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Las décadas que siguieron a la introducción del transistor en los años cuarenta han
atestiguado un cambio sumamente drástico en la industria electrónica. La
miniaturización que ha resultado nos maravilla cuando consideramos sus límites. En la
actualidad se encuentran sistemas completos en una oblea miles de veces menor que el
más sencillo elemento de las primeras redes. Las ventajas asociadas con los sistemas
semiconductores en comparación con las redes con tubos de los años anteriores son , en
su mayor parte, obvias: más pequeños y ligeros, no requieren calentamiento ni se
producen pérdidas térmicas (lo que sí sucede en el caso de los tubos), una construcción
más resistente y no necesitan un periodo de calentamiento.
(a)
(b)
Las características de un diodo ideal son las de un interruptor que puede conducir
corriente en una sola dirección.
(corto circuito)
(circuito abierto)
Figura 1.3 (a) Estado de conducción y (b) de no conducción del diodo ideal
determinados por la dirección de corriente de la red aplicada.
Elemento _electrones 1S 2S 2P 3S 3P 3d 4S 4P 4d 4f 5S 5P
Boro _____ B __ 5 2 2_1
Carbono __ C __ 6 2 2_2
Aluminio __ Al __13 2 2_6 2_1
Silicio ____ Si __ 14 2 2_6 2_2
Fósforo ___ P __15 2 2_6 2_3
Galio ____ Ga __31 2 2_6 2 _ 6 _ 10 2_1
Germanio__Ge __32 2 2_6 2 _ 6 _ 10 2_2
Arsénico __As __33 2 2_6 2 _ 6 _ 10 2_3
Indio _____In __ 49 2 2_6 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2_1
Estaño ____Sn__ 50 2 2_6 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2_2
Antimonio__Sb_ 51 2 2_6 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2_3
Electrones por
2 8 18 32
Nivel (2
)
El método más sencillo para liberar los electrones de valencia ligados consiste en
calentar e cristal. Los átomos efectúan oscilaciones cada vez más intensas que tienden a
romper los enlaces y liberar así los electrones. Cuanto mayor sea la temperatura de un
semiconductor, mejor podrá conducir.
Material Intrínseco
Cristal de Silicio
Material Intrínseco Tipo N
Los materiales tipo N se crean añadiendo elementos de impureza (átomos) que tengan
cinco electrones de valencia, "Pentavalentes".
Por las razones antes expuestas, en un material tipo N el electrón se denomina portador
mayoritario y el hueco, portador minoritario.
Tipo N
- Portadores Mayoritarios.
+ Portador Minoritarios.
Tipo N
Tipo P
+ Portadores Mayoritarios.
- Portadores minoritarios.
(electrones libres generados cuando estos adquieren suficiente energía para romper el
enlace covalente, el hueco que dejan se convierte en portado mayoritario).
Tipo P
Diodo Semiconductor
El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales
deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si.
Las dimensiones de los bloques de material tipo N y tipo P, así como las técnicas y
tecnologías que se utilizan para unirlos no son parte de los objetivos del curso y por esa
razón no se abordará el tema, si alguien desea saber un poco más de esto, puede
consultar el capítulo 13, 20 y/o 21 del libro de texto.
Región de Agotamiento
En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los
electrones y los huecos que están en , o cerca de, la región de "unión", se combinan y
esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como
minoritarios) en la región cercana a la unión. Esta región de iones negativos y positivos
descubiertos recibe el nombre de Región de Agotamiento por la ausencia de portadores.
Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a través de las terminales del diodo:
ID = Imayoritarios - IS
Condición de Polarización Inversa (VD < 0 V). Bajo esta condición el número de iones
positivos descubiertos en la región de agotamiento del material tipo N aumentará debido
al mayor número de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje
aplicado. El número de iones negativos descubiertos en el material tipo P también
aumentará debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales
ocuparán los huecos.
Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente más
altos e intervalos de temperatura más amplios que los diodos de germanio.
Debido a la forma que tiene la curva característica del diodo, mostrada anteriormente, y
la forma compleja de la ecuación, con frecuencia se utiliza un modelo simplificado:
El modelo simplificado se puede utilizar siempre que la resistencia de la red y/o de los
dispositivos junto a los cuales se conectará el diodo sea mucho mayor que la resistencia
promedio del diodo rd, la cual se podría calcular como rd, en promedio, la resistencia de
un diodo de pequeña señal es de 26ð. Red >> rd
El tiempo de recuperación en sentido inverso se representa por trr. Cuando el diodo está
polarizado directamente y el voltaje aplicado se invierte repentinamente, idealmente se
debería observar que el diodo cambia en forma instantánea del estado de conducción al
de no conducción. Sin embargo, debido a un número considerable de portadores
minoritarios en cada material, el diodo se comportará como se muestra en la siguiente
figura:
6. Capacitancias parásitas.
1.5 El diodo Zener, el diodo emisor de luz (LED) y otros tipos de diodos.
DIODOS ZENER
El diodo Zener es un diodo que ha sido diseñado para trabajar en la región Zener.
De acuerdo con la definición, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseñado para
trabajar con voltajes negativos (con respecto a él mismo).
Principio de Funcionamiento:
• Diodos Tunel.
• Fotodiodos.
Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo,
ámbar, azul y algunos otros.
En este punto del curso vale la pena tomar en cuenta los siguiente comentarios:
- ¿ Qué tan exacto puede ser un cálculo y/o una medición realizada en el laboratorio ?
Hay que tener en cuenta que las características obtenidas de las hojas de
especificaciones pueden ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque ambos
hayan sido producidos en el mismo lote.
También hay que tener en cuenta otro tipo de tolerancias como los resistores, uno
marcado de 100ð puede ser realmente de 98ð o de 102ð o tal vez si ser exacto, y una
fuente "ajustada" a 10V puede estar ajustada realmente a 9.9V o a 10.1V o tal vez a
10V.
V - VD - VL = 0
V = VD + IDRL
Si se realiza un análisis en esta malla, de tal manera que pueda trazarse una línea recta
sobre la curva de características del diodo, entonces la intersección de éstas representará
el punto de operación de la red o punto Q.
Nótese que la recta de carga queda determinada en sus extremos por RL y V, de tal
manera que representa las características de la red. Si se modifica el valor de V o de RL
o de ambos, entonces la recta de carga cambiará también.
Los extremos de la recta de carga se obtienen buscando las intersecciones con los ejes
(ID = 0 y después VD = 0):
Si VD = 0:
V = IDRL ó ID = V / RL
Si ID = 0:
V = VD ó VD = V
Como se mostró anteriormente, una línea recta trazada entre estos dos puntos define la
recta de carga.
Es muy válido también utilizar para el diodo, en lugar de la curva real, la curva del
modelo simplificado. En este caso, el punto Q no cambiará o cambiará muy poco.
Si en lugar del modelo simplificado se utilizara el modelo del diodo ideal, entonces sí
cambiaría mucho el punto Q.
COMPORTAMIENTO DE CC DE UN DIODO
1.- Un diodo estará en estado activo si VD = 0.7V para el Si y VD = 0.3 para el Ge.
2.- Para cada configuración o circuito debe determinarse primero el estado de cada
diodo (conducción o no conducción).
o Un corto circuito tiene una caída de cero volts a través de sus terminales
(0.7 volts para un diodo de Si, 0.3 volts para un diodo de Ge, 0 volts para
un diodo ideal) y la corriente estará limitada por la red circundante.
1.-
Con V = 12 volts
Realizando la malla:
V - VT - VR = 0
12 - 0.7 - IR = 0
2.-
y entonces I = 0.
12 - VD - VR = 0, donde VR = IR = 0
VD = 12 volts
I = ID = 0 A
3.-
En este caso, aunque la polaridad del voltaje de la
0.4 - 0.4 - VR = 0
0.4 - 0.4 - IR = 0
I = 0 ð VR = 0
4.-
12 - VTSi - VTGe - IDR = 0 , si ID = I
VR = (1.96 mA)(5.6 k) = 11
Vo = VR = 11V
5.-
ð
6.-
V1 - VR1 - VD - VR2 + V2 = 0
7.-
10 - VR - 0.7 = 0
10 - (I)(R) - 0.7 = 0
8.-
9.-
10.-
-VR2 + 20 - VD1 - VD2 = 0
Vp = Valor pico
Vpromedio = 0
Con el diodo conectado de esta manera, éste conducirá únicamente en la parte negativa
de Vi.
Vcd = - 6.14V
c) Repita el inciso a) si el diodo ideal se sustituye por uno de silicio y Vi = 179.6 sen ðt
volts.
El VPI del diodo no debe excederse (Vm < VPI) ya que de lo contrario, el diodo entraría
en la región de avalancha o región Zener.
La mayor parte de los circuitos electrónicos necesitan un voltaje de c.d. para trabajar.
Debido a que el voltaje de línea es alterno, lo primero que debe hacerse en cualquier
equipo electrónico es convertir o "rectificar" el voltaje de alterna (c.a.) en uno de directa
(c.d.).
donde:
Durante el periodo 1904-1947, el tubo de vacío fue sin duda el dispositivo electrónico
de interés y desarrollo. En 1904, el diodo de tubo de vacío fue introducido por J. A.
Fleming. Poco después, en 1906, Lee, De Forest agregó un tercer elemento,
denominado rejilla de control, al tubo de vacío, lo que originó el primer amplificador:
el triodo. En los años siguientes, la radio y la televisión brindaron un gran impulso a la
industria de tubos electrónicos. La producción aumentó de cerca de 1 millón de tubos en
1922 hasta aproximadamente 100 millones en 1937. A principios de la década de los
treinta el tétrodo de cuatro elementos y el péntodo de cinco elementos se distinguieron
en la industria de tubos electrónicos. Durante los años subsecuentes, la industria se
convirtió en una de primera importancia y se lograron avances rápidos en el diseño, las
técnicas de manufactura, las aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la
miniaturización.
Eliminaremos ahora la polarización base a emisor del transistor pnp de la figura 3.2a
como se indica en la figura 3.4. Recuérdese que el flujo de portadores mayoritarios es
cero, por lo que sólo se presenta un flujo de portadores minoritarios, como se ilustra en
la figura 3.4. En resumen, por tanto:
Una unión p-n de un transistor está polarizada inversamente, en tanto que la otra
presenta polarización directa.
IE = IC + IB
IC = ICmayoritaria + ICOminoritaria
Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.6 son las direcciones
reales, como se definen con base en la elección del flujo convencional. Nótese en cada
caso que IE = IC + IB. También adviértase que la polarización aplicada (fuentes de
voltaje) es de modo que se establezca la corriente en la dirección indicada para cada
rama. Es decir, compárese la dirección de IE con la polaridad o VEE para cada
configuración y la dirección de IC con la polaridad de ICC.
El conjunto de salida relacionará una corriente de salida (IC) con un voltaje de salida
VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE), como se ilustra en la figura 3.8.
El conjunto de características de salida o colector tiene tres regiones básicas de interés,
como se indican en la figura 3.8: las regiones activa, de corte y de saturación. La región
activa es la región empleada normalmente para amplificadores lineales (sin distorsión).
En particular: En la región actíva la unión colector-base está inversamente polarizada,
mientras que la unión base-emisor se encuentra polarizada en forma directa.
Nótese, en la figura 3.8, que conforme la corriente del emisor aumenta sobre cero, la
corriente del colector aumenta a una magnitud esencialmente igual a la corriente del
emisor determinada por las relaciones básicas del transistor-corriente. Adviértase
también el casi desdeñable efecto de VCB sobre la corriente del colector para la región
activa. Las curvas indican claramente que una primera aproximación a la relación
entre IE e IC en la región activa la da
IC ð IE
Como se deduce de su nombre, la región de corte se define como aquella región donde
la corriente de colector es de 0 A, como se demuestra en la figura 3.8. En suma:
Las características de entrada de la figura 3.7 muestran que para valores fijos de voltaje
de colector (VCB), a medida que el voltaje de base a emisor aumenta, la corriente de
emisor se incrementa de una manera que se asemeja mucho a las características del
diodo. De hecho, los niveles de aumento de VCB tienen un efecto tan insignificante
sobre las características que, como una primera aproximación, la variación debida a los
cambios en VCB puede ignorarse y se dibujan las características como se ilustra en la
figura 3.10a. Si aplicamos entonces el método del modelo de segmentos lineales del
diodo ideal, se obtendrán las características de la figura 3.10b. Adelantando un paso
más e ignorando la pendiente de la curva y por tanto la resistencia asociada con la unión
directamente polarizada, se obtendrán las características de la figura 3. lOc. Para los
siguientes análisis en estos apuntes, el modelo equivalente de la figura 3.l0c se empleará
para todos los análisis de cd para redes de transistores. Es decir, una vez que el
transistor esta en el estado "encendido" o de conducción, se supondrá que el voltaje de
base a emisor será el siguiente:
VBE = 0.7 V
Alfa (ð )
por una cantidad denominada alfa y que se define por medio de la siguiente ecuación:
ð cd = IC / IE
donde IC e IE son los niveles de corriente al punto de operación. Aun cuando las
características de la figura 3.8 parecen sugerir que ð = 1, para dispositivos prácticos el
nivel de alfa se extiende típicamente de 0.90 a 0.998, aproximándose la mayor parte al
extremo superior del intervalo. Ya que alfa se define únicamente por los portadores
mayoritarios, la ecuación (3.2) se convierte en
IC = ð IE + ICBO
Para las características de la figura 3.8 cuando IE = 0 mA, IC es por tanto igual a ICBO,
pero como se mencionó con anterioridad el nivel de ICBO es por 1o general tan
pequeño que es virtualmente indetectable en la gráfica de la figura 3.8. En otras
palabras, cuando IE = 0 mA en la figura 3.8, IC aparece también con 0 mA para el
intervalo de valores de VCB.
Polarización
Figura 3.11
A algunos estudiantes les parece que pueden recordar si la flecha del símbolo del
dispositivo apunta hacia afuera haciendo corresponder las letras del tipo de transistor
con las letras apropiadas de las frases "apuntando hacia adentro" o "apuntando hacia
afuera".
IL = Ii = 10 mA
VL = ILR
= 50 V
Figura 3.12
La amplificación de voltaje es
Figura 3.14
Se recordará que éstas fueron las mismas condiciones que existieron en la región activa
de la configuración de base común. La región activa de la configuración de emisor
común puede emplearse en la amplificación de voltaje, corriente o potencia.
La región de corte en la configuración de emisor común no está tan bien definida como
en la configuración de base común. Nótese, en las características de colector de la figura
3.14 que IC no es igual a cero cuando IB = 0. En la configuración de base común,
cuando la corriente de entrada IE = 0, la corriente de colector fue sólo igual a la
corriente de saturación inversa ICO, por lo que la curva IE = 0 y el eje de voltaje fueron
(para todos los propósitos prácticos) uno.
La razón de esta diferencia en las características del colector puede obtenerse mediante
la manipulación adecuada de las ecuaciones (3.3) y (3.6). Es decir,
Reordenando obtenemos:
En la figura 3.15 las condiciones que envuelven a esta corriente definida nuevamente se
muestran con su dirección de referencia asignada.
Beta(ð )
ð cd = IC / IB
El nombre formal para ð ca es factor de amplificación de corriente directa de emisor
común. Puesto que la corriente de colector es por lo general la corriente de salida para
una configuración de emisor común y la corriente de base es la corriente de entrada, el
término amplificación se incluye en la nomenclatura anterior.
Aunque no son exactamente iguales, los niveles de ð ca, y de ð cd están por lo general
razonablemente cercanos y con frecuencia se utilizan en forma intercambiable.
IE = IC + IB
IC / ð = IC + (IC / ð )
IC / ð = 1 + (1 / ð )
de modo que
encontramos que
ICEO = (ð + 1) ICBO
ICEO ð ð ICBO
IC ð ð IB
Y puesto que
IE = IC + IB
= ð IB + IB
IE = (ð + 1) IB
Para cada transistor existe una región de operación sobre las características, la cual
asegurara que los valores nominales máximos no sean excedidos y la señal de salida
exhibe una distorsión mínima. Una región de este tipo, se ha definido para las
características de transistor de la figura 3.22. Todos los límites de operación se definen
sobre una típica hoja de especificaciones de transistor descrita en la sección 2.6.
Algunos de los límites se explican por sí mismos, como la corriente máxima de colector
(denominada, por lo general, en la hoja de especificaciones, como corriente continua de
colector) y el voltaje máximo de colector a emisor (abreviada a menudo como vCeo.)
Para el transistor de la figura 3.22, ICmáx se especificó como de 50 mA y vCeo como
de 20 V. La linea vertical de las características definida como vCEsat especifica la
mínima vCE que puede aplicarse sin caer en la región no lineal denominada región de
saturación.
Figura 3.22
El nivel de VCEsat está regularmente en la vecindad de los 0.3 V especificada para este
transistor. El máximo nivel de disipación se define por la siguiente ecuación:
PCmáx = VCEIC
En cualquier punto sobre las características el producto de VCE e IC debe ser igual a
300 mW. Si elegimos para IC el valor máximo de 50 mA y lo sustituimos en la relación
anterior, obtenemos
VCEIC = 300 mW
VCE = 6 V
IC = 15 mA
VCE = 12 V
como también se indica en la figura 3.22. Una estimación aproximada de la curva real
puede dibujarse por lo general empleando los tres puntos definidos con anterioridad. Por
supuesto, entre más puntos tenga, más precisa será la curva, pero una aproximación es
generalmente todo lo que se requiere. La región de corte se define como la región bajo
IC = ICEO. Esta región tiene que evitarse también si la señal de salida debe tener una
distorsión mínima. En algunas hojas de especificaciones se proporciona solamente
ICBO. Entonces uno debe utilizar la ecuación ICEO = ð ICBO para establecer alguna
idea del nivel de corte si la curva de características no está disponible. La operación en
la región resultante de la figura 3.22 asegurará una mínima distorsión de la señal de
salida y niveles de voltaje y corriente que no dañarán al dispositivo. Si las curvas de
características no están disponibles o no aparecen en la hoja de especificaciones (como
ocurre con frecuencia), uno simplemente debe estar seguro que IC, VCE y su producto
caigan dentro del intervalo que aparece en la siguiente ecuación:
ICEO ð IC ð Icmáx
VCEIC ð PCmáx
Para las características de base común la curva de potencia máxima se define por el
siguiente producto de cantidades de salida;
PCmax = VCBIC
Límites de Operación
7.5 uA ð IC ð 200 mA
0.3 V ð VCE ð 30 V
VCEIC ð 650 mW
En las características de pequeña señal el nivel de hfe (ð ca) se proporciona junto con
una gráfica de cómo varía con la corriente de colector en la figura 3.23f. En la figura
3.23j se demuestra el efecto de la temperatura y la comente de colector sobre el nivel de
hFE (ð ca). A temperatura ambiente (25°C), adviértase que hFE (ð cd) tiene un valor
máximo de 1 en la vecindad alrededor de los 8 mA. A medida que IC, se incrementa
más allá de este nivel, hFE cae a la mitad de su valor con IC igual a 50 mA. También
decae a este nivel si IC disminuye al nivel inferior de 0.15 mA. Puesto que esta es una
curva normalizada, si tenemos un transistor con ð cd = hFE = 50 a temperatura
ambiente, el valor máximo a 8 mA es de 50. A IC = 50 mA habrá decaído a 50/ 2 = 25.
En otras palabras, la normalización revela que el nivel real de hFE a cualquier nivel de
IC se ha dividido por el valor máximo de hFE a esa temperatura e IC = 8 mA.
Figura 3.23 Hoja de especificaciones del transistor.
3.1 Punto de operación o punto Quiescente.
VBE = 0.7 V
IE = (ð + 1)IB ð IC
IC = ð IB
De hecho, una vez que el análisis de las redes iniciales se comprenda con claridad, la
ruta por seguir hacia la solución de las redes comenzara a ser más evidente. En la
mayoría de los casos la corriente de base IB es la primera cantidad que se determina.
Una vez que IB se conoce, las relaciones de las ecuaciones anteriores pueden aplicarse
para encontrar las restantes cantidad de interés. Las similitudes en el análisis serán
inmediatamente obvias a medida que avancemos en este capítulo. Las ecuaciones para
IB son tan similares para diversas configuraciones que una ecuación puede derivarse de
otra sencillamente quitando o agregando un término o dos. La función primordial de
este capitulo es desarrollar cierto nivel de familiaridad con el transistor BJT, el cual
permitiría un análisis de cd de cualquier sistema que deba emplear el amplificador BJT.
PUNTO DE OPERACIÓN
El término polarización que aparece en el titulo de este capítulo es un vocablo que
incluye todo lo referente a la aplicación de voltajes de cd para establecer un nivel fijo de
corriente y voltaje. Para amplificadores de transistor, el voltaje y la comente de cd
resultantes establecen un punto de operación sobre las características, el cual define la
región que se empleará para la amplificación de la señal aplicada. Ya que el punto de
operación es un punto fijo sobre las características, se le conoce también como punto
quiesciente (abreviado punto Q). Por definición, quiesciente significa quieto, inmóvil,
inactivo. La figura 4.1 muestra una característica general de salida de un dispositivo con
cuatro puntos de operación indicados. El circuito de polarización puede diseñarse para
establecer la operación del dispositivo en cualquiera de estos puntos o en otros dentro
de la región activa. Los valores nominales máximos se indican sobre las características
de la figura 4,1, por una linea horizontal para la corriente de colector máxima ICmáx y
por una línea vertical para el voltaje de colector-emisor máximo VCEmax. La máxima
potencia de operación máxima se define por la curva Pcmáx en la misma figura. En el
extremo inferior de las escalas se localizan la región de corte, definida por IB ð 0 uA, y
la región de saturación, definida por VCE ð VCEsat.
El dispositivo BJT podría polarizarse para operar fuera de estos puntos limite máximos,
pero el resultado de tal operación causaría ya sea el acortamiento de la vida de servicio
del dispositivo, o bien su destrucción. Concentrándonos en la región activa es posible
elegir muchas áreas o puntos de operación diferentes. El punto Q depende a menudo del
uso que se dará al circuito. No obstante, es posible considerar algunas diferencias entre
la operación en puntos diferentes de la figura 4.1 para presentar algunas ideas básicas en
tomo al punto de operación y, por ello, al circuito de polarización.
IB = (VCC - VBE) / RB
En realidad, la ecuación (4.4) no es difícil de recordar si se considera simplemente que
la corriente de base es la corriente a través de RB y, por la ley de Ohm, esa corriente es
el voltaje a través de RB dividido entre la resistencia RB. El voltaje a través de RB es el
voltaje aplicado VCC en uno de los extremos menos la caída a través de la unión base-
emisor (VBE).
Ademas, puesto que la fuente de voltaje VCC y el voltaje de base a emisor VBE son
constantes, la selección de un resistor de base, RB, establece el nivel de la corriente de
base para el punto de operación.
Malla de colector-emisor
IC = ð IB
Es interesante notar que, en vista de que la corriente de base se controla por el nivel de
RB e IC se relaciona con IB por una constante ð la magnitud de IC no es una función de
la resistencia RC. El cambio de RC a cualquier nivel no afectará el nivel de IB o IC en
tanto que permanezcamos en la región activa del dispositivo. Sin embargo, como
veremos posteriormente, el nivel de RC determinará la magnitud de VCE, el cual es un
parámetro importante.
VC + ICRC - VCC = 0
VCE = VCC - ICRC
VCE = VC - VE
VCE = VC
VBE = VB - VE
y VE = 0 V, entonces
VBE = VB
Téngase en cuenta que los niveles de voltaje como el de VCE se determinan situando la
punta roja (positiva) del voltímetro en la terminal de colector con punta negra (negativa)
en la terminal del emisor, como se ilustra en la figura 4.6. VC es el voltaje del colector a
tierra y se mide como se muestra en la misma figura. En este caso, las dos lecturas son
idénticas, pero en las redes que se verán más adelante, ambas pueden llegar a ser
bastante diferentes. Comprender con claridad la diferencia entre las dos mediciones
probará ser de suma importancia en la detección de fallas de las redes de transistores.
El termino saturación se aplica a cualquier sistema, donde los niveles han alcanzado sus
valores máximos. Una esponja saturada es aquella que no puede contener una gota más
de liquido. Para un transistor que opera en la región de saturación, la corriente es un
valor máximo para el diseño particular. Modifíquese el diseño y el correspondiente
nivel de saturación podrá elevarse o decaer. Por supuesto, el mayor nivel de saturación
se define por la máxima corriente de colector, tal como se proporciona en la hoja de
especificaciones.
Las condiciones de saturación se evitan por lo general debido a que la unión de base a
colector ya no está inversamente polarizada y la señal amplificada de salida estará
distorsionada. Un punto de operación en la región de saturación se representa en la
figura 4.8a. Nótese que se encuentra en una región donde se unen las "curvas de
características y el voltaje de colector a emisor se halla en o sobre VCEsat . Además, la
corriente de colector es relativamente alta sobre las características.
Figura 4.8 Región de saturación (a) real (b) aproximada
Si juntarnos las curvas de la figura 4.8a con las que aparecen en la figura 4.8b, se
llegará a un método rápido y directo para determinar el nivel de
saturacion.Enlafigura4.8b la corriente es relativamente alta y se supone que el voltaje
VCE es de cero voltios. Al aplicar la ley de Ohm, la resistencia entre las terminales de
colector y emisor se puede determinar como sigue:
ICsat = VCC / RC
Figura 4.10 Determinación de ICsat, para la configuración de polarización fija.
Una vez que se conoce ICsat, tenemos una idea de la máxima corriente de colector
posible para el diseño elegido y del nivel bajo el cual permanecer si esperamos una
amplificación lineal.
resultante. Ahora investigaremos cómo los parámetros de la red definen el posible rango
de puntos
Las características de salida del transistor también relacionan las mismas dos variables
IC y VCE,
como se ilustra en la figura 4.11b. Por Ío tanto, tenemos, en esencia, una ecuación de
red y un
conjunto de características que utilizan las mismas variables. La solución común de las
dos ocurre
Figura 4.11 Análisis de recta de carga (a) la red (b) las características del
dispositivo.
debemos sobreponer la linea recta definida por la ecuación 4.12 sobre las características.
El método
más directo para trazar la ecuación (4.12) sobre las características de salida es
empleando el hecho
de que una recta está definida por dos puntos. Si elegimos IC con un valor de 0 mA,
estaremos
Si ahora escogemos el valor de 0 V para VCE, con el que se establece el eje vertical
como la línea sobre la cual se definirá el segundo punto, encontraremos que IC se
determina por la siguiente ecuación: como aparece en la figura 4.12. La línea resultante
sobre la gráfica de la figura 4.12 se denomina recta de carga, puesto que está definida
por el resistor de carga RC. Al resolver para el nivel resultante de IB, el punto Q real se
puede establecer como se ilustra en la figura 4.12, Si el nivel de IB se modifica al variar
el valor de RB, el punto Q se mueve hacia arriba o hacia abajo de la recta de carga,
como se muestra en la figura 4.13. Si VCC se mantiene fijo y RC cambia, la recta de
carga subirá como se representa en la figura4,14. Si IB es la que se mantiene constante,
el punto Q se trasladará como se ilustra en la misma figura. Si RC se fija y VCC varía, la
recta de carga se desplazará como se muestra en la figura 4,15.
Figura 4.13 Movimiento del punto Q con respecto al incremento en los niveles de
IE
Figura 4.14 Efectos del incremento en los niveles de RC sobre la recta de carga y el
punto Q.
Figura 4.15 Efecto de la disminución en los valores de VCC sobre la recta de carga
y el punto Q.
Malla de base-emisor
La malla de base a emisor de la red de la figura 4.17 se puede volver a dibujar, como se
ilustra en la figura 4.18. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla
indicada en dirección de las manecillas del reloj, obtendremos como resultado la
siguiente ecuación:
IE = (ð + 1)IB
y resolviendo IB llegamos a
Nótese que la única diferencia entre esta ecuación para IB y la obtenida para la con
figuración de polarización fija es el término (ð + 1) RE. Hay un resultado interesante
que puede derivarse de la ecuación (4.17) si la ecuación se utiliza para trazar una red en
serie que resultaría en la misma ecuación. Tal es el caso para la red de la Figura 4.19.
Resolviendo para la corriente IB resultará la misma ecuación obtenida anteriormente.
Adviértase que al lado del voltaje de base a emisor VBE el resistor RE es reflejado a la
entrada del circuito de base por un factor (ð + 1). En otras palabras, el resistor de
emisor, el cual es parte de la malla de colector-emisor, "parece como" (ð + 1 )RE en la
malla de base-emisor. Puesto que ð es por lo general 50 o más, el resistor de emisor
parece ser mucho más grande en el circuito de base; tanto, para la configuración de la
figura 4.20.
Figura 4.19
Figura 4.20 Nivel de impedancia reflejada de RE
La ecuación (4.18) probar su utilidad en los análisis que siguen. De hecho, proporciona
una manera bastante fácil de recordar la ecuación (4.17). Empleando la ley de Ohm,
sabemos que la corriente a través de un sistema es el voltaje dividido entre la resistencia
del circuito. Para el circuito de base-emisor, el voltaje neto es VCC - VBE. Los niveles
de resistencia son RB más RE reflejado por (ð + 1). El resultado es la ecuación (4.17).
Malla de colector-emisor
VE = IERE
VCE = VC - VE
VC = VCC - ICRC
E1 voltaje en la base con respecto a tierra puede determinarse a partir de
VB = VCC - IBRB
VB = VBE + VE
Ejemplo
Elabore una tabla en la que se comparen el voltaje y las corrientes de polarización de las
figuras 4.7 y 4.22 para el valor de ð = 50 y para un nuevo valor de ð = 100. Compare
los cambios en IC. para el mismo incremento en ð .
Solución
Se observa que la corriente de colector del BJT cambia en un 100% debido a un cambio
de 100% en el valor de ð . IB es igual y VCE se decrementa en un 76%.
Utilizando los resultados que se calcularon en el ejemplo 4.4 y repitiendo después para
el valor de ð = 100, obtenemos lo siguiente: La corriente de colector del BJT aumenta a
cerca del 81% debido al cambio del 100% en ð . Nótese que el decremento de IB ayuda
a mantener el valor de IC, o al menos a reducir el cambio total en IC. debido al cambio
en ð .
Nivel de saturación
El nivel de saturación del colector o la comente del colector máxima para un diseño
polarizado de emisor puede determinarse mediante el mismo enfoque empleado en la
configuración de polarización fija: aplicar un corte circuito entre las terminales colector-
emisor, como se ilustra en la figura 4.23, y calcular la corriente del colector resultante.
Para la figura 4.23:
La adición del resistor de emisor reduce el nivel de saturación del emisor debajo del
nivel que se obtiene con una configuración de polarización fija por medio del mismo
resistor del colector.
RTh = R1ð ð R2
ETh: La fuente de voltaje VCC se reintegra a la red y el voltaje Thévenin del circuito
abierto de la figura 4.29 se determina como sigue: Aplicando la regla del divisor de
voltaje:
La red Thévenin se vuelve a dibujar entonces, como se ilustra en la figura 4.30,e IBQ se
puede determinar al aplicar en primer lugar la ley de voltaje de Kirchhoff en dirección
de las manecillas del reloj para la malla indicada:
Una vez que se conoce IB, las cantidades restantes de la red pueden encontrarse del
mismo modo que se hizo para la configuración polarizada de emisor. Esto es:
que es exactamente igual que la ecuación (4.19). Las ecuaciones restantes para VE, VC
y VB son también las mismas que se obtuvieron para la configuración polarizada de
emisor.
Figura 4.27 Detalle del extremo de entrada para la red de la figura 4.25
ð RE ≥ 10 R2
VE = VB - VBE
IE = VE / RE
ICQ ð IE
El nivel de IB se determina, por supuesto, por una ecuación distinta para la polarización
con divisor de voltaje y las configuraciones polarizadas de emisor.
Ejemplo:
Para la red de la figura 4.39:
Solución
Ejemplo:
Solución
Al aplicar la ley del voltaje de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj a la
malla de base a emisor, el resultado es
El siguiente ejemplo emplea una red conocida como configuración de emisor-seguidor.
Cuando la misma red se analiza sobre una base de ca, encontraremos que las señales de
entrada y salida están en fase (una siguiendo a la otra) y el voltaje de salida es
ligeramente menor que la señal aplicada. Para el análisis de cd, el colector se conecta a
tierra y el voltaje aplicado está en la terminal del emisor.
Ejemplo:
Ejemplo
Solución
IE = (VEE - VBE) / RE
= 3.34 V
IB = IC / ð = 2.75 mA / 60 = 45.8 uA
Ejemplo:
Figura 4.43
Solución
Figura 4.45
La red puede volverse a dibujar, como se ilustra en la figura 4.46 y al aplicarle la ley de
voltaje de Kirchhoff, da por resultado
OPERACIONES DE DISEÑO
Hasta este punto las discusiones se han enfocado en el análisis de las redes existentes.
Todos los elementos están en su lugar y es simplemente asunto de resolver para los
niveles de voltaje y corriente de la configuración. El proceso de diseño es donde puede
especificarse una comente y/o un voltaje y donde deben determinarse los elementos
requeridos para establecer los niveles Ideados. Este proceso de síntesis supone un claro
entendimiento de las características del Impositivo, las ecuaciones básicas para la red y
un firme conocimiento de las leyes básicas del análisis de circuitos, la ley de Ohm, la
ley de voltaje de Kirchhoff, etc. En la mayoría de las situaciones el proceso mental se
pone a prueba en alto grado en la operación de diseño más que en la secuencia de
análisis. La trayectoria hacia una solución es menos definida y de hecho puede requerir
algunas suposiciones básicas que no se pueden hacer analizando sencillamente una red.
Si se van a determinar los valores resistivos, una de las ecuaciones más poderosas es
sencillamente la ley de Ohm en la forma siguiente:
Rdesconocida = VR / IR
Ejemplo:
Figura 4.47
Solución
De la recta de carga
Ejemplo:
Figura 4.48
Solución
Los valores comerciales estándar más próximos para R1 son 82 kð y 91 kð . Sin
embargo, haciendo uso de la combinación en serie de los valores estándar de 82 kð y
4.7 kð = 86.7 kð resultaría en un valor muy cercano al nivel diseñado.
Ejemplo:
Solución
El análisis siguiente presenta una técnica para diseñar un circuito completo para operar
en un punto de polarización especifico. Con frecuencia las hojas de especificaciones de
los fabricantes brindan información que establece un punto de operación apropiado (o
región de operación) para un transistor particular. Además, otros factores del circuito
relacionados con la etapa del amplificador dado pueden dictar también algunas
condiciones de la excursión de corriente, excursión de voltaje, el valor de voltaje de
alimentación común, etc., los cuales pueden utilizarse para la determinación del punto
Q en un diseño.
En la práctica real, muchos otros factores tienen que considerarse y pueden influir en la
selección del punto de operación que se desea. Sin embargo, por el momento nos
concentraremos en la determinación de los valores de los componentes para obtener un
punto de operación especificado. El análisis se limitará a las configuraciones de
polarización de emisor y de polarización de divisor de voltaje, aun cuando el
procedimiento puede aplicarse a otros circuitos de transistores.
Ejemplo
Determine los valores de los resistores para la red de la figura 4.50, para la fuente de
voltaje y el punto de operación indicados.
Solución
El circuito de la figura 4.51 brinda estabilización tanto para la corriente de fuga como
para los cambios en la ganancia de corriente ð . El valor de las cuatro resistencias que se
muestran debe obtenerse para un punto de operación especificado. El criterio de
ingeniería en la selección de' un valor para el voltaje de emisor, VE, como en el criterio
de diseño previo conduce a una simple solución directa para todos los valores de la
resistencia. Todos los pasos de diseño se muestran en el siguiente ejemplo.
Figura 4.51 Circuito con estabilización de ganancia de corriente para
consideraciones de dideño.
Ejemplo:
Determine los niveles RC, RE, R1 y R2 para la red de la figura 4.51, para el punto de
operación indicado.
Solución
Las ecuaciones para los cálculos de los resistores de base R1 y R2 requerirán de un poco
de consideración. Usando el valor del voltaje de base calculado anteriormente y el valor
de la fuente de voltaje se obtendrá una ecuación, pero existen dos incógnitas, R1 y R2.
Se puede tener una ecuación adicional mediante el conocimiento de la operación de
estos dos resistores al proveer el voltaje de base necesario. Para que el circuito opere
con eficacia, se supone que la corriente a través de R1 y R2 debe ser aproximadamente
igual y mucho mayor que la corriente de base (al menos en proporción de 10:1). Este
hecho y la ecuación de di visor de voltaje para el voltaje de base proporcionan las dos
relaciones necesarias para determinar los resistores de base. Es decir,
ICsat = VCC / RC
IBmáx = ICsat / ð cd
Por tanto, para el nivel de saturación, debemos asegurar que se satisfaga la condición
siguiente:
IB > ICsat / ð cd
Saturación Suave
RB = (Vi - 0.7V)/IB
IB ≥ ICsat / ð mín
Saturación Dura
ð = 10
Hasta este punto el análisis se ha limitado exclusivamente a los transistores npn para
asegurar que el análisis inicial de las configuraciones básicas fuera lo más claro posible
y sin complicaciones al intercambiar entre diferentes tipos de transistores.
Afortunadamente, el análisis de los transistores pnp sigue el mismo patrón establecido
para los transistores npn. El nivel de IB se determina en primer lugar, seguido por la
aplicación de las relaciones de transistor apropiadas para determinar la lista, de
cantidades desconocidas. De hecho, la única diferencia entre las ecuaciones que se
obtienen para una red en la que se ha reemplazado un transistor npn por otro de tipo pnp
es el signo asociado a cantidades particulares.
Como se advierte en la figura 4.63, la notación de subíndice doble continúa como fue
definida normalmente. Sin embargo, las direcciones de la corriente se han invertido para
reflejar las direcciones de conducción reales. Empleando las polaridades definidas de la
figura 4.63, tanto VBE como VCE serán cantidades negativas.
La ecuación resultante es la misma que la ecuación (4.17), a excepción del signo para
VBE Sin embargo, en este caso VBE = -0.7 V y la sustitución de los valores resultará en
el mismo signo para cada término de la ecuación (4.49), como la ecuación (4.17).
Recuérdese que la dirección de IB se define ahora como opuesta a la de un transistor
pnp, como se ilustra en la figura 4.63. Para VCE, la ley de voltaje de Kirchhoff se aplica
a la malla de colector a emisor, lo que da por resultado la siguiente ecuación:
La ecuación resultante tiene el mismo formato que la ecuación (4.19), pero el signo
enfrente de cada término a la derecha del signo de igualdad ha cambiado. Puesto que
VCC será mayor que la magnitud del término siguiente, el voltaje tendrá un signo
negativo, como se advirtió en un párrafo anterior.
Ejemplo:
Solución
Probando la condición
ð RE ≥ 10 R2
VB - VBE -VE = 0
VE = VB - VBE
VE = -3.16 V - (-0.7 V)
= -2.46 V
Hay dos modelos que se utilizan por lo común en el análisis de ca de pequeña señal de
redes de transistor: el modelo equivalente híbrido y el modelo re. Este capitulo no sólo
presenta ambos modelos, sino que define el papel que cada uno desempeña y la relación
que existe entre ellos.
Excursión máxima de salida de ca al voltaje de ca pico a pico máximo, sin recortes, que
puede proporcionar un amplificador.
La línea de carga de ca es una ayuda visual para entender la operación con señales
grandes.
4.2 Modelado del transistor BJT.
Una vez determinado el circuito equivalente de ca, el símbolo gráfico del dispositivo
puede sustituirse en el esquema mediante este circuito, y se pueden aplicar los métodos
básicos del análisis de circuitos de ca (análisis de nodos, análisis de mallas y el teorema
de Thévenin) para determinar la respuesta del circuito.
Hay dos teorías actuales acerca de cuál será el circuito equivalente que ha de sustituir al
transistor. Durante muchos años la industria y las instituciones educativas confiaron
ampliamente en los parámetros híbridos (que se presentarán en breve). El circuito
equivalente de parámetros híbridos seguirá siendo muy popular, aun cuando en la
actualidad debe competir con un circuito equivalente derivado directamente de las
condiciones de operación del transistor, el modelo re. Los fabricantes siguen
especificando los parámetros híbridos para una región de operación particular en sus
hojas de especificaciones. Los parámetros (o componentes) del modelo re pueden
derivarse directamente de los parámetros híbridos en esta región. Sin embargo, el
circuito equivalente híbrido adolece de estar limitado a un conjunto particular de
condiciones de operación si se considerara preciso. Los parámetros del otro circuito
equivalente pueden determinarse para cualquier región de operación dentro de la región
activa y no están limitados por un solo grupo de parámetros incluidos en la hoja de
especificaciones. A su vez, no obstante, el modelo re no tiene un parámetro que defina
el nivel de impedancia de salida del dispositivo y el efecto de retroalimentación de la
salida a la entrada.
Puesto que en la actualidad ambos modelos se emplean de manera extensa, los dos se
examinan en detalle en este libro. En algunos análisis y ejemplos se empleará el modelo
híbrido, en tanto que en otros se utilizará en forma exclusiva el modelo re. No obstante,
en el texto se hará todo lo necesario para mostrar la forma tan estrecha en que se
relacionan los dos modelos y cómo la habilidad en el manejo de uno de ellos conduce a
una destreza natural en el manejo del otro.
Con el fin de mostrar el efecto que tendrá el circuito equivalente de ca sobre el análisis
que sigue, considérese el circuito de la figura 7.3. Supongamos por e] momento que el
circuito equivalente de ca de pequeña señal para el transistor ya ha sido determinado.
Puesto que sólo nos interesa la respuesta de ca del circuito, todas las alimentaciones de
cd pueden sustituirse por equivalentes de potencial cero (corto circuito), ya que
determinan únicamente el nivel de cd (nivel quiesciente) o de operación del voltaje de
salida y no la magnitud de la excursión de la salida de ca. Esto se muestra claramente en
la figura 7.4. Los niveles de cd fueron importantes simplemente para determinar el
punto Q de operación adecuado. Una vez determinado, es posible ignorar los niveles de
cd en el análisis de ca de la red. Además, los capacitores de acoplamiento C1 y C2 y el
capacitor de desvío C3*** se eligieron de modo que tuvieran una reactancia muy
pequeña a la frecuencia de aplicación. Por lo tanto, es posible también reemplazarlos
para todos los propósitos prácticos por medio de una trayectoria de baja resistencia
(corto circuito). Nótese que esto producirá el "corto circuito" de la resistencia de
polarización de cd, RE. Recuérdese que los capacitores tienen un equivalente de circuito
abierto en condiciones de estado estable cd, permitiendo un aislamiento entre etapas en
los niveles de cd y las condiciones de operación.
Figura 7.3 Circuito de transistor examinado en este análisis introductorio.
La conexión común de tierra y el rearreglo de los elementos de la figura 7.4 dará como
resultado una combinación en paralelo de los resistores R1, R2, y RC que aparecerá del
colector al emisor como se muestra en la figura 7.5. Como los componentes del circuito
equivalente del transistor insertado en la figura 7.5 son aquellos con los que ya nos
hemos familiarizado (resistores, fuentes controladas, etc.), las técnicas de análisis tales
como superposición y el teorema de Thévenin, entre otras, pueden aplicarse para
determinar las cantidades deseadas.
Figura 7.5 Circuito de la figura redibujado para el análisis de pequeña señal ca.
Examinaremos aún más la figura 7.5 e identifiquemos las cantidades importantes que se
determinarán en el sistema. Puesto que sabemos que el transistor es un dispositivo
amplificador, esperaríamos alguna indicación de cómo se relacionan el voltaje de salida
Vo y el de entrada Vi, es decir, la ganancia en voltaje. Note en la figura 7.5 que para
esta configuración Ii = Ib, e Io = Ic lo cual define la ganancia en corriente Ai = Io / Ii.
La impedancia de entrada Zi y la impedancia de salida Zo probarán ser de particular
importancia en el análisis que se detalla a continuación. Se proporcionará mucha más
información acerca de estos parámetros en las secciones siguientes. Por tanto, el
equivalente de ca para una red se obtiene por medio de:
3. La eliminación de todos los elementos sustituidos por los corto circuitos equivalentes
introducidos en los pasos 1 y 2
4.3 Parámetros importantes: Zi, Zo, Av, Ai, Vi, Vo, Ii, Io. (Redes de dos puertos).
Antes de investigar los circuitos equivalentes para BJT con más detalle,
concentrémonos en los parámetros de un sistema de dos puertos que son de capital
importancia desde un punto de vista de análisis y diseño. Para el sistema de dos puertos
(dos pares de terminales) de la figura 7.6, el extremo de entrada (el lado donde
normalmente se aplica la señal) se encuentra a la izquierda y el extremo de salida
(donde se conecta la carga) se halla a la derecha. De hecho, para la mayoría de los
sistemas eléctricos y electrónicos el flujo general se tiene normalmente de izquierda a
derecha. Para ambos conjuntos de terminales la impedancia entre cada par de terminales
en condiciones normales de operación es bastante importante.
Figura 7.6 Sistema de dos puertos.
Impedancia de entrada, Zi
Zi = Vi / Ii
Si se modifica la señal de entrada Vi, la corriente Ii, puede calcularse mediante el uso
del mismo nivel de impedancia de entrada. En otras palabras:
Además:
Zi = Vi / Ii
Impedancia de salida, Zo
Io = (V - Vo) / Rsensor
Zo = Vo / Io
En particular, para las frecuencias de rango bajo y medio (normalmente < 100 kHz): La
impedancia de salida de un amplificador de transistor BJT es resistiva por naturaleza y
depende de la configuración y de la colocación de los elementos resistivos, Zo puede
variar entre unos cuantos ohms y un nivel que puede exceder los 2Mð .
Además:
Ganancia de voltaje Av
Av = Vo / Vi
Para el sistema de la figura 7.13, no se ha conectado una carga a las terminales de salida
y el nivel de ganancia determinado por la ecuación (7.6) se denomina como la ganancia
de voltaje sin carga. Es decir,
Figura 7.13 Determinación de la ganancia de voltaje sin carga
Ganancia de corriente, Ai
Ai = Io / Ii
Aunque por lo regular recibe menos atención que la ganancia de voltaje, es, sin
embargo, una cantidad importante que puede tener un impacto significativo en la
eficiencia global de un diseño. En general:
Para amplificadores BJT, la ganancia de corriente oscila entre los valores apenas
menores que I y un nivel que puede exceder los 100.
Ii = Vi / Zi
Io = Vo / RL
Figura 7.15 Determinación de la ganancia de corriente con carga.
Ai = -Av(Zi / Ii)
Relación de fase
La relación de fase entre las señales senoidales de entrada y salida es importante por una
variedad de razones prácticas. Sin embargo y por fortuna: Para el amplificador de
transistor típico, a frecuencias que permiten ignorar el efecto de elementos reactivos,
las señales de entrada y salida están ya sea en fase o desfasadas por 180°.
La razón de esta situación ambivalente con respecto a la fase se aclarará en los capítulos
siguientes.
Resumen
Figura 7.16 (a) Transistor BJT de base común; (b) modelo re para la configuración
de la figura 7.16a.
A causa del aislamiento existente entre los circuitos de entrada y de salida de la figura
7.17, debería ser bastante obvio que la impedancia de entrada Zi para la configuración
de base común de un transistor fuera simplemente re. Es decir,
Zi = re
Para la configuración de base común, los valores típicos de Z, varían entre unos
cuantos ohms y un valor hasta de alrededor de 50 ð .
Zo ð ð ð
En realidad:
Vi = IEZi = Iere
Av = Vo / Vi = ð IeRL / Iere
Av = ð RL / re ð RL / re
Ai = Io / Ii = -IC / Ie = ð Ie / Ie
Ai = -ð ð -1
Figura 7.20 Modelo aproximado para una configuración de transistor NPN de base
común.
Para la configuración de emisor común de la figura 7.21a, las terminales de entrada son
las terminales de base y emisor, pero el conjunto de salida lo componen ahora las
terminales de colector y emisor. Además, la terminal de emisor es ahora común entre
los puertos de entrada y salida del amplificador. Sustituyendo el circuito equivalente re
para el transistor npn dará por resultado la configuración de la figura 7.21b. Adviértase
que la fuente controlada por corriente aún esta conectada entre las terminales de
colector y de base y el diodo, entre las terminales de base y de emisor. En esta
configuración, la corriente de base es la corriente de entrada, mientras que la corriente
de salida aun es Ic. Recuerde, del capítulo 1, que las corrientes de base y de colector
están relacionadas por la siguiente ecuación:
Ic = ð Ib
Ie = (ð + 1)Ib
Sin embargo, ya que la beta de ca es normalmente mucho mayor que 1, haremos uso de
la siguiente aproximación para el análisis de comente:
Ie ð ð Ib
Zi = Vi / Ii = Vbe / Ib
El voltaje Vbe se halla a través de la resistencia del diodo, como se muestra en la figura
7.22. El nivel de re todavía se determina por la corriente de cd IE***. El uso de la ley
de Ohm conduce a
Vi = Vbe = Ie re ð ð Ibre
Figura 7.21 (a) Transistor BJT de emisor común (b) modelo aproximado para la
configuración de la figura 7.21ª
Zi ð ð re
En esencia, la ecuación (7.19) establece que la impedancia de entrada para una situación
tal como la mostrada en la figura 7.23 es beta veces el valor de re. En otras palabras, un
elemento resistivo en la terminal del emisor se refleja en el circuito de entrada por un
factor multiplicativo ð . Por ejemplo, si re = 6.5 ohms como en el ejemplo 7.4, re = 160
(situación bastante común a la impedancia de entrada se incrementa a un nivel de
Zo = ro
Vo = -IoRL
Vi = IiZi = Ibð re
Av = Vo / Vi = -ð IbRL / Ibð re
Av = -RL / re
El signo menos resultante para la ganancia de voltaje revela que los voltajes de entrada
y salida se encuentran desfasados en 180°. La ganancia de corriente para la
configuración de la figura 7.26:
Ai = Io / Ii = IC / Ib = ð Ib / Ib
Ai = ð
• Zo:
Zo = Rc
• Av:
Vo = -IORL
Vo = ViR'L / re ð Vo / Vi = -R'L / re
Av = -R'L / re
En la salida
ro = 1 / hoe
Ai = Io / Ii
Ejemplo:
Calcule el punto Q, re, Zi, Zo, Av, Ai para el amplificador que se muestra:
f = 1 kHz
Xc ð 0.1 R
C1 ≥ 10 / 2ð f ≥ 0.22 uF
C2 ≥ 1.3 uF
C3 ≥ 1.06 uF
Análisis de CD:
ð RE = (90)(1.5 kð ) = 135 kð
Análisis de CA:
re = 26 mV / IE = 26 mV / 1.41 mA
re = 18.44 ð
ð re =(90)(18.44) = 1.66 kð
Zi = 1.35 kð
Av = 66.64
Ai = 59.84
Circuito equivalente de CD
Circuito equivalente de CA
Zb = Vi / Ib = ð re + (ð +1)RE
Zi:
Ejemplo
Zi
Av
Ai
a)
IE = 5.63 mA
b)
Zi = 94.65 kohms
c)
Zo = Rc
Si ro = 1 / hoe =1 / 55 uU =18.18 kð
d)
Av = -0.3
e)
Ai = 40.52
Zo:
Si Vi = 0, Ib = 0 y ð Ib es un corto circuito
Zo = Rc
Av:
El voltaje de salida (CA) siempre es un poco menor que la señal de entrada, debido a la
caída de base a emisor, a pesar de esto la aproximación Av ð 1 casi siempre es
satisfactoria.
A diferencia del voltaje en el colector, el voltaje en el emisor está en fase con la señal
Vi, de ahí el nombre de "emisor seguidor".
Malla de Entrada
Malla de Salida
Circuito equivalente de CA
Nótese que Vi está en paralelo con RB, pero también con ð re + ð R'L, así que: Vi =
ZbIb
Zi:
Así que
Zo:
La siguiente también es una red de emisor seguidor, la cual utiliza polarización por
divisor de voltaje y además se incluye una resistencia en el colector para controlar el
VCE.
Para el análisis en CA, la RC incluida no tiene efecto, ni en Zo, ni en la ganancia y RB
se sustituye por R1 paralela a R2.
Ejemplo:
Punto Q
re
c)
Apéndice al capítulo 5.
Zi:
Av:
Ai:
Efecto de ro: Zi no cambia, pero