Nombre: David Quimiz Garcia

Electrónica Analógica
Cuestionario
1. ¿Cuál de los siguientes temas describe mejor a un semiconductor tipo N?
a) Cargado positivamente.
b) Cargado negativamente.
c) Neutro
d) Ninguna de las anteriores.
2. Una de las características de un semiconductor intrínseco es:
a) Está dopado con impurezas trivalentes.
b) La concentración de electrones y huecos depende de la temperatura.
c) La concentración de electrones y huecos depende de si es tipo P o tipo N.
d) Está dopado
3. Si en un semiconductor intrínseco se aumenta mucho la temperatura entonces:
a) Se puede romper el equilibrio entre electrones y huecos.
b) Su resistividad aumenta.
c) Se puede comportar como un mal conductor.
d) Puede llegar a comportarse como un buen conductor.
4. Una estructura semiconductora conduce corriente en ambos sentidos cuando:
a) Si existe una emisión PN.
b) Tanto si es de tipo P como si es de tipo N.
c) Sólo si está dopada.
d) Ninguna de las anteriores.
5. ¿Qué dispositivo es indispensable en el filtrado de la señal en una fuente de
alimentación DC?
a) Bobina
b) Condensador
c) Transistor
d) Resistencia
6. El símbolo de la figura es un :

a) Condensador normal
b) Condensador electrolítico
c) Capacitor
d) Una fuente DC
7. En un diodo polarizado, casi toda la tensión externa aplicada aparece en:
a) Únicamente en los contactos metálicos.
b) En los contactos metálicos y en las zonas P y N
c) Sólo en zona P
d) La zona de vaciamiento o deplexión.
8. En un diodo polarizado inversamente se tiene que:
a) No existe barrera potencial en la zona de deplexión
b) Existe una corriente de saturación (IS) debida a la inyección de portadores
mayoritarios.
 c) Existe una corriente inversa de saturación (IS) dependiente de la temperatura.
d) Ninguna de las anteriores.
9. En un diodo Zener se cumple que:
a) No conducen con polarización directa
b) Presentan una resistencia muy baja en la región de conducción inversa.
c) Pueden regular la tensión sin consumir energía.
d) Presentan una resistencia muy alta en la región de conducción inversa.
10. ¿Cuál de las siguientes afirmaciones es cierta con respecto a la tensión de ruptura de
un diodo Zener?
a) Disminuye al aumentar la corriente
b) Destruye el diodo
c) Aumenta al disminuir la corriente
d) Es aproximadamente constante
11. ¿Cuándo se da el efecto Zener en la zona de ruptura de una unión PN?
a) Se da cuando la zona P está mucho mas dopada que la zona N
b) Se debe a la alta energía cinética que adquieren los electrones libres.
c) Se da cuando la zona N está dopada.
d) Se origina cuando hay campos eléctricos muy intensos en la zona de carga
espacial.
12. ¿Cuándo trabaja un transistor en saturación?
a) Cuando permite que por su colector circule la máxima corriente.
b) Cuando se comporta como un conmutador.
c) Cuando se comporta como un interruptor abierto.
d) Ninguna de las anteriores.
13. La ganancia de corriente de un transistor es la razón entre:
a) La corriente de colector y la de emisor.
b) Corriente emisor y la de base.
c) A y B son correctas.
d) Corriente colector y de base.
14. Al aumentar el voltaje de fuente del colector en un transistor, aumentara:
a) La corriente de base.
b) La corriente de colector.
c) La corriente de emisor.
d) Ninguna de las anteriores
15. Si en el emisor de un transistor PNP se mide 5V, la tensión que se mide en la base es:
a) 5.7V.
b) 4.3V.
c) 5V.
d) 3.3V
16. En la operación normal de un transistor, el diodo colector-base, tiene:
a) Polaridad directa.
b) Polaridad inversa.
c) La misma que la del diodo emisor-base.
d) A y C son correctas.