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Escuela Politécnica Nacional

Práctica 4: Polarización y amplificación con
FETs
Jonathan Joaquín Guerrero Morales, Ingeniería en Telecomunicaciones
(Escuela Politécnica Nacional, jonathan.guerrero02@epn.edu.ec)

Segundo circuito
Resumen— En el presente trabajo se trabajará en circuitos
donde ocuparemos fuentes de voltaje, resistencias y capacitores, Práctica Teóricamente %Error
además del de curva ID vs VDS e ID vs VGS uso de un transistor
JFET y donde veremos el uso de dicho transistor. Vmax 5.2 [V] 5.92V] 12.16%
Vmin -6.8[V] -7.3 [V] 6.85%
Abstract-- on the present work we will work in circuits where
we will occupy voltage sources, resistors and capacitors, in Vin 0.3 [V] 0.33 [V] 12.12%
addition to the use of a JFET transistor and where we will see the Vout 6.1 [V] 4.78 [V] 27.61%
use of said transistor.

I. INTRODUCCIÓN Tercer circuito

Se ocupará además de los elementos conocidos como

resistencias, fuentes de voltaje, capacitores, el transistor JFET, Práctica Teóricamente %Error
donde su función es la de dejar pasar corriente haciendo una Vpp 138 [mV] 0.23[V] 40%
variación de voltaje. El JFET posee 3 terminales los cuales son
Vrms 38.6 [mV] 40.2 [mV] 3.98%
drenaje, fuente y compuerta.
Vin 0.158 [V] 0.21 [V] 24.76%
Vout 0.137 [V] 0.14 [V] 2.14%
II. OBJETIVOS
• Armar y observar circuitos de polarización ocupando Los porcentajes de errores se podrían suponer que es debido al
el FET. uso del JFET, debido a su cuidadosa manipulación, también a
• Observar el comportamiento de amplificadores con las puntas de prueba usadas en la práctica, es decir, estos
FET. errores son debido a la manipulación y uso de aparatos
análogos.
III. INFORME
II. Realizas el cálculo de la ganancia de voltaje con los datos
I. Elaborar un cuadro comparativo con las mediciones obtenidos en la práctica y los reales, realizar una tabla.
obtenidas en el laboratorio y valores teóricos del
preparatorio, además obtener el porcentaje de error. Primer circuito

Primer circuito

Práctica Teóricamente %Error

Vmax 272 [mV] 289 [mV] 6.25% Segundo circuito

Vmin -232[mV] -250 [V] 7.2%
Vin 0.39 [V] 0.4 [V] 2.5%
Vout 0.42 [V] 1.5 [V] 72%

Tercer circuito
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Práctica Teóricamente %Error

1er Av 1.07 3.75 71.47%

circuito
2do Av 20.33 14.48 40.4%
circuito
3er Av 0.87 0.67 29.85%
circuito
III. Investigar sobre el diseño de los distintos tipos de
configuraciones de amplificadores con JFET y
MOSFET. [1]

Configuraciones con JFET

Fig2. Configuraciones con MOSFET

IV. Graficar las señales de onda obtenidas en la práctica

Gráficas en Anexo

IV. CONCLUSIONES
• Al ocupar elementos análogos, además del JFET,
existirá pequeños errores de medida o percepción
de los datos.
• El funcionamiento de JFET efectivamente es
controlado por tensiones.
• Los JFET permiten retener la carga cierto tiempo
gracias a su alta impedancia de entrada.

V. RECOMENDACIONES
• Se recomienda manejar cuidadosamente los JFET
usando pinzas o manilla magnética.
• Se recomienda obtener los valores adecuados de
voltajes de salida y entrada para su posterior
cálculo de ganancia.
• Se recomienda obtener correctamente las corrientes
para verificar que el JFET está en buen estado.

VI. ANEXOS

Fig1. Configuraciones con JET

Configuraciones con MOSFET

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VII. REFERENCIAS

[1] A. B. H. Monografias.com, «Conceptos de Electrónica. Dispositivos

electrónicos y Análisis de circuitos (página 2) - Monografias.com». [En
línea]. Disponible en:
https://www.monografias.com/trabajos89/conceptos-electronica-teoria-
circuitos/conceptos-electronica-teoria-circuitos2.shtml. [Accedido: 22-
may-2019].