1

Escuela Politécnica Nacional

Práctica 11: Diseño de fuentes reguladas de voltaje
Jonathan Joaquín Guerrero Morales, Ingeniería en Telecomunicaciones
(Escuela Politécnica Nacional, jonathan.guerrero02@epn.edu.ec)

Resumen— En el presente trabajo se trabajará con circuitos donde En un regulador en serie mejorado
ocuparemos fuentes de voltaje, resistencias y capacitores, además del
uso de transistores TBJ para poder regular y diseñar una fuente 𝑉𝑖𝑛 > 𝑉𝑜
reguladora de voltaje.
𝑉𝐶𝐸𝑅𝑙 < 𝑉𝐶𝐸𝑀𝐴𝑋
Abstract-- In the present work we will work with circuits where we
will occupy voltage sources, resistors and capacitors, in addition to 𝑅1 + 𝑅2
the use of TBJ transistors to regulate and design a voltage 𝑉𝑜 = (𝑉𝑍 + 𝑉𝐵𝐸 ) ∗
regulating source. 𝑅2

2. Consultar el procedimiento de diseño para fuentes

I. INTRODUCCION
reguladas de voltaje. [1]
Se trabajará con transistores TBJ para poder diseñar un circuito
regulador de voltaje, dicho circuito permite mejorar el voltaje de • Se debe tener información sobre el datasheet del diodo
salida DC. que se va ocupar, teniendo rz, IZK, IZT.
• Obtenemos la resistencia despejando de la fórmula de
Además de que toman la energía de una fuente primaria y factor de rizado
entregan a una carga de manera estable. Existen diferentes tipos 𝑅
de reguladores, como: regulador de voltaje en serie y regulador 𝐹𝑅 =
𝑟𝑧
en serie mejorado. • Asumimos un VCE y utilizamos una configuración
Darlington
II. OBJETIVOS 𝐼𝐿
𝑃𝑄2 = (𝑉𝐶𝐸1 + 𝑉𝐸𝐵 ) ∗
• Diseñar fuentes reguladas de voltaje. 𝛽

III. PREPARATORIO Si 𝑽𝑪𝑬𝟏 ≫ 𝑽𝑬𝑩

𝑃𝑄1
1. Consultar los criterios de diseño para fuentes reguladas de 𝑃𝑄2 =
𝛽
voltaje. [1]
• Iz >> IB
𝑉𝑜 = 𝑉𝐸𝐵 + 𝑉𝑍 𝐼𝑍 = 10 ∗ 𝐼𝐵

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 𝑉𝐼𝑁 − 𝑉𝑂 • Calculamos Vin

Si (𝛽 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐿 ) ≫ 𝑟𝑧 𝑉𝐼𝑁 = 𝐼 ∗ 𝑅 + 𝑉𝑍
𝑉𝑖𝑛𝑟 𝑅 + 𝑟𝑧
= • Con el voltaje de línea hacemos una regla de 3 para ver
𝑉𝑜𝑟 𝑟𝑧 cuál será la potencia máxima que soportará el Zener y
el TBJ
Si R ≫ 𝑟𝑧

𝑉𝑖𝑛𝑟 𝑅 𝑃𝑚𝑎𝑥𝑧 = 𝐼𝑧𝑉𝑧 − 𝑟𝑧 𝐼𝑧2

= = 𝐹𝑅 (𝑓𝑎𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑔𝑢𝑙𝑎𝑐𝑖ó𝑛)
𝑉𝑜𝑟 𝑟𝑧
𝑃𝑚𝑎𝑥𝑇𝐵𝐽 = 𝑉𝐶𝐸 ∗ 𝐼𝑐
𝐹𝑅 ≫ 1
3. Diseñar una fuente regulada de voltaje que cumpla con
Si se trabaja con corrientes altas Q1 puede ser cambiado por las etapas de rectificación, filtrado y regulación. Donde los
un arreglo de Darlington. parámetros de diseño son los siguientes.
 2

𝑉𝑖𝑛𝑀𝐴𝑋 − 𝑉𝑧 64.93 − 16.7

𝐼𝑀𝐴𝑋 = = = 32.15 [𝑚𝐴]
𝑅 1500

𝐼𝑧𝑀𝐴𝑋 = 𝐼𝑀𝐴𝑋 − 𝐼𝐵 = 32.15𝑚 − 4.84𝑢 = 32.14 [𝑚𝐴]

Determinar si las corrientes en el transistor son muy altas
𝐼𝐸 = 𝐼𝐿 • Calculamos la potencia máxima del Zener
𝐼𝐸
𝐼𝐵 =
𝛽+1 𝑃𝑚𝑎𝑥𝑧 = 𝐼𝑍 𝑉𝑍 − 𝑟𝑍 𝐼𝑍 2
0.5 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = 4.95 [𝜇𝐴]
101 𝑃𝑚𝑎𝑥𝑧 = (32.14𝑚)16.7 − 16 (32.14𝑚)2 = 0.52 [𝑊]

Calculamos el voltaje de salida o el voltaje Zener dependiendo la

𝑃𝑚𝑎𝑥𝑇𝐵𝐽 = 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝑐
condición inicial
𝑃𝑚𝑎𝑥𝑇𝐵𝐽 = (𝑉𝑖𝑛𝑀𝑎𝑥 − 𝑉𝑜 )𝐼𝑐
𝑉𝑜 = 𝑉𝑧 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐿 𝑅𝐿
𝑉𝑜 22 𝑃𝑚𝑎𝑥𝑇𝐵𝐽 = (64.93 − 16)0.484𝑚 = 23.68[𝑚𝑊]
𝑅𝐿 = =
𝐼𝐿 0.5 𝑚𝐴
𝑅𝐿 = 44 [𝑘Ω] = 47 [𝑘Ω] 5. Realizar las simulaciones del circuito diseñado, presentar
𝐼𝐵 = 4.95[𝜇𝐴] las formas de onda de cada etapa (rectificación, filtrado y
regulación) en papel milimetrado.:
𝑉𝑧 = 𝑉𝑜 + 𝑉𝐵𝐸 = 22 + 0.7 = 22.7

Elegimos un diodo Zener: 1N4745A

𝑉𝑍 = 15.2 − 16.8 [𝑉]
𝑟𝑧 = 16 [Ω]
𝐼𝑧 = 15.5 [𝑚𝐴]
𝐼𝑧𝑘 = 0.25 [𝑚𝐴]

Calculado el voltaje procedemos a calcular la corriente I

𝐼 = 𝐼𝑧 + 𝐼𝐵
𝐼 = 15.5𝑚 + 4.84𝜇 = 15.5048 [𝑚𝐴]

Y calculamos la resistencia R
𝑅
𝐹𝑅 =
𝑟𝑧 Fig 1. Circuito diseñado
𝑅
90 =
16 GRAFICAS EN ANEXOS
𝑅 = 1440 [Ω] = 1500 [Ω]
IV. ANEXOS

4. Determinar la potencia disipada en el transistor y en el

diodo zener.

• Calculamos el voltaje de entrada

𝑉𝑖𝑛 = 𝐼 𝑅 + 𝑉𝑧
𝑉𝑖𝑛 = 15.5048 𝑚(1500) + 16.7 = 39.95 [𝑉]

• Con el voltaje de línea hacemos una regla de 3 para ver

cuál será la potencia máxima que soportará el Zener y
el TBJ V. BIBLIOGRAFIA

130(39.95) [1]. T. Floyd, Dispositivo Electónicos, México:

𝑉𝑖𝑛𝑀𝐴𝑋 = = 64.93 [𝑉]
80 PEARSON EDUCACIÓN, 2008.