténomo seguido de un ree- tileador (véase la Seceién 205) Por su parte, la Electrotecnia logra resolver las interrupeiones mediante componen- tes electromagnéticos (relés, contactores), y algunas de las demds transformaciones listadas gracias a las maquinas estiticas, o transformadores, y rotativas, siendo a veces dificil estable- cer la frontera entre equipo electrinico y electrotécnico. De hecho, los estabilizadores por ferrorresonaneia citados en ¢) son equipos electrotéenicos —salvo en los dispositivos. de deteccién de sobrecorriente y sobretemperatura que puedan incluir— lo mismo que los transformadores con cambiadores de tomas cuando sus conmutadores son mecénicos. Ejem- plo de equipo fronterizo, electrotéenico y electrénico, puedan considerarse el establizador por divivor inductico descrito en la Seccién 20.4. Entre las transformaciones electroté mente conseguidas con méquinas rotativas estén la rectificacién controlada mediante el con- junto motor asinerono-dinamo y la inversién mediante el eonjunto motor de ¢.c~alternador. La Electronica de Potencia suele proporcionar frente a la Electrotecnia equipos con las siguientes ventajas: — Mejores caracteristicas eléetricas (respuesta més répida, mejor estabilidad, mayores posibilidades de vigilancia y control, ee.) — Ausencia de vibraciones.Capitulo 1, Intrducién a la Electrinica de Potencia — Menor mantenimiento, al no haber partes méviles que se desgasten. — Mayor fabilidad y vida, con algunas excepeiones como los estabilizadores de e.a.fe- rrorresonantes, normalmente mas fiables que sus homélogos electrOnicos. — Ausencia de arco eléctrico, evitindose todos los inconvenientes a que da lugar (des- gaste de contactos, generacién de ruido electromagnético, peligro de explosién en de- terminadas atmésferas, etc) y con los siguiente inconvenientes: — Menor robustez eléetrica, es decir, menor capacidad para soportar las sobretensiones y las sobreintensidades. Esto exige el estudio exhaustivo del cireuito de poteneia y la determinacién de las condiciones més desfavorables de funcionamiento (ineluyendo cn lo posible las accidentales) para cada equipo en particular. Con estas premisas se procede a la adecuada inclusion de redes de proteccién y de elementos limitadores que hagan el funeionamiento mis seguro. — Algunos montajes son més caros; no obstante, este inconveniente lo es eada vez me- nos a medida que se avanza en la tecnologia de fabricacién y en la comercializacién ‘masiva de los semiconductores de potencia. Por todo ello, a Electrénica de Potencia se introduce cada vex. mis ampliamente en la industria (interruptores estiticos, control de temperatura, estabilizadores de c.a, variadores de velocidad de motores eléctricos, carga de baterias, convertidores auiliares para ferroca- il, electrénica del automévil, ete), en la oficina (sistemas de alimentacién ininterrumpida, fuentes de alimentacién de equipos informaticos, ete.) y en el hogar (control de iluminacién, cocinas de induccién, control de pequefios motores, etc) 1.4 METODO DE ANALISIS DE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS DE POTENCIA Casi todos los cireuitos en Electréniea de Potencia funeionan con sus semicondnetores 0 valvulas alternando estados de conduceién en satnracién y en corte. Es muy ‘itil y no intro- duce un error apreciable considerarlos como ideales, es decir, cuando conducen, como un cortocireuito, y cuando estin bloqueados, como un circuito abierto. Cada vez que un semi conductor cambia de estado, el esquema equivalente del eireito se altera y, por consiguien- te, tone lugar un fenémeno transitorio en el sistema. Resulta asf que el régimen permanente de funcionamiento esta constituido por una sucesién periddica de regimenes transitorios. Los interlos de tempo on seals no eambi ol exquems equivalent del rete s denom- nan simplemente interealos ‘A modo de ejemplo, en la Figura 1-2 se da un eireuito reetificador con la forma de onda de Ia intensidad en R. El periodo es T =f, ~ fo y consta de tres intervalos. Enel intervalo 1 ambos semiconduetores estin bloqueados, puesto que, aunque el tris- tor estd polarizado directamente, su puerta no ha sido excitada, Esto ocurre en el instante t, dando origen al intervalo 2. En el intervalo 3 solo conduce D. Para estudiar un montaje es necesario primero deseribir su funcionamiento, es decir, maginar la evolueién de las diversas funciones —tensiones ¢ intensidades en los elementos del cireuito— durante cada intervalo, La variable independiente es el tiempo. El tratamien- to matemitico comporta los pasos siguientes. 4) Para el primer intervalo se eseriben las ecuaciones diferenciales del cireuito equiva- lente. b) Estas ecuaciones se integran introduciendo las constantes de integracién necesarias ) Con las expresiones analiticas obtenidas se determina el instante en que aeaba el intervalo, porque dejan de eumplirse las condiciones para las que es vilido su esque- ma equivalente d) Se procede de igual forma con el intervalo siguiente y asf con todos los demés hasta el fin del periodo, © ME$-Paraninfo 9Parte 1, Intrduccién 1 7 el ; Sefiales de excociin de T j vena ft 4 j Iona at <1 i ena at 818% FFicuRa 1-2 Intervals de fimcionamiento en wn circit retifiader. Las condiciones de contorno para halla las constantes introdueidas son las siguientes: 4a) Ciertas funciones no pueden variar bruscamente —Ia tensién en un condensador y la intensidad en una bobina— y, por tanto, al principio de un intervalo tendrin el mismo valor que al final del intervalo inmediato anterior. }b) Dada la periodicidad de funcionamiento, cada funeién tiene igual valor al principio y al final del periodo, En realidad esta condieién esta incluida en la anterior. Con objeto de estar familiarizados con el tratamiento analitico es conveniente repasar algunos temas de la Teoria de Cireuitos, lo cual se hace a continuacién. 1.5. INTEGRACION DE LAS ECUACIONES DIFERENCIALES Para cada intervalo de funcionamiento el eireuito queda definido por un sistema de ecua- ciones algebraicas y diferenciales, las cuales es preciso integrar. Sea x la funcién en cuestin, 10 © 11E5-PorainfoCapitulo 1, Intrducién a la Electrinica de Potencia ue generalmente es la intensidad o la tensién de una rama. En el primer miembro de la ecuacién aparece la funeiOn y sus derivadas y en el segundo la perturbacién, La solucién consta de: 4) La solucién de la eenacién homogénea, es decir, con el segundo miembro nulo, Co- responde al régimen transitori o régimen libre, x, en el cual la perturbacién es cero. 1b) Una solucién particular de la ecuacién completa, que puede ser la correspondiente al régimen permanente o régimen forzado, xp Asi pues, =xtey (lay EI nimero de constantes de integracién es igual al orden de la ecuacién y sus valores se obtienen de las condiciones de contorno. 1.5.1 Aplicacién del método temporal a las ecuaciones de primer orden Sealaecuacién a(dx/dt) + bx = f(t), siendo 2, el valor de la funcién y x,, el del término forzado, ambos en el instante inicial t La solucién libre tiene la forma x = K-e~ y, como x =x) +p se tiene en el ins- tante inicial x)= K +2,, ¥, por consigniente, la solueién general es = (to age Mt ay (1.2) Alvalor 1 = a/b se lo denomina constante de tiempo del cireuito. Su inversa es el eoefi- ciente de amortiguamiento, «= bja. En el caso de que el intervalo comience en el instante t = fy en vez de en el supuesto 0, enel exponente de la ecuacién aparece (¢ ~ f,) en vez de t. ‘Como ejemplo de aplicacién vamos a resolver el cireuito de la Figura 1-3, Se trata de un rectificador en que la carga es resistiva, el filtro es una inductancia y la fuente de energia tiene nula su impedancia interna y genera una tensién senoidal e = E,sencot. Se va a calcular la intensidad en la carga. Intervalo 1: Tan pronto como en el instante iniciale se have positiva, el diodo se polariza directa- mente y conduce. En el esquema equivalente solo aparecen la fuente, Ly R, y su ecuacién diferencial es di L a +Ri=E,senot (3) Enel régimen permanente —o forzado—, es decir, cuando ha desaparecido el régimen transitori, es sabido que se verifica que el valor de pico de la intensidad esti dado por Ey/Z, siendo Z = /R? + w7L? y que la intensidad esté retrasada respecto de la tensién de la fuente un dngilo p are tgeol/R. Por tanto, i= (E,/Z)-sen (at ~ g), cuyo valor inicial es --% (4) ig= een ) El valor inicial de la intensidad es i = 0, puesto que ese era su valor inmediatamente antes de empezar a condueir D y no puede haber discontinuidad por la presencia de L. La solueién general es entonces E, AE, sPsenge t+ sen (wt — 1 zene 7 enlat — 9) (15) El intervalo acaba cuando se modifica el esquema equivalente, cosa que ocurre cuando se anula la intensidad y D se bloquea. El instante final, t, se caleula con la condicién 8 senge © +sen(wt,~ g)=0 (1.6) © 1185-Peraninfo V1Parte 1, Intrduccién 12 © 11E5-Porainfo 7 ‘ t <0 @)e R )e le EEsquoma oquvalenio om EEsquoma ogulvalente an alinenale 02th elintewale 2%, = f= Ficuns 1 Circuito de primer orden Intercalo 2: Comienza en t, y en el esquema equivalente D aparece como un eireuito abierto. La tensién del diodo es igual a lade la fuente. El intervalo acaba cuando e se hace positiva y el iodo se polariza directamente, completéndose asi el cielo El periodo de la intensidad coincide con el de la fuente. 1.52 Aplicacién del método temporal a las ecuaciones de segundo orden Sea la ecuacién ald?x/dt*) + b(dx/de) + ex = f(), siendo xy yx los valores de la funeign y de su derivada y x, yx, los valores del término forzado y de su derivada, todos ellos en el instante inicial ¢ = 6, La solucién libre es 2 = K,-e'' +K,-e™, siendo r, y ry las rafces de la ecuacién ea- racteristica », fF -a+ an neat ag jm 5 b [Re 2a fg tim (18) El valor = b/2a_ se denomina coeficiente de amortiguamiento, a @, = x/ela, pulsa- cidn de resonancia, y a @, = ,/w? — a, pulsacién natural. Ambas pulsaciones coinciden cuando no hay amortiguamiento.Capitulo 1, Intrducién a la Electrinica de Potencia Para a > o, ambas rafes son reales y el régimen libre es aperiddico. La solucién es r= Kel + Ke +4, (19) alto ~ #6) ~ bea 5) (1.10) mot Kyu onto) 4) um Para el amortiguamiento crtico es «= @, y hay una raiz doble, La solucién es ree 4K, + Ks) +3, (112) K,=%—¥5 (113) Ky = (6 — 44) + alto — 34) (114) Para a < «, las raices son complejas y el régimen libre es subamortiguado dando lugar a uma forma de onda sinusoidal amortiguada x =e" "(K, cos oof + K,sen a) +x (115) con (16) a7) Este terver caso es el que se da con mayor frecuencia en los eirenitos electrénicos. ‘Como ejemplo vamos a resolver el circuito de la Figura 1-4, mny usado en la conmu cién forzada de tiristores. El instante inicial tiene Ingar con el disparo de Ty los valores iniciales son uy = U,¢ ip = 0. Al entrar T en conduecién las ecuaciones que rigen el circuito (L18) (1.19) Ficura 14 Circuito de segundo orden @118$-Peraninfo 13Parte 1, Intrduccién 14 © 1185-Praninfo ¥ sustituyendo la segunda en la primera udu lo Ge tReT tu=0 (1.20) De ella R 1 EY OT (121) El valor de R esté determinado por las pérdidas del circuito (en L, en T, en el eableado) yes muy pequefio, de manera que se cumple que 4 <, y estamos en el tercer caso, Esta condicién significa que R <2./L/C. El régimen permanente no existe porque no hay perturbacién: uy= 0. Calculemos las constantes de integracién (1.22) w= -B=0 (1.23) como uy=0, también uy, = uy (1.24) (1.35) y la solueién es “a sen u= Up *eosag + sen ey) (1.26) La intensidad esté dada por ow i= “C= 07 Ue tsenag (127) Ambas formas de onda estén representadas en la propia Figura 1-4 E] intervalo acaba cuando se antla la intensidad y T se bloquea. A partir de este instante la intensidad es cero y la tensién de C polariza inversamente al tristor. El instante f, se calcula con la condicién i (1.28) sen, =0, 0 sea, y la tensin del condensador es uft,) = —Ue“™ (1.29) ccuyo valor absoluto es inferior al valor U, de partida debido al amor En la Seccién 1-8 se da una tabla abreviada de derivadas e integrales que puede ayudar en este método de eélenlo. 15.3 Aplicacién del caleulo operacional En los dos apartados anteriores se ha usado el método temporal para la resolucién de las ecuaciones. Cuando los cireuitos poseen varias mallas es preciso resolver un sistema de ecuaciones diferenciales y ln complicacién puede ser extraordinavia. Es mas ficil, en la mayor parte de los casos, acudir al eéleulo operacional, el cual permite la transformacién de las ecuaciones diferenciales en ecuaciones algebraicas normales desapareciendo la variable tiempo t y apareciendo la variable frecuencia compleja s. Este tipo de transformacién tiene ademés la virtud de considerar explicitamente las condiciones iniciales del problema.Capitulo 1, Intrducién a la Electrinica de Potencia Se puede emplear para ello la transformacién de John Remington Carson (Laboratorios Bell), definida por la integral Fis) c fit:e"*-de (1.30) y la transformacién de Pierre Simon Laplace (1749-1827), definida por la integral Fe) = i * flere *-dt (131) mucho mis extendida, La funeién del tiempo f(t se llama transformada inversa, o anttrans- formada, de F(a). A veces se escribe con el operador £~"[], de modo que puede eseribirse la transformacién inversa de este modo: f(t) = £>[F()) (1.32) La esencia de estas geniales herramientas consiste en que permiten obtener restimenes intemporales (en el dominio de la frecuencia compleja) de evoliciones temporaes, para ope- rar en un plano més arquetipico en el que la expresién de las relaciones y la de su solueién se simplifean. Asf, los productos en el dominio del tiempo pasan a sumas en el de la fre- cuencia compleja, los cocientes a restas, las integrales a productos y las derivadas a cocien- tes. Obtenida la solucién en el dominio de la frecuencia compleja, se devuelve al dominio del tiempo con ayuda de una tabla de antitransformadas y las condiciones de contorno!™. El dotalle del procedimiento de eéleulo con la transformada de Laplace es como sigue: Después de establecer las eeuaciones diferencias temporales que ligan los valores de las distintas variables dl sistema, los diferentes términos se transforman umo a uno y se obtiene ‘un conjunto de ecuaciones algebraicas en s. Estas ecuaciones se resuelven algebraicamente y se despeja la transformada F's) de la funcién buscada. La expresién se denomina solucién ‘operacional. La solucién temporal deseada f') se obtiene entonees simplemente hallando la antitransformada de esa solueién operacional en unas tablas.(Véase la Seccién 1.9. Pueden encontrarse ejemplos de antitransformadas de Laplace en (1-14),) ‘A titulo de ejemplo se va a resolver el interesante circuito de la cuente aplicacién en la Eleetrénica de Potencia En el instante inicial la tensién del condensador es U; y la intensidad en la bobina es 1, La resistencia R representa las pérdidas del cireuito, enyo factor de calidad esti dado por Q = LR, siendo @, la pulsacién de resonancia. La ecuacién diferencial es wa 1.5 de tan fre- 1 i Bautg frasniem (1.33) cs R yo)= UY, H0)=4 Ficuea 15. Circuito bisio LC. "> Vease una expan mis detallad de I tanfomcién de Laplace y de sus propicdades en [1-14]. pp. 180-208 Foun 19 Ph Sion ape mati sno fants, de lo pats io oc Coes ‘ans Uno, aa @118$-Peraninfo 15Parte 1, Intrduccién 16 © 11E5-Porainfo con (134) Su transformada de Laplace es E-u_1 Fa 5g Me) + Halle) — 1) + RUG) (1.35) Despejando, (1.36) (137) siendo o 5 3 @) = oF ~ a? (1.38) = aretg 1.39) om arete t Puesto que las pérdidas son relativamente pequeiias, es ©, > at y pueden hacerse las si ‘guientes aproximaciones 0 ~ 0, (1.40) Haciendo X se tiene para la intensidad Lao g yeomo a= 29 EU, ( yen + leosos (ine) (al) AX se la denomina impedancia caracteristica del circuit. La expresién de la tensién en el condensador se halla de manera similar. La ecuacién integral es (1.42) y su transformada de Laplace (1.43) cuya antitransformada es u=E-(E-U) e-* (seneagt + 9) + (44) %Capitulo 1, Intrducién a la Electrinica de Potencia «que con las aproximaciones (1.40) resulta u=E+[XIsenag ~ (E ~ U)cosag}-e7 (20) (1.45) 1.5.4 Integracién numérica Hay ocasiones en que, por la complejidad o caracteristicas del cireuito, no es posible o no interesa halla la solucién analitica de las ecuaciones diferenciales que lo definen. La inte- 5 gracién numérica constituye entonces una potente herramienta alternativa de calcul. j Los procedimientos numéricos proporcionan punto a punto el valor aproximado de las finciones integrales buseadas, siendo inherente a todos ellos la presencia de error. Cuanto is simples sean los eéleulos y euanto menor sea el error que impliquen, que deberd acotar- se en cada caso, tanto més ventajoso seri el procedimiento adoptado. Hay un gran ntimero de métodos (de Leonhard Euler, de Thomas Simpson, de Carle Runge, ete), pero sin lugar a dudas el mas usado es el de Runge-Kutta (Martin) (de 4.” of meus +2 va Ede (7070, den), que se describe a continuacién See erreaaerces Sea la ecuacién diferencial sim Ce nt Une, & qf 1.46) gales) (146) siendo x=s, para =4,, Para n instante h posterior (At =f, ~ f= A) se ealeulan los siguientes incrementos corregidos ky = hfs) (47) ky = hfe, + 05h, x, + 0,5k,) (1.48) ky = Aft, + Oh, x, + 05k.) (149) y= hfs +h x) +k) (150) y el valor de la funeién en el instante f,4, es Saar 8) + (ky + 2ky + ky +h (151) La fimeién se va asf obteniendo por puntos (cada tno a partir de su inmediato anterior) desde el instante inicalt, (el subindice i vale cero) en el que el valor de la fncién es conoci- do, to Este método da un error de quinto orden, siendo la aproximacién conseguida tanto mayor cuanto menor se elijah. Las ecuaciones diferenciales de orden superior pueden igualmente integrarse mumérica- mente de manera e6moda, puesto que una ecuacién diferencial de orden n equivale a un sistema de n ecuaciones difereneiales de primer orden. En este caso, eada uno de los inere- rmentos corregidos de eada funcién se caleulan simulténeamente. Por ejemplo, considérese el sistema de dos ecuaciones siguiente: ae aq ibe) (1.52) y ties (1.53) © 118s-Paraninfo. VTParte 1, Intrduccién Los incrementos corregidos son Ki hfilte te yd Kay = Aft x yd) a, = hf + Oh, a + 05k. hs + 05k) ay, = Afalts + Oh, 2, + 05K, U5 + OKs) ky, =hfilt, + 05h, x + O,5k,,, yi + O.5k,) ky, = Aft, + Oh, 2, + O.5k,,, ys + 0.5K) ky = Aft, + hy, + kyu ts + hy) ky, = Aft +a, + hye ts + key) yeel valor de las funciones en el instante siguiente: Bap att yy +e, + hy, + ky Yr =H + Rim + Bkyp + key, + hyp )/6 (1.54) (1.55) (1.56) (157) (1.58) (1.59) (1.60) (1.61) (1.62) (1.63) Un cireuito formado por n, condensadores, nq induetancias y ng resistencias esté definido por un sistema de n; + ng ectaciones diferenciales de primer orden. Los métodos de integracién numérica son extremadamente féciles de aplicar con la ayu- dda del ordenador, el eual puede suministrar los resultados tabuilados o, lo que es més intuiti- vo, dibujar las formas de onda, Se prestan como herramienta ideal para el estudio de los regimenes transitorios. En la Figura 1.6 se da la intensidad de entrada i al cireuito de sexto orden de la Figura 15-13, integrada numéricamente, cuando se le aplica la tensién rectangu- lar alterna u (dato), teniendo conectada a la salida tna determinada carga. En un eierto ins- tante la salida se cortocire y la onda rectangular alterna, con u pequeio retardo, se es- trecha considerablemente. Como consecuencia se produce un pico en la intensidad de entrada, siendo su evolucién posterior més sinusoidal. 20m hne08me Instante de produccién el coneckeuto FFicura 1.6 Intensidad de entrada a un filtro deca. obtenida por interaction 18 © 11E5-PorainfoCapitulo 1, Intrducién a la Electrinica de Potencia 1.6 REPASO SOBRE LAS FORMAS DE ONDA PERIODICAS En régimen estacionario de funcionamiento las tensiones e intensidades que aparecen en Jos cireuitos eleetrénicos son de naturaleza periédica, Si se trata de una intensidad, por ejemplo, se verifica que il) = i(¢ + 1), siendo T el periodo, En este apartado se trataré de los valores earacteristicos de una onda, del desarrollo en serie de Fourier y de la poteneia 16.1 Valores caracteristicos de una onda Todos ellos se representan con maytisculas. Tenemos primero el ealor de pico, Ip (supo- rnemos que se trata de una intensidad), que se define como el valor méximo de la onda recti- ficada li Bl valor efieas, Lo 1,, se define como la raiz cuadrada de su enadrado medio (1.64) El valor medio viene dado por (1.65) aunque, generalmente, por él se entiende el valor rectificado medio definido por ; [ lilde (1.66) Para dar una idea de la forma de la onda se da su factor de forma (1.67) y su factor de pico . ® (1.68) 1.6.2 El desarrollo en serie de Fourier Las funciones periédieas, eumplidas eiertas condiciones, pueden ser descompuestas en tuna suma que eonsta de: 4) Un término constante, que es la componente continua ) Un término sinusoidal lamado componente fundamental, que es de la misma fre- cuencia que la funcién que se analiza. ©) Una serie de términos sinusoidales llamados componentes arménicas © arménicos, ccyas freewencias son miltiplos de la fundamental. Es decir, Ao 0-2 +3; Uncosnor + B, sen not) (1.69) 2 post anal fivjeosnantat, 1,2, 3, (1.70) rout 134 Fu (8, ee ‘nay a emt ple ol Ed Pid Prt fo opin non pie sera terns snes ne ta essay 6 a Tes ae alt (aa eB, etn oni eis O118$-Peraninfo 19Parte 1, Intrduccién 7 Ssennard, — n=1,2,3, am TI. siendo f, cualquier instante y @ = 2x/T. La magnitud de un arménico puede tener signo positiv o negativo, estando en fase o en contrafase con la onda fundamental en los pasos por cero, respectivamente (véase Figura 1-7). El término constante Ay/2 es el valor medio de la funeién. Los términos Ay, B, son los valores de pico de las componentes sinisoidales, Como para eada arménico (o para la funda rental) las dos componentes A, y B, estin desfasadas 90°, la amplitud de cada arménico (0 de la fundamental) viene dada por \/A2 + BE Bl desarrollo queda notablemente simplificado gracias a ls simetrias de la funcién, las cuales pueden ser evidenciadas en ocasiones gracias a una adecuada colocacién de los ejes de coordenacas. — Caso de funeién par, f) =f(-1) Carece de términos en senos y los otros pueden calenlarse de manera simplificada owe Spr: Sead ps ea i) fa to to weir 4fF aoe Frome wm ‘tem con et aminico trceo on contrast 0 oes: — Caso de funcién impar, f(t) = —f(—#) Sélo tiene términos en senos, que pueden caleularse ast ar B.=% f fl sonnet dt (173) — Caso de funeién alternada, f() = —f(t +72) El término Ay es nulo y también los arménicos pares. Los impares pueden calcularse simplificadamente asi r Ants < ( filt)\cos (2k + lard, k= 0,1, 2,3, (1.74) z Busy ls ‘f(@sen(2k + ljotd, k= 0,1,2,3,.. (1.75) Es de notar que hay funciones que presentan a la vez varias simetrias. Vamos a ver a continuacién la elacién que existe entre el valor elieaz de una onda y st desarrollo en serie, Supongamos que se trata de una intensidad, 1 =f), Se demuestra fi- cilmente que per, T to , et gee oe +) a4 By + te 2 + BY + = pity ATH BD) +S AS + BD + +S (AN + BS) + (1.76) yeomo 1, = V/A? + B2/\/2 es el valor eficaz del arménico n, resulta I= /R+R+h+ othe (7) 20 © 1185-ParanifoCapitulo 1, Intrducién a la Electrinica de Potencia onda Vols rectcado | Valor fens Factor frm Factor do pico : : fz ri re iS . z ae a a 7 VVV\ 2 | : = ale sie ssi apttcone | Ao. [senza Be 2 7" pena a Zoos a0 ia (Continia) © 1185-Peraninfo 21Parte 1, Intrduccién Valor reccade es Onda a Valor fea Factor deforma Fector do ‘ ~o Amz 2 4, “ao 7 ar ar 2 2 AS e a n ar ar Jer Z E ze = 5 S| eT wor t Ap | | 4 " a ae asta 1-1 Valores asoeados a ondas periédicasusuales, (Ampliad por R, Zamorano, ETSI, UNED, a partir de [1-14}) Para dar una idea de cémo se asemeja la componente alterna de una onda periédica a una senoide o, lo que es lo mismo, para saber su contenido de arménieos, se da la distorsin de la onda. La distorsién de un arménieo cualquiera se define como el valor efieaz de ese arménieo dividido por el valor eficaz de la fundamental La distorsién arménica total se define, en con: el valor efiewz de la fundamental », EES +he= 22 © 17Es-Paraninfo cia, como el cociente entre el valor cficaz de la onda formada por el conjunto de arménicos excepto el primero, o fundamental, yCapitulo 1, Intrducién a la Electrinica de Potencia Es obvio que D.= (Dit Dh+~ 4 DEF (1.80) P=P,+ Fl + Dd} (1.81) y que 1.6.3 Potencia La potencia consumida por un receptor que bajo la tensién u es reeorrido por la intensi- dad i, es el valor medio de la potencia instanténea ui f on idl (1.82) In Su unidad es el vatio, W. La potencia aparente se define como el producto de los valores eficaces de la tensién y de la intensidad P,=UL (1.83) Su unidad es el voltamperio, VA. Al cociente entre ambas se lo denomina factor de potencia fas, fst (1.84) El factor de potencia es inferior a la unidad por dos razones @) Por la diferencia de las formas de onda de la tensién y de la intensidad. b) Por el desfase entre ambas. ‘Cuando la tensién y la intensidad estin dadas por su desarrollo en serie de Fourier = Ug, + Usp sen (at +) + + Ugg sen nat +) + (1.85) y+ Lypsen(ot + Vy ~ Qi) += + Typsen(nat + Y,— 9) be (1.86) se demuestra que P= Unda, + Usl cos @, + + Uslycos Oy + (1.87) Bs sabido que A Uy 2 VRB yy = aretg (1.88) para el arménico n de la tensién, Bl subindice p hace referencia al valor de pico, siendo (1.89) El Angulo 9, es el de desfase entre los arménicos de orden n de la tensién y de la inten- sidad. La relacién (1.87) muestra que la potencia es la suma de las potencias puestas en juego por el témino de continua, por la fundamental y por cada uno de los arménicos, y es la con- secuencia energética del teorema de superposicin © 185 eeraninfo 23Parte 1, Intrduccién 24 © 18S Paraninfo Factor de potencia instantineo La introduecién de la Blectrénica de Potencia en el campo de la mejora de la calidad de la red eléctrica y en el de su gestién mediante filtros activos de tensién y de corriente, filtros hibridos resonantes-activos, acondicionadores universales [1-23], ete. (equipos todos ellos que suelen funcionar a unos 10 kHz, es decir, con ciclo de operacién del orden de los 100 is) exige el cémputo de las modificaciones en tensién, intensidad y potencia en tiempos muy inferiores al ciclo de la red eléetrica, de 20 ms en la red de 50 Hz. Esta problemética, que sobrepasa las posibilidades de los conceptos tradicionales de potencia activa y reactiva que acabamos de recordar, fe abordada en principio en el entomo de la compensacién de ener- gia reactiva y de arménicos en condiciones alejadas del estado ideal de régimen estacionario senoidal puro. La utilizacién primero de compensadores estiticos de reactiva con tiristores (con capacidad de variacién del dngulo de disparo cada 20 ms/6 = 3,8 ms en un eirenito con seis tiristores, por ejemplo) con ondas de tensién y corriente muy distorsionadas o/y de- sequilibradas, y lnego de los filtros activos antes mencionados (capaces de variar su ancho de impalso en cada ciclo de operacién, de! orden de 100 is), ha exigido un replanteamiento conceptual de la teoria de circuitos que permita el eémputo répido de la componente de corriente a compensa. Por su parte, los procedimientos de control programado en potentes procesadores para la Blectrénica de Potencia aplicada a la calidad eléctrica, mediante los citados filtros activos y acondicionadores conmutados en alta frecuencia, consigien la restauracién instanténea (en cada ciclo de operacién como posibilidad limite, quiere decirse) de las ondas mediante vas estrategias que operan en el dominio del tiempo y estén liberadas de algunas constricc nes conceptuales heredadas del régimen estacionario senoidal [1-19]. Aunque existe una im- portante innovacién en este campo [1-15]-(1-18], se han impuesto dos teorias principales de Ja llamada «potencia instanténtea», la de Fryze [1-1] y la de Akagi [1-11], que permiten de- terminar las componentes de potencia a compensar en tiempos inferiores al ciclo de la onda de red, por lo que parece razonable exponer aqui la eseneia de cada Teoria de Fryze-Bucholz-Depenbrock"® S, Fryze coneibié {1-1] una descomposicién de la potencia aparente P,, en dos compo- nentes llamadas potencia activa P y potencia no activa P,. En una carga dei sistema esta- cionario con tensién e intensidad periédicas u(t) =u(t +7) e i) =i(¢ +7), la potencia activa seria [ il) at (1.90) ‘que representa la potencia media transferida a la carga en el periodo T, y la no activa P, vendrfa dada por RB Pe PP (1.91) Mis tarde M. Depenbrock y sus colaboradores [1-15] [1-16] generalizaron este eoncepto Qa 41 ad du 8 la ae =p | dee de 7 | sonu = cosu 8 |S cosu= -senu de dt d du ; ; d 10 | cotgu = cose u ae dt dt " Veanse ors tbls de dervadas en el Capital 4 de (1 y en el Capitulo VU de (1-14). Véanse otras abla de inte lesen el Capt 5 de [4] y en el Capito VI de (1-14) © 185 eeraninfo 33Parte 1, Intrduccién 34 © TES taraninfo DERIVADAS ELEMENTALES » |e - de 4 coseou = —coseeucotgu 13 u Gjaesene d uM |S arccosu = a re ee Ld 2 fa Tee 6 |S aecot 1 de ate eae d 1 dul + para w 17 e ce neal | ~ para w <1 a 1 duy— pam u> CN ie a ey rei [: para u< INTEGRALES ELEMENTALES ‘I 2 | n#-1 3 Je a>0a#1 ace 5 | fawn 6 Jocnnae cos +K 7 Jeosutn = =senut+K 8 J tude = Inpocul +k =Infeosu + K 9 J cots = In|sonul + KCapitulo 1, Intrducién a la Electrinica de Potencia INTEGRALES ELEMENTALES. ue 10 | | secudu = Infpoew + tgu| +K=In[te(“+")|+« | boon + ul + K=Ial($+2)| n fescue = Infeosecu — cotgu| + K = In| te 5 +K f 1 12 | | sentudl Zsondu + K | 4 wd 8 45 MW |sstuau =tgutK 15 Joos du = —cotgu + K 6 |coutgude= sou +X " Jeoseuetguty = ~eoseeu + K a ee » fucose du = cosu +usenu + K 1.9 TABLA ABREVIADA DE TRANSFORMADAS DE LAPLACE'® ‘TRANSFORMADAS DE LAPLACE, Funciones potenciales de s Ne F6) iW) ‘Comentarios 1 1 a) Fimeién impulsin o de Dirac 2 . 5) Funeién impulsion derivada 3 | stm=123.) | oma Funeiéa impulsién de orden n +1 "5 Veanse unas tables mis completas en el Apéadice B de (16) y en el Capitulo VIII de [1-4]. Agadecemos a JL Caran, del Fanta de Ciencias Matemitiss del UCM, colaboracn en lis transforma con eso miiples © 185 eeraninfo 35Parte 1, Intrduccién 36 © ITES-taraninfo ‘TRANSFORMADAS DE LAPLACE Funciones racionales de s T 4 = 1 Funcin esealén unitario 0 5 et 6 7 t Funcin rampa tnitaria fi) _Serodeextaconaria o 5 — senor ote 9 tet 10 senhat 1 u fet 1-9) a? «)_Exponencia recente ee = 2 z aa ae +0) ee 3 |— tet a) e 4 : : OF as? @ jl woe 13 |—____ (s—a)ls ~ b) ab 16 : WF ag tos)Capitulo 1, Intrducién a la Electrinica de Potencia ‘TRANSFORMADAS DE LAPLACE 1 Ptae tay para ay <0 para ay — 7 < 7 para ay >0 1 24 Mos to para A =0 18 | para A? <1 19 20 cost ote “ b a ceoshat + ~ senhat 22 ccoshat D 23 ccoshat + ~ senhat b b a4 24 (: + a" a a @118$-Peraninfo 37Parte 1, Intrduccién 38 © ITES-taraninfo ‘TRANSFORMADAS DE LAPLACE Funciones racionales de s oy | bes | las) 3 |e (1 ate bres aT lo + (ac + bile" oF 8 lt ae ay | bres tay 39 |S ae 5) a1 +d ” |= ae — 5) we fs achat (1 +as)(1 + bs) abla ~ b) 3 ctds ac-d Fas + bs) aa 5) ° sy |? at sen cot « lage sen of sta 3 eos et (+a) +oCapitulo 1, Intrducién a la Electrinica de Potencia ‘TRANSFORMADAS DE LAPLACE, Funciones racionales des Fae tay a para ay >0 4 sara dy <0 para dy — siondo r= are te 37 [sar @=1L2,-) 38 oar WAL, oar" s+ 2Aws + a? paraA =0 cos wt nara A? <1 —a ae Aotsen (0/1 — At +1) ol 39 ees lor = are tg para A?=1 (1 ate wa AP > 1 a e8senh (o JAP Lt +) © siendo r= are tgh O118$-Paraninfo 39Parte 1, Intrduccién “TRANSFORMADAS DE LAPLACE Funciones racionales de s asth Fay tay aa;) ePsen 4ag>0 | aeMeoshatt + (> 7 ) eaeekes @ 49 | para? — day ae + (° - 2) tel aa;) eM senst paraa? day <0 | ac™cosat + (> = i) < siendo a= Jay ~ 1.10 PROBLEMAS P 11 _| Hallar la {rma que da el factor de potencia en el caso general en que tanto la tensiin como la intensidad no sean senoidales,siponiendo nulas ss components continas Folucidn | 1 Potencia aparente es el producto de ls valores eficaes de la tensién eintensidd Pg = I= Ui T* DE hy T* DR ng) siondo Dy, y Dy las distorsiones totales de las ondas de tensién e intensidad, respectivamente. ‘Como las componentes continuas son nulas, segin la Expresin (1.87) resulta P= Uylycos gy + + Uyhyco8 Og + = = Ush(o08 9) +" + DunDins08Qq +=) (Lel13) siondo Dyn y Dia las distorsiones de los arménicos de orden n de tensin e intensidad, respectivamente El factor de potencia, por tanto, es: P_ cosy + DysDracos gn + = + DunDins08 a + s V1 Dig 1+ Di {que depende de los dngulos de desfase entre os arménicos de tensin e intensidad del mismo orden (componente fundamental inchs) y dle las distorsiones de los arménicos de tensién e intensidad. Como se va a vera lo largo de esta obra, hay equipos electrénicos de potencia que absorben de la fuente de enengia que los alimenta una intensidad con una elevada distorsién. En el supuesto ideal de que la fuente .impedancia interna nula, su onda de tensién no va rsullardeformada por los arménicos de idad, y si, ademas, dicha tensién es senoidal pura (componentes arménicas nulas, la frmula antr (14) 05 91 V+ Di, expresin que solo depende del desfase entre la tensién y la componente fundamental de la intensidad, y de la distorsion total de esta. En el Apartado 20.55 se volvers sobre este tema ‘Veamos ahora el caso en que la tensin y la intensidad tienen la misma forma de onda (son ignales ls distor- siones de sus arménicos del mismo orden) y su desfase es nulo (este caso se da para carga resistiva pura). Se verifica que (L115) a= = (116) 40 O1Es-ParaninfoCapitulo 1, Intrducién a la Electrinica de Potencia Haciendo D,, = Duy = Dia ¥ sslituyendo en (114) se tiene: 1+DE+ + DE + [reps ~ 408+ - 1+ E+ ~ + Det es decir, l factor de potencia es la unidad si ambas formas de onda son iguales (independientemente de la distor- sién que tengan) y estan en fae, aan 1.11 REFERENCIAS"? Libros y articulos [U-I]__. Frtze, “Wirk-,blind- und scheinleisting in elektrischen stromkreisen mit nichtsinusformigem verlan von strom und spanning”, ETZ, Bd. 3, pp. 596-599, 23, Juni 1932. 1.63} [3] A. G. CmNoweTH, K. G. McKay, “Intemal field emission in silicon p-n juntions”, Phys. Teo., vol. 106, 13, pp. 418-436, May 1957. {1.7} [1.3] _D. KANG, M. M. ATALLA, “Silconssilicon dioxide field induced devices”, Res. Conf, Carnegie Inst. OF Technol, Pitsburg, Pennsylvania, USA, J [1-4] _F. AvRes Ja., Ecuaciones diferencales, México, McGraw-Hill, (ed. original 1952) 1969, (Nota 1-7} [1.5] _M. R. 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NABAE, “Instantaneous reactive power compensators comprising switching devices without energy storage components’, IEEE Trans. Industry Applications, vol. 14-20, pp. 625-630, May/June 1984, (1.63} [1-12] Cx. G. Suits, “An oral history conducted in 1984 by A. M. McMahon", IEEE History Center, Rulgers University, New Brunswick, NJ. USA, 5 Nov. 1984. (1.7) [1-13] S. ManriNez, «Resefia histérico-téenica de los descubrimientos en el campo de los dspositivos electrsni- cose. En J. L. Marin (Dir), Panorama global sobre los avances cientficos y metodolégicas nel campo de la elecirénica, Estudio para la Consejeria de Cultura de Valencia, 1986. {Nota 1-5: Fig. 2-1} [I-14] S. Martinez, Prontuario para el diseio eléctrico y electrinico, Barcelons, Ed. MARCOMBO, 1958. (1.53; Tabla I-ls 1.63; Nota 1-2} IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-23, 7 Al nal de coda referencia, y entre Haves {), se resefan las capitulo, seciones apataos, nots opis de figura donde le referen- «ins hamenconsdoexplictamente o donde se tratn materia relacionadas sin its expres Las ree dento de cad encorchtado eatin en orden de ubicain en libro y la mencién de una nota ode un pe de pig cliina la de la soccién0 apart correspondiente ‘Aluespera de un aeuerdo ampli en el modo de ita de documents e la we, ls enlaces aga sugeridos se han estuctrado en wn formato parc ade lbs y rests, ysiguendo algunas de as condones amplamente cepa (ease JJ. de Hao, "Eesti en sade ls recurs elecrdnicos, ARACNET, "I febrero 198, ) La ipogratia tdoptada para encionar las distin frnas comerciales noes nied para proximara al odo como eada una prefere identifiers en ss documentoe, ‘Las refereneias de Mins y artculos se ordenancronolipeamente Las de documentos ydieciones de a web, por aden alfbético de vir esanento generador, que aparee alpina, Por aidad de lclzacin y de syed vers, veces un misma referencias eit en distnos apts, abe todo cuando toca con clara tomas relacionados con ea no deel © 11Es-Peraninfo 41Parte 1, Intrduccién (45) (1-16) (17) (1-18) 1-19] 1-20] 1-21) 1-22) (1-23) fi-24) (1-25) 1-26) M. DereNsnock, H. Ci, SkUDELAY, “Dynamic compensation of non-active power using the FDB met- hod-basic properties demonstrated by benchmark examples”, ETEP, vol. 4, n.” 5, pp. 381-388, Sept/Oct. 1994. {1.63} M. DEPENBROCK, D. A. MARSHALL, J. D. Wr, “Formulating requirements for an universally applicable power theory as control algorithm in power compensators”, ETEP, vol. 4, n.” 6, pp. 445455, Nov,/Dee. 1994. {1.63} D.C. ROBERTSON, O. 1. CAMPS, J. S. MAYER, W. B. GIsH, “Wavelets and electromagnetic power system transients”, IEEE Trans. Fower Delivery, vol. 11,» 2, pp. 1050-1056, Apr. 1996. {1.63} W. K. YOON, M. J. DEVANEY, "Power measurements using the wavelet transform”, IEEE Trans. Inatra- ‘mentation and Measurement, vol 47, 5, pp. 1205-1209, Oct. 1998. {1.63} FF, Mur, V. CARDENAS, J. VAQUERO, S. 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Kutta biography, Sch, of Math. and Stat, Univ. St. Andrews, Scotland, Dec. 1996: (1.54) J. J. O'CONNOR, F. F. ROBERTSON, P. S. Laplace, Sch. Math. and Stat, Univ. St. Andrews, Scotland, Jan. 1999, {1.53} J.J-O°CONNoR, F. F, ROBERTSON, C. Runge biography, Sch, Math. and Stat, Univ. St. Andrews, Scotland, Dee. 1996 {1.5.4} J. J. O'CONNOR, F. F. ROBERTSON, T. Simpson biography, Sch. Math. and Stat., Univ. St. Andrews, Scotland, Dec. 1996: < {1.54} D. J. Rawséy, A brie history of electronics - {1.7}PARTE IL. COMPONENTESCapitulo Diopos DE POTENCIA Se inicia aqut la parte dedicada a los componentes especificos empleados en la Electré- nica de Potencia, Aun cuando un cietto componente, ya sea activo 0 pasivo, no eambia en sus bases fisicas por la potencia de operacién para la que esté disefiado, silo hace en al- igunas de sus peculiaridades constructivas y fimeionales y en la forma de definirlo. La ma ria de la valvulas y semiconductores empleados en potencia tienen sus homdlogos en sei que normalmente los han precedida en su uso. Asi ocurre con el tiratrén, el diodo y el transistor de siién bipolar y el FET. Sin embargo otros, como los tristores (salvo excep- ciones), el [GBT y el ignitrén, son componentes desarvollados ab initio para ser empleados exclusivamente en el émbito de la potencia, de modo que, aunque se supone que el lector {que aborda tna obra de esta indole conoce la Electrénica General, est justificada la necesi- dad de proporeionarle una visién sufieiente del mundo de los eomponentes aplicados a la Electrénica de Potencia, Se ha preferido comenzar la exposicién por los semiconductores y vélvulss, por ser los ins caracteristcos, y terminar por los componentes pasivos. Dentro de los semiconducto- res se antepone el estudio del diodo de potencia aunque no sea este un componente activo en el sentido de proporcionar amplifieacién y control libre de wn proceso de conduceién, Sf es un componente allamente alineal euyo conocimiento interno sive de antesala al de los tirstoresy al de los transistores de potencia, CONTENIDO a1 22 2.3 24 25 26 27 28 29 210 PRECEDENTES DEL DIODO DE POTENCIA . D100 DE UNION BIPOLAR. CONSTRUCCION DE LA PASTILLA ‘CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL DIODO DE UNION 23.1 Diodo en estado de bloqueo 2.32 Diodo en estado de conduccién CARACTERISTICAS DINAMICAS DI 24.1 Recuperacién inversa y directa 24.2 Diodos lentos y ripidos 24.3. Sobrecargas transitorias 244 Diodos de av: Dlopos SCHOTTKY DE POTENCIA Diovos ZENER DE FOTENCIA : GAMA, CARACTERISTICAS Y CAPSULAS DE LOS DIODOS DE FOTENCIA - HoJAs DE CARACTERIST PROBLEMAS |. DIODO DE UNION sncha controlada sysgegeregss ‘AS DE DIODOS DE POTENCIA TIPICOS 63 REFERENCIAS «2.2... : . tecttieeteeieeee 70 © 185 eeraninfo 45Parte 11, Componentes Foraomi 21 dl at fe Sve ‘ae SM5 de 5p yO Ame. side sical Foro 22 Ove ww ie ‘ipa com nce empr "DV pny a ai at 46 © 145 Paraninfo 2.1 PRECEDENTES DEL DIODO DE POTENCIA Como ya se ha dicho brevemente en la Seccién 1.7, los primeros diodos o elementos reetificadores fueron los de punta metélica sobre sulfuro metilico y los de vaeio, ambos em- pleados inicialmente en el entomo de la deteccién de ondas de la primitiva radio, Los pri- eros, descubiertos por K. F. Brann, nunca llegaron a aleanzar una corriente ni tensi6n ele- vadas debido a su débil estructura, manteniéndose en el rango de muy poeos miliamperios y de algunos voltios. Bl diodo de vaeto de J. A. Fleming, en sus variantes de més poteneia, ha llegado a manejarintensidades del orden de decenas de amperios y a bloquear cientos de vol- tios, usindose ampliamente en las etapas de deteceién de los receptores de radio con vilvulas yen la fuente de generaci6n de continua de los receptores y emisores con vélvulas. La notable ‘aida de tensin tipiea en conduecién (de varias decenas de voltios) y el gasto de energia para el calentamiento del edtodo han desechado estos componentes, salvo excepeiones, tras la apari- cién de los diodos semiconductores, cuya caida de tensién es del orden del voltio y no necesi- tan calentamiento adicional. Véase [2-13]. Un precedente més préximo en el tiempo y en su fineionamiento a los actuales diodos semiconductores es el diodo de selenio (véanse la Seceién 1.7 y la Fotografia 1-5). Con tal Aispositivo se legaba a reetificar corrientes de decenas de amperios, soportando tensién in- versa de unos 15 V en un principio. El hallazgo y construccién fue puramente experimental y responde a la Figura 2-1, Sobre una placa soporte que hace de énodo, normalmente de ‘aluminio, se deposita selenio impurificado con un halégeno. Sobre ella se apoya otra placa, que serd el eftodo, de una aleacién de eadmio y estafio, Entre ambas placas se forma una capa delgada de seleniuro de cadmio en la que se basa el proceso de reetificacién. La depu- racién de la técnica permitié elevar la tensin inversa soportada hasta unos 50 V y la densi dad de corriente en las placas desde unos 50 mA/em® a I A/em®. Para trabajar con tensiones mayores se apilaban varios diodos en serie. La baja afda de tensién en condueccién de cada iodo (del orden de 1 V) da ugar a una cafda total suma no excesiva. En blogueo, la relativa- ‘mente alta intensidad de fugas asegura un buen reparto de la tensién entre los diodos asocia- impurtece {© convaiteers Conraictado i. case fooio I © Cttose joe = e° Auniio ll | __ sete 7 de cado a Ficuna 2-1 a) Consrucin es 1) Placas componentes zada de un dodo de selenio,Adsptado de 1-13) in dodo de sleno pictco, Cortsia de Conds,Capitulo 2, Diodos de potencia dos (véase 7.2.1). Estos diodos se montaban inicialmente sobre un vistago roscado que atra- vesaba y sujetaba las placas (Fotografia 1-5), intercaléndose terminales eléctricos que permi- tian conseguir asociaciones més o menos complejas (doble diodo unido por el eétodo, puente de cuatro diodos, ete). Més tarde se han empleado masivamente, hasta la aparieién de los diodos de silicio, en pequefias intensidades y tensiones de hasta varios cientos de voltios, encapsulados como indica la Fotografia 2-2 con diversas configuraciones internas. Han re- presentado la solucién habitual para rectificadores de poca potencia en fuentes de alimenta- cidn y otras aplicaciones. 2.2 DIODO DE UNION BIPOLAR. CONSTRUCCION DE LA PASTILLA Las caracteristicas eléetricas deseables en los diodos de potencia son principalmente: — Capacidad para soportar gran intensidad con pequeiia cafda de tensién en el estado: de conduceién o de polarizacién directa, — Capacidad para soportar elevada tensién con pequefia intensidad de fngas en el es- tado de blogueo o de polarizacién inversa. — Reenperacién répida del estado de bloqueo, con baja intensidad inversa, tras el es- tado de conduccién. Esta caracteristica es deseable en los circuitos que trabajan en alta frecuencia de conmutacin, es decir, de paso del estado de conduceién al de blo- queo y vieeversa Los diodos modlernos a base de semiconductores han venido a proporcionar ala industria electrénica unos elementos casi ideales atendiendo a las exigencias antedichas. Los antiguos diodo de gas y de selenio han sido casi totalmente desplazados debido a la elevada caida de tensién en conduccién del primero (unos 18 V) y a la elevada intensidad de fugas y baja tensién inversa soportada del segundo, Los diodos de éxido de cobre, desarrollados experimentalmente a la par que los de sele- nio, se siguen utilizando tradicionalmente en los reetificadores de los aparatos de medida debido a su baja caida de tensién en condueccién directa. No tienen ni han tenido aplicacion importante en la Electrénica de Potencia, salvo como medidores de tensién aunxiliares. De los dos tipos de semiconduectores empleados normalmente, el de germanio (Ge) y el de silicio (Si), el primero presenta la ventaja de vna cafda de tensién en conduecién més baja, de 0,5 V, frente a 1 Ven el de silicio. Sin embargo, este puede soportar una temperatu- ra de trabajo en la unién de hasta 190°C y elevada tensién inversa, mientras que el diodo de germanio puede fincionar hasta unos 110°C como mfximo y soporta menos tensi6n inversa El diodo de silicio es el més empleado hoy, reservindose el de germanio para aplicaciones en que se manejan bajas tensiones e interesa reducir al minimo la cafda de tensién en con- duceién. La Tabla 2-1 refleja las principales caracteristicas de los distintos tipos de diodos y los valores de sus parimetros. Modernamente se investiga en diodos de potencia con otros materiales como el arseniuro de galio [2-4], el nitruro de galio [2-3], el carburo de silicio [2-14] y el diamante, buscando menor tiempo de recuperacién, mayor tensién inversa y mds alta temperatura de trabajo. Hoy se dispone comercialmente de diodos Schottky (véase 2-5) realizados con los tres pri- meros materiales. Las téenicas de construceién de los semiconductores de potencia de germanio y silicio han llegado a un grado de perfeccién extremada, consiguiéndose componentes de larguisima vida si trabajan dentro de las condiciones especificadas. Una de las ms utilizadas es la ue, aplicada a la fabricacin de diodbos, consiste bisicamente en el proceso siguiente: Se parte de un eilindro monocristalino del elemento semiconductor (Ge o Si) dopado con impurezas tipo N (donadoras de electrones) que ha sido fabricado por crecimiento de un cristal semillaen un baiio de semiconductor fndido. Bl cilindro, que puede tener uno o més centimettos de didmetro y varios de largo, se corta en discos mediante una sierra de hilo finfsimo de tungsteno. El espesor del disco es de 1 mm aproximadamente y depende de la tensién inversa maxima que desee obtenerse. © 118$-Peraninfo ATParte 11, Componentes 48 © M1E5-Paraninfo Tntesidad | Tension Temperatira directa J, inversa Ui Corriente } Densidad | interna résima” | mdse detugar [4 corigte| ima a) ™ Wand (Mem?) (c) No plea OF ek De vio 10 | 100 | sos | porcine | Bain | plea | oon Vapi demacwio | son | 2000 | 1s | oom | ae |, 2.) wo so | om | tp 5 Seleno so] Mer | ter | om | ata 1 150 Gihdeake | | | os | om | ale T 7 Geman ao [ww | 0s | vows | tan | 100 10 Slo soo | 000 | 1 | 090mm | Ny baie | 100 190 “Arnie dele | 45 7 Crgiveweete,| as | 30 | os | ome | Meda | 10 150 ‘Carbur desi 7” 7 (en diodos Schottky) eS re ” 00808 Baia be nid ‘Tasta 24 Comparacién de los dds de potencia en imeién desu material de base. lfc tor de eaa de tens refleja el minimo dela pérdidas por conducein que puede obtenerse enleecifisin redo fpr mie, Esme si deme npr on i- ions de potencia El disco de material N se introduce en tn horno con atmésfera inerte en la que se ha inyectado ina determinada eantidad de impurezas aceptadoras, tales como étomos de indio, Estas se difimden por una de las caras del disco hasta conseguir ima determinada penetra- cién y coneentracién. Por i imo, se efecttia otro dopado tipo P (o con impurezas aceptadoras de electrones) muy intenso y de poca penetracién por la misma cara que el anterior, para reducir la resistencia eléctrica de la soldadura al terminal de énodo. En la Fi 2.2 se muestra el perfil de eoncentraciones en sentido axial antes y después de la difusi6n. Aimésteradopadora fan somes de seeptador ©O8209 606 . Sustrato tipo N Antes do dopade ° c 3 E t Ew BAP a Decpuss del dopado In| i } Bo t (Capa anddica N PN ce F N ie Ficus 2-2 Dopado en un diodo de la pasta o sustrato por difusin. Peel de concentraciin de impureasCapitulo 2, Diodos de potencia Forocravis 23 Hornos de difisén de obleas de semicondetores, Cortesta de Laboratorios Bell. tra técnica de menor precisién es la (QED Consiste en dopar alternativa- mente con impurezas P y N el batio de semiconductor fundido durante el proceso de creci- miento del cristal somilla (Figura 2-3). La barra de semiconductor monocristalino obtenida se sierra posteriormente para separar cada pastilla y esta se encapsula, Vacio > pe rotatvo 2s ine youracter |_— cea somita |_ cede Bobi de rnaueeién ‘Semiconductor undido com impurezas, afig —_} Ficues 2.3. Fabrcacin de diodos por unin ered La técnica que permite controlar de forma més exacta el espesor de la pastilla y grado del dopado es la de ‘obre una Kamina de eristal semiconductor puro o sustrato se depositan nuevos étomos procedentes de una fase gaseosa. Este gas puede im- purificarse con dtomos de donadores o aceptadores que sustituyen algunos tomos de la red cristalina, La reaccién quimica principal es la reduceién del tetracloruro de silicio o de ger- manio SiCl, +2 Hy2=5 si +4 ClH En la Figura 244 se representa grificamente la deposicién de una capa tipo N mediante la adicién de boro, GO 11t$-Peraninfo 49Parte 11, Componentes 50 © ITES-taraninfo e % ae. © & 8 Fase guecee ® ‘ ®©®O®OOO889 }rsennataeo Ficura 24 Creacin dela unién de un did por erecimientoeptaial, Los bordes del disco o pastilla semiconductora suelen contener muchas imperfecciones cn la red cristalina e impurezas depositadas a lo largo del proceso de fabricacién que darian origen a zonas débiles para soportar la tensién inversa Por ello el borde es desbastado y biselado como indica la Figura 2-5, obteniéndose también de esta forma un menor gradiente de potencial en el mismo y mayor tensién inversa soportada. Superteies equpotenciles Fours 25. Biselado de los bodes de la pasila de um did. Disttbuckn de superfices euipotencies 2.3 CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL DIODO DE UNION Los fenémenos intemos que rigen el funcionamiento de los diodos de potencia de silicio yy germanio son exactamente iguales a los descritos en obras de Electréniea Bisica para los diodos semiconductores en general. En el caso que nos ocupa, el érea de la pastilla es apre- ciable y las corrientes manejadas son altas. Esta es la diferencia fundamental con un diodo de unién para pequefias corrientes. 23.1 Diodo en estado de bloqueo Aplicando tna tensign inversa By los terminales de un diodo de forma que la capa anddi- ca P sea més negativa que la eatédica N, los portadores mayoritarios de ambas son atraidos hacia los extremos de la pastila, ensanchéndose la zona de carga espacial y vaciéndose de por- tadores. Aparece tna barrera de poteneial en la unin, del mismo valor aproximadamente que ln tensin inversa aplicada exteriormente, que suele ser muchas veees superior al potencial de unién U,. La corriente de mayoritarios 1 cesa précticamente y la de minoritarios 1, aumenta respecto del valor que tiene con la unin en equilibrio hasta el que le permite la coneentracién de los mismos, que es pricticamente independiente de la tensién aplicada pero erece con la temperatura. Esta corriente inversa de saturacién o corriente de fugas es muy pequefia, espe- cialmente en el slcio, y puede decirse que el diodo no conduce o esti bloqueado,En la Figura 2-6 se han representado las distribueiones de carga espacial y de potencial en sentido axial en el interior del cristal. Las lineas de puntos indican la situacién con los extremos del diodo cortocireuitados, en euyo caso ambas distribuciones se modifiean ligera- ‘mente hacia los extremos del eristal respeeto de las eurvas obtenidas en equilibrio (termina- les del diodo en circwito abierto) para dar una carga neta y un salto de potencial nulos en toda la pastilla. Por claridad se ha representado U, no mucho menor que ee Udo rire Vide penne Udo peo repetti erable Carga espacial : «| . ppb ma g 8 |Eo I By ie a come : . 4h} — eee ee eee eaeegeeas cae aks 4 Ficura 26 Dido en estado de blogueo. Distrtbuciones de carga y de ptencil.Caractersti- ‘edge ~ fy. Ciruito equivalente. Defniién de tensionesearacteristias Puede verse en la caracteristica uc ~ i, que la intensidad inversa es muy pequefia (la Figura 2-6 puede corresponder a un diodo de silicio de 100 A y 1.000 V) y que aumenta fuertemente con la temperatura, El fabricante suele definir en la zona pr6xima a la avalancha cuatro tensiones earacteristicas del diodo que orientan al usuario para emplearlo correctae mente, a saber: Tensin inversa de trabajo: Puede ser soportada por el diodo de forma continuada sin peligro de calentamiento por avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo: Puede ser soportada en picos de 1 ms repetidos ‘cada 10 ms por tiempo indefinido. Capitulo 2, Diodos de potencia © 118$-Paraninfo 51Parte 11, Componentes 52 © s1ES-Paraninfo Tensidn inversa de pico tnico: Puede ser soportada por wna sola vez cada 10 minutos ‘0 més, con duracién del pico de 10 ms. Tensién de ruptura: Sies aleanzada, aunque sea por una vez y con duracién de 10 ms ‘© menos, el diodo puede destruirse 0 al menos degradar sus earacteristicas eléctricas (salvo en los diodos de avalancha controlada operando dentro de sus limites) Hay que decir que no existe una norma universalmente aceptada para definir estos pari- metros y aqui se ha expuesto el criterio mis corriente entre los fabricantes. Las pérdidas de potencia en bloqueo son extremadamente bajas porque son iguales al producto de la tensién inversa soportada por la intensidad de fugas y esta es muy pequefa, sobre todo en el silicio, aunque aquella pueda ser grande. Normalmente suelen despreciarse frente a las pérdidas en conduecién (véase el Problema 2-1, pregunta 4). Si se quieren tener cen cuenta, se puede emplear la Férmula (4.1) justificada para el tiristor en bloqueo al final del Apartado 4.2.3, pues los fensmenos eléetricos son muy parecidos. El circuito equivalente de un diodo en estado de bloqueo puede aproximarse para la mayo- ria de los casos précticos a un cireuito abierto, aunque seréa mis correeto desde un punto de vista te6rico asimilarlo a una fuente de intensidad muy baja dependiente de la temperatura 2.3.2 Diodo en estado de condueccién Si se aplica a los terminales del diodo una tensién directa, los portadores mayoritarios son empuijados desde los extremos de la pastilla hacia la unién y pasan a la capa opnesta como minortarios. Esta cortiente I; aumenta enormemente respecto del valor que tiene en equilibrio, de forma que la de minotitarios en sus eapas de origen I, en sentido contrario es insignificante. Ademés, esta disminuye ligeramente respecto del valor de equilibrio poray el potencial de unién que la favorece se reduce, debido a que la abundaneia de mayoritarios disminuye la densidad de carga en las proximidades de la unin, Estos fenémenos estin descrtos en la Figura 2-7, en la que aparecen las curvas de den- sidad de earga espacial y de poteneial. De puntos se han dibujado, como contraste, las eurvas con los extremos del diodo cortocircuitados. En la eurva de potencial se aprecia que la cireu- lacién de una intensidad en las zonas P y N produce una pequeia eaida de tensién debido a la resistividad del semiconductor. La diferencia de potencial total uc es la diferencia de las caidas resistvas y del potencial de unin, que es de sentido contratio. Aquellas son aproxi- ‘madamente proporeionales ala intensidad directa y esta disminuye ligeramente con ella, de forma que el potencial total uy es de 1 V aproximadamente en los diodos de silicio para una intensidad igual a la nominal. Para los de germanio suele estar alrededor de los 05 V. Nétese {que en la Figura 2-7 se resulta el soporte de la corriente I;en los portadores mayoritarios de sus capas de origen, huccos en la P y electrones en la N, Sin embargo se dice a veces en el argot de los semiconduetores que los diodos de unin basan su conduecién en portadores minoritarios, contrariamente a lo que suede en los diodos. Hay que hacer notar que en el estado de eonduceién el diodo no suele ser el responsable de limitar la intensidad establecida en el eireuito. De ello se eneargan normalmente los com- ponentes pasivos, que en la Figura 2-7 se han reducido a la resistencia R La caracteristica eldetria uc ~ i refleja los fenémenos internos antes explicados. A temperatura de la unién elevada (150 °C) a caida de tensi6n es menor porque los pares extra sgenerados térmicamente reducen el potenecial de unién y aumentan la conduectividad del se- ‘miconductor. De esta forma la potencia generada en la pastilladisminuye con la temperatura para tna determinada intensidad, pudiéndose considerar este hecho favorable como una es- pecie de autodefensa del diodo contra el calentamiento, Sin embargo, el efecto es contrario para intensidades mucho més altas que la nominal y en tales condiciones aumenta la poten cia disipada, Igual que para latensiGn, el fabricante define intensidades caracterfstieas que orienten al usuario: Intensidad media nominal: Bs el valor medio de la méxima intensidad de impulsos senoidales de 180° (Figura 2-8) que el diodo puede soportar con la epsula mantenida a determinada temperatura (110°C normalmente).Capitulo 2, Diodos de potencia § C06 8 14000] Te ico one soo 1 icorepeo too soa 1a iW av av we Circuito equivalente Mayortaros = ——»|a— 1 a = 6 ? Mirottaios >| 4 ols Ficurs 2-7 Diodo en estado de condceién.Disribuciones de carga y de potencial, Caracte rsa uae ~ i. Ciruitoequivalete Intensidad de pico repettivo: Puede ser soportada cada 20 ms por tiempo indefinido, ‘con duacién del pico de 1 ms determinada temperatura de la edpsula. Intensidad de pico tnieo: Es el maximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10 minutos o més, con duracién del pico de 10 ms. Algunos fabricantes dan la intensidad nominal en valor eficaz en lugar de darla en valor medio, algo a tener en cuenta cuando se comparan diodos de distinta marca. El cirenito equivalente en conduecién puede representarse muy aproximadamente por ‘una pila ideal de tensién U, igual al potencial de unién del semiconductor de que se trate, en serie con una pequefa resistencia r igual a la pendiente promedio de la caracteristiea "9a pérdidas en conduceién directa estin expresedas por rae ft an para una onda de intensidad determinada con periodo de repetici6n T. Para un cileulo aproximado podria sustituirse la tensién snodo-cdtodo por la que apareceria en el circuito equivalente, resultando Mra Pant =F [Wo Hah = Valen HUE @2 siendo I el valor medio de iy ¢ I, el valor eficaz. Un eéleulo més exacto exigirfa una ecua- cidn uae Ui) con més términos oun eéleulo gréfieo con aynda de la curva caracteristica © 1785 -Paraninfo 53Parte 11, Componentes El fabricante proporciona, para facilitar las eosas, las curvas que aparecen en la Figh- ra 2-8 para corrientes pulsantes senoidales de 50 Hz, que son las mas normales en los equi- pos de potencia, y para diversos éngulos de conduceién. Al tomarse como variable el valor ‘medio, resulta que las pérdidas aumentan para menores angulos de conduceién para un mis- ‘mo valor de la intensidad porque el valor eficaz de la corriente aumenta. También suele dar- se una familia de curvas similar para impulsos rectangulares de eorriente. Silas formas de las ondas reales de intensidad no son senoidales ni rectangulares pueden asimilarse a ellas con ciertas precanciones y seguir utilizando las curvas citadas para deducir las pérdidas en con- duceién por aproximacién, a 5 ne i « ‘Corriente continua : : 54 © TES taraninfo 1 irecta media 340 8080100 a Ficura 2-8. Pérdidas en condueisn Con objeto de hacer todavia mis ficil la eleccién de un diodo y su disipador, los eaté- logos suelen incluir eurvas de intensidad méxima para una temperatura determinada de la cépsula. También snele darse la intensidad méxima para uma temperatura dada del aire de refrigeracién con una combinacién diodo-disipador determinada. 2.4 CARACTERISTICAS DINAMICAS DEL DIODO DE UNION Los pasos del estado de corte al estado de conduecién y viceversa no se producen en los diodos de forma instantinea. Es necesario un tiempo de adaptacién de la distribucién de portadores en las capas semiconductoras de un estado al siguiente. Esto implica estados intermedios normalmente no deseables porque en ellos coinciden intensidades y tensiones elevadas que conllevan puntas de potencia disipada altas aunque cortas. Si un diodo fncio- na a una frecuencia de conmutaci6n (niimero de veces por segundo que pasa de conduceién a corte y viceversa) elevada, es necesario prestar atencién al modo en que realiza dicha con- mutacién, es decir, a sus caracteristicas dindmicas y asegurarse de que no merman sustan- cialmente la funcién y la eficiencia energética del circuito al que sirven. 24.1 Recuperacién inversa y directa Se llama recuperacién inversa al proceso por el que un diodo en conduecién adquiere, tras ser sometido a una tensién inversa, las propiedades de bloqueo estitico. Si un diodo conduee en sentido directo una intensidad 1, la zona central de la unién esté saturada de ‘mayoritarios con tanta mayor densidad cuanto mayor sea I.Capitulo 2, Diodos de potencia Recuperacién inversa abrupta o forzada Si el circuito exterior fuerza la anulacién de la corriente previa I con cierta velocidad i,/at para llevar al diodo al estado de bloqueo aplicéndosele una tensién inversa, resultard aute después del paso por cero de la corriente existe en la unin wna cierta cantidad de por- tadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca tempo- ralmente en sentido contrario al ordinario. La tensién inversa entre énodo y cétodo no se establece hasta después de un tiempo llamado tiempo de almacenamiento,t., en que los por- tadores empiezan a escasear y aparece en la unién la zona de carga espacial. La intensidad todavia tarda wn tiempo ¢, 0 tiempo de caida en descender a un valor despreciable a medida aque va desapareciendo el exceso de portadores por recombinacién con eargas de signo con- trari. En la Figura 2-9 se ilustra la forma més habitual de definir exactamente t, y f,. La suma de ambos se llama tiempo de recuperacién incersa, ty la carga eléctrica desplazada, carga de recuperacién, q,; a intensidad de pico en sentido inverso aleanzada en el proceso se llama intensidad de recuperacién, 1, Todos los parémettos definidos anteriormente dependen de la intensidad directa I de partida, de su derivada dij/dt al pasar a recuperacién y, en menor medida, de la tensin inversa final U,,, como se detallaré en 24.2. h PR iste coma 2-9 Recuperacin inversa de un dnd de uni, La recuperacién inversa abrupta es un fendmeno indeseable que puede causar proble- ras en circuitos de alta frecuencia. Por una parte puede calentarse excesivamente el diodo, que es sometido a una punta de poteneia evando se establece la tensin inversa simulténea- mente con la intensidad i,. Por otra parte, la circulacién de intensidad en sentido inverso resta eficacia a muchas operaciones de los cireuitos electrdnicos de potencia. © 1785 -Paraninfo 55Parte 11, Componentes 56 © ITES-taraninfo Recuperacién inversa suave 0 natural Sil cirenito reduce lentamente la corriente directa del diodo, la pastilla Hega al instante de inversién de la tensién uae con pocos portadores, pues estos se han ido reduciendo al adaptarse a las necesidades de corriente. En tal caso tanto la carga q, como la intensidad 1, de recuperacién son muy bajas y no suelen ocasionar problemas en él eireuito, aun cuando se empleen diodos lentos. Recuperacién directa Otro fenémeno de retardo parecido pero de menor importancia tiene lugar cuando el diodo pasa de bloqueo a conduccién. Se necesita cierto tiempo para que los mayoritarios de ambas eapas inunden la zona de carga espacial y se establezca en esta el potencial de unién cen conduccién U,. Mientras tanto aparece tin poteneial positivo entre nod y esitodo provo- cado por el circtito exterior que tiende a poner el diodo en conduecién. Dicho potencial puede ser de bastantes voltios y es tanto mayor cuanto més alta es la derivada de intensidad yeel valor final de la misma, En la Figura 2-10 se describe este fenémeno llamado de recupe- racién directa y se define el tiempo de recuperacién directa t,, como el que transcurre entre el instante en que la tensién énodo-cétodo se hace positiva y aquel en que dicha tensién se establece definitivamente en el valor normal de conduccién U,. Este tiempo es bastante me- nor que el de recuperacién inversa y no suele producir pérdidas de potencia ni trastornos de funcionamiento apreciables. La tensién directa méxima aleanzada en el proceso se llama ten- sién de recuperacién directa, Uj. Ficurs 210 Recuporecién directa de un did de unién, En la Figura 2-11 se ha representado la corriente en un diodo lento de un rectificador con 180° teéricos de conduccién. Funcionando a 50 Hz la intensidad y el tiempo de recupe- racién inversa son despreciables, mientras que a 50 kHTz y con la misma intensidad directa de pico dichos parimetros se hacen importantes de forma que el valor medio de la corriente rectificada es bastante inferior al te6rico. La recuperacién directa se ha despreciado en am- bos casos. 24.2 Diodos lentos y ripidos Se llaman diodos lentos u ordinarios aquellos en euya fabricacién no se han tomado espe- ciales precanciones para minimizar los fenémenos de reeuperacién inversa y directa, En elCapitulo 2, Diodos de potencia Rectiicacién on hj reevencia (50 He) Rectieacion en alta recuencia [0 KH) Ficuna £1_Tnflinca de la reeuperacin avers de un dodo lento en I rectifcain: des ‘reciabl con frecuencia de 50 Hz (riba: nadmisible con 50 KI abso). caso de diodos ordinarios de silicio, los més habituales, el tiempo de recuperacién le ser de una 0 varias decenas de microsegundos. Como se ha ilustrado en la Figura 2-11, estos valores del tiempo de recuperacién no afeetan a aplicaciones de baja frecuencia, pero pueden hacer inviable la aplicacién del diodo en euestion a circuitos de alta frecuencia. Para tales aplicaciones se fabrican diodos que acumulan poca carga de minoritarios en conduccién, y presentan, por tanto, tiempos de recuperacién bajos. Suele llamérseles diodos répidos. La carga acumnlada en conduceién es proporcional, entre otras cosas, al espesor de la pastilla, por lo que los procesos de fabricacién mas interesantes para obtener diodos répidos son los que mejor controlan el gradiente de dopado y, por tanto, menor espesor de pastilla exigen para soportar tna determinada tensién inversa. En general son mejores los diodos epitaxiales (Figura 2-4) que los de difusi6n (Fotografia 2-3) y estos mejores que los de unién crecida (Figura 2-3). Por otra parte, la difusion de étomos de oro y platino en la pastila propicia durante la recuperacién inversa una recombinacién més répida de los minoritarios responsa- bles de la conduccién y, por tanto, un menor tiempo de reeuperacién. Dado que la gama de frecueneias de trabajo en los equipos electrénicos de potencia es muy amplia (entre 50 Hz y is de 300 kHz), los tiempos de recuperacién de los diodos rapidos comerciales (que suelen darse en ns) son muy variables y van desde 25 ns a 5.000 ns. La carga de recuperacisn inversa g, (vuéhvase a la Figura 2-9) aumenta con la intensidad directa previa al bloqueo I y con la derivada de intensidad di/dt con que el cirenito lo fuerza, Sin embargo, para una determinada q,, una derivada de intensidad elevada ayuda a vaciar antes la pastilla de portadores acortando f,. El tiempo de caida t, depende de la carga de recuperacién almacenada q,, de las caracteristicas constructivas del diodo (como la presen- cia, ya mencionada, de iones de oro, platino, ete., aceleradores de la recombinacién de porta- dores) y resulta algo acortada con valores altos de la tensin inversa reaplicada U,,.. De estas influencias entre parémetros resulta que, en las posibles aplicaciones de un diodo concreto, es iis dependiente del modo de operacién del cireuito el tiempo de recuperacién f, que la carga de recuperacién q,, por lo que algunos fabricantes prefieren suministrar este segtindo paréme- tro al primero para caracterizar la recuperacién inversa. En tal caso, ya partir del valor de q, (suministrado por el fabricante para una cierta gama de valores de I'y di,/d), el disefiador puede deducir ficilmente t, e J, para un determinado valor de la derivada de intensidad. En efecto, y aun respetando tn minimo la complejidad del fenémeno de recuperacién inversa, se pueden realizar algunas simplificaciones que ayudan en la utilizacin del parime- tro q, de los diodos rapidos. En primer lugar puede snponerse triangular la evolucién de la corriente inversa durante la recuperacién (érea rayada en la Figura 2-9), con lo que ae Held (2.3) © 118$-Peraninfo 57Parte 11, Componentes 58 © ITES-taraninfo Ademés, expresando I, como producto de la derivada di,/df, supnesta constante, por el tiempo de almacenamiento t,, resulta 1, = (di/ai)t, (4) yi, como suele ocurrir, el tiempo de caida t, es despreciable frente al de almacenamiento t, ppuede sustituirse en la siltima expresién t, por f, y, a partir de ambas expresiones, puede formularse el tiempo y la intensidad de reeuperaeién como _ VV isfae es) = Jaz 6) Como se ha dicho, los valores de y de la derivada de intensidad dig/dt los debe dedu- cir el disefiador del andlisis del eircuito y el parimetro q, lo proporeiona el fabricante en el catilogo para diversas combinaciones de aquellos. Otros fabricantes, no obstante, prefieren dar directamente el valor de t, para una gama de condiciones tipicas de operacién. Es dificil, por el origen del fendmeno de recuperacién ya explicado, combinar en un dio- do alta intensidad, alta tensién y bajo tiempo de recuperacién, por lo que en eada aplicacién debe utilizarse por rzones econémicas el diodo mis lento (y por tanto més barato) compa- tible con la operacién del cincuito. Contrariamente a la escasez de tipos ripidos en los primeros afios de los diodos de silico de potencia (lo que limitaba la frecuencia de ope- racién en algunas aplicaciones), existe hoy una gama amplia y en contimio ereeimient. Hay, por ejemplo, diodos de poteneia répidos que combinan 1.825 A, 2.500 V y 2.000 ns (el SD1553C25S20K de IR) y en menor corriente y tensién hay variedades de diodos ultrarrépi- dos que combinan 60 A, 600 V y 34 ns (el 60APU06 de IR). 24.3 Sobrecargas transitorias Lo mismo que otros semiconductores de potencia, el diodo puede funeionar de forma transitoria por encima de la intensidad fjada por el fabricante para trabajo continuo, Para ‘que estas sobrecargas transitorias que elevan la temperatura de la unién por encima del va- lor maximo continuo no deterioren el diodo: — Se deben producir un néimero limitado de veces a lo largo de su vida. — El ritmo de sucesién debe ser lo suficientemente bajo para permitir a la unién en- friarse al menos hasta la temperatura maxima en régimen continuo. — El grado y duracién de la sobrecarga debe estar siempre por debajo de lo especifica- do en catilogo. En la Figura 2-12 se reproduce la curva caracteristica de sobreearga para un diodo de 150 A. Es similar a la segunda figura de la euarta pagina facsfmil de earacteristicas del diodo 95PF(R) de la Seccién 2.8. Estas curvas suelen llegar hasta un tiempo minimo de 8 0 10 ms, que es la duracién de un semiciclo de una onda de 60 0 50 Hz. Para puntas de corriente més cortas la pastilla semiconductora no tiene medios de refrigeracién apreciables y debe absorber la energia ge- nerada sin elevar su temperatura peligrosamente mediante el puro almacenamiento de calor ‘que permite si masa y calor espectfico (véase el Problema 2-3), como se veré que también cocurre con las puntas de corriente inversa en los diodos de avalancha controlada, 24.4 Diodos de avalancha controlada Se ha visto al final de la Seccién 2.2 emo se desbasta y bisela el borde de la pastlla semiconductora de un diodo de poteneia para eliminar las imperfecciones en el mismo, puesCapitulo 2, Diodos de potencia INIT ' 2 a oet2 soso? soa o 4 6010 Ficuta 2.12 Sobrontensdades transitoriasadmisibles en un diodo de unos 150 A nominales ‘mediog con intensidad senodal de medi onda y 50 Hz, estas son zonas que toleran mal la tensién inversa, y asf también disminuir el gradiente de potencial. Con ello se aumenta la tensién inversa soportada por el diodo sin entrar en el proceso de avalancha y se propicia que cuando esta se produzca lo haga en el interior de la pastillay en una buena parte de su érea. Pues bien, se llaman diodos de avalancha controla- da de potencia los que se fabrican Hevando esas precauciones al extremo, de modo que ante un aumento de la tensién inversa entran finalmente en avalancha en casi toda la pastilla al rismo tiempo pudiendo absorber una punta de energia notable sin fimdir el material semi- conductor ni aleanzar una temperatura tal que degrade sus propiedades. Esa energia se ge- nera de forma repartida en la pastilla, por lo que la temperatura del punto mis caliente no es rucho mayor que la temperatura promedio. Este tipo de diodo es, por lo dems, similar al resto de los diodos de potencia y se suele recurrir a él cuando en un diseiio el riesgo de que el componente quede sometido a sobre- tensiones inversas es alto queriéndose prevenir su destruccién por esta causa, y también cuando el propio disefio somete al diodo a una sobretensin inversa elevada pero esporidica. Asimismo se emplea como elemento protector contra sobretensiones de otros componentes, disponiéndose normalmente en paralelo con ellos, a veces sin ninguna otra funeidn, de tal manera que en caso de sobretensién en el componente protegido, esta quede limitada al valor de la tensién de avalancha del diodo protector (véase e] Apartado 7.1.1) Aettia en este caso como diodo Zener de elevada tensién Zener y por tiempo corto. Su dimensionado se basa en asegurar que durante la sobretensién, limitada como se ha dicho por la tensién de avalancha, la corriente que el cireuito obliga a pasar por el diodo produce tna energia en la pastila que no es capaz de elevarla a una temperatura peligrosa para su degradacién (como en el caso de las sobrecargas transitorias vistas al final de 2.4.3). El fabricante suele ilustrar esta capacidad dando la potencia absorbible durante un tiempo tipico de sobrecarga. Asi, en Jas hojas del diodo ejemplo 5SDA 06D5007 de la Seceién 2.8 se da una potencia absorbible menor 0 gual a 70 KW durante 20 ys con la unidn a 45°C. 2.5 DIoDOSs SCHOTTKY DE POTENCIA ‘Asi como la necesidad de diodos de sefal de muy alta velocidad ha llevado al desarrollo de diodos Schottky con tiempos de recuperacién del orden de los 0,1 ns, en la Eleetréniea de Potencia las fuentes conmutadas de alta corriente y baja tensin, prineipalmente, han impulsa- do la brisqueda de diodos que afinen baja cada de tensién en conducein y recuperacién répi- da, habiéndose desarollado para ello diodos Schottky que llegan a 160 A y 100 V con 800 pF de capacidad entre terminales (el DSS 2x160-01" de IXYS [2-11]) con silicio y a 20 Ay 1.200 V con 61 nC de carga capacitiva (el CSD20120 de Cree [2-6)) con earburo de silcio. O118$-Paraninfo 59Parte 11, Componentes 60 © 17Es-araninfo Como se ha apuntado en la Seceién 1.7, los diodos Schottky se basan en el efecto rectifi cador que tiene lugar en una unién metal-semiconductor gracias a la barrera de potencial que se establece (véase en la Figura 2-13 una de las muy variadas formas de estos diodos). Los bordes de la barrera muestran anomalias estructurales y baja tensién de ruptura, por lo ‘que se pasivan mediante un anillo semiconductor de guarda. El potencial a veneer para esta- blecer la conduccién es de unos 0,25 V en los diodos Schottky de silicio (y algo mayor en los de carbuo de silicio (2-14) frente a 0,7 V en el diodo de unién de silicio. La condnecién es a cargo de portadores que siempre actian como mayoritarios, contrariamente al diodo de unién (véase el Apartado 2.3.2), por lo que no se da el fendmeno de recuperacién inversa alli cocasionado por la necesidad de eliminar los portadores que en conduccién han invadido una capa como minoritarios. El limite de la velocidad de paso del estado de conduccién al de bbloqueo y viceversa lo marca principalmente la capacidad parisita entre las eapas de semi- conductor y metal, muy pequefa, por lo que se llega a frecuencias de conmutacién que su- peran la centena de kilohercios. La intensidad de fugas en bloqueo es, no obstante, mayor ‘que en un diodo de unién de silicio de la misma intensidad y tensi6n. Barrera Schothy a Diode deurin Diode Setothy (Capa eplansIN~ fide Ario 6 quarda * o Ficuns 213) Disposcin Fisica de una de las varadas modlidades de diodo Schottky de potencia. b) Carsteristin uy ~ fy de un dodo Schottky de poteneia comparada con la de un iodo de uni, 2.6 DIODOS ZENER DE POTENCIA Los diodos Zener tienden a emplearse poco en circuitos de potencia debido a las eleva- das pérdidas que se ocasionan al combinarse corrientes apreciables con tensiones Zener i portantes. Los Zener tradicionales no suelen aleanzar més de 100 V, 10 Ay 20 W (no combi- nados; véase la gama BZY93 de 7 V a 70 V, 20 W, [2-7). La construceién de un Zener de potencia es similar a la de los diodos ordinarios de potencia de corriente y pérdidas disipa- das parecidas. Puede verse una aplicacién de proteccién contra sobretensiones en la Figu- ra 3.8.2, Una aplicaeién especial caracteristiea de estos diodos, construidos normalmente con silicio, es la que combina el efecto de rectificacién ordinario —aunque con caida de tensién en el codo de conduccién de 1 V frente a 0,7 V en los diodos de unién de silicio normales— con la uilizaci6n de la avalancha Zener como proteccién contra sobretensiones. Asi, en la configuracién de inversor con transformador de toma media de la Figura 15-1, a veces se prefieren Zener de potencia para los diodos antiparalelo que intervienen en los interruptores cuando se considera que puede haber sobretensiones peligrosas en los tran- sistores que, con aquellos, implementan los interruptores, lo que evita la utilizacién de un componente protector (como un varistor, con tensién de limitacién mucho més imprecisa) ademés del diodo ordinario. Desde los noventa, los diodos Zener de potencia han derivado hacia aplicaciones de pro- teceién contra transitorios de tensién, al modo de los diodos de avalancha controlada vistos cen 2.4.4 aunque en tensiones y poteneias inferiores (7 V a 100 V Zener y 1.500 W pico; véase la serie Zener ISMC5.0ATS de ON Semiconductor en la Seccién 2.8). Compiten en estaCapitulo 2, Diodos de potencia Tension Zener Ficuea 2-14 Recordatorio dela caracterstica gc ~ iy de un dodo Zener, Es la ina para componentes de seal y de potenci, snnque en estos la tensn Zener pnede Negara 100 V. Obsérvese que el codo de conduccién diteta es de 1 V, algo superior al del dodo de silico cordinario (0,7 V) aplieaeién con otros componentes para proteecién contra sobretensiones que se estudiardn en 7.1.1, offeciendo la ventaja antes apuntada de presentar una tensién de limitacién, la tension en la que se produce la avalancha Zener, muy precisa, con toleraneias que rondan el +5%. 2.7 GAMA, CARACTERISTICAS Y CAPSULAS DE LOS DIODOS DE POTENCIA Los distintos tipos vistos de diodos de potencia se montan en cépsulas diversas depen- diendo de la intensidad que manejan y de la poteneia que disipan. La tensiOn de bloqueo y el propio tipo de diodo (ordinario, rapido, de avalancha controlada, Schottky, Zener, Zener siupresor) tienen menor influencia en la eleccién de la efpsula El encapsulado debe resolver tres problemas: el aislamiento de la pastilla con respecto a la atmésfera para evitar su deterioro quimico, la conexién eléctrica al cireuito y la extraccién del calor generado por las pérdidas eléctricas. Hay varios tipos de eapsulas consagradas por cl uso y enyo empleo depende, sobre todo, de la intensidad nominal del diodo. En la Fign- ra 2-15 se presenta un corte transversal de un diodo de unos 50 A. La pastilla esté soldada por la cara inferior a una base de cobre con un vistago roscado que permite fijarla a un disipador metilico que, ademés de asegurar su refrigeracién a través de la placa de cobre muy conductora del calor, permite la conexién eléctrica al eétodo, Por la cara superior, la @— “Terminal de cobre-Anodo Carre aslante ere metico Z 5 Pastila semiconductors TSN sotdauras Au Base de cobre- todo Ficurs 2-15. Corte trnsversl de un dodo de unin de silico en efpela de vistagoroscado (tad), tlzada entre 40 A y 100 A. Una cipsula similar con terminal de dnodo acabado en cable trenzido se emplea entre 100 A y 600 A, © 185 eeraninfoParte 11, Componentes Foraoai 24 a ola sid 008 TBO ajo en pa Seg Ca de Semi. e Foracaae 25 Pte ute dds races de ky Ven cpp sen eto pen C50. ati Senko. 62 Ores taraninfo pastillaesté soldada a un terminal de eobre més pequeiio que permite la conexién al énodo. Las soldaduras se efectiian mediante una aleacién de coeficiente de dilatacién térmica inter- medio entre los de los materiales a soldar para minimizar la tensiones mecénicas en el eris- tal semiconductor con los cambios de temperatura. Suele utilizarse Au-Si para el silicio y Aut-Ge para el germanio. La pastilla se cierra herméticamente en atmésfera inerte mediante a c&psula cerimica, o bien metilica con cierre superior aislante. En diodos de més intensidad la base es completamente plana y se snjeta al disipador ‘mediante brida, de forma que se asegura un buen ajuste entre ambas superficies. Los diodos de intensidad superior a 700 A suelen encapsularse con placas planas de cobre a ambos lados de la pastilla, que se fijan a sendos radiadores para mejorar la evacuacién de las pérdidas (Figura 2-16). Una pastilla determinada puede trabajar a un 35% mas de intensidad con este cencapsulado en disco que con los de refrigeracién por una sola cara, Sin embargo, la capaci- dad para soportar sobrecargas transitorias no anmenta porque depende casi exclsivamente del tamatio de la pasilla. Puede verse un extenso panorama de eépsulas para diodos y otros semiconductores de potencia en vistago roscado y en disco en [2-12]. 2280 de cobre-Anodo Clore metsieo Yj re caknicn Soldaduras Pesila semiconductors 7 oe ave de cob todo Ficus 2-16 Corte transversal de un diodo de unin de silico en efpsula de dso de doble «aa (cepsule),tlzada entre 200 A y 8.00 A. Existen otros tipos de cfpsulas de diodos de potencia y tristores pensadas para faciitar el montaje combinado formando puentes rectificadores e inversores de distinto grado de complejidad (Fotografia 2-4 y Fotografia 2-6-b) aptas para diodos de 15 A a 2.500 A. Los diodos de 1 A a 40 A se encapsulan en eajas mis pequefias y variadas pensadas a veces para faciitar el montaje y la refrigeracién en las aplicaciones a que estin destinados. Algunas de ella son las mismas que se emplean en transistores de potencia (TO-3, TO.220, etc.) no utilizindose en tal easo alguno de los terminales. Debe destacarse el hecho de que ya se dispone ineluso de diodos de algunos amperios y combinaciones en puente rectificador en cépsulas para montaje en eireuito impreso (Fotografia 2-5). gf Rowe Forocnars 26 3) Diodos de potencia con cépslas en visago roscado y en disco de 100 A a 000 Ay de 200 V «6500 b) Dinos de potenca en mls combinabls varias POW-R- BLOK™ y POW-R-BrK™ de 30 A a 2500 A y de 600 V a 5.400 V, Cortesia de POWEREX.Capitulo 2, Diodos de potencia 2.8 HOjAs DE CARACTERISTICAS DE DIODOS DE POTENCIA TiPICOS Diodo ordinario de 95 A y 1.400 V, tipo 9SPF(R).., cortesia de IR. International 95PF(R)... | Siamese aR Rectifier High Voltage Series | [==] a=) GasParte 11, Componentes Diodo rapido de 110 A y 400 V a 2.500 Y, tipo VSDLO3N/R, cortesfa de IR (dos primeras paginas) International uncrs mo sane | ONeawm Se Invonational ToR Reciifier ‘SD103N/R SERIES = fanart a fe toa Ea ‘Avalanche Rectifier Diode 5SDA 06D5007 Amel) = ERE)Capitulo 2, Diodos de potencia Diodo Schottky doble de 60 A y 45 V, tipo STPSI2045TV, cortesta de ST ‘STPS12045TV POWER SCHOTTKY RECTIFIER a lalate sl =P]Parte 11, Componentes Diodo Schottky de earburo de io de 75 Ay 1.200 V, tipo, 1200_785, cortesfa de Rockwell Scientific SO Semne Seh1200785 10 Sic SCHOTTKY DIODE ui! eigen tet! sspsaeganaae) vuUTD HED EESDAGEBNTA ER auaNaU SRR ARERERTOOSOzIRUREEEEE [saBaBBeBSeup xe eMnRyaapavENTuaEG etEsts) Je lel ge | 3 66 © 17ES-RaraninfoCapitulo 2, Diodos de potencia Diodo Zener supresor de sobretensién de 1,500 W pico y 5 V a 78 Y, serie 1SMC5.0AT3, cortesia de ON Semiconductor 4SMCS.OATS Series ete © 118$-Peraninfo 67Parte 11, Componentes 2. .9 PROBLEMAS Un diodo de potencia de 100 A medios nominales, que forma parte de un rectificador de diodos de seis impulsos,esté sometido a una cortiente pulsante similar a la de la Figura 2-8, con un éngulo Ped de conduccin 0 de 60 grados eléeteoos. La intensidad de pico aleanzada en cada impulso es de 120 A. La caida de tensin énodo-edtodo durante todo el ipulso de conduecién puede considerarse constante ¢ igual a IL V. La tensién inversa repetitiva de pico que soporta el diodo es de 300 V. Para dicha tensién inversa la intensidad de figas es de 5 mA. Se pide: 1) Caleular la poteneia media dsipada por péndidas de conduccisn. 2} Caleular la potencia media que disipa el diodo en estado de blogueo estimando aproximadamente, y por ‘exceso, que durante e tempo que no condice, la tensin inversay la coriente de fugas son constantes © iguales a las mencionadas de 300 V y 5 mA, respecivamente, 3) Caleular a poten total de dsipacién despreciando las pérdidas por conmutaién, 4} Caleula el porcentaje que supone ls potencia de pérdidas por bloqueo vista en 2) en el total de potencia de perdidas vista en 3). 1) Las pérdidas en conduccién directa estin dads por la Férmula (2.1) Cambiando el tiempo por ldngulo eléctrio, teniendo en cuenta que la tensién yc puede consderarse constant e igual 1,1 V durante todo el period de integracin y utilizando para resolver dicha integracin la Tabla 1-1, restita Wo 1 poe Paya = Ul vel, ix(00)-d(o) = 11 vel 120 sent dat) = (2.7) cos 60° = 11 y.1204 = ato w 2), Siguiendo la estimaci6n por exceso indieada, durante los 300° en que no conduce el diodo, de cada perio- do de 360”, disipa una potencia 300 V-5 mA aw 28) luego Ia potencia disipada promedio a lo largo de todo el periodo por estado de bloqueo es 5 W (300"/360") = 1,25 W (29) Prioa 3) Sumando las poteneias de pérdidas de conduceién y de bloqueo antes halladas se tiene Paispacidn total = Poona + Poiog = 21,01 W + 1,25 W = 22,26 W (2.10) 4) Las pérdidas en bloqueo, aun estimadas por exceso de la manera vista (el diodo en bloqueo no est perma- nentemente a la tensién inversa maxima a que lo somete el cievito, sino a na tensién inversa variable con el tiempo y por debajo de ese valor miximo; véase la Figura 12-8), suponen un porcentaje de las pérdidas totales (Pon! Pains) 100 = (1,25 W/22.25 W) 100 = 5.6% en) ny bajo, por lo que normalmente en los diodos de potencia de silicio las pédidas en bloqueo se despre cian, Notese que en las hojas de catslogo del diodo 95PF(R), Seccién 2.8, que bien podria tilizarse para esta aplicacién, ni siquiera da el fabricante datos de la intensidad de fugas en bloqueo ni de lapotencia de pérdidas en este estado, Un diode de potencia ests sometido # un proceso de bloqueo inverso forzado tal que la derivada de P22 | intensidad (negatva) de énodo digit es de 100 A/us (véase la Figura 2-9), La carga de recuperae cidn inversa g, en las condiciones de trabajo es de 50 UC. Se pide: 68 © 1TES-araninfo 1) Caleular el tiempo de reeuperacén 2), Caleulr la intensidad de reeuperacidn I, 3) Caleularaproximadamente el tiempo de almacenamientot, 4} Caloularaprosimadamente el tiempo de caida t.Capitulo 2, Diodos de potencia Solucign | 1) De (25) se puede deducir directa y aproximadamente el tiempo de recuperacién total 2g, _ [2-50 uC = facia” F100 xjus G8) 2) De (26) se puede calcular aproximadamente la intensidad de recuperacién dy 2 Gen YES HOT as = 100 A 13) 3). De (24) puede despejars el tiempo de almacenamientoy calculrlo con el dato anterior 1, = Idi) = 100 4/000 Aus) = 1 ps eu) 4) El tiempo de catda ,, diferencia entre el tiempo de reeuperacién total t,y el de almacenamiento t, esi ta nnlo por ser lo dos anteriores ignales. Ello es debido ala aproximacién hecha para desucir las Férm las (2.5) y (2.6), pues se ha supuesto que f, es despreciabe frente af,. En primera aproximacién puede sponerse que el tiempo de caida es la quinta parte dl tiempo total de reeuperacién, con lo que en esto «aso rondara fos 1,000 ns/5 = 200 ns P23] Un diodo de potencia de silicio cuya pasila semiconductora de 30 mm de dit espesor se eneuentra a una temperatura de 110 °C, resulta sometido a una pi intensidad de 10.000 A durante 100 jis, esultando la caida de tens Caleulae 1) Laenergta generada durante la punta de intensidad, supuesta constante durante los 100 ys de duraeién. 2) La elevacién de temperatura de la pastilla al término de dicha punta suponiendo que el diodo absorbe la ‘energfa generada por mera elevacién de la temperatura de la masa de la pastilla, ya que el ealor disipado al sistema de sujecin mecénica y refrigeracin es despreciable por la rapider del fenémeno. 3) La temperatura de la pastilla al final de la punta de intensidad Supéngase aproximadamente que el calor generado por la combinacién de tensién y corviente se desarvolla en toda la pastilla y que a 110°C su densidad es de 2,3 g/em* y su ealor especifico de 0,19 cal/g: K (2-5). 1) La energia generada durante la punta de cortiente es Solueién 10.000 A 2 V 100 ys = 2 J = 2 J-0.239 calf = 0478 cal 15) ya que 1J = 0,230 eal. 2) El vohumen de ls pasilla de silico es de Gem 5 SS 04 em = 0,707 em 2.16) ys masa 0707 em? 23 glem? a7) por lo que la elevacién de temperatura de la pastila resulta de 0.478 cal LK (218) 163 019 callgK 3) La temperatura dela pst, que al comienzn de la punta decorrente es de 110°C, resulta al final de Ja misma de (renérdese que en cuanto a saltos de temperatura el Kelvin equiva al grado Celsins) 10°C + 1,54°C = 111,54°C 19) ‘por lo que la punta de intensidad no pone en peligro el diodo, ya que la temperatura a no sobrepasar para fincionamiento seguro en un componente de silicio suele ser de unos 170°C. O118$-Peraninfo 69Parte 11, Componentes 2.10 REFERENCIAS Libros y articulos ea 23) 4) M. H. RAsttD, Bletrnica de potencia. Cicuits, diopositcos y aplicaciones, 2.* ed, México, Prentice Hall Hispanoamericana S.A, 1993, Capitulo 2. {2.2 a 25) N. Mouan, T. UNDELAND, W. P. RoBBiNs, Power Electronics. Converters, applications and design, New York, John Wiley and Sons, Inc, 1995, Capitulo 2. (2.2 a2.5) X.A. C40, G.T. DANG, AP. ZitaNG, F. REN, S.J. PEARTON, C-M, LEE, CC, Cio, Jol Cit, G.C. Cit, J. HAN, S..N. G. CHU, R. G, WILSON, “Temperature dependent performance of GaN Schottky diode reeti- fiers”, University of Florida, N.C. University of Taiwan, Sandia National Laboratories, Bell Laboratories 1997, in hitp:/www.mse.ufledu (25) |, LINDEMANN, ST. KNIGGE, “Electrical behaviour of a new gallium arsenide power Schottky diode”, EPE. Conference, Lansanne, 1989. {Tabla 2-1; 25) Documentos y paginas web [25] (26) (2-7) (28) 29) (210) International Rectifi Almaz. Optics, propiedades fsicas del Ge, Si y AsGa < {Problema P 23) Cree Inc. fabricante de semiconductores (22 025} Crydom, fabricante de semiconductores, ver hojas de datos de los Zener serie BZY93 en (2.6) Fuji Electric Device Technology Co,,fabricante de semiconductores: {22 a 25) . HEsseicRavE, A short history of eacuum tubes (electron valves) {2.1} fabricante de semiconductores {2.7; 28) [2-11] IXYS Corporation, fabricante de semiconduetores: (22 25} [2-12] Mitsubishi Electric Semiconductors, fabricante de semiconductores: < (22 a 2.4) [2:13] ON Semiconductor, fabricante de semiconductores: < (2.8) [24] J. D. ScoFtELD, Silicon carbide Schottky diodes: {Tabla 2-1; 25) [2-15] STMictoelectronies,fabricante de semiconduetores: < {28} [216] Toshiba Semiconductors Company, fabricante de semiconductores: (2.2 a 2.7) [217] Westeode, una filial de IXYS Corporation, fabricante de semiconductores: 10 © 1185-Paranifo < {2.7)Capitulo ‘TRANSISTORES DE POTENCIA Aunque histéricamente el transistor de potencia sigue al tiristor en su entrada en la Electrénica de Potencia, hoy esté més ampliamente implantado, Inchuso en aplicaciones de alta tensién y cortiente, que ha sido traicionalmente el feudo del tristor, los transistores de potencia van ganando terreno gracias al IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), wn componente por el que los principales fbricantes de semiconductores de potencia ban spostado en la déeada de los noventa como eandidato preferido para conseguir progresivae mente interruptores séidos de activacin v desactivacin facil y de corientey tensin ele- vadas, Como consecuencia de esta apnesta hoy la gama alta de IGBT offece intensidades y tensiones similares alas de los grandes tristores:el SCR (Silicon Controlled Rectifier) y el GTO (Gate Turn-Off thyristor) Por ello tras la exposiién de los diodos de potenciareai- zada en el capitulo anterior, se prfiere seguir en este con lade los transistores de potencia, sus compaiieros de viaje en la mayor parte de los eieuitos aetuales de la Electrénica de Potencia, CONTENIDO 3.1 PRECEDENTES ¥ PANORAMICA ACTUAL DE LOS TRANSISTORES DE FOTENCIA, R 3.2 ‘TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR DE POTENCIA. CONSTRUCCION DE LA PASTILLA 2B 3.2.1 Transistor de unién en corte y en saturaci6n .......csseeeeectesteseesseseeeeees 76 3.2.2 Caracteristicas dindmicas del transistor de unién 8 3.2.3 Avalancha secundaria, Area de operacién segura (SOAR) 80 3.2.4 Proteccién del transistor en la conmutacién - 81 3.2.5. Excitacién del transistor de unién bipolar de potenci 83 3.3. FET DE POTENCIA, CONSTRUCCION DE LA PASTILLA 87 3.3.1 El FET en corte y en saturacién cesieteneeennnee costes 88 3.3.2 Caracteristicas dinémicas del FET coe : . cece OL 3.83. Excitacién del FET de potencia 95 34 100 3.4.1 ELIGBT en corte y en saturacién 101 3.4.2 Caracteristicas dinémicas del [GBT 101 3.4.8. Exeitacién del IGBT de potencia —— 102 3.5. OTROS TRANSISTORES DE POTENCIA. TENDENCIAS 103 3.5.1 Otras teenologias en transistores de potencia 103 3.5.2 Médulos transistores de potencia inteligentes (Smart power) .....esceescecsesse+ 105 3.5.3 Tendencias en el desarrollo de transistores de potencia . 106 3.6 GAMA DE CARACTERISTICAS ¥ CAPSULAS DE LOS TRANSISTORES DE, POTENC) 107 3.7 HOJAS DE CARACTERISTICAS DE TRANSISTORES DE POTENCIA TIPICOS 10 3.8 PROBLEMAS 19 3.9 REFERENCIAS . 121 © 185 eeraninfo aParte 11, Componentes Foraon 31 Tansee A eg sienna Ve I, Die, "RUVAde neat eka en eto rai de Erica de a ESIUA "9 Na, e Forocasin 32 Tans de in Boobr E70 de 0 30 y OW en i tl 0 Un eta ode Pac 18 hoy usta pes BT. Co: {a Wasi 72 © 1785-Paraninfo 3.1 PRECEDENTES Y PANORAMA ACTUAL DE LOS TRANSISTORES DE POTENCIA™! Teas la consolidacién comercial del transistor de seftal en la modalidad constructiva de unién bipolar, que pronto aleanzé a 1 A y 70 V, los fabricantes de semiconductores iniciaron hacia los cineuenta su ampliacién a mayores corrientes y tensiones, destacando en este em- peiio empresas como General Electric [3-1], Mullard, Philips y RCA (3-2), En los sesenta ya se contaba con dispositivos notables como el transistor de germanio ADZII (15 A, 50 V, 45 W), aunque mostraban inconvenientes como baja tensién de ruptura, poca ganancia de corriente y velocidad de respuesta, y baja temperatura de funeionamiento seguro. Estos transistores permitian construir convertidores sencillos que manejaban potencias por debajo del kilovatio (véase la Fotografia 3-1). La mejora de los procesos de difusion y la introduceién del silicio permitieron progresar hacia el desarrollo de transistores mesa (con la pastilla en forma de meseta) hometaxiales (homogéneos en el sentido axial) con buen control del espesor, grado de dopado y estructura cristalina de las eapas, lo que condujo a la elevacién de casi todas sus caracteristcas. Apare- cieron transistores de silicio tan conoeidos como el 2N3055 (15 A, 60 V, 115 W) y el robusto 2N3773 (16 A, 140 V, 150 W). La difusién planar sucesiva por una cara de la oblea y los procedimientos baratos de pasi- vacién permitieron fabricar en cpsulas metal +plistico (TO-126, TO-202, TO-220, TO-3P) lores econémicos que se dedicaron a un campo amplio de aplicaciones industriales y domésticas. Més tarde, téenicas de fabricaeién afin més precisas como la de erecimiento epi- taxial (Figura 2-4) y la implantacién de iones permitieron construir dispositivos de alta cali- dad y fiabilidad, de més corriente, tensién y frecuencia, eomo el BUX 98A en eépsula TO-3 (30 A, 1.000 ¥, 1 ps) que permitié por primera vez el tratamiento directo de la tensién de la red eléctrica de baja tension. Se han llegado a comercializar excelentes transistores bipolares ieos que combinaban hasta 400 A con 500 V y 200 A con 2.000 V, y transistores bipolares en combinacién Darlington de hasta 500 A y 2.500 V, Destacé la introduccién entre 1978 y 1980 por Westinghouse de la gama D60T-D62T-D7ST de bipolares tnieos que cubrian de 30 Aa 200 A y de 250 V a $00 V montados en cépsulas TO98M, MU170 y D7S reservadas anteriormente a tiristores y capaces de disipar 525 W, 1,000 W y 2.000 W, respectivamente. Los transistores de unién bipolar meneionados, junto con los primeros tristores, permi- ticron desarrollar extraordinariamente los primitivos convertidores eleetrénicos de potenci realizados rudimentariamente con tiratrones e ignitrones, apliedndose de inmediato a fuen- tes de alimentacién, control de motores, equipos de soldadura, control de iluminacién, ea- lentamiento por induccién, estabilizacién de tensién alterna, alimentacién de corriente alter- na segura, ete. La familia de los transistores de efecto de eampo (Field Effect Transistors, o FET) de po- tencia no se desarroll6 comercialmente hasta los setenta de la mano de Siliconix (véase la Sec- cién 1.7, 1960), Las diversas modalidades y mareas de FET de potencia de conduceién vertical (DMOS, HEXFET, TMOS, UMOS, ZMOS, véanse diversos fabricantes en (1-9, pp. 260-254) Reside y acti apart de [19, Intro.