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otra propiedad intelectual. Una lista del número de productos / patente de ON Semiconductor se puede acceder en www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf. ON Semiconductor se reserva el derecho a realizar cambios sin previo aviso a los productos aquí. ON Semiconductor ofrece ninguna garantía, representación o garantía

respecto a la idoneidad de sus productos para un fin concreto, ni tampoco asume ON Semiconductor cualquier responsabilidad que surja de la aplicación o uso de cualquier producto o circuito, y rechaza específicamente cualquier y toda responsabilidad, incluyendo sin limitación especial, consecuente o daños accidentales. El

comprador es responsable de sus productos y aplicaciones que utilizan productos ON Semiconductor, incluyendo el cumplimiento con todas las leyes, regulaciones y requisitos de seguridad o normas, independientemente de cualquier soporte o aplicaciones de la información proporcionada por ON Semiconductor. parámetros

“típico” que se pueden proporcionar en hojas y / o especificaciones pueden datos sobre semiconductores y varían en diferentes aplicaciones y el rendimiento real puede variar con el tiempo. Todos los parámetros de funcionamiento, incluyendo “Typicals” deben ser validados para cada aplicación del cliente por los técnicos del

cliente. ON Semiconductor no concede licencia alguna sobre sus derechos de patente ni los derechos de los demás. ON Semiconductor productos no están diseñados, concebidos, o autorizado para su uso como un componente crítico en los sistemas de soporte de vida o cualquier dispositivo médico Clase FDA 3 o dispositivos

médicos con un mismo o similar clasificación en una jurisdicción extranjera o cualquier dispositivo destinado a su implantación en el cuerpo humano. Si el Comprador compra o uso en productos de semiconductores para cualquier aplicación no deseada o no autorizada, el comprador deberá indemnizar y mantener ON

Semiconductor y sus funcionarios, empleados, subsidiarias, filiales y distribuidores exento de reclamaciones, costos, daños y gastos, y el abogado razonable honorarios que surjan de, directa o indirectamente, cualquier reclamación de daños personales o muerte asociada a dicho uso no intencionado o no autorizado, incluso si dicha

reclamación alega que ON Semiconductor fue negligente con respecto al diseño o fabricación de la pieza. ON Semiconductor es un / acción afirmativa igualdad de oportunidades. Esta literatura está sujeto a todas las leyes de derechos de autor aplicables y no es para la reventa de cualquier manera.
 FDB8447L 40V N-Channel PowerTrench® MOSFET
de febrero de de 2007

FDB8447L
40V N-Channel PowerTrench ® MOSFET
40V, 50A, 8.5m Ω
Caracteristicas Descripción general
DS Max r (a) = 8.5m Ω en V GS = 10V, ID = 14A Max R DS (a) = 11m Ω en Este MOSFET canal N se ha producido usando PowerTrench propiedad de Fairchild
Semiconductor ® la tecnología para entregar DS r bajas (sobre) y optimizado la capacidad
V GS = 4.5V, ID = 11A Cambio rápido de RoHS
BV DSS para ofrecer un rendimiento superior en beneficio de la aplicación.

Solicitud
Suministros de alimentación

del inversor

re

re

sol

GS
A-263AB
S
Serie FDB

Calificaciones MOSFET máximo = TC 25 ° C a menos que se indique lo contrario

Símbolo Parámetro calificaciones Unidades

V DS Voltaje drenaje-fuente 40 V

V GS Puerta al voltaje de la fuente ± 20 V

Consumo de corriente -Evaluación continua (paquete limitado) TC = 25 ° C 50

- Continuo (Silicon limitado) TC = 25 ° C (Nota 1) 66

CARNÉ DE IDENTIDAD UN
- Continuo TA = 25 ° C (Nota 1a) 15

- pulsada 100

E AS Drenaje-fuente de energía de la avalancha (Nota 3) 153 mJ

Disipación de potencia TC = 25 ° C 60
PD W
Disipación de potencia (Nota 1a) 3.1

T J, T STG Operativo y Temperatura de almacenamiento Junction - Entre 55 +150 °C

Características térmicas

R θ JC La resistencia térmica, Unión a encapsulado (Nota 1) 2.1

°C/W
R θ JA Resistencia térmica, Unión a ambiente (Nota 1a) 40

Máquinas de marcación y pedidos de información

dispositivo de marcado Dispositivo Paquete Tamaño del carrete Anchura de cinta Cantidad

FDB8447L FDB8447L A-263AB 330mm 24mm 800 unidades

© 2007 Fairchild Semiconductor Corporation FDB8447L Rev.C 1 www.fairchildsemi.com

 FDB8447L 40V N-Channel PowerTrench® MOSFET
Características electricas TJ = 25 ° C a menos que se indique lo contrario
Símbolo Parámetro Condiciónes de la prueba min Typ Max Unidades

Características off
BV DSS Voltaje drenaje-fuente Desglose ID = 250 μ A, V GS = 0V 40 V

Δ BV DS S Voltaje de disrupción Coeficiente de

ID = 250 μ A, referenciado a 25 ° C 35 mV / ° C
ΔTJ temperatura

me DSS Cero Puerta Tensión Corriente de drenaje V DS = 32V, V GS = 0V 1 μ UN

me GSS Puerta a la Fuente Corriente de fuga V GS = ± 20V, V GS = 0V ± 100 n/A

sobre las características (Nota 2)

V GS (th) Puerta a la fuente de voltaje de umbral V GS = V DS, ID = 250 μ UN 1 1.9 3 V

Δ V GS (th ) Puerta al umbral Fuente de tensión Coeficiente

ID = 250 μ A, referenciado a 25 ° C -5 mV / ° C
ΔTJ de temperatura

V GS = 10V, ID = 14A 7.4 8,5 m Ω

r DS (a) Drenaje estática a la Fuente de la Resistencia contra V GS = 4.5V, ID = 11A 8.7 11.0

V GS = 10V, ID = 14A, TJ = 125 ° C 10.8 12.4

g FS Transconductancia V DS = 5V, ID = 14A 58 S

Características dinámicas
C ISS capacitancia de entrada 1970 2620 pF
V DS = 20V, V GS = 0 V, f = 1
C oss La capacitancia de salida 250 335 pF
MHz
C RSS Capacitancia de transferencia inversa 150 225 pF

Rg Resistencia puerta f = 1 MHz 1.0 Ω

características de conmutación

td (a) Tiempo de activación de retardo 11 20 ns

V DD = 20V, ID = 14A V GS = 10V, R
tr Hora de levantarse 6 12 ns
GEN = 6 Ω
td (off) Turn-Off Time Delay 28 45 ns

tf Otoño 4 10 ns

Q g (TOT) Total Puerta de carga, V GS = 10V 37 52 Carolina del Norte

V DD = 20V, ID = 14A V GS =
Q g (TOT) Total Puerta de carga, V GS = 5V 20 28 Carolina del Norte
10V
gs Q Puerta a puerta de carga Fuente 6 Carolina del Norte

gd Q Puerta para drenar “Miller” Charge 7 Carolina del Norte

Drenaje-fuente características del diodo

V SD La fuente al drenaje de tensión directa del diodo V GS = 0 V, IS = 14A (Nota 2) 0.8 1.2 V

t rr Tiempo de recuperación inversa 28 42 ns

IF = 14A, di / dt = 100A / μ s
rr Q Carga de recuperación inversa 24 36 Carolina del Norte

notas:
1: R θ JA es la suma de la resistencia térmica ambiente unión a caso y caso-a-donde la referencia térmica caso se define como la superficie de montaje de la soldadura de los pasadores de drenaje.
R θ JC está garantizada por el diseño mientras que R θ JA está determinado por diseño de la placa del usuario.

a. 40 ° C / W cuando se monta en un 1 en 2 almohadilla de cobre 2 oz

si. 62,5 ° C / W cuando está montado en una almohadilla mínimo.

2: Impulso de prueba: ancho de pulso <30 0 μ s, Ciclo de trabajo <2,0%.

3: T a partir J = 25 ° C, L = 1mH, I AS = 17.5 A, V DD = 40V, V GS = 10V.

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Características típicas TJ = 25 ° C a menos que se indique lo contrario

100 3.0
Duración de impulso = 80 μ s
V GS = 3V
CICLO = 0,5% MAX
80 VGS = 10V
2.5
= 4.5V
yo RE, Corriente de drenaje (A)

V GS = 3.5V

Drenaje-fuente-EN RESISTENCIA
60 VGS = 4V VGS
2.0

NORMALIZADA
V GS = 4V
VGS = 3.5V V GS = 4.5V
40 1.5

20 1.0
V GS = 10V Duración de impulso = 80 μ s
VGS = 3V
CICLO = 0,5% MAX
0 0.5
0 1 2 3 4 0 20 40 60 80 100
V DS, Drenaje a la fuente de voltaje (V)
ID, corriente de drenaje (A)

Figura 1. Por características de la región Figura 2. Normalizado on-Resistencia vs

Consumo de corriente y voltaje Puerta

1.6 25
ID = 14A ID = 7A Duración de impulso = 80 μ s

VGS = 10V CICLO = 0,5% MAX

1.4 r DS (a), Drenaje a la fuente de la
20
Drenaje-fuente-EN RESISTENCIA

1.2
NORMALIZADA

15

1.0
resistencia de (m Ω)

TJ = 125 ° C

10
0.8 TJ = 25 ° C

0.6 5
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 3 4 5 6 7 8 9 10
T J, TEMPERATURA DE LA UNIÓN ( o C) V GS, PUERTA A fuente de tensión (V)

Figura 3. Normalizado Resistencia En Figura 4. En-Resistencia vs Puerta de voltaje de

vs Temperatura de la unión la fuente

100
Duración de impulso = 80 μ s VGS = 0 V

CICLO = 0,5% MAX

80 100
yo S, INVERSA corriente de drenaje (A)
yo RE, Corriente de drenaje (A)

60 10
25 ° C

40 0,1 1
TJ = 125 ° C
TJ = -55 ° C TJ =
TJ = 25 ° C

20 0.01
TJ = 125 ° C TJ = - 55 ° C

0 0,001
1 2 3 4 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V GS, PUERTA A fuente de tensión (V) VDD = 5 V V DAKOTA DEL SUR, BODY diodo de tensión (V)

Figura 5. Características de transferencia La Figura 6. La fuente al drenaje diodo de

tensión directa vs fuente actual

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Características típicas TJ = 25 ° C a menos que se indique lo contrario

10 3000

ID = 14A
VDD = 10V
Ciss
8

VDD = 20V 1000

V GS, PUERTA A fuente de tensión (V)

CAPACITANCIA (pF)
6
Coss
VDD = 30V

Crss

2 f = 1 MHz
100
VGS = 0V

0 50
0 10 20 30 40 0.1 1 10 40

Q sol, GATE carga (nC) V DS, Drenaje a la fuente de voltaje (V)

La Figura 7. Características de la compuerta de carga Figura 8. Capacitancia vs Voltaje

drenaje-fuente

20 80

10
60
yo RE, Corriente de drenaje (A)
yo COMO, AVALANCHA DE CORRIENTE (A)

VGS = 10V
TJ = 25 ° C
40

TJ = 125 ° C Limitado por paquete

VGS = 4.5V

20

R θ = JC 2.1 o C / W

1 0
0.01 0.1 1 10 100 25 50 75 100 125 150
t AV, TIEMPO EN AVALANCHA (ms) T C, Temperatura de la caja ( o C)

La Figura 9. Desblocado capacidad de La Figura 10. Máxima Corriente continua vs Caso

conmutación inductivo Temperatura

1000
300
VGS = 10V
Para temperaturas superiores a 25 o C

disminución de potencia pico de corriente

PAG( PK), PICO TRANSITORIO DE POTENCIA (W)

LO SIGUIENTE:
yo RE, Corriente de drenaje (A)

150 T -C
I = I 25 ---------------------
125
100
ms 100us
Tc = 25 o C

10 ms 1
10
OPERACIÓN en esta área Solo pulso TJ = nominal 100

puede ser limitado por RDS máxima Tc = 25 ° C 100 ms

solo pulso
(on)

0,1 1 50
0.1 1 10 100 10- 4 10- 3 10- 2 10- 1 10 0 10 1

VDS, drenaje a la fuente de voltaje (V) t, ancho de pulso (s)

Figura 11. Forward Bias seguro La Figura 12. Pulso único Disipación de
Área de funcionamiento potencia máxima

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Características típicas TJ = 25 ° C a menos que se indique lo contrario

2
CICLO DE TRABAJO-orden descendente

D = 0,5
0.2
NORMALIZADA TÉRMICA

0.1
La impedancia, Z θ JC

0.05
0.02
PAG DM
0.01

t1

t2
0.1 1 NOTAS: factor de trabajo: D = t 1
/ t2
solo pulso PICO T J = PAG DM x Z θ JC x R θ JC + T C
0.05
10- 4 10- 3 10- 2 10- 1 10 0 10 1

t, RECTANGULAR duración del pulso (s)

Curva de respuesta térmica Figura 13. Transient

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tm

MARCAS

A continuación están registrados y marcas no registradas Fairchild Semiconductor posee o está autorizado a utilizar y no pretende ser una lista exhaustiva de
todas esas marcas.

ACEX ® GTO ™ Ahorro de energía ™ PowerTrench ® TinyBuck ™ TinyLogic

En todos los ámbitos. Alrededor del mundo. ™ HiSeC ™ programable activa Droop ™ QFET ® QS ® TINYOPTO ™
ActiveArray ™ sin i-Lo ™ ™ QT Optoelectrónica Quiet ™ ™ Serie TinyPower ™ TinyWire
fondo ™ Constrúyelo ImpliedDisconnect ™ RapidConfigure ™ ™ TruTranslation ™
Ahora ™ CoolFET ™ IntelliMAX ™ isoplanar ™ μSerDes ™
MICROCOUPLER ™
CROSSVOLT ™ CTL MicroPak ™ MICROWIRE
™ ™ MSX ™ UHC ®
Lógica de transferencia de corriente RapidConnect ™ UniFET ™
DOME ™ ™ E2 CMOS ™ EcoSPARK ScalarPump ™ VCX ™ Wire
™ Ensigna ™ MSXPro ™ SMART START ™ SPM ™ ™
OCX ™ SuperFET ™ SuperSOT ™ -3

OCXPro ™ SuperSOT ™ -6 SuperSOT ™

HECHO HECHO Quiet Series ™ OPTOLOGIC ® -8 TCM ™ La franquicia de los

® ® RÁPIDO FASTR ™ FPS ™ OPTOPLANAR ™ Power ®

® FRFET PACMAN ™ POP ™

Power220 ® Power247 ®
PowerEdge ™
™ TinyBoost
tm
GlobalOptoisolator ™ ™

DESCARGO DE RESPONSABILIDAD
Fairchild Semiconductor se reserva el DERECHO realizar cambios sin previo aviso a los productos aquí para mejorar la fiabilidad, funciones o diseños. FAIRCHILD no asume ninguna responsabilidad derivada de la
aplicación o uso de cualquier producto o CIRCUITO describe en este documento; Tampoco se concede licencia alguna sobre sus derechos de patente, ni los derechos de los demás. Estas especificaciones no se
expanden LAS CONDICIONES DE TÉRMINOS Fairchild todo el mundo y, en concreto el CONDICIONES DE GARANTÍA EN EL MISMO, que cubre ESTOS PRODUCTOS.

POLÍTICA DE SOPORTE VITAL

Los productos Fairchild no están autorizados PARA USO COMO CRITICAL COMPONENTES EN LIFE SUPPORT dispositivos o sistemas sin la aprobación LA expresa por escrito de FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
CORPORATION. Como se usa en el presente documento:

1. Los dispositivos o sistemas de soporte de vida son dispositivos o sistemas que, (a) están destinados 2. Un componente crítico es cualquier componente de un dispositivo de soporte de vida o sistema
para implante quirúrgico en el cuerpo o soporte (b) o sostener la vida y (c) cuyo fracaso para llevar a cabo cuyo incumplimiento puede esperarse razonablemente causar la falla del dispositivo de soporte de
cuando se utiliza correctamente de acuerdo con instrucciones de uso proporcionadas en el etiquetado, vida o sistema, o para afectar su seguridad o eficacia.
puede esperarse razonablemente que resulte en un perjuicio importante para el usuario.

DEFINICIONES DE LOS PRODUCTOS DE ESTADO

Definición de términos

Hoja de datos de identificación Estado del producto Definición

Información Anticipada En formativa o Diseño Esta hoja de datos contiene las especificaciones de diseño de producto desarrollar-

ment. Las especificaciones pueden cambiar de ninguna manera sin previo aviso.

Preliminar En primer lugar Producción Esta hoja de datos contiene los datos preliminares, y los datos complementarios se pu- ció en una fecha posterior.

Fairchild Semiconductor se reserva el derecho a realizar cambios en cualquier momento sin previo aviso con el fin

de mejorar el diseño.

No Identificación Necesaria Producción completa Esta hoja de datos contiene las especificaciones finales. Fairchild Semiconductor se reserva el derecho a realizar

cambios en cualquier momento sin previo aviso con el fin de mejorar el diseño.

Obsoleto No en Producción Esta hoja de datos contiene las especificaciones de un producto que ha sido discontin- UED por Fairchild

Semiconductor.The ficha técnica ha sido impresos para infor- mación referencia solamente.

Rev. I23
6

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personales o la muerte asociado con dicho uso no intencionado o no autorizado, incluso si dicha reclamación alega que ON Semiconductor fue negligente en el diseño o la fabricación de la pieza. ON Semiconductor es un / acción afirmativa igualdad de oportunidades. Esta literatura está sujeto a
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